‘壹’ 谁知道手机内存中的RAM和ROM分别是什么吗
ROM是只读存储器,断电后能保证数据不会丢失,一般保证比较重要的数据.
RAM是随机存储器,断电后数据会丢失.
ROM和RAM指的都是半导体存储器。本来的含义是：ROM是Read
Only
Memory的意思，也就是说这种存储器只能读，不能写。而RAM是Random
Access
Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存，而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写
现在ROM通常指非挥发的存储器，或者说，不掉电。系统停止供电的时候它们仍然可以保持数据。所以光盘也有CD-ROM或者DVD-ROM的说法。而RAM通常都是没电之后就没有数据的，典型的就象计算机的内存，需要系统重新启动的时候从硬盘重新载入数据。有的时候，如果数据可以擦写，也会借用RAM这个概念，譬如DVD-RAM，其实只是可以擦写的DVD光盘而已，并非真正的半导体存储器
关于智能手机ROM和RAM的区别
存储器分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种。其中ROM通常用来固化存储一些生产厂家写入的程序或数据，用于启动电脑和控制电脑的工作方式。而RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。
对于手机而言
运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。ROM是静态空间，用来存储东西的，相当于手机的Z盘。RAM和ROM就好比是电脑的内存和硬盘。C盘准确的来讲也不应该叫ROM只读存储器。C盘应该叫FLASH，因为C盘是可擦写的，而FLASH的大小并不影响运行速度。
希望可以帮到你！
‘贰’ 手机的随机读写和顺序读写是什么有什么区别有什么用
手机读写一般指中央处理器（也就是手机芯片，如麒麟990、天玑1000+）收到操作命令后从内存（RAM）和永久存储芯片（ROM）读取数据（后者是间接的，必须存入RAM）。如果你只用一个程序（APP），那就是顺序读取内存（RAM）中的数据，实际情况是不可能的，因为我们不可能只用一个程序（APP），基本上都是随机读写数据。只有在测试的时候才是顺序读取。相当于我们常用的东西少，不常用的东西很少用，几年都没踫过（这是随机读取）；当我们整理清洁的时候，基本上所有的东西都要踫（这是顺序读取）。
‘叁’ 可擦写的只读存储器与随机存储器有什么区别吗亲身理解呀!
可擦写的只读存储器写入数据速度慢；随机存储器写入数据速度快。
可擦写的只读存储器擦写次数有限制（某些芯片标称10万次，在实际应用中，也就能用个几千次）；随机存储器写入次数无限制。
有些型号的可擦写只读存储器需要先擦写之后才能正确写入（FLASH、EPROM等）；随机存储器可以随时写入，不受这个限制。
可擦写的只读存储器掉电后数据可保存10年以上；随机存储器掉电后数据丢失。
‘肆’ 手机存储卡的擦写次数最少是多少至少会用几年
手机存储卡是基于flash闪存技术制作的，理论上可以擦写10万次，这个擦写次数是指把存储器存满，然后再全部删除，这才算一次完整的擦写次数。不过，格式化一次就相当擦写一次。
至于使用年限的话，要看你怎么用了，你可以根据擦写次数去计算，如果不经常格式化的话，一张4G的SD卡，大概可以放1000张照片（照片体积按4MB/张算），然后照片存满后删除算一次擦写，你照满1000张照片大概需要多长时间？如果1小时能照1000张的话，一天就是24次擦写动作，一年大概可以8760次，10万次你算下大概可以用多少年？
‘伍’ 手机中的ram是干啥用的
楼主你好、、很高兴回答你的问题、、RAM是随机存储器,断电后数据会丢、、RAM指是半导体存储器、、RAM是Random Access Memory的缩写。这个词的由来是因为早期的计算机曾经使用磁鼓作为内存，而磁鼓和磁带都是典型的顺序读写设备。RAM则可以随机读写 现在ROM通常指非挥发的存储器，或者说，不掉电。系统停止供电的时候它们仍然可以保持数据。所以光盘也有CD-ROM或者DVD-ROM的说法。而RAM通常都是没电之后就没有数据的，典型的就象计算机的内存，需要系统重新启动的时候从硬盘重新载入数据。有的时候，如果数据可以擦写，也会借用RAM这个概念，譬如DVD-RAM，其实只是可以擦写的DVD光盘而已，并非真正的半导体存储器 关于智能手机ROM和RAM的区别 存储器分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种。其中ROM通常用来固化存储一些生产厂家写入的程序或数据，用于启动电脑和控制电脑的工作方式。而RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。 对于手机而言 运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。ROM是静态空间，用来存储东西的，相当于手机的Z盘。RAM和ROM就好比是电脑的内存和硬盘。C盘准确的来讲也不应该叫ROM只读存储器。C盘应该叫FLASH，因为C盘是可擦写的，而FLASH的大小并不影响运行速度。 希望我的建议可以帮到你、、必要时候请采纳我为最佳答案
‘陆’ 什么叫手机闪存
闪存
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
概念
闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
技术特点
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
单片机闪存
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡
按品牌分
金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK。
【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资
Sandisk
料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始操作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
[1] 而比我们平常用的U盘存储量更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它采用低功耗，高性能的闪存存储芯片，以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集
型工作负载，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。最后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。
微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，
[1] “闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”
存储原理
要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
总体来说就是可以存储的设备
以上参考：http://ke..com/view/1371.htm?fr=aladdin
‘柒’ 关于手机内存RAM ROM 的问题
RAM是指内存，是随机储存器，带电的时候能存东西，没电时数据丢失，一般是做CPU处理数据时临时储存用的， ROM是只读储存器，但现在特指闪存，能够读写，相当于硬盘，所以你的手机里能储存128兆的东西。不可擦洗的ROM现在很少见了，象普通光盘和一次性刻录盘都属于不可擦洗的ROM，闪存一般能够反复擦写10万次左右，可放心使用！
‘捌’ 手机上的ROM是可擦写的么还有RAM小对手机有什么影响
ROM不可擦写，RAM小会影响多进程运行，但这影响主意存在与安卓系统手机，如果是你说的WP系统则影响不大。如果预算不太充足的话，建议你买个国产安卓手机，绝对能满足你的要求。
‘玖’ RAM和ROM的区别
区别如下：
1、概念
RAM（random access memory）即随机存储内存，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。ROM（Read-Only Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
(9)手机存储是随机擦写的吗扩展阅读：
运行内存
运行内存是指手机运行程序时的内存，也叫RAM（简称运存）。而另一个内存是用来存储东西的内存,就像8G的MP4一样,它拥有8G的存储空间,这种内存为一般叫的手机内存。
用电脑比较的话手机的运行内存就是电脑的内存，是不可以作为储存数据的介质的。
手机的“内存”通常指“运行内存”及“非运行内存”。手机的“运行内存”相当于电脑的内存，即RAM。而手机的“非运行内存”，相当于电脑的硬盘，厂家常直接称其为手机内存，也就是所谓的ROM。RAM越大，手机能运行多个程序且流畅；ROM越大，就像硬盘越大，能存放更多的数据。
拥有更大的运行内存的话手机可以打开更多的程序，如果本身容量足够的话并不能提升多少运行程序的速度，只能说更大的运行内存能更好的保证手机的正常运行。
手机的运行内存是指运行程序时存储或者暂时存储的地方，而CPU是用来计算的。
‘拾’ U盘属于外储存器吗RAM还ROM
U盘是属于外部储存设备
RAM（random
access
memory）即随机存储内存，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。ROM（Read-Only
Memory）即只读内存，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
对比
手机中的RAM和ROM分别对应电脑的内存和硬盘，内存负责程序的运行以及数据交换，有了它，电脑中的软件才能运行，并有了进程；而硬盘就是一块存储空间，可以存储各种各样的文件，包括视频、照片、音乐、软件等。
手机
RAM
手机中的RAM和ROM与电脑类似，由于RAM被称为随机存取内存，也就是运行内存，它支撑的是手机软件的运行，存放手机软件运行后进行的数据交换等工作。也就是，RAM决定了手机可以开多少后台程序，当然，RAM越大，手机的运行速度就越快。一旦手机关机，RAM中的数据就丢失，开机后也不会恢复。
手机
ROM
ROM被称为只读内存，即只能读不能随意写，也就是只能读取里面的数据，而不能随意修改和删除里面的数据，就像安卓系统Root前是无法修改系统文件的，这都是一个道理。但是，为什么可以在里面存储照片呢？其实，现在ROM的概念也包含了可以“写”（删除、修改文件）的概念，尤其在安卓系统中。所以ROM包含了一部分手机系统占据的空间，剩余的空间就可以用来存储您的视频、照片、音乐等，并且可以随意删除和修改。
手机
RAM
和
ROM
在安卓手机中，ROM包含了安卓系统、手机软件、用户文件（照片、视频等）。而用户存储的文件只占据ROM空间，是不影响RAM空间的。其次，ROM空间的大小对系统运行速度的影响是微乎其微的；影响手机运行速度的最主要因素是RAM。