存储器出厂测试流程_存储器的测试

① 半导体厂商如何做芯片的出厂测试

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；
2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；
3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；
4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；
5，其他根据芯片特性的测试。

② 如何测试W5300的内部TX/RX存储器

③ 存储器的结构

1cpu的内部
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存储器结构

存储器结构

第一层：通用寄存器堆
第二层：指令与数据缓冲栈
第三层：高速缓冲存储器
第四层：主储存器（DRAM）
第五层：联机外部储存器（硬磁盘机）
第六层：脱机外部储存器（磁带、光盘存储器等）
这就是存储器的层次结构~~~ 主要体现在访问速度~~~

2工作特点
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存储器结构

存储器结构① 设置多个存储器并且使他们并行工作。本质：增添瓶颈部件数目，使它们并行工作，从而减缓固定瓶颈。
② 采用多级存储系统，特别是Cache技术，这是一种减轻存储器带宽对系统性能影响的最佳结构方案。本质：把瓶颈部件分为多个流水线部件，加大操作时间的重叠、提高速度，从而减缓固定瓶颈。

③ 在微处理机内部设置各种缓冲存储器，以减轻对存储器存取的压力。增加CPU中寄存器的数量，也可大大缓解对存储器的压力。本质：缓冲技术，用于减缓暂时性瓶颈。
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

3具体结构分类
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根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：

01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储

存储器结构

存储器结构单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）

它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72PIN或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。

存储器结构

存储器结构06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，

存储器结构

存储器结构投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)

ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。

4组成元件分类
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ROM内存又分为以下五种：

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存储器结构1.MASK ROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上

存储器结构

存储器结构的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。

5.Flash Memory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。

④ 如何测试手机内存是ufs还是emmc

通过AndroBench等闪存速度测试软件，对机器的读写速度进行测试，间接性的闪存规格判定。最高速度在300MB/s以下的大几率都是eMMC，在500MB/s附近则可能是UFS2.0，在700MB/s以上则较大可能是UFS2.1了。

手机系统内存是指手机运行程序时使用的内存。
手机系统内存是一种随机存取存储器（RAM），高速存取，读写时间相等，且与地址无关。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
定义
手机系统内存是指手机运行程序时使用的内存（即运行内存），只能临时存储数据，用于与CPU交换高速缓存数据，但是随机存储器（RAM）本身不能用于长期存储数据。

⑤ 存储器的测试

存储器测试的目的是确认在存储设备中的每一个存储位置都在工作。换一句话说，如果你把数50存储在一个具体的地址，你希望可以找到存储在那里的那个数，直到另一个数写入。任何存储器测试的基本方法是，往存储器写入一些数据，然后根据内存设备的地址，校验读回的数据。如果所有读回的数据和那些写入的数据是一样的，那么就可以说存储设备通过了测试。只有通过认真选择的一组数据你才可以确信通过的结果是有意义的。
当然，像刚才描述的有储器的测试不可避免地具有破坏性。在内存测试过程中，你必须覆盖它原先的内容。因为重写非易失性存储器内容通常来说是不可行的，这一部分描述的测试通常只适用于RAM 的测试。一，普通的存储器问题
在学习具体的测试算法之前，你应该了解可能遇到的各种存储器问题。在软件工程师中一个普遍的误解是，大部分的存储器问题发生在芯片的内部。尽管这类问题一度是一个主要的问题，但是它们在日益减少。存储设备的制造商们对于每一个批量的芯片都进行了各种产品后期测试。因此，即使某一个批量有问题，其中某个坏芯片进人到你的系统的可能性是微乎其微的。
你可能遇到的一种类型的存储芯片问题是灾难性的失效。这通常是在加工好之后芯片受到物理或者是电子损伤造成的。灾难性失效是少见的，通常影响芯片中的大部分。因为一大片区域受到影响，所以灾难性的失效当然可以被合适的测试算法检测到。
存储器出问题比较普遍的原因是电路板故障。典型的电路板故障有：
（1）在处理器与存储设备之间的连线问题
（2）无存储器芯片
（3）存储器芯片的不正确插人
二，测试策略
最好有三个独立的测试：数据总线的测试、地址总线的测试以及设备的测试。前面两个测试针对电子连线的问题以及芯片的不正确插入；第三个测试更倾向于检测芯片的有无以及灾难性失效。作为一个意外的结果，设备的测试也可以发现控制总线的问题，尽管它不能提供关于问题来源的有用信息。
执行这三个测试的顺序是重要的。正确的顺序是：首先进行数据总线测试，接着是地址总线测试，最后是设备测试。那是因为地址总线测试假设数据总线在正常工作，除非数据总线和地址总线已知是正常的，否则设备测试便毫无意义。如果任何测试失败，你都应该和一个硬件工程师一起确定问题的来源。通过查看测试失败处的数据值或者地址，应该能够迅速地找出电路板上的问题。
1，数据总线测试
我们首先要测试的就是数据总线。我们需要确定任何由处理器放置在数据总线上的值都被另一端的存储设备正确接收。最明显的测试方法就是写人所有可能的数据值并且验证存储设备成功地存储了每一个。然而，那并不是最有效率的测试方法。一个更快的测试方法是一次测试总线上的一位。如果每一个数据上可被设置成为 0 和1，而不受其他数据位的影响，那么数据总线就通过了测试。
2，地址总线测试
在确认数据总线工作正常之后，你应该接着测试地址总线。记住地址总线的问题将导致存储器位置的重叠。有很多可能重叠的地址。然而，不必要测试每一个可能的组合。你应该努力在测试过程中分离每一个地址位。你只需要确认每一个地址线的管脚都可以被设置成0和 1，而不影响其他的管脚。
3，设备测试
一旦你知道地址和数据总线是正确的，那么就有必要测试存储设备本身的完整性。要确认的是设备中的每一位都能够保持住0和 1。这个测试实现起来十分简单，但是它花费的时间比执行前面两项测试花费的总时间还要长。
对于一个完整的设备测试，你必须访问（读和写）每一个存储位置两次。你可以自由地选择任何数据作为第一步测试的数据，只要在进行第二步测试的时候把这个值求反即可。因为存在没有存储器芯片的可能性，所以最好选择一组随着地址变化（但是不等于地址）的数。优化措施
市场上并不缺少提高数据存储效率的新技术，然而这些新技术绝大多数都是关注备份和存档的，而非主存储。但是，当企业开始进行主存储数据缩减时，对他们来说，了解主存储优化所要求的必要条件十分重要。
主存储，常常被称为1级存储，其特征是存储活跃数据――即经常被存取并要求高性能、低时延和高可用性的数据。主存储一般用于支持关键任务应用，如数据库、电子邮件和交易处理。大多数关键应用具有随机的数据取存模式和不同的取存要求，但它们都生成机构用来运营它们的业务的大量的数据。因此，机构制作数据的许多份拷贝，复制数据供分布使用，库存数据，然后为安全保存备份和存档数据。
绝大多数数据是起源于主数据。随着数据存在的时间增加，它们通常被迁移到二级和三级存储保存。因此，如果机构可以减少主数据存储占用空间，将能够在数据生命期中利用这些节省下来的容量和费用。换句话说，更少的主存储占用空间意味着更少的数据复制、库存、存档和备份。
试图减少主存储占用空间存储管理人员可以考虑两种减少数据的方法：实时压缩和数据去重。
直到不久前，由于性能问题，数据压缩一直没有在主存储应用中得到广泛应用。然而，Storwize等厂商提供利用实时、随机存取压缩/解压技术将数据占用空间压缩15:1的解决方案。更高的压缩率和实时性能使压缩解决方案成为主存储数据缩减的可行的选择。
在备份应用中广泛采用的数据去重技术也在被应用到主存储。目前为止，数据去重面临着一大挑战，即数据去重处理是离线处理。这是因为确定数量可能多达数百万的文件中的多余的数据块需要大量的时间和存储处理器做大量的工作，因此非常活跃的数据可能受到影响。当前，推出数据去重技术的主要厂商包括NetApp、Data Domain和OcarinaNetworks。一、零性能影响
与备份或存档存储不同，活跃数据集的性能比能够用某种形式的数据缩减技术节省的存储容量更为关键。因此，选择的数据缩减技术必须不影响到性能。它必须有效和简单；它必须等价于“拨动一个开关，就消耗更少的存储”。
活跃存储缩减解决方案只在需要去重的数据达到非活跃状态时才为活跃存储去重。换句话说，这意味着实际上只对不再被存取但仍保存在活跃存储池中的文件――近活跃存储级――进行去重。
去重技术通过建议只对轻I/O工作负载去重来避免性能瓶颈。因此，IT基础设施的关键组件的存储没有得到优化。数据库排在关键组件清单之首。由于它们是1级存储和极其活跃的组件并且几乎始终被排除在轻工作负载之外，去重处理从来不分析它们。因此，它们在主存储中占据的空间没有得到优化。
另一方面，实时压缩系统实时压缩所有流经压缩系统的数据。这导致节省存储容量之外的意外好处：存储性能的提高。当所有数据都被压缩时，每个I/O请求提交的数据量都有效地增加，硬盘空间增加了，每次写和读操作都变得效率更高。
实际结果是占用的硬盘容量减少，总体存储性能显着提高。
主存储去重的第二个好处是所有数据都被减少，这实现了包括数据库在内的所有数据的容量节省。尽管Oracle环境的实时数据压缩可能造成一些性能问题，但迄今为止的测试表明性能提高了。
另一个问题是对存储控制器本身的性能影响。人们要求今天的存储控制器除了做伺服硬盘外，还要做很多事情，包括管理不同的协议，执行复制和管理快照。再向这些功能增加另一个功能可能会超出控制器的承受能力――即使它能够处理额外的工作负载，它仍增加了一个存储管理人员必须意识到可能成为潜在I/O瓶颈的过程。将压缩工作交给外部专用设备去做，从性能问题中消除了一个变数，而且不会给存储控制器造成一点影响。
二、高可用性
许多关注二级存储的数据缩减解决方案不是高可用的。这是由于它们必须立即恢复的备份或存档数据不像一级存储中那样关键。但是，甚至在二级存储中，这种概念也逐渐不再时兴，高可用性被作为一种选择添加到许多二级存储系统中。
可是，高可用性在主存储中并不是可选的选项。从数据缩减格式(被去重或被压缩)中读取数据的能力必须存在。在数据缩减解决方案中(其中去重被集成到存储阵列中)，冗余性是几乎总是高可用的存储阵列的必然结果。
在配件市场去重系统中，解决方案的一个组件以数据的原始格式向客户机提供去重的数据。这个组件就叫做读出器(reader)。读出器也必须是高可用的，并且是无缝地高可用的。一些解决方案具有在发生故障时在标准服务器上加载读出器的能力。这类解决方案经常被用在近活跃的或更合适的存档数据上;它们不太适合非常活跃的数据集。
多数联机压缩系统被插入系统中和网络上，放置(逻辑上)在交换机与存储之间。因此，它们由于网络基础设施级上几乎总是设计具有的高可用性而取得冗余性。沿着这些路径插入联机专用设备实现了不需要IT管理人员付出额外努力的无缝的故障切换；它利用了已经在网络上所做的工作。
三、节省空间
部署这些解决方案之一必须带来显着的容量节省。如果减少占用容量的主存储导致低于标准的用户性能，它没有价值。
主数据不具有备份数据通常具有的高冗余存储模式。这直接影响到总体容量节省。这里也有两种实现主数据缩减的方法：数据去重和压缩。
数据去重技术寻找近活跃文件中的冗余数据，而能取得什么水平的数据缩减将取决于环境。在具有高冗余水平的环境中，数据去重可以带来显着的ROI(投资回报)，而另一些环境只能取得10%到20%的缩减。
压缩对所有可用数据都有效，并且它在可以为高冗余数据节省更多的存储容量的同时，还为主存储应用常见的更随机的数据模式始终带来更高的节省。
实际上，数据模式冗余度越高，去重带来的空间节省就越大。数据模式越随机，压缩带来的空间节省就越高。
四、独立于应用
真正的好处可能来自所有跨数据类型(不管产生这些数据是什么应用或数据有多活跃)的数据缩减。虽然实际的缩减率根据去重数据的水平或数据的压缩率的不同而不同，但所有数据都必须合格。
当涉及存档或备份时，应用特有的数据缩减具有明确的价值，并且有时间为这类数据集定制缩减过程。但是对于活跃数据集，应用的特殊性将造成性能瓶颈，不会带来显着的容量缩减的好处。
五、独立于存储
在混合的厂商IT基础设施中，跨所有平台使用同样的数据缩减工具的能力不仅将进一步增加数据缩减的ROI好处，而且还简化了部署和管理。每一个存储平台使用一种不同的数据缩减方法将需要进行大量的培训，并造成管理级上的混乱。
六、互补
在完成上述所有优化主存储的工作后，当到了备份主存储时，最好让数据保持优化的格式(被压缩或去重)。如果数据在备份之前必须扩展恢复为原始格式，这将是浪费资源。
为备份扩展数据集将需要：
使用存储处理器或外部读出器资源解压数据;
扩展网络资源以把数据传送给备份目标；
把额外的资源分配给保存备份数据的备份存储设备。

⑥ 电脑硬件

1、特殊代码“00”和“FF”及其它起始码有三种情况出现：
①已由一系列其它代码之后再出现：“00”或“FF”，则主板OK。
②如果将CMOS中设置无错误，则不严重的故障不会影响BIOS自检的继续，而最终出现“00”或“FF”。
③一开机就出现“00”或“FF”或其它起始代码并且不变化则为板没有运行起来。
2、本表是按代码值从小到大排序，卡中出码顺序不定。
3、未定义的代码表中未列出。
4、对于不同BIOS（常用的AMI、Award、Phoenix）用同一代码所代表的意义有所不同，因此应弄清您所检测的电脑是属于哪一种类型的BIOS，您可查问你的电脑使用手册，或从主板上的BIOS芯片上直接查看，也可以在启动屏幕时直接看到。

5、有少数主板的PCI槽只有前一部分代码出现，但ISA槽则有完整自检代码输出。且目前已发现有极个别原装机主板的ISA槽无代码输出，而PCI槽则有完整代码输出，故建议您在查看代码不成功时，将本双槽卡换到另一种插槽试一下。另外，同一块主板的不同PCI槽，有的槽有完整代码送出，如DELL810主板只有靠近CPU的一个PCI槽有完整的代码显示，一直变化到“00”或“FF”，而其它槽走到“38”则不继续变化。

6、复位信号所需时间ISA与PCI不一定同步，故有可能ISA开始出代码，但PCI的复位灯还不熄，故PCI代码停在起始码上。

代码AwardBIOSAmiBIOSPhoenixBIOS或Tandy3000BIOS
00.已显示系统的配置；即将控制INI19引导装入。.
01处理器测试1，处理器状态核实,如果测试失败，循环是无限的。处理器寄存器的测试即将开始，不可屏蔽中断即将停用。CPU寄存器测试正在进行或者失败。
02确定诊断的类型（正常或者制造）。如果键盘缓冲器含有数据就会失效。停用不可屏蔽中断；通过延迟开始。CMOS写入／读出正在进行或者失灵。
03清除8042键盘控制器，发出TESTKBRD命令（AAH）通电延迟已完成。ROMBIOS检查部件正在进行或失灵。
04使8042键盘控制器复位，核实TESTKBRD。键盘控制器软复位／通电测试。可编程间隔计时器的测试正在进行或失灵。
05如果不断重复制造测试1至5，可获得8042控制状态。已确定软复位／通电；即将启动ROM。DMA初如准备正在进行或者失灵。
06使电路片作初始准备，停用视频、奇偶性、DMA电路片，以及清除DMA电路片，所有页面寄存器和CMOS停机字节。已启动ROM计算ROMBIOS检查总和，以及检查键盘缓冲器是否清除。DMA初始页面寄存器读／写测试正在进行或失灵。
07处理器测试2，核实CPU寄存器的工作。ROMBIOS检查总和正常，键盘缓冲器已清除，向键盘发出BAT（基本保证测试）命令。.
08使CMOS计时器作初始准备，正常的更新计时器的循环。已向键盘发出BAT命令，即将写入BAT命令。RAM更新检验正在进行或失灵。
09EPROM检查总和且必须等于零才通过。核实键盘的基本保证测试，接着核实键盘命令字节。第一个64KRAM测试正在进行。
0A使视频接口作初始准备。发出键盘命令字节代码，即将写入命令字节数据。第一个64KRAM芯片或数据线失灵，移位。
0B测试8254通道0。写入键盘控制器命令字节，即将发出引脚23和24的封锁／解锁命令。第一个64KRAM奇／偶逻辑失灵。
0C测试8254通道1。键盘控制器引脚23、24已封锁／解锁；已发出NOP命令。第一个64KRAN的地址线故障。
0D1、检查CPU速度是否与系统时钟相匹配。2、检查控制芯片已编程值是否符合初设置。3、视频通道测试，如果失败，则鸣喇叭。已处理NOP命令；接着测试CMOS停开寄存器。第一个64KRAM的奇偶性失灵
0E测试CMOS停机字节。CMOS停开寄存器读／写测试；将计算CMOS检查总和。初始化输入／输出端口地址。
0F测试扩展的CMOS。已计算CMOS检查总和写入诊断字节；CMOS开始初始准备。.
10测试DMA通道0。CMOS已作初始准备，CMOS状态寄存器即将为日期和时间作初始准备。第一个64KRAM第0位故障。
11测试DMA通道1。CMOS状态寄存器已作初始准备，即将停用DMA和中断控制器。第一个64DKRAM第1位故障。
12测试DMA页面寄存器。停用DMA控制器1以及中断控制器1和2；即将视频显示器并使端口B作初始准备。第一个64DKRAM第2位故障。
13测试8741键盘控制器接口。视频显示器已停用，端口B已作初始准备；即将开始电路片初始化／存储器自动检测。第一个64DKRAM第3位故障。
14测试存储器更新触发电路。电路片初始化／存储器处自动检测结束；8254计时器测试即将开始。第一个64DKRAM第4位故障。
15测试开头64K的系统存储器。第2通道计时器测试了一半；8254第2通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第5位故障。
16建立8259所用的中断矢量表。第2通道计时器测试结束；8254第1通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第6位故障。
17调准视频输入／输出工作，若装有视频BIOS则启用。第1通道计时器测试结束；8254第0通道计时器即将完成测试。第一个64DKRAM第7位故障。
18测试视频存储器，如果安装选用的视频BIOS通过，由可绕过。第0通道计时器测试结束；即将开始更新存储器。第一个64DKRAM第8位故障。
19测试第1通道的中断控制器（8259）屏蔽位。已开始更新存储器，接着将完成存储器的更新。第一个64DKRAM第9位故障。
1A测试第2通道的中断控制器（8259）屏蔽位。正在触发存储器更新线路，即将检查15微秒通／断时间。第一个64DKRAM第10位故障。
1B测试CMOS电池电平。完成存储器更新时间30微秒测试；即将开始基本的64K存储器测试。第一个64DKRAM第11位故障。
1C测试CMOS检查总和。.第一个64DKRAM第12位故障。
1D调定CMOS配置。.第一个64DKRAM第13位故障。
1E测定系统存储器的大小，并且把它和CMOS值比较。.第一个64DKRAM第14位故障。
1F测试64K存储器至最高640K。.第一个64DKRAM第15位故障。
20测量固定的8259中断位。开始基本的64K存储器测试；即将测试地址线。从属DMA寄存器测试正在进行或失灵。
21维持不可屏蔽中断（NMI）位（奇偶性或输入／输出通道的检查）。通过地址线测试；即将触发奇偶性。主DMA寄存器测试正在进行或失灵。
22测试8259的中断功能。结束触发奇偶性；将开始串行数据读／写测试。主中断屏蔽寄存器测试正在进行或失灵。
23测试保护方式8086虚拟方式和8086页面方式。基本的64K串行数据读／写测试正常；即将开始中断矢量初始化之前的任何调节。从属中断屏蔽存器测试正在进行或失灵。
24测定1MB以上的扩展存储器。矢量初始化之前的任何调节完成，即将开始中断矢量的初始准备。设置ES段地址寄存器注册表到内存高端。
25测试除头一个64K之后的所有存储器。完成中断矢量初始准备；将为旋转式断续开始读出8042的输入／输出端口。装入中断矢量正在进行或失灵。
26测试保护方式的例外情况。读出8042的输入／输出端口；即将为旋转式断续开始使全局数据作初始准备。开启A20地址线；使之参入寻址。
27确定超高速缓冲存储器的控制或屏蔽RAM。全1数据初始准备结束；接着将进行中断矢量之后的任何初始准备。键盘控制器测试正在进行或失灵。
28确定超高速缓冲存储器的控制或者特别的8042键盘控制器。完成中断矢量之后的初始准备；即将调定单色方式。CMOS电源故障／检查总和计算正在进行。
29.已调定单色方式，即将调定彩色方式。CMOS配置有效性的检查正在进行。
2A使键盘控制器作初始准备。已调定彩色方式，即将进行ROM测试前的触发奇偶性。置空64K基本内存。
2B使磁盘驱动器和控制器作初始准备。触发奇偶性结束；即将控制任选的视频ROM检查前所需的任何调节。屏幕存储器测试正在进行或失灵。
2C检查串行端口，并使之作初始准备。完成视频ROM控制之前的处理；即将查看任选的视频ROM并加以控制。屏幕初始准备正在进行或失灵。
2D检测并行端口，并使之作初始准备。已完成任选的视频ROM控制，即将进行视频ROM回复控制之后任何其他处理的控制。屏幕回扫测试正在进行或失灵。
2E使硬磁盘驱动器和控制器作初始准备。从视频ROM控制之后的处理复原；如果没有发现EGA／VGA就要进行显示器存储器读／写测试。检测视频ROM正在进行。
2F检测数学协处理器，并使之作初始准备。没发现EGA／VGA；即将开始显示器存储器读／写测试。.
30建立基本内存和扩展内存。通过显示器存储器读／写测试；即将进行扫描检查。认为屏幕是可以工作的。
31检测从C800：0至EFFF：0的选用ROM，并使之作初始准备。显示器存储器读／写测试或扫描检查失败，即将进行另一种显示器存储器读／写测试。单色监视器是可以工作的。
32对主板上COM／LTP／FDD／声音设备等I／O芯片编程使之适合设置值。通过另一种显示器存储器读／写测试；却将进行另一种显示器扫描检查。彩色监视器（40列）是可以工作的。
33.视频显示器检查结束；将开始利用调节开关和实际插卡检验显示器的关型。彩色监视器（80列）是可以工作的。
34.已检验显示器适配器；接着将调定显示方式。计时器滴答声中断测试正在进行或失灵。
35.完成调定显示方式；即将检查BIOSROM的数据区。停机测试正在进行或失灵。
36.已检查BIOSROM数据区；即将调定通电信息的游标。门电路中A－20失灵。
37.识别通电信息的游标调定已完成；即将显示通电信息。保护方式中的意外中断。
38.完成显示通电信息；即将读出新的游标位置。RAM测试正在进行或者地址故障＞FFFFH。
39.已读出保存游标位置，即将显示引用信息串。.
3A.引用信息串显示结束；即将显示发现<ESC>信息。间隔计时器通道2测试或失灵。
3B用OPTI电路片（只是486）使辅助超高速缓冲存储器作初始准备。已显示发现＜ESC＞信息；虚拟方式，存储器测试即将开始。按日计算的日历时钟测试正在进行或失灵。
3C建立允许进入CMOS设置的标志。.串行端口测试正在进行或失灵。
3D初始化键盘／PS2鼠标／PNP设备及总内存节点。.并行端口测试正在进行或失灵。
3E尝试打开L2高速缓存。.数学协处理器测试正在进行或失灵。
40.已开始准备虚拟方式的测试；即将从视频存储器来检验。调整CPU速度，使之与外围时钟精确匹配。
41中断已打开，将初始化数据以便于0：0检测内存变换（中断控制器或内存不良）从视频存储器检验之后复原；即将准备描述符表。系统插件板选择失灵。
42显示窗口进入SETUP。描述符表已准备好；即将进行虚拟方式作存储器测试。扩展CMOSRAM故障。
43若是即插即用BIOS，则串口、并口初始化。进入虚拟方式；即将为诊断方式实现中断。.
44.已实现中断（如已接通诊断开关；即将使数据作初始准备以检查存储器在0：0返转。）BIOS中断进行初始化。
45初始化数学协处理器。数据已作初始准备；即将检查存储器在0：0返转以及找出系统存储器的规模。.
46.测试存储器已返回；存储器大小计算完毕，即将写入页面来测试存储器。检查只读存储器ROM版本。
47.即将在扩展的存储器试写页面；即将基本640K存储器写入页面。.
48.已将基本存储器写入页面；即将确定1MB以上的存储器。视频检查，CMOS重新配置。
49.找出1BM以下的存储器并检验；即将确定1MB以上的存储器。.
4A.找出1MB以上的存储器并检验；即将检查BIOSROM数据区。进行视频的初始化。
4B.BIOSROM数据区的检验结束，即将检查＜ESC＞和为软复位清除1MB以上的存储器。.
4C.清除1MB以上的存储器(软复位)即将清除1MB以上的存储器.屏蔽视频BIOSROM。.
4D已清除1MB以上的存储器（软复位）；将保存存储器的大小。.
4E若检测到有错误；在显示器上显示错误信息，并等待客户按＜F1＞键继续。开始存储器的测试：（无软复位）；即将显示第一个64K存储器的测试。显示版权信息。
4F读写软、硬盘数据，进行DOS引导。开始显示存储器的大小，正在测试存储器将使之更新；将进行串行和随机的存储器测试。.

50将当前BIOS监时区内的CMOS值存到CMOS中。完成1MB以下的存储器测试；即将高速存储器的大小以便再定位和掩蔽。将CPU类型和速度送到屏幕。
51.测试1MB以上的存储器。.
52所有ISA只读存储器ROM进行初始化，最终给PCI分配IRQ号等初始化工作。已完成1MB以上的存储器测试；即将准备回到实址方式。进入键盘检测。
53如果不是即插即用BIOS，则初始化串口、并口和设置时种值。保存CPU寄存器和存储器的大小，将进入实址方式。.
54.成功地开启实址方式；即将复原准备停机时保存的寄存器。扫描“打击键”
55.寄存器已复原，将停用门电路A－20的地址线。.
56.成功地停用A－20的地址线；即将检查BIOSROM数据区。键盘测试结束。
57.BIOSROM数据区检查了一半；继续进行。.
58.BIOSROM的数据区检查结束；将清除发现＜ESC＞信息。非设置中断测试。
59.已清除＜ESC＞信息；信息已显示；即将开始DMA和中断控制器的测试。.
5A..显示按“F2”键进行设置。
5B..测试基本内存地址。
5C..测试640K基本内存。
60设置硬盘引导扇区病毒保护功能。通过DMA页面寄存器的测试；即将检验视频存储器。测试扩展内存。
61显示系统配置表。视频存储器检验结束；即将进行DMA＃1基本寄存器的测试。.
62开始用中断19H进行系统引导。通过DMA＃1基本寄存器的测试；即将进行DMA＃2寄存器的测试。测试扩展内存地址线。
63.通过DMA＃2基本寄存器的测试；即将检查BIOSROM数据区。.
64.BIOSROM数据区检查了一半，继续进行。.
65.BIOSROM数据区检查结束；将把DMA装置1和2编程。.
66.DMA装置1和2编程结束；即将使用59号中断控制器作初始准备。Cache注册表进行优化配置。
67.8259初始准备已结束；即将开始键盘测试。.
68..使外部Cache和CPU内部Cache都工作。
6A..测试并显示外部Cache值。
6C..显示被屏蔽内容。
6E..显示附属配置信息。
70..检测到的错误代码送到屏幕显示。
72..检测配置有否错误。
74..测试实时时钟。
76..扫查键盘错误。
7A..锁键盘。
7C..设置硬件中断矢量。
7E..测试有否安装数学处理器。
80.键盘测试开始，正在清除和检查有没有键卡住，即将使键盘复原。关闭可编程输入／输出设备。
81.找出键盘复原的错误卡住的键；即将发出键盘控制端口的测试命令。.
82.键盘控制器接口测试结束，即将写入命令字节和使循环缓冲器作初始准备。检测和安装固定RS232接口（串口）。
83.已写入命令字节，已完成全局数据的初始准备；即将检查有没有键锁住。.
84.已检查有没有锁住的键，即将检查存储器是否与CMOS失配。检测和安装固定并行口。
85.已检查存储器的大小；即将显示软错误和口令或旁通安排。.
86.已检查口令；即将进行旁通安排前的编程。重新打开可编程I／O设备和检测固定I／O是否有冲突。
87.完成安排前的编程；将进行CMOS安排的编程。.
88.从CMOS安排程序复原清除屏幕；即将进行后面的编程。初始化BIOS数据区。
89.完成安排后的编程；即将显示通电屏幕信息。.
8A.显示头一个屏幕信息。进行扩展BIOS数据区初始化。
8B.显示了信息：即将屏蔽主要和视频BIOS。.
8C.成功地屏蔽主要和视频BIOS，将开始CMOS后的安排任选项的编程。进行软驱控制器初始化。
8D.已经安排任选项编程，接着检查滑了鼠和进行初始准备。.
8E.检测了鼠标以及完成初始准备；即将把硬、软磁盘复位。.
8F.软磁盘已检查，该磁盘将作初始准备，随后配备软磁盘。.
90.软磁盘配置结束；将测试硬磁盘的存在。硬盘控制器进行初始化。
91.硬磁盘存在测试结束；随后配置硬磁盘。局部总线硬盘控制器初始化。
92.硬磁盘配置完成；即将检查BIOSROM的数据区。跳转到用户路径2。
93.BIOSROM的数据区已检查一半；继续进行。.
94.BIOSROM的数据区检查完毕，即调定基本和扩展存储器的大小。关闭A－20地址线。
95.因应鼠标和硬磁盘47型支持而调节好存储器的大小；即将检验显示存储器。.
96.检验显示存储器后复原；即将进行C800：0任选ROM控制之前的初始准备。“ES段”注册表清除。
97.C800：0任选ROM控制之前的任何初始准备结束，接着进行任选ROM的检查及控制。.
98.任选ROM的控制完成；即将进行任选ROM回复控制之后所需的任何处理。查找ROM选择。
99.任选ROM测试之后所需的任何初始准备结束；即将建立计时器的数据区或打印机基本地址。.
9A.调定计时器和打印机基本地址后的返回操作；即调定RS－232基本地址。屏蔽ROM选择。
9B.在RS－232基本地址之后返回；即将进行协处理器测试之初始准备。.
9C.协处理器测试之前所需初始准备结束；接着使协处理器作初始准备。建立电源节能管理。
9D.协处理器作好初始准备，即将进行协处理器测试之后的任何初始准备。.
9E.完成协处理器之后的初始准备，将检查扩展键盘，键盘识别符，以及数字锁定。开放硬件中断。
9F.已检查扩展键盘，调定识别标志，数字锁接通或断开，将发出键盘识别命令。.
A0.发出键盘识别命令；即将使键盘识别标志复原。设置时间和日期。
A1.键盘识别标志复原；接着进行高速缓冲存储器的测试。.
A2.高速缓冲存储器测试结束；即将显示任何软错误。检查键盘锁。
A3.软错误显示完毕；即将调定键盘打击的速率。.
A4.调好键盘的打击速率，即将制订存储器的等待状态。键盘重复输入速率的初始化。
A5.存储器等候状态制定完毕；接着将清除屏幕。.
A6.屏幕已清除；即将启动奇偶性和不可屏蔽中断。.
A7.已启用不可屏蔽中断和奇偶性；即将进行控制任选的ROM在E000：0之所需的任何初始准备。.
A8.控制ROM在E000：0之前的初始准备结束，接着将控制E000：0之后所需的任何初始准备。清除“F2”键提示。
A9.从控制E000：0ROM返回，即将进行控制E000：0任选ROM之后所需的任何初始准备。.
AA.在E000：0控制任选ROM之后的初始准备结束；即将显示系统的配置。扫描“F2”键打击。
AC..进入设置.
AE..清除通电自检标志。
B0..检查非关键性错误。
B2..通电自检完成准备进入操作系统引导。
B4..蜂鸣器响一声。
B6..检测密码设置（可选）。
B8..清除全部描述表。
BC..清除校验检查值。
BE程序缺省值进入控制芯片，符合可调制二进制缺省值表。.清除屏幕（可选）。
BF测试CMOS建立值。.检测病毒，提示做资料备份。
C0初始化高速缓存。.用中断19试引导。
C1内存自检。.查找引导扇区中的“55”“AA”标记。
C3第一个256K内存测试。..
C5从ROM内复制BIOS进行快速自检。..
C6高速缓存自检。..
CA检测Micronies超速缓冲存储器（如果存在），并使之作初始准备。..
CC关断不可屏蔽中断处理器。..
EE处理器意料不到的例外情况。..
FF给予INI19引导装入程序的控制，主板OK

⑦ 如何鉴别TF卡存储设备质量检测详细步骤

如何鉴别TF卡?
MicroSD 卡是一种极细小的快闪存储器卡，其格式源自SanDisk创造，原本这种记忆卡称为T-Flash，及后改称为TransFlash;而重新命名为microSD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立。另一些被SDA采立的记忆卡包括miniSD和SD卡。
下面，我们就来看看存储设备质量检测详细步骤。
1、把你想要检测的TF卡或U盘插入电脑的USB接口上。
2、从网上下载软件“MyDiskTest”双击并打开。选中我们要检测的盘符。点选“开始检测”按钮。
3、等待一段时间。软件会生成一个“报告”显示在下方。
4、下载软件“ChipGenius”打开，它会自动检测。通过下面得出的信息。可以清楚的知道，这个存储设备的制造商及所用的芯片组。复制信息很容易在网上查找出具体信息。还可以很据型号进行量产。
5、下载并打开软件“ATTO Disk Benchmark”设置参数点击“开始”按钮。这款软件用来检测硬盘, U 盘, 存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。测试完成后数据用柱状图的形式表达出来. 很直观的说明了文件大小比例不同时对磁盘读写速度的影响。
6、不要动鼠标，等待一会即可。柱形直方图清楚地显示出该TF卡的写入速度是18.7/MB，读取速度是20.9/MB。
7、拷贝一个略小于你购买的TF卡或U盘的电影或其他镜像到其中。用软件在其播放或者运行。播放或运行都没有问题的话，说明此移动存储设备完好。
8、最后是防伪标示，在官方网站上输入编码进行查询。
注意事项
1、TF卡或U盘这类数码产品一定要去正规大些的商场或网络商城购买并索要发票。
2、在检测设备时不要同时运行其他软件。

⑧ CPU制造工艺的生产流程

要了解CPU的生产工艺，我们需要先知道CPU是怎么被制造出来的。生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。
在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是300毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。
然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。
由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。
每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。
当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

存储器出厂测试流程

与存储器出厂测试流程相关的内容