⑴ vivo的内存融合是否会降低存储使用寿命
内存融合技术分为两种，一种是zram，一种是swap，前者就是在物理内存里面划分出一块，将应用不活跃的地方进行压缩。缺点是会增加CPU负担，后者类似于windows的虚拟内存技术，在运行内存不足时（ram）用一部分储存（rom）来代替，缺点会降低闪存寿命。
内存融合其实并不是什么新技术，但今年格外火热。vivo、OPPO华为、realme、中兴等品牌纷纷先后推出了相关技术（也有叫内存拓展）。另外据了解，小米的内存融合技术也将很快在MIUI13上线。
通常我们买手机或者是买电脑的时候，下意识就会问一句：要多大内存版本？这里的“内存”通俗意义上有两个含义：RAM（运行内存）和ROM（闪存）。
RAM是与CPU进行直接数据交换的储存容器，可以供用户随时读写，速度较快，但遇到断电情况会丢失存储内容，适合用来短时间存储数据，作为缓冲区进行使用。
ROM（闪存）则是一种长寿命、非易失性存储容器，断电下仍能对存储数据进行保留，作用类似于电脑中的硬盘，用来储存手机里的图片、视频、音乐等数据文件。
比如你的手机是“8+256GB版本”，这里的8GB说的就是运行内存。理论上运行内存越大，手机就越流畅，应用多开也能减少卡顿的情况出现。256GB说的自然就是闪存容量，容量越大能存储的应用和文件数量就越多。
而所谓的“内存融合”，可以简单理解为能够将一部分的存储空间转化为运行内存。这样当开启多个APP，运行内存不够用的时候，系统能够用这部分的“虚拟内存”存放后台不活跃的应用进程，减少手机运行内存的压力，提升手机流畅度。
根据目前各家已经上线的“内存融合”技术的概况来看，这项技术普遍能够实现1~3GB左右的”内存扩展“，诸如realme GT大师探索版这样的机型，甚至能够实现“12+7”的扩展能力。
之所以说内存融合技术其实并不是什么新东西，是因为大约在十年前Android其实就有了zRAM与swap两个技术来解决手机运行内存不够用的问题。这两项技术从原理上，和当前的内存融合技术有一定的相似之处。
zRAM的原理是通过压缩正在运行软件的体积来变相增加可同时运行软件数量，当RAM满载的时候，系统能够将不常用的软件部分代码进行压缩，让原本满载的容量体积变小，空出来的容量可以运行别的软件，需要用那部分代码再进行解压。而swap就是虚拟内存技术，也就是将一部门的ROM作为RAM来使用。
⑵ 什么是易失性存储器什么是非易失性存储器
易失性存储器就是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候，里面的数据会丢失，就像内存。非易失性存储器在上面的情况下数据不会丢失，像硬盘等外存。
⑶ iphone6闪存寿命是多少
iPhone6使用了Anobit的TLC闪存芯片，TLC指的是Trinary Level Cell，是固态NAND快闪存储器的一种，价格便宜，它的数据存储量是SLC存储器的3倍，是MLC存储器的1.5倍。但TLC仅有约1000次擦写寿命，MLC则有约3000-10000次，使用TLC的iPhone6在开机、加载程序等环境要比MLC慢约20-30%时间，这些时间可能在长期使用磨损后才会被察觉。虽然影响细微，但价格昂贵的iPhone6却使用价格低廉的TLC闪存芯片，这才是让许多果粉难以接受的。
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
⑷ 存储器寿命问题，硬盘、SSD、SD卡~
硬盘>SSD固态硬盘>SD卡
这要从存储介质说起。
1、硬盘是一种采用磁介质的数据存储设备，数据存储在密封于洁净的硬盘驱动器内腔的若干个磁盘片上。这些盘片一般是在以的片基表面涂上磁性介质所形成，在磁盘片的每一面上，以转动轴为轴心、以一定的磁密度为间隔的若干个同心圆就被划分成磁道（track），每个磁道又被划分为若干个扇区（sector），数据就按扇区存放在硬盘上。在每一面上都相应地有一个读写磁头（head），所以不同磁头的所有相同位置的磁道就构成了所谓的柱面（cylinder）。
机械硬盘的理论寿命大概有3万小时以上，一般硬盘一直开机工作（例如网站服务器的硬盘），3年就会寿终正寝，如果正常使用，6、7年应该没有问题
2、关于SSD和SD，他们都是FLASH芯片
3、FLASH芯片理论可以读写十万次以上（主控芯片的不同，导致寿命有差别）由于写入是按照总量计算的，即全容量的存储一次才记一次，对于游戏、系统等，几天也不足写入一次。对于办公，游戏更新，软件更新等，则寿命短些，平均寿命约4年。
3、硅圆是FLASH芯片的原材料，最好的，拿去做CPU，GPU，差点的拿去做内存条的FLASH。再差点的做固态硬盘，最后的下脚料做U盘及内存卡。
至于质量可想而知。
因此虽然SD卡和SSD硬盘的存储介质都是FLASH芯片，但质量差别很大，寿命相差也很明显。
所以关于寿命：硬盘>SSD固态硬盘>SD卡
⑸ 什么是非易失性存储器
断电后，所存储的数据不会丢失的存储器。
在许多常见的应用中，微处理器要求用非易失性存储器来存放其可执行代码、变量和其他暂态数据。rom、eprom或flash
memory(快闪存储器)常被用来存放可执行代码(因这些代码不会被频繁修改)
⑹ 闪存的到底什么作用
闪存就是Flash Memory，断电也可以保存数据，相当于一组芯片。
⑺ 关于内存的知识
1984年，东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。特点是非易失性，其记录速度也非常快，同时体积小，因此后来被广泛运用于数码相机，掌上电脑，MP3、手机等小型数码产品中。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司，当时为NOR闪存。
1989年日立公司于研制了NAND闪存，逐渐替代了NOR闪存。
PC上的SSD和手机的ROM，本质上是一家人，都是NAND闪存。
手机内存（RAM，随机存取存储器）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。说人话，就是我们常说的手机运行内存。
在PC平台，内存经历了SIMM内存、EDO DRAM内存、SDRAM内存、Rambus DRAM内存、DDR内存的发展，到如今普及到DDR4内存，而手机上采用的LPDDR RAM是“低功耗双倍数据速率内存”的缩写，与桌面平台的DDR4内存相比，面向移动平台的LPDDR4，其能够在带来等效的性能(速度)的同时，兼顾更少的能源消耗。
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，即使断电也不会丢失数据，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（NOR Flash为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。通俗地说，它就相当于电脑中的硬盘，运行内存在断电后不会保留存储的数据，而要长期保持数据不丢失还是需要将数据从内存写入到硬盘当中。对于电脑这样的桌面设备，我们可以塞进去一块硬盘，而对于手机这样的移动设备，显然就不现实了。
eMMC是非易失性存储器，不论在通电或断电状态下，数据都是可以存储的，而DDR3内存是易失性存储器，断电同时，数据即丢失
eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
eMMC的存储容量要比DDR3内存大3-4倍，常见有32G，而DDR3内存容量相对较小，常见有2-16G
2015年前所有主流的智能手机和平板电脑都采用这种存储介质。
emmc 协议
2011年电子设备工程联合委员会（Joint Electron Device En gineering Council，简称JEDEC）发布了第一代通用闪存存储（Universal Flash Storage，简称UFS）标准，即UFS 2.0的前身。
2013年，JEDEC在当年9月发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准，UFS 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌。
UFS 2.0共有两个版本：
1、HS-G2，也就是目前的UFS 2.0
2、HS-G3，可以称为UFS 2.1，其数据读取速度将飙至1.5G/s
UFS 2.0的闪存规格则采用了新的标准，它使用的是串行接口，很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列
eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就慢。
DDR、DDR2发展到DDR3，频率更高、电压更低的同时延迟也在不断变大，慢慢改变着内存子系统，而DDR4最重要的使命是提高频率和带宽，每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，拥有高达4266MHz的频率，内存容量最大可达到128GB，运行电压正常可降低到1.2V、1.1V
LPDDR是什么呢？它的全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一种，又称为mDDR（Mobile DDR SDRAM）,是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积着称，专门用于移动式电子产品。
LPDDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标准电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X，与LPDDR4相同，只是通过将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电
⑻ 闪存都有哪些种类
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。
⑼ 有的手机介绍说内存是闪存的。闪存是什么意思是和内存卡一样永久储存的吗
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等 闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。