A. 芯片是如何储存信息的
芯片储存信息的原理如下：
对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。
对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。
(1)静态存储器的存储容量大吗扩展阅读
主存储器的两个重要技术指标：
读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作（如读操作）所必需的时间间隔。
存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。
地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。
主存储器分类：
按信息保存的长短分：ROM与RAM。
按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。
静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
B. 静态存储器和动态存储器器件的特性有哪些主要区别各自主要应用在什么地方
静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个双稳态电路存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。
动态存储器是采用超大容量的存储技术，但是，其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比，耗电量相对较高。优点： 跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为最低。
所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等都属于动态储存器。
C. 静态存储区 最大限制为多大
静态区，全局变量和静态变量的存储是放在一块的，初始化的全局变量和静态变量在一块区域，
未初始化的全局变量和未初始化的静态变量在相邻的另一块区域。
D. 静态存储器和动态存储器分别利用什么来存储0和1信息
静态存储器是用双稳态二极管存储信息的，其具有速度快，容量小的特点。而动态存储器则是由电容和刷新电路组成，其具有功耗大，存储量大，速度慢的特点。
E. 半导体存储器的分类
半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类。
只读存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据（如常数表、函数、表格和字符等），计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产厂家利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
随机读写存储器
1、静态存储器（SRAM）
利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低，成本高，功耗较大，通常作为Cache的存储体。
2、动态存储器（DRAM）
利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单，集成度高，成本低，功耗小，但需要反复进行刷新（Refresh）操作，工作速度较慢，适合作为主存储器的主体部分。
3、增强型DRAM（EDRAM）
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的，这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用，从而使DRAM芯片的性能得到显着改进。
F. 动态存储器和静态存储器哪个快
静态存储器快
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。
由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。
所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。
另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
G. 什么是64k存储器
..64K位静态存储器
饭冢哲哉;香山晋;辛永库
<正> 在最近十多年中,MOS存储器大体上以一定的速度持续地向着大容量化的方向发展。对于动态存储器来说,在产品水平上从1970年的1K位迅速发展到1982年的256K位。由此可见,集成度以每3年4倍的速度向前发展。静态存储器(SRAM)大容量化的发展速度与动态存储器(DRAM)相当或处于动态存储器之上,特别是CMOS静态存储器的集成度发展速
【DOI】：cnki:ISSN:1004-3365.0.1983-06-008
【正文快照】：
在最近十多年中,MOS存储器大体上以一定的速度持续地向着大容量化的方向发展。对于动态存储器来说,在产品水平上从1970年的1 K位迅速发展到1982年的256K位。由此可见,集成度以每3年4倍的速度向前发展。静态存储器(SRAM)大容量化的发展速度与动态存储器(DRAM)相当或处于动态存储
H. 什么是静态存储器什么是动态存储器
静态存储器(SRAM）：读写速度快,成本高,需要电源才能工作,断电信息将丢失,多用于容量较小的高速缓冲存储器.
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢,集成度高,成本低,要求配置动态刷新电路,多用于容量较大的主存储器.
I. 什么叫做静态存储器它依靠什么存储信息
静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息。它是依靠触发器的两个稳定状态来存储信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
这里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相关的答案