㈠ U盘的工作原理是怎样的U盘有专利吗
计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号（加入分配、核对、堆栈等指令）读写到USB芯片适配接口，通过芯片处理信号分配给EEPROM存储芯片的相应地址存储二进制数据，实现数据的存储。EEPROM数据存储器，其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值，栅晶体管的结电容可长时间保存电压值，断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
2002年7月，朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6）获得国家知识产权局正式授权。该专利填补了中国计算机存储领域20年来发明专利的空白。
㈡ 怎样制作简易24CXX存储器读写工具
1、先买一个电脑打印机的打印线(两端有插头)；
㈢ 计算机存储器的分类
计算机存储器可以根据存储能力与电源的关系可以分为以下两类：
一、易失性存储器（Volatile memory)是指当电源供应中断后，存储器所存储的数据便会消失的存储器。主要有以下的类型：
1、动态随机访问存储器，英文缩写写作DRAM，一般每个单元由一个晶体管和一个电容组成（后者在集成电路上可以用两个晶体管模拟）。
特点是单元占用资源和空间小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般计算机内存即由DRAM组成。在PC上，DRAM以内存条的方式出现，DRAM颗粒多为4位或8位位宽，而载有多个颗粒的单根内存条的位宽为64位。
2、静态随机存取存储器，英文缩写写作SRAM，一般每个单元由6个晶体管组成，但近来也出现由8个晶体管构成的SRAM单元。特点是速度快，但单元占用资源比DRAM多。一般CPU和GPU的缓存即由SRAM构成。
二、非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所存储的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取存储器中的数据。 主要种类如下：
1、只读存储器：可编程只读存储器、可擦除可规划式只读存储器、电子抹除式可复写只读存储器
2、闪存
3、磁盘：硬盘、软盘、磁带
(3)怎么写存储器专利扩展阅读：
存储器以二进制计算容量，基本单位是Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根据电气电子工程师协会（IEEE 1541）和欧洲联盟(HD 60027-2:2003-03)的标准，二进制乘数词头的缩写为“Ki”、“Mi”、“Gi”，以避免与SI Unit国际单位制混淆。
但二进制乘数词头没有广泛被制造业和个人采用，标示为4GB的内存实际上已经是4GiB，但标示为4.7GB的DVD实际上是4.37GiB。
对于32位的操作系统，最多可使用232个地址，即是4GiB。物理地址扩展可以让处理器在32位操作系统访问超过4GiB存储器，发展64位处理器则是根本的解决方法，但操作系统、驱动程序和应用程序都会有兼容性问题。
㈣ 存储器由哪几部分组成，如何使用
存储器由存储体、地址译码器和控制电路组成。
1)存储体是存储数据信息的载体。由一系列存储单元组成，每个存储单元都有确定的地址。存储单元通常按字节编址，一个存储单元为一个字节，每个字节能存放一个8位二进制数。就像一个大仓库，分成许多房间，大仓库相当于存储体，房间相当于字节，房间都有编号，编号就是地址。
2)地址译码器将CPU发出的地址信号转换为对存储体中某一存储单元的选通信号。相当于CPU给出地址，地址译码器找出相应地址房间的钥匙。通常地址是8位或1 6位，输入到地址译码器，产生相应的选通线，8位地址能产生28=256根选通线，即能选通256字节。16位地址能产生216=65536=64K根选通线，即能选通64K字节。当然要产生65536根选通线是很难想象的，实际上它是分成256根行线和256根列线，256 X 256=65536，合起来能选通65536个存储单元。
3)存储器控制电路包括片选控制、读／写控制和带三态门的输入／输出缓冲电路。
①片选控制确定存储器芯片是否工作。
②读/写控制确定数据传输方向；若是读指令，则将已被选通的存储单元中的内容传送到数据总线上；若是写指令，则将数据总线上的数据传送到已被选通的存储单元中。
③带三态门的输入/输出缓冲电路用于数据缓冲和防止总线上数据竞争。数据总线相当于一条车流频繁的大马路，必须在绿灯条件下，车辆才能进入这条大马路，否则要撞车发生交通事故。同理，存储器的输出端是连接在数据总线上的，存储器中的数据是不能随意传送到数据总线上的。例如，若数据总线上的数据是“1”(高电平5V)，存储器中的数据是“0”(低电平OV)，两种数据若碰到一起就会发生短路而损坏单片机。因此，存储器输出端口不仅能呈现“1”和“O”两种状态，还应具有第三种状态“高阻"态。呈“高阻"态时，它们的输出端口相当于断开，对数据总线不起作用，此时数据总线可被其他器件占用。当其他器件呈“高阻"态时，存储器在片选允许和输出允许的条件下，才能将自己的数据输出到数据总线上。
单片机学习需要理论结合实际，最好有自己的单片机开发板辅助，看视频教程，目前主流的有吴鉴鹰单片机开发板
㈤ 知识产权、专利申请
办理计算机软件登记，需要提供软件源程序，如果没有设计完成，那么则无法申请版权。
第九章 涉及计算机程序的发明专利申请审查的若干问题
1.引言
根据中国专利法第二十五条第一款第（二）项的规定，对智力活动的规则和方法不授予专利权。这里所说的智力活动的规则和方法包括数学方法以及一切属于以人的抽象思维、主观意念或者感觉为特征的非技术方案（参见本部分第一章第3.2节）。
根据专利法实施细则第二条第一款的规定，专利法所称的发明是指对产品、方法或者其改进所提出的新的技术方案。涉及计算机程序的发明专利申请也必须是一种符合这一条款要求的新的技术方案。
本章所说的计算机程序本身是指为了能够得到某种结果而可以由计算机等具有信息处理能力的装置执行的代码化指令序列，或者可被自动转换成代码化指令序列的符号化指令序列或者符号化语句序列。计算机程序本身包括源程序和目标程序。
本章所说的涉及计算机程序的发明是指为解决发明提出的问题，全部或部分以计算机程序处理流程为基础的解决方案。
法25.1(2)
2.涉及计算机程序的发明专利申请的审查
如果发明专利申请只涉及计算机程序本身或者是仅仅记录在载体（例如磁带、磁盘、光盘、磁光盘 、ROM、PROM、VCD、DVD或者其他的计算机可读介质）上的计算机程序，就其程序本身而言，不论它以何种形式出现，都属于智力活动的规则和方法。
但是，如果一件涉及计算机程序的发明专利申请是为了解决技术问题，利用了技术手段和能够产生技术效果，就不应仅仅因为该发明专利申请涉及计算机程序而否定该发明专利申请属于可给予专利保护的客体。例如，将一个计算机程序输入到一个公知的计算机来控制该计算机的内部操作，从而实现计算机内部性能的改进；或者使用一个计算机程序来控制某一工业过程、测量或者测试过程；或者使用一个计算机程序来实现外部数据处理等，这些发明专利申请的主题符合上述要求时都不应被排除在属于可给予专利保护的客体范围之外。当一件涉及计算机程序的发明专利申请是为了解决技术问题，利用了技术手段和能够产生技术效果时，表明该专利申请属于可给予专利保护的客体。
2.1 不授予专利权的涉及计算机程序的发明专利申请
凡是属于中国专利法第二十五条第一款第（二）项规定范围之内的涉及计算机程序的发明专利申请都不属于可给予专利保护的客体。以下给出几个不属于可给予专利保护的客体的例子。
(1) 发明专利申请的主题涉及一种利用计算机求解圆周率的方法，该方法首先将一正方形的面积用均匀的足够精确的“点”进行划分，再作此正方形的内切圆，然后编制一个计算机程序来求解圆周率π，该计算机程序使得计算机先对上述正方形内均匀分部的“点”进行脉冲计数，并按照如下公式：
∑圆内“点”计数值
π = ————————————— × 4
∑正方形内“点”计数值
进行计算，求出圆周率π。在计算中，若取样的“点”划分得越多越细，则圆周率的值也就计算得越精确。
本发明申请的主题实质上仅仅涉及一种纯数学运算方法或规则本身，未解决技术问题，它所处理的对象和所获得的结果都是非技术的数值。因此，本发明不属于可给予专利保护的客体。
(2) 发明专利申请的主题涉及一种使用计算机自动测量动摩擦系数μ的方法。测量动摩擦系数的传统方法是采用一种装置以固定速度牵引被测绳状物，分别测出摩擦片的位置变化量S-1和S2，再按下列公式：
μ= （log S2-log S1）/e
计算出被测绳状物的动摩擦系数μ。而本发明是利用计算机按如下程序对S1和S2自动进行数据处理从而求出其动摩擦系数μ，即：
1. 求出S2和S1的比值S2/S1；
2. 求出比值S2/S1的对数logS2/S1；
3. 求出对数log S2/S1与e的比值。
这种涉及计算机程序的发明专利申请的主题虽然是求解物理量，但该发明对传统的测量方法并未增加任何新的技术特征，实际上只是一种算法程序，仍然属于一种单纯的数学方法范畴；因此，本发明不属于可给予专利保护的客体。
(3) 发明专利申请的主题涉及在实际使用的基础上向计算机软件应用程序的用户引入新的、增强的功能的方法，这种方法首先提供足够的功能，以使用户学习基础级时使用，然后在预定条件完成的基础上，向用户提供新的、增强的功能。
本发明的实质在于：在所述计算机各项应用程序功能都已经确定的基础上，仅仅根据发明人自己的主观认识、判断、意念或经验来确定和教导、指示或告知所述应用程序的用户在什么样的条件下应当启动什么样的新的、增强的功能。本发明所解决的不是技术问题，利用的是一种属于编程方法的非技术手段，且所获得的效果也不是技术效果。因此，本发明不属于可给予专利保护的客体。
(4) 发明专利申请的主题涉及一种企业对员工奖励的管理系统，该系统包括一个公知计算机、一个数据库和一个用于对相关信息进行管理的计算机程序。本发明利用上述计算机程序控制所述公知计算机对数据库中的信息数据进行处理以达到对员工奖励实施管理的目的。
本发明虽然是一种“管理系统”，但由于其硬件结构没有发生任何变化，所以本发明的实质为用于对相关信息进行管理的计算机程序，即一种用于对奖金发放实施管理的方法。本发明解决的不是技术问题，所获得的效果也不是技术效果；因此，本发明不属于可给予专利保护的客体。
(5) 发明专利申请的主题涉及一种游戏机过程管理或控制方法，包括输入一个游戏的步骤、判断该游戏是否是一个新游戏的步骤、调入新游戏数据的步骤、清除已执行过的所述新游戏数据的步骤、将计数器加1的步骤、和返回初始状态并等待输入一个新游戏的步骤。
本发明专利申请的主题实质上是一个运行于公知游戏机的，对多种游戏进行过程管理或控制的游戏过程管理或控制程序。本发明专利申请的主题仅仅是对游戏的过程进行管理或控制，它所解决的不是一个技术问题，所获得的效果也不是技术效果；因此，本发明不属于可给予专利保护的客体。
(6) 发明专利申请的主题名称为一种存储计算机程序的计算机可读存储介质，但是该计算机可读存储介质本身的物理特性没有发生任何变化，申请主题的实质是记录在该计算机可读存储介质上的计算机程序本身。由于计算机程序本身不给予专利保护，所以本发明不属于可给予专利保护的客体。
2.2 可授予专利权的涉及计算机程序的发明专利申请
凡是为了解决技术问题，利用技术手段，并可以获得技术效果的涉及计算机程序的发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
2.2.1 用于工业过程控制的涉及计算机程序的发明专利申请
如果发明专利申请是把一个计算机程序输入给公知的计算机，从而形成一种计算机控制的装置或者计算机控制的生产方法，在这种情况下，将计算机程序与计算机硬件作为一个整体来考虑，则该公知计算机与该计算机程序一起构成了用于工业过程控制的生产装置或生产方法。由于其解决的是技术问题，并能够产生技术效果，所以，这种用于工业过程控制的涉及计算机程序的发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
例如:发明专利申请涉及一种控制橡胶模压成型工艺的方法，利用输入到一个公知计算机内的计算机程序对上述模压成型工艺进行控制，该计算机程序可以精确、实时地控制该生产工艺中的橡胶硫化时间，使用了这种计算机程序对橡胶的硫化时间进行控制后，克服了现有技术工艺过程经常出现的过硫化和欠硫化的缺点，使橡胶产品的质量大为提高；由于该发明所解决的是技术问题，利用了技术手段，并获得了技术效果，所以本发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
2.2.2 涉及计算机内部运行性能改善的发明专利申请
如果发明专利申请的主题涉及利用一个计算机程序改善公知计算机系统内部运行性能的方法，由于这种发明专利申请要解决的是技术问题，并且由于改善了公知计算机系统的内部运行性能而取得了技术效果，所以，这种发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
例如：发明专利申请的主题是利用一个计算机程序对所述计算机执行虚拟存储控制以扩展该计算机的有效存储容量，使该计算机的有效存储容量被极大提高，从而增加了该计算机的信息数据存储数量，并提高了该计算机的运行速度和效率。该发明专利申请的主题解决了增加计算机有效存储容量这个技术问题，并取得了技术效果。所以，本发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
2.2.3 用于测量或测试过程控制的涉及计算机程序的发明专利申请
如果发明专利申请的主题是利用计算机程序来控制和/或执行某种测量或测试过程，由于这种发明专利申请要解决 的是技术问题，并能够获得技术效果，因此这种发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
例如：发明专利申请的主题涉及一种用于测量液体粘度的装置，其用一个计算机程序来自动控制取样、计算粘度和对样品室进行清洗等过程。由于该发明要解决的是一种技术问题，并且在利用了相关计算机程序之后和现有技术相比大大提高了测量效率和精度，具有技术效果；所以，本发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
2.2.4 用于外部数据处理的涉及计算机程序的发明专利申请
如果发明专利申请的主题是利用在公知计算机上运行的计算机程序对外部数据进行处理，以解决某个具体的技术问题，那么，由于它所处理的是技术问题，利用了技术手段，并能够获得技术效果，所以，这种发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
例如：发明专利申请的主题涉及一种图像处理设备，包括一个在公知存储器中存储有一个图像处理程序的公知计算机，所述计算机在该图像处理程序的控制下对外部输入的图像信息数据进行处理，以便改进所述图像的质量。本发明专利申请的主题实质上是利用一个计算机程序在公知计算机上对图像数据进行处理以便改善该图像的图像质量。改进图像质量是其要解决的技术问题，获得图像质量的改善是一种技术效果。因此，本发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
法25.1(2)
3. 涉及汉字编码方法及计算机汉字输入方法的发明专利申请
汉字编码方法本身属于一种信息表述方法，就信息表述方法本身或者汉字编码方法本身而言，同声音信号、语言信号、可视显示信号或者交通指示信号等各种信息表述方式一样，只取决于人的主观意念或者人为的规定，因此，汉字编码方法本身不是技术方案。实施该编码方法本身的结果仅仅是一个符号/字母数字串，不是技术效果；因此，发明专利申请主题仅仅涉及汉字编码方法的发明专利申请不属于可给予专利保护的客体。
例如：一项发明专利申请主题仅仅涉及一种汉语字根编码方法，这种汉语字根编码方法用于编纂字典和利用所述字典检索汉字，本发明的汉字编码方法仅仅是根据发明人的认识和理解，人为地制定编码汉字的相应规则，选择、指定和组合汉字编码码元，形成表示汉字的代码/字母数字串。本发明所要解决的不是技术问题，不使用技术手段，且不具有技术效果；因此，本发明专利申请不属于可给予专利保护的客体。
但是，如果把汉字编码方法与该编码方法所使用的特定键盘相结合而作为计算机系统处理汉字的一种计算机汉字输入方法或者计算机汉字信息处理方法，使原来不能运行中文汉字的公知计算机系统能够以汉字信息为指令，产生出若干新的功能，以至能实现生产过程的自动化控制或者办公系统的自动化管理；那么，这种计算机汉字输入方法或者计算机汉字信息处理方法属于可给予专利保护的客体。
对于这种由汉字编码方法与该编码方法所使用的特定键盘相结合而构成的计算机汉字输入方法的发明专利申请，在说明书及权利要求书中应当描述该汉字输入方法的技术特征，必要时，还应当描述该输入方法所使用键盘的技术特征，包括该键盘中对各键位的定义以及各键位在该键盘中的位置等。
例如：发明专利申请的主题涉及一种计算机汉字输入方法，包括从组成汉字的所有字根中选择确定数量的特定字根作为编码码元的步骤、将这些编码码元指定到所述特定键盘相应键位上的步骤、利用键盘上的特定键位根据汉字编码输入规则输入汉字的步骤。
本发明专利申请涉及将汉字编码方法与特定键盘相结合的计算机汉字输入方法，通过该输入方法，使原来不能运行中文汉字的公知计算机系统能够运行中文汉字，增加了公知计算机系统的处理功能。本发明专利申请要解决的是技术问题，并能够产生技术效果，因此本发明专利申请属于可给予专利保护的客体。
4.涉及计算机程序的发明专利申请的说明书及权利要求书的撰写
涉及计算机程序的发明专利申请的说明书及权利要求书的撰写要求与其他技术领域的发明专利申请的说明书及权利要求书的撰写要求原则上相同。以下仅就涉及计算机程序的发明专利申请的说明书及权利要求书在撰写方面的特殊要求作如下说明。
法26.3
4.1 说明书的撰写
涉及计算机程序的发明专利申请的说明书除了应当从整体上描述该发明的技术方案之外，还必须清楚、完整地描述该计算机程序的设计构思及其技术特征以及达到其技术效果的实施方式。为了清楚、完整地描述该计算机程序的主要技术特征，说明书附图中应当给出该计算机程序的主要流程图。说明书中应当以所给出的计算机程序流程为基础，按照该流程的时间顺序，以自然语言对该计算机程序的各步骤进行描述。说明书对该计算机程序主要技术特征的公开程度应当以本专业技术领域内的普通技术人员能够根据说明书所公开的流程图及其说明自行编制出能够达到所述技术效果的计算机程序为准。为了清楚起见，如有必要，申请人可以用惯用的标记性程序语言简短摘录某些关键部分的计算机源程序以供参考，但不需要提交全部计算机源程序。
法26.4
4.2 权利要求书的撰写
细则20.1及21.2
涉及计算机程序的发明专利申请的权利要求书的独立权利要求可以写成一种方法权利要求，也可以写成一种产品权利要求，即实现该方法的装置。无论写成哪种形式的权利要求，都必须得到说明书的支持，并且都必须从整体上反映该发明的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征，而不能只概括地描述该计算机程序所具有的功能和该功能所能够达到的效果。如果写成方法权利要求，应当按照方法流程的步骤详细描述该计算机程序所执行的各项功能以及如何完成这些功能；如果写成装置权利要求，应当具体描述该装置的各个组成部分及其各组成部分之间的关系，并详细描述该计算机程序的各项功能是由哪些组成部分完成以及如何完成这些功能。
下面给出涉及计算机程序的发明分别撰写成装置权利要求和方法权利要求的例子，以供参考。
例1
一件关于“对CRT屏幕上的字符进行游标控制”的发明专利申请，其独立权利要求可以按下述方法权利要求撰写。
“一种CRT显示屏幕的游标控制方法，包括：
用于输入信息的输入步骤；
用于将游标水平和垂直移动起始位置地址存储到H/V起点位置存储装置中的步骤；
用于将游标水平和垂直移动终点位置地址存储到H/V终点位置存储装置的步骤；
用于将游标当前位置的水平和垂直地址存储到游标位置存储装置中的步骤；
其特征是所述游标控制方法还包括：
用于分别将存储在所述游标位置存储装置中的游标当前的水平及垂直地址与存储在所述H/V终点位置存储装置中相应于其水平及垂直终点位置的地址进行比较的比较步骤；
由所述输入键盘输出信号和所述比较器输出信号控制的游标位置变换步骤，该步骤可对如下动作进行选择，
对存储在游标位置存储装置中的水平及垂直地址，按单个字符位置给予增1，或对存储在游标位置存储装置中的水平及垂直地址，按单个字符位置给予减1，或把存储在H/V起点存储装置中的水平及垂直起始位置的地址向游标位置存储装置进行置位；
用于根据所述游标位置存储装置中的存储状态在显示屏上显示所述游标当前位置的游标显示步骤。”
例2 将上述例1所述涉及计算机程序的发明专利申请的权利要求写成装置权利要求。
“一种CRT显示屏幕的游标控制器，包括：
用于输入信息的输入装置；
用于存储游标水平和垂直移动起始位置地址的H/V起点位置存储装置；
用于存储游标水平和垂直移动终点位置地址的H/V终点位置存储装置；
用于存储游标当前位置的水平和垂直地址的游标位置存储装置；
其特征是所述游标控制器还包括：
用于分别将存储在所述游标位置存储装置中的游标当前的水平及垂直地址与存储在所述H/V终点位置存储装置中相应于其水平及垂直终点位置的地址进行比较的比较器；
由所述输入键盘输出信号和所述比较器输出信号控制的游标位置变换装置，该装置可对如下动作进行选择，
对存储在游标位置存储装置中的水平及垂直地址，按单个字符位置给予增1，
或对存储在游标位置存储装置中的水平及垂直地址，按单个字符位置给予减1，
或把存储在H/V起点存储装置中的水平及垂直起始位置的地址向游标位置存储装置进行置位；
用于根据所述游标位置存储装置中的存储状态在显示屏上显示所述游标当前位置的游标显示装置。”
例3 一件有关“适用作顺序控制和伺服控制的计算机系统”的发明专利申请，其采用并行处理，以打开、关闭和暂停三种指令作为在第一和第二程序之间并行处理指令来进行顺序控制和伺服控制。其写成的方法独立权利要求如下：
利用打开、关闭和暂停指令作为并行处理指令来进行顺序控制和伺服控制的方法，其特征在于采用下列步骤：
将欲执行任务的顺序控制或者伺服控制程序存入该计算机系统的程序存贮器中；
启动该计算机系统工作，CPU按程序计数器内容读取指令、执行操作，并根据所执行指令的内容更新程序计数器；
当所执行指令为通常的程序指令时，程序计数器的更新与通用计算机相同；
当所执行指令为打开指令时，程序计数器被更新为此打开指令之后指令的地址，即要打开的并行处理程序的首地址，从而启动控制子过程操作；
当所执行指令为关闭指令时，程序计数器由地址表中选择得到的地址、或者此关闭指令之后指令的地址来更新，从而使发出该关闭指令的程序本身或者另一并行程序终止程序，同时伴随着启动其它的并行程序；
当所执行的指令为暂停指令时，程序计数器由该暂停指令之后的指令地址更新，从而使此程序按需要暂停执行一定的时间，同时在此期间内启动另一并行程序。
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你可以向国家知识产权局咨询处咨询（因为这里的回答是最权威的）咨询一下；
国家知识产权局咨询电话：010 62083879、010 62083966、010 62083457。
上班时间（工作日）：
上午：8：30——11：30 下午：1：30——4：30
国家知识产权局咨询台：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zxt/default.htm
上班时间：工作日
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另外回答你一下；如果你申请专利后得到授权（即你说的批准），那你就可以出售你的专利了，不过出售专利比申请专利要困难许多！
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相关参考：
实用新型专利：自己申请总费用约200元以下，请专利事务所代理约1000元左右。一般半年到一年就能授权（实用新型专利国家保护10年，较好授权，但保护范围比发明专利窄）。
发明专利：自己申请总费用约600以下，请专利事务所代理约3000以下。一般3年左右能授权（发明专利国家保护20年，没有实用新型专利好授权，但保护范围较宽）。
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建议你先进行专利检索（国家知识产权局的专利检索网址：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zljs/default.htm 使用方法可以点击下面的“使用说明”后慢慢学），检索后如果没用发现相同的专利，就可以申请！但是你应该先确定自己的发明是有人原意花钱买的（现在很少有人原意花钱买一个点子，除非你的专利是有垄断性质的专利），应为申请专利是要花钱的（请专利事务所代理发明专利每个约3000元，实用新型专利每个约1000元），现在申请专利的很多，可是能卖出去的却只是很少的一部分。
如果你是个个人能力很突出的人，你可以自己申请专利（相关内容到国家知识产权局网站查看：http://www.sipo.gov.cn/sipo/default.htm）这样会少花很多钱（实用新型专利自己申请总共花费约200元以下，请专利事务所代理约花费1000元左右。发明专利自己申请总共也就花费600元，可如果你请专利事务所代理就得花3000元），但前提一定是你自己能吃透专利法和专利法实施细则，并且自己能从其它的专利文献中学习到足够的知识来自己编写专利申请材料（重点是说明书和权利要求书）。如果你对自己没用把握，那建议你还是请专利事务所代理申请！
你如果对申请专利有什么不明白的可以使用以下方式咨询；
国家知识产权局咨询电话：010 62083879、010 62083966、010 62083457。
上班时间（工作日）：
上午：8：30——11：30下午：1：30——4：30
国家知识产权局咨询台：http://www.sipo.gov.cn/sipo/zxt/default.htm
上班时间：工作日
另外提供你一个丰富专利知识的网站：http://www.my250.net/
申请专利相关事项比较复杂，如果想申请个好的专利就更加复杂，所以没法在这里一一说清除，建议你登陆国家知识产权局网站仔细学习一下，因为这里对专利相关事项的说明都是最权威的，如果有不明白的地方可以多向国家知识产权局咨询，这样不论你是请专利事务所代理申请专利还是自己申请专利都有好处。
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提醒一下：如果你决定自己申请专利那你一定要到国家知识产权局的网站对“专利申请”、“专利法”、“专利法实施细则”、“专利审查”、“专利检索”（1.使用专利检索查找相关专利文献，防止与自己的专利申请产生冲突。2.使用专利检索查找相关的专利文献进行学习，看看别人是如何编写专利材料的，以便将自己的专利申请文件编写好），进行一下仔细的学习，有不懂的地方还要经常向国家知识产权局咨询处咨询，切不可随便书写，因为专利申请文件一旦提交将很难修改！
㈥ 存储器分类及各自特点有哪些
存储器分类依据不同的特性有多种分类方法。
（1）按工作性质/存取方式分类
•随机存取存储器 (RAM) -每个单元读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。
•顺序存取存储器 (SAM) -数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。
•直接存取存储器 (DAM) -直接定位到读写数据块，在读写数据块时按顺序进行。如磁盘。
•相联存储器 -按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。
（2）按存储介质分类
半导体存储器：双极型，静态MOS型，动态MOS型
磁表面存储器：磁盘、磁带
光存储器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分类
读写存储器：可读可写
只读存储器：只能读不能写
（4）按断电后信息的可保存性分类
非易失（不挥发）性存储器：信息可一直保留， 不需电源维持。
易失（挥发）性存储器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分类
•寄存器 -封装在CPU内，用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 -用触发器实现，速度快，容量小（几~几十个）
•高速缓存-位于CPU内部或附近，用来存放当前要执行的局部程序段和数据 -用SRAM实现，速度可与CPU匹配，容量小（几MB）
•内存储器 -位于CPU之外，用来存放已被启动的程序及所用的数据 -用DRAM实现，速度较快，容量较大（几GB）
•外存储器-位于主机之外，用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 -用磁表面或光存储器实现，容量大而速度慢
㈦ 内存储器的发展历程
对于用过386机器的人来说，30pin的内存，我想在很多人的脑海里，一定或多或少的还留有一丝印象，这一次我们特意收集的7根30pin的内存条，并拍成图片，怎么样看了以后，是不是有一种久违的感觉呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常见内存参数的介绍：
bit 比特，内存中最小单位，也叫“位”。它只有两个状态分别以0和1表示
byte字节，8个连续的比特叫做一个字节。
ns（nanosecond）
纳秒，是一秒的10亿分之一。内存读写速度的单位，其前面数字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的内存，可以说是计算机发展史的一个经典，也正因为它的廉价，以及速度上大幅度的提升，为电脑的普及，提供了坚实的基础。由于用的人比较多，目前在市场上还可以买得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。
ECC（Error Checking and Correcting）
错误检查和纠正。与奇偶校验类似，它不但能检测到错误的地方，还可以纠正绝大多数错误。它也是在原来的数据位上外加位来实现的，这些额外的位是用来重建错误数据的。只有经过内存的纠错后，计算机操作指令才可以继续执行。当然在纠错是系统的性能有着明显的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。因此，成为中、低档Pentium级别主板的标准内存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突发内存。是168线、3.3V电压、带宽64bit、速度可达6ns。是双存储体结构，也就是有两个储存阵列，一个被CPU读取数据的时候，另一个已经做好被读取数据的准备，两者相互自动切换，使得存取效率成倍提高。并且将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间，所以其传输速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM采用了多体（Bank）存储器结构和突发模式，能传输一整数据而不是一段数据。
SDRAM ECC 服务器专用内存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美国RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技术基础上研制的一种存储器。用于数据存储的字长为16位，传输率极速指标有望达到600MHz。以管道存储结构支持交叉存取同时执行四条指令，单从封装形式上看，与DRAM没有什么不同，但在发热量方面与100MHz的SDRAM大致相当。因为它的图形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要应用于高档显卡上做显示内存。
Direct RDRAM
是RDRAM的扩展，它使用了同样的RSL，但接口宽度达到16位，频率达到800MHz，效率更高。单个传输率可达到1.6GB/s，两个的传输率可达到3.2GB/s。
点评：
30pin和72pin的内存，早已退出市场，现在市场上主流的内存，是SDRAM，而SDRAM的价格越降越底，对于商家和厂家而言，利润空间已缩到了极限，赔钱的买卖，有谁愿意去做了？再者也没有必要，毕竟厂家或商家们总是在朝着向“钱”的方向发展。
随着 INTEL和 AMD两大公司 CPU生产飞速发展，以及各大板卡厂家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的发展和普及，究竟哪一款会成为主流，哪一款更适合用户，市场终究会证明这一切的。
机存取存储器是电脑的记忆部件，也被认为是反映集成电路工艺水平的部件。各种存储器中以动态存储器（DRAM）的存储容量为最大，使用最为普及，几十年间它的存储量扩大了几千倍，存取数据的速度提高40多倍。存储器的集成度的提高是靠不断缩小器件尺寸达到的。尺寸的缩小，对集成电路的设计和制造技术提出了极为苛刻的要求，可以说是只有一代新工艺的突破，才有一代集成电路。
动态读写存储器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存储单元分布电容上的电荷来存储数据位，由于电容电荷会泄漏，为了保持信息不丢失，DRAM需要不断周期性地对其刷新。由于这种结构的存储单元所需要的MOS管较少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同时每位的价格最低。DRAM一般都用于大容量系统中。DRAM的发展方向有两个，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、专用化。
从1970年Intel公司推出第一块1K DRAM芯片后，其存储容量基本上是按每三年翻两番的速度发展。1995年12月韩国三星公司率先宣布利用0.16μm工艺研制成功集成度达10亿以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。这个领域的竞争非常激烈，为了解决巨额投资和共担市场风险问题，世界范围内的各大半导体厂商纷纷联合，已形成若干合作开发的集团格局。
1996年市场上主推的是4M位和16M位DRAM芯片，1997年以16M位为主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市场占有率达52%；16M DRAM的市场占有率为45%。1999年64M DRAM市场占有率已提高到78%，16M DRAM占1%。128M DRAM已经普及，明年将出现256M DRAM。
高性能RISC微处理器的时钟已达到100MHz～700MHz，这种情况下，处理器对存储器的带宽要求越来越高。为了适应高速CPU构成高性能系统的需要，DRAM技术在不断发展。在市场需求的驱动下，出现了一系列新型结构的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。为了提高动态读写存储器访问速度而采用不同技术实现的DRAM有：
（1） 快速页面方式FPM DRAM
快速页面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已经成为一种标准形式。一般DRAM存储单元的读写是先选择行地址，再选择列地址，事实上，在大多数情况下，下一个所需要的数据在当前所读取数据的下一个单元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通过保持同一个行地址来选择不同的列地址实现存储器的连续访问。减少了建立行地址的延时时间从而提高连续数据访问的速度。但是当时钟频率高于33MHz时，由于没有足够的充电保持时间，将会使读出的数据不可靠。
（2） 扩展数据输出动态读写存储器EDO DRAM
在FPM技术的基础上发展起来的扩展数据输出动态读写存储器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的输出端加一组锁存器构成二级内存输出缓冲单元，用以存储数据并一直保持到数据被可靠地读取时为止，这样就扩展了数据输出的有效时间。EDODRAM可以在50MHz时钟下稳定地工作。
由于只要在原DRAM的基础上集成成本提高并不多的EDO逻辑电路，就可以比较有效地提高动态读写存储器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成为动态读写存储器设计的主流技术和基本形式。
（3） 突发方式EDO DRAM
在EDO DRAM存储器的基础上，又发展了一种可以提供更高有效带宽的动态读写存储器突发方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。这种存储器可以对可能所需的4个数据地址进行预测并自动地预先形成，它把可以稳定工作的频率提高到66MHz。
（4） 同步动态读写存储器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通过同步时钟对控制接口的操作和安排片内隔行突发方式地址发生器来提高存储器的性能。它仅需要一个首地址就可以对一个存储块进行访问。所有的输入采样如输出有效都在同一个系统时钟的上升沿。所使用的与CPU同步的时钟频率可以高达66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一个可编程方式寄存器。采用SDRAM可大大改善内存条的速度和性能，系统设计者可根据处理器要求，灵活地采用交错或顺序脉冲。
Infineon Technologies(原Siemens半导体)今年已批量供应256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技术生产，在100MHz的时钟频率下输出时间为10ns。
（5） 带有高速缓存的动态读写存储器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱电气公司开发的专有技术，1992年推出样品，是通过在DRAM芯片，集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片用单一+3.3V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4Mb和16Mb，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7ns。
（6） 增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨国公司推出的带有高速缓冲存储器的DRAM产品称作增强型动态读写存储器EDRAM（Enhanced DRAM），它采用异步操作方式，单一+5V工作电源，CMOS或TTL输入输出电平。由于采用一种改进的DRAM 0.76μm CMOS工艺和可以减小寄生电容和提高晶体管增益的结构技术，其性能大大提高，行访问时间为35ns，读/写访问时间可以提高到65ns，页面写入周期时间为15ns。EDRAM还在片内DRAM存储矩阵的列译码器上集成了2K位15ns的静态RAM高速缓冲存储器Cache，和后写寄存器以及另外的控制线，并允许SRAM Cache和DRAM独立操作。每次可以对一行数据进行高速缓冲。它可以象标准的DRAM对任一个存储单元用页面或静态列访问模式进行操作，访问时间只有15ns。当Cache未命中时，EDRAM就把新的一行加载到Cache中，并把选择的存储单元数据输出，这需要花35ns。这种存储器的突发数据率可以达到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研制的一种独特的接口技术代替页面方式结构的一种新型动态读写存储器。这种接口在处理机与DRAM之间使用了一种特殊的9位低压负载发送线，用250MHz同步时钟工作，字节宽度地址与数据复用的串行总线接口。这种接口又称作Rambus通道，这种通道嵌入到DRAM中就构成Rambus DRAM，它还可以嵌入到用户定制的逻辑芯片或微处理机中。它通过使用250MHz时钟的两个边沿可以使突发数据传输率达到500MHz。在采用Rambus通道的系统中每个芯片内部都有它自己的控制器，用来处理地址译码和面页高速缓存管理。由此一片存储器子系统的容量可达512K字节，并含有一个总线控制器。不同容量的存储器有相同的引脚并连接在同一组总线上。Rambus公司开发了这种新型结构的DRAM，但是它本身并不生产，而是通过发放许可证的方式转让它的技术，已经得到生产许可的半导体公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被业界看好的下一代新型DRAM有三种：双数据传输率同步动态读写存储器（DDR SDRAM）、同步链动态读写存储器（SLDRAM）和Rambus接口DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay-locked Loop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍，故称作双数据传输率（DDR）DRAM，它实际上是第二代SDRAM。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上，其价格在中低档PC机上可能难以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
这是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等业界大公司联合制定的一个开放性标准，委托Mosaid Technologies公司设计，所以SLDRAM是一种原本最有希望成为高速DRAM开放性工业标准的动态读写存储器。它是一种在原DDR DRAM基础上发展的一种高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但是它比其工作频率要低；另外生产这种存储器不需要支付专利使用费，使得制造成本较低，所以这种存储器应该具有市场竞争优势。但是由于SLDRAM联盟是一个松散的联合体，众多成员之间难以协调一致，在研究经费投入上不能达成一致意见，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存储器反而难以形成气候，敌不过Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用于通信和消费类电子产品，高档PC和服务器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM（Direct RDRAM）。这是一种基于协议的DRAM，与传统DRAM不同的是其引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加硬件引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6Gb/s。东芝公司在购买了Rambus公司的高速传输接口技术专利后，于1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是数据存储器，另外8Mb用于纠错校验，由此大大提高了数据读写可靠性。
Intel公司办排众议，坚定地推举DRDRAM作为下一代高速内存的标准，目前在Intel公司对Micro、Toshiba和Samsung等公司组建DRDRAM的生产线和测试线投入资金。其他众多厂商也在努力与其抗争，最近AMD宣布至少今年推出的K7微处理器都不打算采用Rambus DRAM；据说IBM正在考虑放弃对Rambus的支持。当前市场上同样是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他标准的贵45美元。
由此可见存储器的发展动向是：大容量化，高速化， 多品种、多功能化，低电压、低功耗化。
存储器的工艺发展中有以下趋势：CHMOS工艺代替NMOS工艺以降低功耗；缩小器件尺寸，外围电路仍采用ECL结构以提高存取速度同时提高集成度；存储电容从平面HI-C改为深沟式，保证尺寸减少后的电荷存储量，以提高可靠性；电路设计中简化外围电路结构，注意降低噪声，运用冗余技术以提高质量和成品率；工艺中采用了多种新技术；使DRAM的存储容量稳步上升，为今后继续开发大容量的新电路奠定基础。
从电子计算机中的处理器和存储器可以看出ULSI前进的步伐和几十年间的巨大变化。
㈧ 怎样制作简易24CXX存储器读写工具
1、先买一个电脑打印机的打印线(两端有插头)；
㈨ 软件专利如何申请
软件技术可以申请软件着作权以保护软件源代码，也可以申请发明专利以保护软件流程中的步骤执行方式。
专利保护的是软件解决问题的思想，而软件着作权保护的是软件代码（即软件思想的表达形式）。
例如，离线传送文件，那发明专利保护是如何实现离线传送文件。基于相同的软件思想，但实现离线传送的程序代码有千千万万种，每种代码都可以享有各自的软件着作权。
申请一个软件发明专利的代理费大概需要5000-8000
申请发明专利可以直接提交专利局，也可以委托代理机构代办：
1）将专利申请文件（包括权利要求书、说明书、说明书附图、摘要、摘要附图）、专利请求书（包括发明名称、申请人、发明人及其相关信息等）、专利申请费（即，交给专利局的官费）提交到专利局。由此可获得申请日和申请号，这些都作为未来专利局审查的唯一编号。官方的受理通知书会在申请日之后两周内下发。
2）专利局审查（分为初步审查和实质审查两个阶段），发出审查意见通知书，需要申请人在规定期限内答复。审查最终合格后，专利局发出授权通知书，表明同意授权。
3）申请人进行授权登记后专利授权公告生效。
㈩ {跪问}新手提问（怎么写CMOS啊）
CMOS设置
时间:[2004-07-10 14:39] 作者:不清楚作者是谁
BIOS
在使用计算机的过程中，免不了要和主板上的BIOS、CMOS打交道，下面介绍一下这方面的常识。
BIOS
BIOS，即微机的基本输入输出系统(Basic Input－Output System)，是集成在主板上的一个ROM芯片，其中保存有微机系统最重要的基本输入／输出程序、系统信息设置、开机上电自检程序和系统启动自举程序。在主板上可以看到BIOS ROM芯片。一块主板性能优越与否，在一定程度上取决于板上的BIOS管理功能是否先进。在BIOS中主要有：
1.BIOS中断例程
即BIOS中断服务程序。它是微机系统软、硬件之间的一个可编程接口，是计算机中最底层的软件，用于程序软件功能与微机硬件实现的衍接，对于同一计算机安装的各种不同的操作系统，其BIOS都是相同的。可以认为，BIOS是各种操作系统的共同部分。DOS／Windows／ Unix操作系统对软、硬盘、光驱与键盘、显示器等外围设备的管理都建立在系统BIOS的基础上。程序员也可以通过对INT 5、INT 13等中断直接调用BIOS中断例程。
2.BIOS系统设置程序
微机部件配置情况是放在一块可读写的CMOS RAM芯片中的，它保存着系统CPU、软硬盘驱动器、显示器、键盘等部件的信息。关机后，系统通过一块后备电池向CMOS供电以保持其中的信息。如果CMOS中关于微机的配置信息不正确，会导致系统性能降低、零部件不能识别，并由此引发系统的软硬件故障。在BIOS ROM芯片中装有一个程序称为“系统设置程序”，就是用来设置CMOS RAM中的参数的。这个程序一般在开机时按下一个或一组键即可进入，它提供了良好的界面供用户使用。这个设置CMOS参数的过程，习惯上也称为“BIOS设置”，也有称“CMOS设置”的。新购的微机或新增了部件的系统，一般都需进行BIOS设置。
3.POST上电自检
微机接通电源后，系统将有一个对内部各个设备进行检查的过程，这是由一个通常称之为POST(Power On Self Test，上电自检)的程序来完成的。这也是BIOS的一个功能。完整的POST自检将包括CPU、640K基本内存、1M以上的扩展内存、ROM、主板、CMOS存储器、串并口、显示卡、软硬盘子系统及键盘测试。自检中若发现问题，系统将给出提示信息或鸣笛警告。
4.BIOS系统启动自举程序
在完成POST自检后，ROM BIOS将按照系统CMOS设置中的启动顺序搜寻软、硬盘驱动器及CDROM、网络服务器等有效的启动驱动器，读入操作系统引导记录，然后将系统控制权交给引导记录，由引导记录完成系统的启动。
CMOS
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体，一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定值。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过上面谈到的设置程序完成的。早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的(如IBM的PC／AT机型)，使用很不方便。现在CMOS设置程序固化在BIOS芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序方便地对系统进行设置。
现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量。为保持兼容性，各BIOS厂商都将自己的BIOS中关于CMOS RAM的前64字节内容的设置统一与MC146818A的CMOS RAM格式一致，而在扩展出来的部分加入自己的特殊设置，所以不同厂家的BIOS芯片一般不能互换，即使是能互换的，互换后也要对CMOS信息重新设置以确保系统正常运行。
BIOS升级
现在奔腾级以上的主板上的BIOS大都采用电可擦新的Flsah Memory只读存储器为载体，这就为BIOS的升级带来极大的方便。
Flash Memory是一种新型非挥发性存储器，中文译名为快擦型存储器(有的也译为闪速存储器),是日本东芝公司于1980年申请专利，并在1984年的国际半导体学术会议上首先发表的,具备高速性，可以整块芯片电擦除、耗电低、集成度高、体积小、可靠性高、无需后备电池支持、可重新改写、重复使用性好（至少可反复使用10万次以上）等优点。
因此，利用Flash Memory存储主板的BIOS程序，则使BIOS升级非常容易。现在的Pentium、Pentium Ⅱ主板普遍使用Flash Memory制作BIOS芯片。
1.Flash Memory BIOS升级
目前名牌主板生产厂家如华硕、海洋等，为了用户升级BIOS的需要，一般都采取了以下措施：
(1)在主板上设置一个跳线，用来选择FLASH ROM状态，平时置于保护状态，使BIOS坚不可摧，要升级时跳至可改写状态，就可像写RAM一样更新BIOS。
(2)在随板附送的驱动程序盘中带有改写FLASH ROM的程序，可以方便地升级和备份
BIOS。
(3)经常编制出新的BIOS程序在市面上流通或放在因特网上供其主板用户下载。
?一般Flash Memory BIOS升级的过程
一般主板上有关于Flash ROM的跳线开关用于设置BIOS的只读／可读写状态。
(1)制作一张无CONFIG.SYS和AUTOEXEC.BAT文件的系统盘，并拷贝Flash ROM升级的工具程序。该工具程序一般由主板附带的驱动程序盘提供。Flash BIOS升级工具程序主要功能是：
◇保存原有BIOS数据(Save Current BIOS To File)
◇更新BIOS数据(Update BIOS Block From File)
◇其它功能(Advanced Features)
(2)准备好新版BIOS的程序数据。一般需要到Internet或BBS上下载。升级前检查BIOS数据的编号及日期，确认它比你使用的BIOS新，同时也应检查它与你所用的BIOS是否是同一产品系列，如：TX芯片组的BIOS不宜用于VX的主板，避免出现兼容性问题。
(3)关机后，在主板上找到主板上有关Flash ROM的读写状态跳线开关，将其设置为可写(Enable或Write)状态。
(4)用准备好的系统盘重新启动，并运行升级工具程序。
(5)首先选择保存功能将原BIOS数据保存到软盘上，存为一个文件，用于升级失败时恢复原有BIOS。然后装入新BIOS数据盘，选择更新BIOS数据，输入新BIOS的文件名，完成BIOS的升级。
注：有的BIOS升级工具只升级主要的模块，如果它发现新的BIOS与原BIOS有很大不同，会给予提示并建议使用相应选项对整个BIOS升级(包括BIOS启动模块和PnP ESCD参数区)。
(6)升级结束后，记着将主板上关于Flash EEPROM的跳线改回只读状态。
(7)重新启动，并进入BIOS设置状态，完成BIOS参数设置。
?不具升级条件的Flash ROM的升级
杂牌的主板往往就不具备上述三个升级条件，虽然用的也是流行的Flash ROM，却没有能置其为改写状态的跳线，于是Flash ROM跟老的ROM、EPROM没什么两样。没有驱动程序盘，没有改写工具，当然就更不会有新的BIOS程序供升级了。
一般可以借用其它主板的工具程序，如Award公司的小工具Awdflash.exe，全称是Flash Memory Writer V5.3.0,程序运行后，就显示出主板BIOS的内部代号和日期，然后询问升级文件的名称，键入名称后，程序会问是否要对现有的BIOS做备份，键入Y或N后（选Y则要求输入备份文件名），程序会再一次要求确认，确认后，程序就会先对现有BIOS做备份（如果刚才选的是Y），再开始写入新的BIOS。屏幕上会出现一个写入进度指示器，如果Flash ROM 处于不可改写状态或新的BIOS文件与主板不匹配，就会出现错误信息“Erase Chip Fail!”。
BIOS升级文件可以由同型号的新主板上备份得到，即用上述工具对新主板的BIOS做一个备份，拿来做为旧BIOS的升级文件。
最困难的就是这第三个问题。如何将Flash ROM置为可写入状态？一般主板的Flash ROM 有三种选择，5V、12V和可编程EPROM，按理说是不可以随便调整Flash ROM的类型的，此时可将跳线跳至EPROM档，开机后，即可运行升级工具程序。进度指示器走完之后，关机，跳线跳回5V，重启动电脑，BIOS更新完成。
注：关于升级BIOS需要注意：第一，要有匹配的升级工具和升级文件，不可乱用；第二，由于Flash ROM读出快而写入速度慢，故升级时需要十几秒时间，而在这段时间里决不可重新启动或关机；第三，BIOS升级后应该马上关机，把Flash ROM置回保护状态，以免BIOS被破坏。另外，Awdflash.exe运行时不能有Emm386及类似程序驻留内存。
2.BIOS升级失败后的处理
(1)有BIOS备份的处理方法
Flash BIOS升级失败往往导致系统瘫痪，无法启动。遇到这种情况，只能依靠BIOS中固化的BOOT BLOCK来恢复BIOS内容。
将BIOS升级用软盘插入启动软驱，开启计算机，然后运行BIOS升级工具程序，借助软盘上的BIOS备份，重写整个BIOS即可。
一些主板的BIOS BOOT BLOCK只固化了ISA显示卡驱动程序。如果你使用的是PCI显卡并且升级失败后开机无显示，应该考虑更换ISA显示卡试一下。
(2)无BIOS备份的处理方法
如果升级前没有BIOS的备份，BIOS升级失败，此时想用软方法恢复机器已经是没有下手的可能了，因为机器已经是彻彻底底的无法启动。碰到这种情况时该怎么办呢？
首先要找到同一主板型号的BIOS ROM，保证其中的BIOS信息与你的相同（因为采用别的 BIOS ROM一般都难以更新成功）。关掉电源，拔出主板上原有的BIOS ROM芯片，一定要非常小心，不要弄断了引脚；轻轻插入好的BIOS ROM芯片，不要插得太深，只要保证机器能启动就行；将主板上控制更新BIOS信息的跳线设置为有效（默认为无效，即保护状态）；启动机器，让系统运行在实模式下，即内存不要驻留象HIMEM.SYS或EMM386.EXE这样的程序；拔出好的BIOS ROM芯片，插入“坏”的BIOS ROM芯片，此时不能关机，因为要利用驻留在内存中的BIOS信息（热拔插虽是维修的一大忌，但此时唯有出此下策了，不过只要细心，一般不会出问题）；运行BIOS升级程序，然后按主板说明书规定的步骤进行操作，直到提示更新成功为止。这时你还得注意看提示的更新字节数是否与你的BIOS ROM块容量大小相等（主板说明书都有此大小，如华硕的为128KB，即1FFF字节），若相等，一般更新都成功了；最后退出程序，关机再启动（不是热启动），只要启动成功，就宣布大功告成了。
CMOS设置
CMOS中存放着计算机硬件配置和设定的大量数据，是计算机正常启动和工作的先决条件。如果这些数据丢失或设置不当，轻则工作不正常，重则不能启动和工作。因此正确设置和保护好COMS中的数据，对安全使用计算机是至关重要的。
由于一种CMOS设置程序往往只适用于一类或几类主板，甚至同一型号的主板也可能会有不同的配置，所以读者还须活学活用、因地制宜。一般的主板说明书上都有较详细的CMOS（BIOS）设置说明，只要细心阅读，逐条消化，逐条完成设置，就可以最终完成全部设置，使系统正常高效地运行。下面就一些带共性的难以设置的参数作一些介绍。
1.主板上集成外设端口的设置方法
当前的微机主板上，集成了部分外设端口，下以AWARD BIOS设置程序为例作简单介绍。
旧主板上集成端口的设置一般分散在“STANDRD COMS SETUP”、“BIOS FATURES SETUP(或ADVNCED CMOS SETUP）”和“CHIPSET FEATURES SETUP（或ADVANCED CHIPSET SETUP）”中，在奔腾级以上的主板中的BIOS中新增了“INTGRATED PERIPHERALS”选项专门对板上集成端口进行设置。常见的选项如下：
◇ONBOARD FDD CONTROLLER 软盘驱动器接口
◇ONBARD PCI IDE ENABLE PCI IDE接口
以上两项分别用于设置主板上软驱控制器和IDE控制器的使用状态，其设置值可以选择Enable或Disabled。当软驱接在主板上的软驱接口或者硬盘、光驱接在主板上的IDE接口时，应该设置为Enabled；如果不使用主板上的软盘驱动器接口，要另外使用多功能卡上的接口，则该项应该设为Disabled。如果机器发生故障，怀疑主板上的接口电路有问题，可以把该项设置为Disabled，再加装一块多功能卡试一试。
◇IDE HDD BLOCK MODE 硬盘（数据）块传输模式
本项是指在每次中断时，一次传送设定的扇区数的数据，以提高访问硬盘的速度。只有当配置的硬盘支持块模式时，才能设置为块模式工作方式，否则应禁止按此模式工作，以避免硬盘访问出错。本参数的设定值在不同的BIOS版本中不完全相同，一般为AUTO／Optimal／Disabled。选择AUTO时，将按照硬盘自动检测功能的报告值作为数据传送的扇区数；若选Optimal则以最佳缺省设置值为该扇区数；若选Disabled则禁止本模式工作。有的BIOS版本中的选择值中给出了每次传送的扇区数，例如华硕P2L97AGP主板BIOS中的设定值有：HDD MAX、Disabled、2、4、8、16、32，其中的数字就表示可设置的扇区数。究竟设置什么值合适，应根据机器的配置而定，如果硬盘没有给出具体说明，不妨多试几次，就能找出合适的设置值。对于某些硬盘产品，设置为块传输模式时虽然工作速度较快，但有可能在与某些软件或硬件配合时出现问题，这时只能设置为Disabled。
◇IDE PIO MODE IDE硬盘接口的并行输入输出方式
PIO（Programmed Input／Output??可编程输入输出）是SFFC（Small Form Factor Committee——小形状系数协会）制定的一个宿主传输标准系列，分别为PIO MODE 1、PIO MODE 2、PIO MODE 3、PIO MODE 4、PIO MODE 5，每个标准的数据传输速率是不同的。在设置时要注意硬盘本身所支持的PIO MODE方式，才能正常工作。例如一个硬盘，其本身只支持PIO MODE 3（数据传输率为11.1MBps），但是在CMOS参数中被设置为PIO MODE 4（数据传输率为16.6MBps），结果频繁出现错误并且常常死机。重新设置为PIO MODE 3之后恢复正常工作。
在BIOS设置程序中，本项一般可设为0、1、2、3、4、AUTO，如果不了解硬盘的性能参数，可以先设为AUTO，然后再根据实际情况作进一步的调整。
◇ONBOARD SERIAL PORT或ONBOARD UART 主板上串行通信口设置
本项用来设置串口（即COM口）的I／O端口地址和中断通道号。目前奔腾级以上的计算机一般都有两个串口，需要分别设置。本项有自动设置，因为本项属于系统资源分配而且与设备性能关系不大，所以最好由系统自动设置，以免发生冲突。
手工设置时Port 1建议设为3F8／IRQ4（前者为I／O端口地址，后者为中断号）即COM1口，Port 2建议设为2F8／IRQ3即COM2口。如果要配置内置式调制解调器（MODE卡），则要将主板上相应的串口设为Disabled，将资源留给MODE卡。
◇ONBOARD PARALEL PORT 主板上并行打印口的设置
设置为378／IRQ7时为第一并行口，这是最常用的设置。应注意本项设置改变时可能会与声卡产生冲突，例如设置为278／IRQ5时会与一些常用的声卡发生冲突。
◇ONBOARD PARALLEL MODE或PARALEL PORT MODE 主板上并行口的工作模式
并行口的工作模式可以设置为标准模式（即Noraml或SPP模式）、EPP模式、ECP模式、EPP＋ECP模式。
EPP（Enhanced Parallel Port——增强并行口）是由Intel、Xircom、Zenith和其它一些公司开发的一种并行接口标准，目的是在外部设备间进行双向通信。自1991年以来生产的许多笔记本电脑都配有EPP口。
ECP（Extended Capabilities Port——扩展并行口）是由Microsoft和Hewlett－Packard开发的一种并行接口标准。它具有和EPP一样高的速率和双向通信能力，在多任务环境下，它能使用DMA（直接存储器访问），所需缓冲区也不大，因此能提供更加稳定的性能。
ECP／EPP口可以支持300KB／sec的速率。1993年，EPP和ECP规格都纳入IEEE 1284标准。如果计算机配有ECP或EPP并行口，那么当用DCC（直接电缆连接）方式联网时，它大约可以达到10兆以太网速率的三分之一。
本项的具体设置值要视所连接的具体外设而定，只有主板和连接的外设都支持EPP或ECP时才能设置为EPP或ECP方式，否则会出现错误。例如一台喷墨打印机与主板上的并口连接，设置为EPP或者ECP方式时都经常出错，后改为Normal方式后，工作正常。原因是该打印机不支持EPP和ECP方式。
◇USB CONTROLLER
USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）是由Compaq、DEC、IBM、Intel、Microsoft、NEC和NT（北方电讯）七大公司共同推出的新一代接口标准。采用Intel 82430VX和HX 及其以后的芯片组的主板可以支持USB规范，但目前，大多数用户尚没有使用USB设备，因此本项应该设置为Disabled。
2.PNP／PCI参数设置方法
各种主板由于使用的芯片组不同，因此有关PCI参数的设置有很大差别，下面介绍常用的参数设置。
◇PCI SLOT IRQ 设置PCI插槽中断请求号
本项可自动设置（Auto），也可人工设置。人工设置时可按主板手册中给出的值进行选择，但要注意避免冲突。一般可选自动设置。
◇设置PCI IDE接口中断请求号
设定与PCI相连的IDE中断请求号。例如PCI Primary IDE（主IDE中断号），PCI Second ary IDE（辅IDE中断号）。允许自动设置和人工设置。一般可选自动设置。
◇ PCI IDE TRIGGER TYPE或PCI IRQ ACTIVED BY 设置PCI IDE触发方式
这一项设置是对PCI总线中断控制信号取样方式的设置，一般有两种选择：Edge（脉冲沿触发）和Level（电平触发）。具体使用哪种方式可以根据PCI插卡有无特殊要求来决定。一般情况下如果PCI插卡无特殊要求，本项可设置为Level，即电平控制方式。
◇RESOURCES CONTOLLED BY 设置资源控制方式
本项用于设置系统资源的分配方式。可以选择自动方式（Auto）或者人工方式（Manual）。选择为自动方式时，IRQ和DMA通道均由BIOS自动检测和分配。选择为人工方式时，IRQ和DMA通道则由用户自行设置。一般说来，本项可以设置为自动（Auto）方式。
本项实际上要解决的是一个如何“分享”资源的问题。在PCI主板的设计中，往往让PCI 卡专门享用机内的某些中断资源。但实际上，使用ISA总线的插卡仍然不少，为了让原来的ISA总线插槽能使用中断资源，BIOS设置中对PCI总线可用中断就加入了像Legacy ISA这样的设置值，使中断资源可以完好地留给ISA总线使用。如果在机内安装某种ISA声卡或解压卡时，出现中断冲突，可以将总线可用中断设置为Legacy ISA或NA状态再试。有一些BIOS程序（如华硕T2P4）则直观地使用“Slot x IRQ”表示设定与第x号PCI槽相联系的中断通道，设置为某个中断号时表示该中断为该PCI插槽所用，设置为NA时则表示该PCI插槽闲置不用，当然也就不会占用中断通道。设置为Auto时则表示由BIOS自动分配中断通道号。在具体设置时，对于没有使用的PCI插槽应该设为NA，对于要使用的插槽可设置为Auto。
◇PCI IDE IRQ MAP TO
本项一般应设置为PCI－ATUO。在主板上插有非PCI总线的IDE（硬盘）卡时则有重要意义，因为如果设置得不对，可能造成插卡或系统不能正常工作。在主板上插有非PCI总线的IDE多功能卡时，可将本项设置为ISA或Map to ISA。
◇PRIMARY IDE INT＃：A
◇SECONDARY IDE INT＃：B
这两项用于设置两个IDE接口的中断优先权，A的优先权高于B。一般情况下Primary IDE （IDE 1口）选择A，Secondary IDE（IDE2口）选择B。
◇IRQ xx USED BY ISA（IRQ－X ASSIGNED TO）
本项用来设置某个IRQ通道是否只分配给ISA总线使用，xx为3至15。可选值为NO／ICU和YES。本项实质上是人工分配PCI与ISA总线占用的IRQ资源。除非确认某个ISA插卡使用IRQ x x，否则都应选为NO／ICU使IRQ资源自动分配给PCI和ISA总线上的插卡。
◇DMA x USED BY ISA (DMA－X ASSIGNED TO )
本项用来设置某个DMA是否只分配给ISA总线使用，x为1、3、5等。可选值为NO／ICU和YES。本项实质上是人工分配PCI与ISA总线占用的DMA资源。除非确认某个ISA插卡使用DMA x，否则都应选为NO／ICU，使DMA资源自动分配给PCI和ISA总线上的插卡。
◇PCI LATENCY TIMER
指PCI总线的响应延时，与主板的性能有关。各种主板的取值不同，可选择的设置值一般为32、64、128等，单位是PCI Clock。取值越小，响应速度越快。用户手册一般都给出一个适合于本机的缺省值，比缺省值大时会影响速度，比该值小时有可能造成PCI总线响应不及。