㈠ 内存周期是什么意思内存刷新周期 存取周期
所谓的内存周期 就是内存的时序 是内存工作四个过程的单位时间
一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
㈡ 老师好，存储器刷新周期与读写周期有何区别
读写周期：两次存储器读/写操作的最短时间间隔
存储周期：稍大于读写周期，（在读写周期的基础上加上必要的其他操作）
读周期或写周期：读写周期具体到或读或写
㈢ 动态存储器刷新以什么为单位
行。动态存储器是在指定功能或应用软件之间共享的存储器，如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。动态存储器刷新以行为单位，动态存储器刷新刷新周期：从上次对整个存储器刷新结束到下次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔，为电容数据有效保存期的上限(64ms)。
㈣ 在内存储器中需要对什么所存储的信息进行周期性的刷新
DRAM是使用电容保持电荷的，但电容中的电荷容易随时间的增加而丢失，所以要对电容进行周期性充放电
㈤ RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次
RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM电容上的电荷只能维持1-2ms，即使电源不掉电，信息也会自动消失，需要动态刷新。
㈥ 计算机问题：存储器芯片字扩展，刷新信号周期计算。
这个需要使用的2Kx16的片子总数为：(8K*32)/(2K*16)=8块为了从16位到32位，需要两块并列一块接数据线的D[15]~D[0]，一块接D[31]~D[16],把这个称为一组，然后为了达到从2K到8K，这个就需4组，然后地址线A[15]~A[14]作为片选，其余地址都一样接，读写线都一样，地址锁存线也一样。
㈦ 哪种存储器是使用电容器类型的存储器，而且还需要周期性的进行刷新
电脑的内存条
㈧ 存储器的刷新有几种方式何谓“死时间”
1. 集中式刷新：刷新方式为前面的时间一直进行读取操作，后面的时间进行刷新。例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，刷新周期为2ms
存取一次的时间=刷新一次的时间，那么刷新完64行需要的时间为：64*0.5=32us，说明这32us里不能进行读写操作
2. 分散式刷新：它扩大了读写周期，也就是说读一次需要时间为0.5us的话，那么一次的读写周期为1us，因为它包含了刷新用的0.5us。
3. 异步式刷新：它将每一行的刷新都分开来，也就是说只要在规定的时间完成对每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)间隔进行一次刷新,这里的2ms是规定的，因为DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不与固定相作用的组分的保留时间。死时间（dead time）,从进样到惰性气体峰出现极大值的时间称为死时间.
㈨ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种
动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。
㈩ 动态RAM的三种刷新方式是什么
定时刷新的原因：由于存储单元的访问是随机的。
有可能某些存储单元长期得不到访问，不进行存储器的读/写操作，其存储单元内的原信息将会慢慢消失，为此，必须采用定时刷新的方法，它规定在一定的时间内，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新与行地址有关。
刷新时一行行进行的，必须在刷新周期内，由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新，才能保证DRAM内的信息不丢失。通常有三种方式刷新：集中刷新、分散刷新和异步刷新。