❶ 储存器里储存的是电流还是磁
磁盘存储的是磁，半导体存储器（U盘之类）存储的是电荷（电压），没有存电流的。
❷ U盘储存的原理是什么
U盘，作为我们生活、工作中必不可少移动存储设备，对我们来说可以说是不可或缺，帮助我们存储着一些重要的数据文件，但是，这么重要的设备我们对它又了解多少呢?现在让我们一起去解读一下U盘的存储原理吧，让我们更加熟悉它的工作原理。
闪存(Flash Memory)盘是一种采用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，大家都管他叫U盘，是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。 其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM(电可擦除可编程只读存储)。是SCM(半导体存储器)的一种。
早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管(MOS)，包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。
RAM(随机存取存储)，是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM(动态)和SRAM(静态)两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM(同步动态RAM)，它在运行过程当中需要按一定频率进行充电(刷新)以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存(cache)上。
PROM(可编程ROM)则只能写入一次，写入后不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。
EEPROM(电可擦除PROM)，用户可以通过程序的控制进行读写操作。
闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的`完整性。
Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。
MSM(磁表面存储)是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息“0”和“1”。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。
ODM(光盘存储)和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。
ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。
❸ 利用磁存储原理来存储数据的存储器是什么啊
MRAM，磁存储器，利用巨磁阻效应，即横向磁场改变电阻。
❹ 闪存与传统硬盘分别是用什么原理储存数据的
你好
.
闪存（FlashMemory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种。闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
祝顺利,如有帮助,还望及时采纳.
❺ U盘是半导体存储设备还是磁存储设备
电脑是如何工作的? --外部存储器之半导体存储设备篇
--------------------------------------------------------------------------------
在外部存储器之中。半导体存储设备是真正小巧和便携的外部移动存储器。它有着与磁存储介质设备和光存储设备完全不同的存储原理，下面就让我们一起来了解一下吧!
一、半导体存储设备的原理
目前市面上出现了大量的便携式存储设备，这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质。采用半导体存储介质的优点在于可以把体积变的很小，便于携带；与硬盘类存储设备不同，它没有机械结构，所以不怕碰撞，没有机械噪声；与其它存储设备相比，耗电量很小；读写速度也非常快。半导体存储设备的主要缺点就是价格较高和容量有限。
现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“Flash Memory”的技术。从字面上可理解为闪速存储器，它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。Flash Memory是一种非易失型存储器，因为掉电后，芯片内的数据不会丢失，所以很适合用来作电脑的外部存储设备。它采用电擦写方式、可重复擦写10万次、擦写速度快、耗电量小。
1.NOR型FIaSh芯片
我们知道三极管具备导通和不导通两种状态，这两种状态可以用来表示数据“0”和数据“1”，因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。Flash技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场效应管有很大区别。它具有两个栅极，一个如普通场效应管栅极一样，用导线引出，称为“选择栅”；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下，浮栅不带电荷，则场效应管处于不导通状态，场效应管的漏极电平为高，则表示数据“1”。编程时，场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压，源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底的二氧化硅层俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层，这时由于选择栅加有高电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅，并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存(通常来说，这个时间可达10年)。由于浮栅为负，所以选择栅为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据“0”被写入。擦除时，源极加上较高的编程电压，选择栅接地，漏极开路。根据隧道效应(即微观粒子具有波动性的表现)和量子力学的原理，浮栅上的电子将穿过势垒到达源极，浮栅上没有电子后，就意味着信息被擦除了。NOR型Flash Memory的存储原理如图1所示。
由于热电子的速度快，所以编程时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。
每个场效应管为一个独立的存储单元。一组场效应管的漏极连接在一起组成位线，场效应管的栅极连接在一起组成选择线，可以直接访问每一个存储单元，也就是说可以以字节或字为单位进行寻址，属于并行方式(图2)。因此可以实现快速的随机访问，但是这种方式使得存储密度降低，相同容量时耗费的硅片面积比较大，因而这种类型的Flash芯片的价格比较高。
特点：数据线和地址线分离、以字节或字为单位编程、以块为单位擦除、编程和擦除的速度慢、耗电量大和价格高。
2.NAND型FlaSh芯片
NAND型Flash芯片的存储原理(图3)与NOR型稍有不同，编程时，它不是利用热电子效应，而是利用了量子的隧道效应。在选择栅加上较高的编程电压，源极和漏极接地，使电子穿越势垒到达浮栅，并聚集在浮栅上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过把电压反过来，从而消除浮栅上的电子，达到清除信息的结果。
利用隧道效应，编程速度比较慢，数据保存效果稍差，但是很省电。
一组场效应管为一个基本存储单元(通常为8位、16位等)。一组场效应管串行连接在一起，一组场效应管只有一根位线，属于串行方式，随机访问速度比较慢。但是存储密度很高，可以在很小的芯片上做到很大的容量(图4)。
特点：读写操作是以页为单位的，擦除是以块为单位的， 因此编程和擦除的速度都非常快；数据线和地址线共用，采用串行方式，随机读取速度慢，不能按字节随机编程。体积小，价格低。芯片内存在失效块，需要查错和效验功能。
3.AND型FlaSh芯片
AND技术是Hitachi公司的专利技术。AND是一种结合了NOR和NAND的优点的串行Flash芯片，它结合了Intel公司的MLC技术(见注)，加上0.18μm的生产工艺，使生产出的芯片容量更大、功耗更低、体积更小，且因为采用单一操作电压、块比较小。并且由于内部包含与块一样大的RAM缓冲区，所以克服了因采用MLc技术带来的性能降低。
特点：功耗特别低，读电流为2mA，待机电流仅为1μA。芯片内部有RAM缓冲区，写入速度快。
注:MLC(Multi-level Cell)技术,这是Intel提出的一种旨在提高存储密度的新技术,通常数据存储中存在一个阙值电压，低于这个电压表示数据“0”，高于这个电压表示数据“1”，所以一个基本存储单元(即一个场效应管)可存储一位数据(“0”或者“1”)。现在将阙值电压变为4种，则一个基本存储单元可以辅出四种不同的电压，令这四种电压分别对应二进制数据00、0l、10、ll，则可以看出，每个基本存储单元一次可存储两位数据(00、0l、10或者11)。如果阙值电压变为8种，则一个基本存储单元一次可存储3位数据。阙值电压越多，则一个基本存储单元可存储的数据位数也越多。这样一来，存储密度大大增加，同样面积的硅片上就可以做到更大的存储容量。不过阙值电压越多，干扰也就越严重。
二、各种各样的半导体存储卡
1.ATA FIaSh卡
这种存储卡是基于Flash技术(通常采用NAND型)的ATA接口的PC卡。在电源管理方面，具备休眠、待命、运行和闲置等4种模式，整体功耗比较小。具有I／0、内存和ATA三种接口方式。由于体积比较大，所以可以使用更多的存储芯片，因而也可以做到更大的容量。主要用于笔记本电脑、数码相机和台式PC机。
ATA Flash卡由控制芯片和存储模块两部分组成。智能化的控制芯片有两个作用，一是对Flash芯片的控制，另外就是完成PC卡的ATA(lDE)接口功能。由于接口支持IDE模式，所以可以通过简单的转接到PC机的IDE接口。它支持扇区方式读写，可以像操作硬盘一样对它进行各种操作。接口有68个引脚。因为引脚中的电源和地两个引脚比其它引脚要长，保证了信号脚先分离，最后断电，所以支持热插拔。
主要特点：存储容量大(可达1GB)、即插即用、支持热插拔和传输速率约10MB／s。
ATA FLASH卡需要专用的，读写设备，通常笔记本电脑内置了这种读写器。
2．CF卡
CF(Compact Flash)卡是一种小型移动存储设备。这种标准是在1994年由ScanDisk公司提出的。CF卡兼容PCMCIA-ATA、TRUEIDE和ATA／ATAPI—4标准。其体积为 43mm X 36mm x 3.3mm，有50条引脚。主要用于数码相机、MP3播放器和PDA等便携式产品。
CF卡的内部结构与ATA Flash卡类似，也是由控制芯片和存储模块组成。智能化的控制芯片提供一个连接到计算机的高电平接口，这个接口运行计算机发布命令对存储卡以块为单位进行读写操作。块的大小为16K，有ECC效验。控制芯片管理着接口协议、数据存储、通过ECC效验修复数据、错误诊断、电源管理和时钟控制，一旦CF卡通过计算机的设置，它将以一个标准的 ATA硬盘驱动器出现，你可以像对其它硬盘一样对它进行操作。
CF卡需要专用的读写设备。但是因为它兼容PCMCIA—ATA标准，所以可以通过一个转接卡当做PCMCIA设备来使用。
3.SM卡
Smart Media Card简称SM卡，它是基于NAND型Flash芯片的存储卡。它的最大特点是体积小(45.0mm x 37.0mm x 0.76mm)、重量轻(2克)。主要用于数码相机、PDA、电子音乐设备、数码录音机、打印机、扫描仪以及便携式终端设备等。
从结构上讲， SM卡非常简单，卡的内部没有任何控制电路，仅仅是一个Flash存储器芯片而已，芯片被封装到一个塑料卡片中，引脚与卡片表面的铜箔相连。
SM卡采用NAND型的Flash芯片，因而与其它存储卡相比具有较低的价格。但因为它只用了一个存储芯片，所以受到了很大的限制，不容易做到大容量。
SM卡可以采用专用的读写器进行读写，也可以通过一个转接卡当做PC卡来读写。
主要特点：NAND结构适合于文件存储；高速的读写操作；价格低廉，
4.Memory StiCk
Memory Stick(记忆棒)是SONY公司推出的一种小体积的存储卡。它可用于各种消费类电子设备：数码摄像机、便携式音频播放设备、掌上电脑和移动电话等。对于音乐等一些收保护的内容具备数字版权保护功能。
SONY的Memory Stick具有写保护开关，采用10个引脚的串行连接方式，具有很高的可靠性。通过一个PC卡适配器，它也可作为一个PC卡在各种PC卡读写设备上使用。
Memory stick内部包括控制器和存储模块，控制芯片负责控制各种不同类型的Flash存储芯片，并将负责并行数据和串行数据之间的相互转换。另外 Memory Stick采用了一种专用的串行接口，发送数据时附加了一位效验码，最高工作频率为20MHz。
5.MultiMedia卡(MMC)
MultiMedia卡(MMC)是由美国SanDisk公司和德国西门子公司共同开发的一种通用的低价位的可用于数据存储和数据交换的多功能存储卡。作为一种低价位、小体积、大容量的存储卡，它的应用范围很广。可用于数码相机、数码摄像机、PDA、数码录音机、MP3和移动电话等设备。
MMC卡的数据通讯是基于一种可工作在低电压范围下的串行总线，它有7条引线。它支持MMC总线和SPI总线。MMC卡的结构。
特点：由于工作电压低，耗电量很小；体积小，与一张邮票差不多大小；可对数据实行密码保护；内置写保护功能。
6.Secure Digital Memory卡
SD卡是由Panasonic、Toshiba及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制的一种基于NAND技术的Flash存储卡。它的体积非常小，仅有一张邮票大小，但是容量却很大。SD卡的另一个特点是具有非常好的数据安全性和版权保护功能。
7．UDISK
优递卡，也称邮递卡。这是台湾八达创新科技开发的一种存储卡，它的存储部分仍是普通的Flash Memory。不同的是，它的内部具有两种接口：一个是与电脑相连的USB接口，这是由专用的USB接口芯片来完成；另一方面有单片机构建了一个Device Interface(设备接口)，这个接口可支持Serial Mode、 Byte Mode及Word Mode(图20)。
优递卡的一个优点是它可以支持各种类型的 Flash存储芯片，例如：串行或并行Flash——NAND、 AND、NOR、Gate Flash及Mask ROM等。
编者按
电脑的外部存储器包含磁存储介质、光存储设备和半导体存储设备几个方面的内容，对它们的介绍到本期就暂告一段落。下期我们将为大家介绍电脑的BIOS，这是电脑内部重要的信息储存器，敬请期待!
❻ 根据计算机存储器记录信息原理的不同可分为哪三类
存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法，存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。
一、按存储介质划分
1、半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。
2、磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
二、按存储方式划分
1、随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。
2、顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。
三、按读写功能划分
1、只读存储器（ROM）：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
2、随机读写存储器（RAM）：既能读出又能写入的存储器。
四、按资料保存师
1、非永久存储器：断电时信息消失的存储器。
2、永久存储器：断电后仍能保存信息的存储器。
五、按用途分类
1、主存：主存用于存储计算机运行过程中大量的程序和数据，存取速度快，存储容量小。
2、外部存储：外部存储系统程序和大数据文件及数据库存储容量，单位成本低。
3、高速缓存存储器：高速缓存存储器访问指令和数据速度快，但存储容量小。
(6)什么储存器不是磁存储原理扩展阅读：
1、内部存储和外部存储
一般来说，内部存储是最经济但最不灵活的，因此用户必须确定未来对存储的需求是否会增长，以及是否有某种方法可以升级到具有更多代码空间的微控制器。用户通常根据成本选择能满足应用要求的内存容量最小的单片机。
2、启动存储
在较大的微控制器或基于处理器的系统中，用户可以用引导代码进行初始化。应用程序本身通常决定是否需要引导代码，以及是否需要专用的引导存储。
3、配置存储
对于现场可编程门阵列（fpga）或片上系统（SoC），存储器可以用来存储配置信息。这种存储器必须是非易失的EPROM、EEPROM或闪存。在大多数情况下，FPGA使用SPI接口，但一些较老的设备仍然使用FPGA串行接口。
4、程序存储
所有有处理器的系统都使用程序内存，但是用户必须决定内存是在处理器内部还是外部。做出此决定后，用户可以进一步确定存储的容量和类型。
5、数据存储
类似于程序存储器，数据存储器可以位于一个微控制器或一个外部设备，但有一些不同的两种情况。有时微控制器内部包含SRAM（易失性）和EEPROM（非易失性）数据存储器，但有时它不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，用户可以选择外部串行EEPROM或串行闪存设备。
6、易失性和非易失性存储器
内存可以分为易失性内存（在断电后丢失数据）和非易失性内存（在断电后保留数据）。用户有时会将易失性内存与备用电池一起使用，以实现类似于非易失性设备的功能，但这可能比简单地使用非易失性内存更昂贵。
7、串行存储器和并行存储器
对于较大的应用程序，微控制器通常没有足够大的内存。必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部程序存储器和数据存储器也将是并行的。
8、EEPROM和闪存
内存技术的成熟已经模糊了RAM和ROM之间的区别，现在有一些类型的内存（如EEPROM和闪存）结合了两者的特点。这些设备像RAM一样读写，在断电时像ROM一样保存数据。它们都是电可擦可编程的，但各有优缺点。
❼ 铁氧体存储器原理
铁氧体存储器原理：
1、磁芯存储器也称作铁氧体磁芯存储器是一种非易失性存储器（断电后存储的信息不会丢失），磁带、磁盘等磁存储设备基于同样的存储原理。
2、对磁芯进行存取操作时无需旋转机械的帮助，其中存储的信息可以通过寻址线立即获得，存取速度自然要快很多，因此非常适合作内存使用。
❽ 磁储存原理
磁存储技术的工作原理
是通过改变磁粒子的极性来在磁性介质上记录数据。在读取数据时，磁头将存储介质上的磁粒子极性转换成相应的电脉冲信号，并转换成计算机可以识别的数据形式。进行写操作的原理也是如此。要使用硬盘等介质上的数据文件，通常需要依靠操作系统所提供的文件系统功能，文件系统维护着存储介质上所有文件的索引。因为效率等诸多方面的考虑，在我们利用操作系统提供的指令删除数据文件的时候，磁介质上的磁粒子极性并不会被清除。操作系统只是对文件系统的索引部分进行了修改，将删除文件的相应段落标识进行了删除标记。同样的，目前主流操作系统对存储介质进行格式化操作时，也不会抹除介质上的实际数据信号。正是操作系统在处理存储时的这种设定，为我们进行数据恢复提供了可能。
值得注意的是，这种恢复通常只能在数据文件删除之后相应存储位置没有写入新数据的情况下进行。因为一旦新的数据写入，磁粒子极性将无可挽回的被改变从而使得旧有的数据真正意义上被清除。另外，除了磁存储介质之外，其它一些类型存储介质的数据恢复也遵循同样的原理，例如U盘、CF卡、SD卡等等。因为这些存储设备也和磁盘一样使用类似扇区、簇这样的方式来对数据进行管理。举个例子来说，目前几乎所有的数码相机都遵循DCIM标准，该标准规定了设备以FAT形式来对存储器上的相片文件进行处理。
❾ 各种存储器的工作原理是什么
1．按用途分类 ⑴内部存储器 内部存储器又叫内存，是主存储器。用来存储当前正在使用的或经常使用的程序和数据。CPU可以对他直接访问，存取速度较快。 ⑵外部存储器 外部存储器又叫外存，是辅助寄存器。外存的特点是容量大，所存的信息既可以修改也可以保存。存取速度较慢，要用专用的设备来管理。 计算机工作时，一般由内存ROM中的引导程序启动程序，再从外存中读取系统程序和应用程序，送到内存的RAM中，程序运行的中间结果放在RAM中,（内存不够是也可以放在外存中）程序的最终结果存入外部存储器。
2.按存储器的性质分类 ⑴RAM随机存取存储器（Random Access Memory） CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后，所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同，RAM又分为两类： ①SRAM静态RAM（Static RAM） 静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器（Cache memory）用它组成。 ②DRAM动态RAM（Dynamic RAM） DRAM内容在 或 秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新（Refresh）。由于他的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此他的集成成本较低，另外耗电也少，但是需要刷新电路。⑵ROM只读存储器（Read Only Memory） ROM存储器将程序及数据固化在芯片中，数据只能读出不能写入。电源关掉，数据也不会丢失。ROM按集成电路的内部结构可以分为：①PROM可编程ROM（Programable ROM ）将设计的程序固化进去，ROM内容不可更改。②EPROM可擦除、可编程（Erasable PROM）可编程固化程序，且在程序固化后可通过紫外线光照擦除，以便重新固化新数据。③EEPROM电可擦除可编程（Electrically Erasable PROM） 可编程固化程序，并可利用电压来擦除芯片内容，以便重新固化新数据。 3、按存储介质分
(1)半导体存储器。 存储元件由半导体器件组成的叫半导体存储器。其优点是体积小、功耗低、存取时间短。其缺点是当电源消失时，所存信息也随即丢失，是一种易失性存储器。
半导体存储器又可按其材料的不同， 分为双极型（TTL）半导体存储器和MOS半导体存储器两种。 前者具有高速的特点，而后者具有高集成度的特点，并且制造简单、成本低廉， 功耗小、故MOS半导体存储器被广泛应用。 (2)磁表面存储器。 磁表面存储器是在金属或塑料基体的表面上涂一层磁性材料作为记录介质，工作时磁层随载磁体高速运转，用磁头在磁层上进行读写操作，故称为磁表面存储器。
按载磁体形状的不同，可分为磁盘、磁带和磁鼓。现代计算机已很少采用磁鼓。由于用具有矩形磁滞回线特性的材料作磁表面物质，它们按其剩磁状态的不同而区分“0”或“1”，而且剩磁状态不会轻易丢失，故这类存储器具有非易失性的特点。
(3)光盘存储器。 光盘存储器是应用激光在记录介质(磁光材料)上进行读写的存储器，具有非易失性的特点。光盘记录密度高、耐用性好、可靠性高和可互换性强等。 4、按存取方式分类
按存取方式可把存储器分为随机存储器、只读存储器、顺序存储器和直接存取存储器四类。
(1)随机存储器RAM RAM是一种可读写存储器， 其特点是存储器的任何一个存储单元的内容都可以随机存取，而且存取时间与存储单元的物理位置无关。计算机系统中的主存都采用这种随机存储器。由于存储信息原理的不同， RAM又分为静态RAM (以触发器原理寄存信息)和动态RAM(以电容充放电原理寄存信息)。
(2)只读存储器 只读存储器是能对其存储的内容读出，而不能对其重新写入的存储器。这种存储器一旦存入了原始信息后，在程序执行过程中，只能将内部信息读出，而不能随意重新写入新的信息去改变原始信息。因此，通常用它存放固定不变的程序、常数以及汉字字库，甚至用于操作系统的固化。它与随机存储器可共同作为主存的一部分，统一构成主存的地址域。
只读存储器分为掩膜型只读存储器MROM（Masked ROM）、可编程只读存储器PROM(Programmable ROM)、可擦除可编程只读存储器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用电可擦除可编程的只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。以及近年来出现了的快擦型存储器Flash Memory，它具有EEPROM的特点，而速度比EEPROM快得多。
(3)串行访问存储器 如果对存储单元进行读写操作时，需按其物理位置的先后顺序寻找地址，则这种存储器叫做串行访问存储器。显然这种存储器由于信息所在位置不同，使得读写时间均不相同。如磁带存储器，不论信息处在哪个位置，读写时必须从其介质的始端开始按顺序寻找，故这类串行访问的存储器又叫顺序存取存储器。还有一种属于部分串行访问的存储器，如磁盘。在对磁盘读写时，首先直接指出该存储器中的某个小区域(磁道)，然后再顺序寻访，直至找到位置。故其前段是直接访问，后段是串行访问，也称其为半顺序存取存储器。
❿ 磁表面储存器和光盘储存器记录信息的原理有何不同
1、所谓磁表面存储，是用某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面作载磁体来存储信息。
在磁表面存储器中，利用一种称为磁头的装置来形成和判别磁层中的不同磁化状态。磁头实际上是由软磁材料做铁芯绕有读写线圈的电磁铁。
写操作：当写线圈中通过一定方向的脉冲电流时，铁芯内就产生一定方向的磁通。
读操作：当磁头经过载磁体的磁化元时，由于磁头铁芯是良好的导磁材料，磁化元的磁力线很容易通过磁头而形成闭合磁通回路。不同极性的磁化元在铁芯里的方向是不同的。
通过电磁变换，利用磁头写线圈中的脉冲电流，可把一位二进制代码转换成载磁体存储元的不同剩磁状态；反之，通过磁电变换，利用磁头读出线圈，可将由存储元的不同剩磁状态表示的二进制代码转换成电信号输出。这就是磁表面存储器存取信息的原理。
磁层上的存储元被磁化后，它可以供多次读出而不被破坏。当不需要这批信息时，可通过磁头把磁层上所记录的信息全部抹去，称之为写“0”。通常，写入和读出是合用一个磁头，故称之为读写磁头。每个读写磁头对应着一个信息记录磁道。
磁表面存储器的优点：
①存储容量大，位价格低；
②记录介质可以重复使用；
③记录信息可以长期保存而不丢失，甚至可以脱机存档；
④非破坏性读出，读出时不需要再生信息。
磁表面存储器的缺点
存取速度较慢，机械结构复杂，对工作环境要求较高。
2、光盘存储器是一种采用光存储技术存储信息的存储器，它采用聚焦激光束在盘式介质上非接触地记录高密度信息，以介质材料的光学性质(如反射率、偏振方向)的变化来表示所存储信息的“1”或“0”。