A. SRAM存储元电路是什么电路
存储元是
组成存储器的基础和核心，它用来存储一位二进制信息0或1。
你所谓的六管SRAM存储元
它是由两个MOS反相器交叉耦合而成的触发器，一个存储元存储一位二进制代码。这种电路有两个稳定的状态，并且 A、B两点的电位总是互为相反的，因此它能表示一位二进制的1和0。
写操作？
写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入低电位，开启T5,T6,T7,T8四个晶体管把高、低电位分别加在A、B点，使T1管截止，使T2管导通，将“1”写入存储元。
写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，打开T5,T6,T7,T8四个开门管把低、高电位分别加在A、B点，使T1管导通，T2管截止，将“0”信息写入了存储元，
读操作？
若某个存储元被选中，则该存储元的T5，T6，T7，T8管均导通，A、B两点与位线D与D相连存储元的信息被送到I/O与I/O线上。I/O与I/O线接着一个差动读出放大器，从其电流方向可以判知所存信息是“1”还是“0”。
二、SRAM存储器的组成
存储体：存储单元的集合，通常用X选择线(行线)和Y选择线(列线)的交叉来选择所需要的单元。
地址译码器：将用二进制代码表示的地址转换成输出端的高电位，用来驱动相应的读写电路，以便选择所要访问的存储单元。地址译码有两种方式。
表3.3 地址译码的两种方式
单译码 适用于小容量存储器 一个地址译码器
双译码 适用于大容量存储器 X向和Y向两个译码器
驱动器: 双译码结构中，在译码器输出后加驱动器，驱动挂在各条X方向选择线上的所有存储元电路。
I/O电路： 处于数据总线和被选用的单元之间，控制被选中的单元读出或写入，放大信息。�
片选: 在地址选择时，首先要选片,只有当片选信号有效时，此片所连的地址线才有效。
输出驱动电路:为了扩展存储器的容量，常需要将几个芯片的数据线并联使用；另外存储器的读出数据或写入数据都放在双向的数据总线上。这就用到三态输出缓冲器。�
三、SRAM存储器芯片实例
右边的CAI演示的是2114存储器芯片的逻辑结构方框图 点击演示
注意：由于读操作与写操作是分时进行的，读时不写，写时不读，因此，输入三态门与输出三态门
是互锁的，数据总线上的信息不致于造成混乱。
四、存储器与CPU连接
CPU对存储器进行读/写操作，首先由地址总线给出地址信号，然后要发出读操 作或写操作的控制信号，最后在数据总线上进行信息交流，要完成地址线的连接、数据线的连接和控制线的连接。
存储器芯片的容量是有限的，为了满足实际存储器的容量要求，需要对存储器进行扩展。主要方法有：
★位扩展法：只加大字长，而存储器的字数与存储器芯片字数一致，对片子没有选片要求使用8K×1的RAM存储器芯片，组成8K×8位的存储器的CAI演示 点击演示
★字扩展法：仅在字向扩充，而位数不变。需由片选信号来区分各片地址。
用16K×8位的芯片采用字扩展法组成64K×8位的存储器连接图演示 点击演示
★字位同时扩展法：一个存储器的容量假定为M×N位，若使用l×k 位的芯片(l＜M，k＜N)，需要在字向和位向同时进行扩展。此时共需要(M/l)×(N/k)个存储器芯片。
五、存储器的读、写周期�
在与CPU连接时，CPU的控制信号与存储器的读、写周期之间的配合问题是非常重要的。
读周期：读周期与读出时间是两个不同的概念。读出时间是从给出有效地址到外部数据总线上稳定地出现所读出的数据信息所经历的时间。读周期时间则是存储片进行两次连续读操作时所必须间隔的时间，它总是大于或等于读出时
B. SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存储原理
SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新，所以叫静态随机存储器。
DRAM 利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，由于栅极漏电，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这样会造成数据丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于 1／2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持数据的连续性。
PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。
EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。
EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。
C. SRAM存储器是什么存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
说具体点就是高速缓存或者说是二级缓存
祝您好运
D. SRAM和DRAM依靠什么原理存储信息
SRAM:同步随机存储器 （一般用于嵌入式处理器的内存）S:synchronous
DRAM:动态随机存储器（很少用了） D：dynamic
SDRAM：同步动态随机存储器（很早的内存）
DDR SDRAM (双沿触发SDRAM,表示一个时钟周期触发两次)
DDR2 SDRAM (现在的主流，比第一代增加内部倍频，这个很少人知道)
DDR3 SDRAM （第三代DDR，进一步增加了内部倍频，改善了寻址方式）
晕，怎么是0分，才注意到
存储数据基本原理无外乎都是利用电容保存的电压信息表示0.1状态，实际的东西比这个复杂多了。
E. 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理
个人电脑的主要结构:
显示器
主机板
CPU
(微处理器)
主要储存器
(记忆体)
扩充卡
电源供应器
光盘机
次要储存器
(硬盘)
键盘
鼠标
尽管计算机技术自20世纪40年代第一台电子通用计算机诞生以来以来有了令人目眩的飞速发展，但是今天计算机仍然基本上采用的是存储程序结构，即冯·诺伊曼结构。这个结构实现了实用化的通用计算机。
存储程序结构间将一台计算机描述成四个主要部分：算术逻辑单元（ALU），控制电路，存储器，以及输入输出设备（I/O）。这些部件通过一组一组的排线连接（特别地，当一组线被用于多种不同意图的数据传输时又被称为总线），并且由一个时钟来驱动（当然某些其他事件也可能驱动控制电路）。
概念上讲，一部计算机的存储器可以被视为一组“细胞”单元。每一个“细胞”都有一个编号，称为地址；又都可以存储一个较小的定长信息。这个信息既可以是指令（告诉计算机去做什么），也可以是数据（指令的处理对象）。原则上，每一个“细胞”都是可以存储二者之任一的。
算术逻辑单元（ALU）可以被称作计算机的大脑。它可以做两类运算：第一类是算术运算，比如对两个数字进行加减法。算术运算部件的功能在ALU中是十分有限的，事实上，一些ALU根本不支持电路级的乘法和除法运算（由是使用者只能通过编程进行乘除法运算）。第二类是比较运算，即给定两个数，ALU对其进行比较以确定哪个更大一些。
输入输出系统是计算机从外部世界接收信息和向外部世界反馈运算结果的手段。对于一台标准的个人电脑，输入设备主要有键盘和鼠标，输出设备则是显示器，打印机以及其他许多后文将要讨论的可连接到计算机上的I/O设备。
控制系统将以上计算机各部分联系起来。它的功能是从存储器和输入输出设备中读取指令和数据，对指令进行解码，并向ALU交付符合指令要求的正确输入，告知ALU对这些数据做那些运算并将结果数据返回到何处。控制系统中一个重要组件就是一个用来保持跟踪当前指令所在地址的计数器。通常这个计数器随着指令的执行而累加，但有时如果指令指示进行跳转则不依此规则。
20世纪80年代以来ALU和控制单元（二者合成中央处理器，CPU）逐渐被整合到一块集成电路上，称作微处理器。这类计算机的工作模式十分直观：在一个时钟周期内，计算机先从存储器中获取指令和数据，然后执行指令，存储数据，再获取下一条指令。这个过程被反复执行，直至得到一个终止指令。
由控制器解释，运算器执行的指令集是一个精心定义的数目十分有限的简单指令集合。一般可以分为四类：1）、数据移动（如：将一个数值从存储单元A拷贝到存储单元B）2）、数逻运算（如：计算存储单元A与存储单元B之和，结果返回存储单元C）3）、条件验证（如：如果存储单元A内数值为100，则下一条指令地址为存储单元F）4）、指令序列改易（如：下一条指令地址为存储单元F）
指令如同数据一样在计算机内部是以二进制来表示的。比如说，10110000就是一条Intel
x86系列微处理器的拷贝指令代码。某一个计算机所支持的指令集就是该计算机的机器语言。因此，使用流行的机器语言将会使既成软件在一台新计算机上运行得更加容易。所以对于那些机型商业化软件开发的人来说，它们通常只会关注一种或几种不同的机器语言。
更加强大的小型计算机，大型计算机和服务器可能会与上述计算机有所不同。它们通常将任务分担给不同的CPU来执行。今天，微处理器和多核个人电脑也在朝这个方向发展。
超级计算机通常有着与基本的存储程序计算机显着区别的体系结构。它们通常由者数以千计的CPU，不过这些设计似乎只对特定任务有用。在各种计算机中，还有一些微控制器采用令程序和数据分离的哈佛架构（Harvard
architecture）。
F. SRAM是缓存还是内存
SRAM是一种读写速度很优秀的存储器（比DRAM速度快很多的存储器），因为读写速度优秀，所以价格就贵，所以一般容量做的比较小，容量做大的话成本就会很高（因为计算机要亲民啊，做的那么贵谁买得起呢），所以一般不拿来当内存使用（就是平常说的内存条），一般用作TLB（快表）或者用来减少存取时间的高速缓存，而DRAM一般用来做内存，一般容量比较大，为什么容量大呢，因为他比SRAM存储器慢所以价格便宜，容量做大一点就没关系啦
G. 数据存储器又可分为静态SRAM和动态DRAM,何为静态SRAM与动态DRAM
随机存储器（RAM）有两种，静态随机存储器（Static Random-Access Memory)，简写为SRAM，通常由6个MOS管组成，写入数据后不需要刷新；和动态随机存储器（Dynamic Random-Access Memory），简写为DRAM，通常为一个MOS管加一个电容，写入数据后需要不断刷新
随机存储器只是数据存储器中的一种，数据存储器也不是只有SRAM和DRAM两种
H. sram的存储原理
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。