A. 什么是静态随机存储器，与动态有什么区别
楼主给你个专业的回答参考下吧
SRAM静态的随机存储器: 特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory): 它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1~2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。
B. 关于《微机原理》的一些问题
9、每段的起始和结束地址为：
（1）10000H-1FFFFH
（2）12340H-2233FH
（3）23000H-32FFFH
（4）E0000H-EFFFFH
（5）AB000H-BAFFFH
12、若当前SS＝3500H，SP=0800H,堆栈段在存储器中的物理地址为35800H，若此时入栈10个字节，SP内容是07F6H，若再出栈6个字节，SP为07FCH
3、
(1)MOV
AX,[100H]源操作数字段的寻址方式是直接寻址，物理地址值是
10100H
(2)MOV
AX,VAL源操作数字段的寻址方式是直接寻址，物理地址值是
10030H
(3)MOV
AX,[BX]源操作数字段的寻址方式是寄存器间接寻址，物理地址值是
10100H
(4)MOV
AX,ES:[BX]源操作数字段的寻址方式是寄存器间接寻址，物理地址值是
20100H
(5)MOV
AX,[SI]源操作数字段的寻址方式是寄存间接寻址，物理地址值是
100A0H
(6)MOV
AX,[BX+10H]源操作数字段的寻址方式是寄存器相对寻址，物理地址值是
10110H
(7)MOV
AX,[BP]源操作数字段的寻址方式是寄存器间接寻址，物理地址值是
35200H
(8)MOV
AX,VAL[BP][SI]源操作数字段的寻址方式是基址变址寻址，物理地址值是
10100H
(9)MOV
AX,VAL[BX][DI]源操作数字段的寻址方式是基址变址寻址，物理地址值是
10124H
(10)MOV
AX,[BP][DI]源操作数字段的寻址方式是基址变址寻址，物理地址值是
35224H
6、
(1)MOV
DL,AX类型不匹配，字节与字不能传送
(2)MOV
8650H,AX
目的操作数不能为立即数
(3)MOV
DS,0200H
立即数不能送段寄存器
(4)MOV
[BX],[1200H]
两内存单元不能直接操作
(5)MOV
IP,0FFH操作数不能为IP
(6)MOV
[BX+SI+3],IP
操作数不能为IP
(7)MOV
AX,[BX][BP]两个基寄存器不能同时作为地址
(8)MOV
AL,ES:[BP]
可以是正确的
(9)MOV
DL,[SI][DI]两变址寄存器不能同时作为地址
(10)MOV
AX,OFFSET
0A20H错误在OFFSET不用作为数值地址操作符
(11)MOV
AL,OFFSET
TABLE类型不匹配，地址为字，不能传送给字节
(12)XCHA
AL,50H
立即数不用作为XCHG指令的操作数
(13)IN
BL,05H
输入指令为累加器专用指令，不用BL，只能用AL
(14)OUT
AL,0FFEH
端口地址超过8位应该用DX间接寻址
7、
LEA
BX,TABLE
MOV
AL,5
XLAT
MOV
DH,AL
MOV
AL,7
XLAT
MOV
DL,AL
MOV
BX,DX
8、
PUSH
AX
SP＝00FEH
PUSH
BX
SP＝00FCH
POP
BX
SP＝00FEH
POP
AX
SP＝0100H
1、
A1
DW
23H,
5876H
变量占4个字节
A2
DB
3
DUP(?),
0AH,
0DH,
‘$’变量占6个字节
A3
DD
5
DUP(1234H,
567890H)
变量占40个字节
A4
DB
4
DUP(3
DUP(1,
2,
‘ABC’))
变量占60个字节
2、
MOV
AX,0066H
MOV
AL,0FFH
MOV
AX,0FFH
AND
AL,2
OR
AX,02FFH
4、
PLENTH的值为22,表示PLENTH与PAR之间的字节数
7、用1024×1位的RAM芯片组成16K×8位的存储器，需要128个芯片，在地址线中有10位参与片内寻址,6位组合成片选择信号（设地址总线为16位）
8、现有一存储体芯片容量为512×4位，若要用它组成4KB的存储器，需要16个这样的芯片，每块芯片需要9条寻址线，整个存储系统最少需要12条寻址线。
C. 如何使用62256构成64K的静态数据存储器
使用62256构成64K的静态数据存储器
输入输出系统在微机系统中占有重要的地位，它是人机交互的唯一渠道，在一个小型的DVCC8086十六位微型单板机系统中，输入输出系统无法采用传统的键盘和CRT显示器，只能采用一些简单的输入输出设备，如开关量和数码管显示器，虽然设备简单，但要使它在DVCC8086十六位微型机系统中正常工作，涉及的技术却非常多，首先，DVCC8086十六位微型机本身的资源是够用的，即CPU、内存、总线这些构成微型机的整体框架的硬件要有。第二，内存的容量，存储器地址的范围，端口的地址范围，中断资源等必须满足输入输出的基本要求。第三，相应的输入输出设备的接口必须具有，选择了那些接口，就有相应的功能。第四，输入输出设备的驱动程序要有，即如何对接口进行符合要求的编程，最后，有一个具体的应用来验证设计的整个输入输出系统能否正常使用。本文主要介绍DVCC8086十六位微型机的硬件组成，讨论了十六位微机实验系统的输入输出的有关内容。描述DVCC8086十六位微型机本身的所有资源，同时也对本设计中使用的输入输出设备开关量、数码管显示器、与输入输出相关的接口芯片及其驱动程序进行了详细的讲解。最后给出了一个具体的输入输出的应用，以此来了解一个完整的输入输出系统的设计。
1 DVCC8086十六位微型机的硬件组成
DVCC8086 十六位微型机输入输出系统是为了适应微机原理、微机接口技术等课程的实验而设计的。它为大中专院校学生学习微机原理、微机接口技术提供了理想的实验环境，它可有效地帮助学生深入理解微机原理等课程中的基本概念，理解微机的工作过程接口芯片的工作原理，从而达到学好微机原理和接口技术等课程的目的。
1.1系统的部分硬件组成
(1)系统采用主频为4.77HZ的8088CPU为主CPU，并以最小工作方式构成系统。
(2)采用静态RAM形成监控程序的数据区和用户实验的程序存储区，系统以二片62256静态RAM构成系统的64K基本内存，地址范围为00000H~0FFFFH。其中00000H~004FFH为系统数据区，00500-00FFFH为用户数据区，01000H~0FFFFH为用户程序区。用EPROM形成系统监控程序区,主要是一片32KEPROM存放系统程序和实验程序，地址范围为F8000H-FFFFFH。
(3) 系统中采用74LS373、74LS245总线驱动器使CPU的AB／DB分时复用，形成AB、DB分离的总线方式
(4) 由可编程键盘显示接口8279A对24键的小键盘和8位的七段LED显示进行管理。自带键盘显示器，采用进口键座、彩色字符键帽，能单机独立运行，为实验程序的调试带来方便。
以上就构成了最基本的微机工作系统。同时将AB、DB和CB三总线均引出供实验使用，为了减少和防止外接电路对CPU的影响，各信号均加入了驱动、隔离电路。
(5)通用外围电路，包括逻辑电平开关电路、发光二极管显示电路、时钟电路、单脉冲发生电路、继电器及驱动电路、直流电机及驱动电路、步进电机及驱动电路、电子音响及驱动电路、模拟电压产生电路。
(6) 提供各种微机常用I/O接口芯片：包括定时/计数器接口芯片(8253A)，并行接口芯片(8255A)，A/D转换芯片(0809)，D/A转换芯片(0832)，中断控制器接口芯片(8259A)，键盘显示接口芯片(8279A)，串行通信接口芯片(8251A)等。
(7) 备有系统总线扩展插座，便于其他硬件接口器件的扩展（如DAM控制器8237A的扩充、串级中断源8259A的扩充、串行口8250A扩充、A/D的扩充等）。
(8) 可以配接温度测量、压力测量实验板。
(9)备有通用IC插座，和其他外围电路配合作数字实验仪用。
(10)实验电路连接采用自锁紧插座及导线，消除接触不良现象。
(11)提供标准RS-232异步通信接口，以联接IBMPC及其兼容机
D. 什么叫做静态存储器它依靠什么存储信息
静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息。它是依靠触发器的两个稳定状态来存储信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
这里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相关的答案
E. 何为静态存储器，动态存储器，它们的区别是什么
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小
F. 微机原理中的RAM工作原理谁会啊
RAM分为SRAM存储器和DRAM存储器
静态存储器（SRAM）依靠触发器的两个稳定状态存储信息，多用来作为小容量的高速缓冲存储器，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
动态存储器DRAM是依靠电容上的存储电荷来保存信息，为了保持数据,所以必须隔一段时间刷新一次,DRAM是由许多基本存储元按照行和列来组成的常用作大容量的主存储器。
G. 静态RAM基本存储电路
那个T3，T4是有源负载，相当于电阻，T3是T1的负载电阻，T4是T2的负载电阻，都是导通的，为T1，T2提供漏极电压的。而真正导通和截止形成反相的，有两个稳定状态的是T1，T2。因为在集成电路内部不方便做电阻，所以，就用这种电路做电阻了。