① IBM突破2nm芯片技术，全球首款2nm芯片问世
对于任何智能设备而言，芯片都是设备的核心，尤其是手机领域。一个好的芯片对手机所带来的性能提升是非常大的，比如说如日中天的骁龙888，基本是旗舰机必备芯片。
但众所周知，就算是最强的骁龙888也只是一款5nm的芯片，但 IBM突然有消息传出，称其已经研发出了2nm的芯片技术，要知道3nm的技术都没着落呢，现在竟然就有了2nm的技术？
IBM公司其实近几年已经很少活跃在市场中了，虽然曾经是巨头般的存在，但随着时间的一步步推移，市场份额不断下滑，也无奈开始转型，但没想到沉寂这么长时间一出手就是王炸啊。
而这款2nm芯片到底有多夸张呢？目前5nm芯片晶体管数量都在100多亿个，而IBM这个直接达到了500亿个，性能直接提升了不在一个数量级，由于芯片体积小，对产品的轻薄也有巨大的提升。除此外功耗也非常小，所以续航也提升极大。那这是不是就代表着我们可以直接绕过3nm芯片，直接应用2nm芯片技术呢？
事实并不是如此，尽管这款2nm芯片确实是货真价实的，但是其成本极高，根本不可能实现量产，甚至在小部分设备上应用都不太现实。
也就是说，技术有确实是有，但不可能会有厂商去进行代工，因为其成本之高根本就不可能赚到钱。所以这次的2nm发布，更多的可能是展示了IBM的高端技术，至于应用只能是镜花水月。所以现在最现实的仍然是3nm的芯片技术，比如说三星就表示将在2021年推出基于 3nm GAA工艺的产品，一步一个脚印才能走出最扎实的路。
不过随着半导体产业的不断进步，2nm甚至1nm的技术肯定也会逐步实现，不知道到了1nm之后该怎样发展呢？0.5nm吗？
② 华为全新自研芯片取得突破，此次突破意味着什么
如今国内的企业是意识到了自主研发芯片的意义，华为全新资源芯片取得了突破，华为在自主研究上面的再发力，成为了华为竞争力这么多年以来，华为的短板补齐了。华为在自主研究芯片上面的突破，有什么意义呢？下面就让我们起来看一下。
芯片决定的竞争力。苹果和华为的手机有很大的影响力。而在两家竞争的过程中，芯片在里面起到了很重要的作用，每一年的新机发布会，消费者除了会关心手机的新功能，还会关注芯片的亮相。不得不说自主研发的芯片是一种硬实力，也是一种软实力。如果国内的手机品牌想要拿下话语权，那么必然是要自主研发芯片的。华为自主研究的oled屏幕驱动芯片已经完成了市场屏幕驱动芯片可以理解为oled，这是显示屏的中枢神经，它的性能的高低决定了显示屏画面播出的效果。它的提升能够提高。使用者的体验感。
③ 打破美日垄断芯片国产化再获新突破：128层闪存芯片进入量产
长期以来，全球的存储芯片市场份额基本集中在韩国、日本、美国等国家的芯片企业手中，我国在这方面虽然起步比较晚，但是进步速度快，我国存储芯片“三剑客”之一长江存储仅仅花了4年时间，就完成了32层3D NAND闪存芯片到128层3D NAND闪存芯片的研发。近日，我国在闪存芯片和固态硬盘领域传来好消息。
据媒体周四（7月29日）最新报道，国内存储产品代工企业“嘉合劲威”宣布， 该司旗下 品 牌阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD闪存颗粒 ，该硬盘 采用的是长江存储研发的128层3D TLC NAND， 主要的实行方案同样来自于中企英韧 科技 。
闪存芯片和SSD固态硬盘之间有什么样的联系呢？NAND闪存芯片被广泛采用到SSD固态硬盘、智能手机、平板电脑等电子设备中， 数据统计显示，2019年，SDD固态硬盘对NAND闪存芯片的需求占比达49.6%，此外，2021年，预计SSD固态硬盘全球的出货量高达3.3亿台。 随着SSD固态硬盘的市场规模越来大，也加速拉动了NAND闪存芯片的市场需求量。
值得一提的是，虽然，当前硬盘市场仍以PCIe 3.0 SSD为主流，但是技术进步是发展趋势，随着更多的高端产品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼声也越来越高，三星、西部数据等闪存芯片巨头都推出了PCIe 4.0 SSD固态硬盘。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出现不仅能够填补我国国产高端 PCle4.0 SSD固态硬盘领域的长期空白， 同时也象征着我国国产SSD固态硬盘成功迈进高端市场。
另外，有业内人士分析认为，阿斯加特此次发布的新品， 意味着长江存储研发的128层闪存芯片已经进入量产阶段。由此，该司正式进阶到100层以上的高端闪存芯片赛道，未来有望在闪存芯片市场上获得更多的市场份额。
此次，阿斯加特与长江存储的强强合作，又为我国高端技术突破增添了“功勋章”，成功把我国国产NAND闪存芯片和SSD固态硬盘推向高端市场。
文 | 张建琳 题 |曾云梓 图 | 卢文祥 审 | 吕佳敏
④ 三星搞出3nm芯片，我们7nm芯片试产成功，卡脖子即将解决
全球芯片大战，不断燃起战火，真是夺人眼球，举世瞩目，最近，三星就突然宣布，自己搞出来了3nm芯片，这个消息，犹如晴空中的一个惊雷，三星正是以此，来震慑自己的老对手台积电和英特尔。
俗话说：兵不厌诈。激烈的市场竞争，让各大公司，绞尽脑汁，想尽一切办法，来打压竞争对手。
那三星说的，自己已搞出来了3nm芯片，到底是真是假呢？
首先说，这个事，是真的。就在最近的国际固态电路大会上，三星亮出来了全球首款3nm的SRAM存储芯片。
这个芯片，的确厉害，容量高达256GB，性能提升30%，功耗降低50%，计划明年量产。
三星这么做，就是一直在精准卡位台积电，终于搞出来了3nm芯片，以此碾压台积电。
其实，我们都知道，这个台湾的芯片制造企业，台积电，的确是芯片制造领域的“一哥”，那向来是一家独大，特别是在全球最先进的5nm芯片上，更是横扫天下，打遍天下无对手。华为的麒麟9000芯片，绝大多数，都是台积电生产的，这家公司，的确牛。
那半导体领域的另一大巨头，三星呢，一直就不服气，在台积电的屁股后面，拼命努力，穷追不舍。这就形成了世界高端芯片领域的竞争格局。
你看，芯片制造，如今已经是一个非常成熟的领域了，大家分工明确，相互依存，从上游的各种材料设备，到中游的设计与制造，再到下游的封测，各个环节，有条不紊，形成了各大产业链。
比如说，华为，那在芯片设计的领域，全球首屈一指，技术非常厉害，所以，才不断的推出了自己的各种高端芯片。
纵观全球的半导体领域，有的公司擅长设计，比如华为。有的公司擅长制造，台积电，就是在芯片制造上，有绝对的领先优势。
但是，三星和英特尔，这两个巨头，却与众不同，这两个公司，不仅能设计，还能制造，同时也能封测，集三大技术于一身，可以说是，万事不求人，自己都搞定。
其实，华为吃亏就在自己设计能力极强，但缺乏制造能力，一直在让台积电给自己代工。结果，被卡了脖子以后，芯片就彻底被断供。
曾经，世界的芯片市场，就是被三星和英特尔，这两大巨头所占领，这哥俩，那是你争我夺，轮流坐庄，依次成为世界第一，别人呢，只有看的份，谁也打不过他俩。
而这个时候的台积电，也是非常弱小，因为出道晚，所以，没多大竞争力，英特尔公司呢，就把自己的一些低端订单，分给台积电做。
虽然起步晚、底子薄，但台积电的野心可不小， 创始人 张忠谋，却一心想着如何去逆袭，从而，挤进世界最强的芯片公司行列。
这个24岁，这毕业于麻省理工学院硕士的张忠谋，非常的聪明，他认准，只要解决一个定位问题，聚集所有兵力，集中优势打歼灭战，就可以一招致胜。
于是，张忠谋就决定，我台积电，只做芯片制造，别的啥也不做，你像芯片的设计，台积电绝不进入，你先设计好了，方案拿给我就ok，我保证把芯片给你做得特棒。
一招鲜，吃遍天！
就这一招，让台积电，一下子，脱颖而出了，它的芯片制造能力，成为了世界最强，张忠谋，也被誉为了“芯片大王”、台湾“半导体教父”，他还成为了台湾机械科学院院士。
想当初，那是在2010年，iPhone4刚发布，
苹果就让三星代工芯片，可是，三星手机，越做越大，竟然和苹果，在市场竞争中，成了一对死敌。
就在这个节骨眼，台积电杀了出来，一举拿下了苹果的芯片代工业务，同时，又积极地和高通、华为合作，那营业额，就像火箭一样，嗖嗖的，直线上升，不仅如此，台积电的芯片制造工艺，也大幅提升，当做到10nm芯片时，一举超过三星，成为了全球最强的芯片制造公司。
科技 无止境，随着时代的进步，在10nm芯片之后，又发展到了7nm，这个时候，英特尔的技术就不行了，直接止步于7nm这条线了。而如今，已发展到了5nm，你像华为的最新款手机，都是用的5nm芯片。
而在全世界，只有台积电和三星，能够做出5nm芯片，但是三星的良品率，对比台积电，低了不少，一直被大家所指责。
所以，你看，苹果和华为的5nm芯片，都交给台积电来做，基本不考虑三星，除非台积电真是赶不出来了，才会去找三星代工。
虽然，英特尔公司，止步于7nm这条线了，但是，很多设备对芯片的要求，7nm就足够了，只有高端的智能手机，才需要5nm芯片。
所以，从公司的营收上看，英特尔和三星，依然占据着全球芯片市场的最大份额。
根据Gartner发布的2020年，半导体厂商的营收预测，英特尔去年营收，同比增长3.7%，能突破700亿美元；三星去年营收，同比增长7.7%，能实现560亿美元。他们哥俩，继续称霸全球。
而台积电呢，2020年全年营收，同比增长25%，约474亿美元。净利润同比增长了50%，约183.3亿美元。
从这个数据，我们可以看出，虽然台积电的全年营收，比英特尔和三星少，但营收增速，却比英特尔和三星多了好几倍，英特尔是3.7%，三星是7.7%，台积电却是25%，这么一看，台积电超越英特尔和三星，那是指日可待。
另外，从目前的公司市值，更是显示出，台积电的后生可畏。
你看，英特尔目前的市值是2556亿美元，而台积电则高达6135亿美元，相当于2.4个英特尔，台积电一举成为了全球市值最大的半导体公司。
台积电的创始人，“芯片大王”张忠谋，担任了纽约证券交易所的顾问和斯坦福大学的顾问，真可谓是名利双收啊。
那在这种情况下，三星会就此认输吗？答案是：绝对不会。
虽然在高端芯片的市场大战中，不论技术、还是规模，三星都已经被台积电打败，但三星一直在努力，寻找反败为胜的机会。
因为现在的市场，芯片需求量太大，甚至出现了求大于供的局面。
你像去年，当苹果把芯片，交给台积电，代工时，由于要的芯片数量太大，苹果一家公司，就占据了台积电5nm芯片25%的产能，这给台积电忙的，日夜赶工，满负荷运转啊。
一旦当台积电，做不出来的时候，苹果就会考虑，找三星代工，虽然三星做得不如台积电好，那没办法，台积电的产能也是有极限的。目前，高通的5nm芯片，就是找三星代工的。
所以，三星完全有机会，战胜台积电。虽然去年，三星在5nm芯片上，输给了台积电，但如今，三星率先搞出来了，全球首款3nm的SRAM存储芯片。
因为，早在2019年，三星就启动了“半导体2030计划”。
这个计划的核心内容是，三星要在10年之内，成为全球最大的半导体公司，超过台积电。
但对于台积电，当前是一家独大，以最先进的5nm芯片，横扫天下的局面，三星是奋起直追，所以，搞出来了全球首款3nm芯片。
但是，三星的这个3nm芯片，是SRAM存储芯片，主要是在手机里用，负责手机里的数据存储。而台积电的芯片，擅长于中央处理器，负责全方位的性能输出，工艺技术那是更高一筹。
而且目前，台积电计划在明年，主打3nm芯片，苹果已经完成了首批订货，当2022年，台积电量产3nm芯片时，将率先用在苹果的手机等设备之上。
看着半导体领域的巨头们，这场惊心动魄的芯片大战，作为一个中国人，最关心的，还是我们自己的芯片制造。
因为制造芯片，那是投资非常巨大、见效却又缓慢的事情，所以，我们过去，一直习惯于买买买，我需要芯片了，直接花钱就ok了。
根据数据统计，仅2018年,中国芯片的进口总量，就高达3120亿美元,占了全球市场规模的近60%，进口额已经超过了石油,位居国内进口商品的第一位。
可现在，当出现了被卡脖子的状况时，一下子，唤醒了国人，那就是，在关键的芯片 科技 领域，我们得有自己的生产制造能力啊，你看，华为被制裁的多厉害，你有钱，也没用，我不卖给你，你就傻眼。
好在当前，我们清楚地看到了这一点，开始加大了我们的芯片制造能力。
国家也出台了政策，明确表示，要在2025年，把芯片的自给率，从2019年的30%，提升到70%，以应对不断恶化的外部环境。
就在去年的7月份，我们国家还出台重磅政策，鼓励芯片行业的快速发展，就是在未来1到2年，对芯片的设计、制造、封装等各个环节，企业均可减免所得税，最高的，直接免税10年。
通过我们的共同努力，举全国之力，把高端芯片搞出来，彻底的突破封锁。
被卡了脖子的华为，更是痛定思痛，在想尽一切办法，来解决芯片短缺的问题。
可网上，却有人这样喷：芯片这种高 科技 的东西，只有国外才能制造出来，华为，你就在梦里搞吧！
这么讲话，真是让人气愤。如今，一个好消息传来，真是让国人振奋，我们的7nm芯片，在中芯国际，试产成功了。
就在去年的时候，中芯国际的14nm制程工艺，就达到了量产的水准。如今，中芯国际，仍然没有EUV光刻机，那是怎么实现7nm的突破呢？
我们都知道，EUV光刻机，那是你有钱，也买不着的。
而中芯国际，通过不断的技术研发，利用深紫外光DUV光刻机，在多重曝光,和特殊的工艺处理之后，就能达到生产7nm芯片的水准，这一重大突破，真让我们高兴，目前，中芯国际，准备在今年的4月份，尝试风险生产。
如今，我们不仅在7nm芯片上，实现了突破5nm芯片，也在研发当中，一些相关的技术，正在部署，就差将来，能买到EUV光刻机了。
如果，中芯国际，在没有EUV光刻机的情况下，也能量产7nm的芯片，那就会成为，全球第3家，掌握10nm以下工艺技术的芯片制造企业，将来，只要ASML阿斯麦，一松口，卖给我们一台EUV光刻机，我们就能和台积电，一决高低。
7nm在中芯国际，已经取得重大突破，5nm，还远吗？一旦卡脖子的问题，得到了解决，未来在全球的高端芯片竞争当中，必将有我们的一席之地！对此，你怎么看？
⑤ 万物互联互通的5G时代，国产芯片领域会有怎样的新突破呢
5G时代的到来，成为物联网的催化剂，这势必会影响物联网本身和他相关的产业，而其他行业中最核心的就是芯片产业。
物联网的高速发展
物联网是新一代信息技术的重要组成部分，也是"信息化"时代的重要发展阶段。物联网通过智能感知、识别技术与普适计算等通信感知技术，广泛应用于网络的融合中，也因此被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮。
新兴产业如物联网、人工智能、大数据、云计算、智能驾驶、区块链、医疗信息化、政务信息化等等都离不开半导体芯片的支持。因此，伴随着物联网的快速发展，半导体产业被进一步推动。
根据产业链发展的逻辑，在一个大的产业周期起来的过程中，受益的先后顺序应该是从上游到中游再到下游逐渐扩散。而半导体在5G通信网络中充当上游原材料的角色，半导体产业持续高热。
基于此，物联网的多重场景和多重情况就大大的刺激芯片行业的发展，按需定制的芯片服务也成为趋势。
按需定制的芯片服务成为趋势
随着先进的工艺节点趋于极限，设计变得复杂，导致商业化的时间延长，成本效益不再得到保证。但是如果采用定制化芯片的方式，在性能提升和功耗降低的情况下，就可能不会提升任何成本。对于成本更加敏感的物联网市场似乎更需要定制化芯片。
IP需要长期的技术积累，也需搭建完备的生态，需要持续的研发投入，同时也考验企业的商业策略和能力。大多数为人们所熟悉的IP公司都来自于国外，然而在如今国产替代紧迫的形势下，发掘本土优秀企业显得格外重要。
据了解，芯动 科技 (Innosilicon)就是一家中国芯片IP和芯片定制的一站式领军企业，他们拥有14年全球最先进工艺产品交付记录的专家团队，从55纳米到8纳米先进工艺，具有创纪录（> 200次流片）和年10万片FinFet晶圆授权量产的骄人业绩。芯动 科技 以高智能、高性能、高安全、低成本为客户定制芯片，以灵活共赢的商业模式服务于全球客户，长期赋能，加速产品应用落地，为国产芯片定制量产保驾护航。
未来我们将看到更多的芯片在物联网和人工智能等应用上的使用，甚至在某些特定领域，定制化的芯片将会发挥主导作用。
突出重围，助力中国芯
国产半导体正积极打破万亿元的高额逆差，打破国外垄断，战略安全可靠，国产IP及自主芯片生态链迎来新的使命。链、网、云智能应用驱动着AIoT、5G、 汽车 电子、大数据等交互加速落地，特别是5G+AI时代需要高性能计算和存储芯片技术，FinFet高端工艺芯片的需求量也与日俱增，因此国产一站式IP和芯片定制化设计企业也迎来了前所未有的机遇。
以芯动 科技 为例，在IP定制化设计领域提供全球主流代工厂（台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子/英特尔/上海华力/武汉新芯等），从180nm到5nm工艺全套高速混合电路IP核和ASIC定制解决方案，尤其22nm以下FinFET工艺全覆盖。公司14年来本土发展，所有IP和产品自主可控，支持了华为海思、中兴通讯、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等国内外知名企业数十亿颗芯片量产，连续10年中国市场份额遥遥领先。
芯动团队持续聚焦先进工艺芯片IP和定制技术，以赶超世界先进水平为己任，硕果累累。2018年率先攻克顶级难度的GDDR6高带宽显存技术瓶颈，成功量产高性能计算GPU；2019年推 出4K/8K显示的HDMI2.1 IP和高速32Gbps SerDes Memory；2020年率先推出国产自主标准的INNOLINK Chiplet和HBM2E技术，并即将首发全定制云计算智能渲染GPU芯片。在高性能计算/高带宽储存/加密计算/AI云计算/低功耗IoT等领域展现出强悍的创新力，一站式赋能国产自主可控高端芯片生态。
在国产化替代的浪潮下，在万物互联互通的5G时代，芯动作为一个有担当的国产芯片赋能企业，将会一如既往地秉承 科技 创芯、生态共赢的理念，以开放的心态助力芯片国产化事业不断发展。
⑥ 国产芯片迎来突破，芯片制造的3个关键环节，终于打破技术垄断
受众所周知的原因影响，近年来中国半导体产业的自主研发激情空前高涨，不少企业都不惜代价地持续投入研发，尽可能推动整个产业打破海外垄断的进程。
在各方努力下，国产芯片终于迎来突破，在三个芯片制造的关键环节上终于打破了海外的技术垄断。
所谓引线框架，是芯片的基本载体。公开资料显示，引线框架可以实现芯片电路内部引出端和外引线的电气连接形成回路，属于构建集成电路过程中的核心材料。
长期以来，中国在蚀刻金属引线框架方面高度依赖进口，这导致大部分相关技术都无法进行攻关。
在避无可避的情况下，中国企业只能自主研发引线框架。 在这方面，淄博新恒汇电子发现了激光模式的蚀刻金属引线框架，成功打破技术封锁。
笔者了解到，相比传统蚀刻金属引线框架，新恒汇电子的成果效率更高。据悉，目前该公司在激光模式蚀刻金属引线框架上的产能约为1亿条/年，约占全球10%的产能。
与金属引线框架类似，光刻胶也是核心原材料之一，只不过光刻胶主要被应用于芯片制造环节。
放眼全球光刻胶市场，日本、美国和德国等国家的企业牢牢把控着80%以上的市场。 国产光刻胶目前主要集中在中低端市场，对于高端光刻胶，中国企业仍然需要从海外进口。
不过，在“国家队”的政策、技术和资金支持下，不少中国企业都在高端光刻胶研发项目上实现了一定的突破。
例如南大光电、晶瑞股份等等，其中前者的ArF光刻胶已经建有产能25吨的生产线，接下来会持续扩大产能。
至于晶瑞股份，该公司在2020年从某些渠道购买的二手光刻机已经到货。利用这台光刻机，笔者相信晶瑞股份很快会传来有关光刻胶技术的好消息。
众所周知，前段时间台积电官宣了在1nm芯片技术上的突破。虽然我国在芯片制程上落后不少，但却掌握着1nm芯片电极主要材料---铋。
公开资料显示， 中国是全球铋资源储蓄量最高的国家，先天性的优势令中国在技术落后的情况下掌握不小的主动权。
而且，这意味着，我国在芯片制造技术攻关方面有了更多的优势。总而言之，笔者相信国产芯片未来可期。
文/谛林 审核/子扬 校正/知秋
⑦ 国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片
在DRAM内存芯片领域我国与其他国家一直都存在着较大的差距，中国台湾的南亚 科技 所生产的内存所占有的市场份额，远低于其他国家的内存芯片。中国自主生产的优质内存是中国高 科技 产业存在的一个短板之一。这一直都是中国之痛，但如今我国国内自主研发生产的内存终于迎来了新的希望，中国企业合肥长鑫有希望进入全球芯片内存市场的前四，合肥长鑫计划在明年量产17nm的内存芯片，并有望超越南亚 科技 ，这是一件值得国人共同庆贺的好消息，是中国国产芯片内存的一大进步。
话题讨论：国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片
对中国 科技 领域有一定了解的小伙伴，一定知道在DRAM内存芯片领域占据了垄断性地位的企业便是来自韩国的企业。三星、SK海力士以及美光这仅仅三家企业就已经占据了全球市场内存芯片领域超过95%的市场份额，排名第四的则是中国台湾的南亚 科技 。虽说是排名第四的企业，但是其所占有的市场份额却只有仅仅的3.2%。通过这几个数字，我们就可以明显感觉到我国国产内存与外国企业所存在的巨大差距。不过即便如此，即便我国在国产内存领域远远落后于他人，我国国内的内存厂商也永不言弃，依旧锲而不舍地加强进行自主研发。其中，中国合肥的长鑫企业就终于成功实现了DDR内存的量产。
首先先给大家介绍一下这一个后起之秀——合肥长鑫。长鑫企业在2016年的时候成立，长鑫储存是一家一 体化的储存器制造商，其拥有了自主设计、研发、生产与销售DRAM的能力。长鑫存储的DRAM产品应用领域非常广泛，在电脑、移动终端和互联网等领域都能见到他的身影。根据相关报道显示，如今的长鑫存储企业依旧在不断地进行扩产，将有希望超过台湾的南亚 科技 ，成功进入全球内存芯片市场排行榜的第四位。长鑫存储在默默的积蓄力量，以待成效之日。
在今年的上半年，长鑫存储就取得了非常优异的成绩。长鑫存储所自主研发的19nm DRAM工艺终于成功上市了，并且其量产也从两万片跨越到了四万片。这是一个非常良好的开端，长鑫存储的市场份额在不断提高，其知名度也在不断的提升，越来越多的人意识到了合肥长鑫的存在。不仅如此根据Digtime公布的消息来看，在今年的年末，长鑫存储的芯片量产有望增长三倍，也就是12万片。而12万片的量产片就足以让超越产量不足7万片的南亚 科技 。因此在今年年末，中国企业长鑫 科技 有望进入全球第四。相信短时间内，长鑫存储在业界的知名度将会又有一个大的提升。
但是就算是有着不错的成绩，但是长鑫存储在DRAM芯片内存领域与国际市场的三大巨头三星、SK海力士和美光这三家企业还是有着很悬殊的实力差距。无论在市场份额的占有上，还是在芯片的制造工艺上都与这三大业界巨头存在着很大的距离。我们都知道长鑫存储目前生产的内存芯片主要是19nm，和国际其他企业存在较大的差距，我国芯片内存制造的工艺技术水平落后于其他国外企业足足有大约两三年的时间。不过，有差距也就有了追赶的动力。据相关人士透露，长鑫存储在2021年的时候，将实现17nm的内存芯片的量产，我国国产的内存芯片存储密度又有了一个提升，这就是一种良好的发展态势。这意味着我国在内存芯片的生产技术上，将会再一次缩小与其他外国企业的距离。
长鑫企业的扩产一直在进行当中。合肥总投资高达2200 亿元的集成电路制造基地项目终于在2019年成功启动。这个项目的占地面积非常广，足足达到了15.2平方公里。这个基地一共设立了三大片区，分别是空港国际小镇、空港集成电路配套产业园以及长兴12英寸存储器晶圆制造基地。如今，合肥已经集结了多达200多家的上下游企业，看来合肥专注于创造一座IC城市。
在这么多家企业当中，长鑫存储就是其中的黑马。这个集成电路制造基地项目总投资2200 亿元，其中长鑫的12英寸存储器晶圆制造基地项目就占了1500亿元了。这是安徽合肥单体投资最大的工业项目，可以说创造合肥的 历史 记录。正是因为国家对长鑫存储寄予了厚望，所以才会如此大的资金投入到长鑫存储的量产当中， 如今的长鑫存储已经成为了国内芯片内存的领军企业，大家都对其满怀期待，相信它也不会让大家失望。长鑫企业一直在用实际行动证明着自己。
国产内存因为长鑫存储等内存制造企业的崛起而拥有了希望。根据相关的报导，安徽的半导体行业也将在短时间内进入高速发展的阶段，新的低耗能高速率内存产品将在这几年的推出，各大企业将专注于产品的产业化。各大企业并没有因为落后于外国企业而气馁，反正更加充满干劲。来日方长，我国国产芯片未来的发展还是非常值得期待的。
写在最后
没有什么企业产品是能够一蹴而就的，特别是在高新 科技 领域，尤其需要时间去发展生长。在我国芯片内存领域空白的那几年里，拉开了我国芯片内存生产技术与其他外国企业之间所存在的距离。在这十几年的时间里，我国一直致力于科学技术的自主研发，我国在 科技 领域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之过急，需要一步一个脚印的前进。虽然目前我国在内存芯片领域依旧有着很大的进步空间，但相信在我国企业的不断努力之下，总有一天我国在这一个领域也会取得耀眼的成绩。
⑧ 中国攻克最先进128层闪存：它到底强在哪何时能跟三星掰手腕
芯片分为存储芯片和非存储芯片，其中存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。前者又称内存储芯片（内存），可以与CPU直接交换数据，速度快、容量小、价格高。后者为外存储芯片（外存），指除内存及缓存以外的储存芯片。此类储存芯片一般断电后仍然能保存数据，速度慢、容量大、价格低。
⑨ 国产存储芯片开始提速，两大喜讯接连传来，实现从0到1突破
全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。
但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？
存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。
根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。
国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？
第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线
对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。
可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。
昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。
基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。
第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片
相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。
DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。
DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。
然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。
若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。
以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。
另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。
不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。
其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。
海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。
对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？
⑩ 国产SSD取得重大突破，但是和老外还是有一定差距
相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。目前大多数NAND芯片仅能供应1.0 Gbps实际速率。Xtacking技术有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。
长江存储的Xstacking技术基于武汉新芯 科技 的CIS传感器芯片上开发的堆栈技术，它把外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元是2片晶圆，这就意味着其芯片可用面积远大于其他传统3D NAND架构，从而实现更高的存储密度。
不仅是提高容量利用率，基于该技术节省出来的部分，除了控制电路，也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了无限可能。
根据资料显示，这些公司的96层堆栈3D闪存今年将占到产能的30%，不过随着厂商加快技术转型并提高良率，明年96层闪存的产能将超过64层闪存。也就是说，与国际上处于头部的存储芯片公司相比，我们仍旧存在一个完整的代差。
简单的说，长江存储刚刚宣布实现64层堆栈量产，而那些耳熟能详的“洋品牌”则已经即将完成64层到96层的过渡。不过这仅仅是国产闪存芯片实现追赶的开端，长江存储也曾公开宣布，未来将会直接跳过96层堆栈技术，直接在128层堆栈上展开竞争。
如今随着堆栈层数的不断增加，64层堆栈技术已经成为主流，512GB乃至1TB的SSD已经成为市场主销型号。因为这个容量的产品不仅每GB容量的价格更低，而且因为技术的原因，更高容量的产品可以获得更好的性能表现和更可靠的使用寿命。
而随着明年96层堆栈成为国际的主流，明年1TB容量的产品将会成为市场上绝对的主力。所以，如果您不懂技术上的差异，或许直接比较容量上的差异更为简单和直观。
尽管如此，我们不能否认国产存储芯片技术的进步。毕竟起步较晚，缺乏技术积累，并且屡屡遭受封锁和打压是不争的事实。中国存储芯片企业能够在如此之短的时间追赶上国际一线品牌的步伐，这仍旧是值得骄傲的巨大进步。
实现存储芯片的完全自主可控，这不仅对于中国 科技 产业发展具有极为重要的现实意义，更是国家 科技 发展战略的重要一环。长江存储实现64层堆栈闪存量产意义非凡，请给我们的 科技 企业多一些时间，相信未来必然会实现伟大的超越。