Ⅰ ddr4的生产厂家是英特公司吗
不是，ddr4有很多生产的厂家，主要是韩国三星，美国的美光和海力士。英特主要是cpu的研发。
Ⅱ DDR4与DDR3内存有什么区别
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。
如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢?下面我就为大家介绍一下吧，欢迎大家参考和学习。
DDR4内存的改进：
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm， 笔记本 电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS(3-Dimensional Stack，三维堆叠)技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠;另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似)、DBI(Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作)等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的 方法 是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。
人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。
支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光
威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。
不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。
这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。
2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工
威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。
美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。
新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。
目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。
美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。
窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存
DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。
Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。
Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。
DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默?韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。
和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。
三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
Ⅲ ddr4 2400、3000有什么区别
两者只有内存频率不同，一个2400，一个是3000。
ddr4 2400没有ddr4 3000处理速度快。一般来说，内存越大，处理数据能力越强，而处理数据的速度主要看内存属于哪种类型。
理论上来说，当然是频率越高越好。但频率越高，内存时序数字就要越高。如果是手动设置过大的内存频率，还要另外重新设置内存时序。
2400频率的内存条都有XMP功能，你可以自由的在BIOS设置任意一个频率。从2400~3000都可以。
拓展资料
DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为“SDRAM II”。
Ⅳ 首批三星A-Die存储芯片出货 带来更低成本的DDR4内存
内存市场又迎来新的“搅局者”，首批三星A-Die内存芯片确认开始出货。三星B-Die内存芯片被认为是硬件爱好者和超频玩家的圣杯。你可以想象，当有消息称三星正在退出其B-Die产品以主推该公司最近的A-Die存储芯片时，硬件社区的失望。 三星曾经在20纳米制造工艺上生产知名的B-Die存储芯片，而A-Die存储器则正在转向更新后的10nm制程。
不幸的是，A-Die的内存产品目前仍然非常稀缺。没有足够的样本来确定A-Die是否比其前身更好或更差。
三星A-Die DDR4模块的部件号为M378A4G43AB2-CVF，是一组容量为32GB的双排结构。A-Die的承诺之一是为每个模块提供更高的密度。三星模块的额定运行频率为2933 MHz，CL 21-21-21时序和1.2V工作电压。
MemoryCow是一家英国内存和存储零售商，它们率先以128.33英镑的价格上架了三星M378A4G43AB2-CVF模块（不含税价）。因此，我们可以预期该模块的成本约为157.77美元，这将是市场上最便宜的DDR4-2933 32GB模块。
Ⅳ DDR4内存条什么牌子好
比较好的内存条都有金士顿、威刚、宇瞻、三星、英睿达、影驰、阿斯加特、科赋、海盗船、芝奇、ThinkPad（联想）、惠普、台电等，推荐如下：
1、金士顿(Kingston) DDR4 2666 8GB 骇客神条 Fury雷电系列。金士顿可以说是现在市面上，存储设备方面的首选了，基本上选购都没有什么问题。此款内存条，精选高品质内存颗粒，自带散热片设计，这款内存条能与Intel Core i7高规格CPU和X99芯片组出色的兼容，符合JEDEC兼容设置，PNP技术。
2、美商海盗船。推荐型号：美商海盗船(USCORSAIR)DDR4 2666 8GB 复仇者LPX系列 游戏型。原装进口高性能内存颗粒，DDR4数据传输类型，2666MHz频率，工作电压1.2V，延迟值C15/C16，支持高性能的XMP2.0自动超频。这些都保证了其虽然小巧，但保证高性能。
3、推荐型号：威刚（ADATA）DDR4 2666 8GB 万紫千红。此款内存条拥有紫色的外观，严选颗粒更耐久，金手指黄金电镀更稳固，兼容性非常好。DDR4的数据传输类型，高性能低电耗，2666MHz的工作频率，4GB内存大小。威刚对于很多主流游戏的支持也做的很好，电竞玩家可以选择它作为自己的升级款。
4、影驰。推荐型号：影驰 GAMER DDR4 3000 8G。在3000MHz的型号下，拥有比一般的内存条品牌更低的价格，所以这里特别的推荐一下。色彩搭配上选择深橙色和深灰色，金属冲压，质感非常的立体。而不同于其他的内存条附有七色呼吸灯，对于喜欢炫酷灯光的DIY用户来说，是比较合适的一个选择。
Ⅵ cxmt是哪家公司
cxmt是长鑫存储技术有限公司，该公司的股东为睿力集成电路有限公司。长鑫存储技术有限公司成立于2017年11月16日，注册地位于安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室，登记机关合肥市经济开发区市场监督管理局。
长鑫存储技术有限公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。产品有DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模组。其中DDR4模组是内存市场主流产品。
长鑫存储技术有限公司对外投资的企业有长鑫存储技术（上海）有限公司，该企业注册地址在上海市长宁区虹桥路1438号1幢801、802、805单元（名义楼层9层），成立于2018年8月27日。
有限公司是指由五十个以下的股东出资设立，每个股东以其所认缴的出资额为限对公司承担有限责任，公司法人以其全部资产对公司债务承担全部责任的经济组织。有限责任公司包括国有独资公司以及其他有限责任公司。
Ⅶ 新基建这一年，产业链中最重要的是什么
2020年1月3日，国务院常务会议确定促进制造业稳增长的措施时，提出“大力发展先进制造业，出台信息网络等新型基础设施投资支持政策，推进智能、绿色制造”。
2020年3月4日，中共中央政治局常务委员会召开会议，强调“要加大公共卫生服务、应急物资保障领域投入，加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度”。
在中央密集部署之下，市场开始热捧，新型基础设施建设（以下简称新基建）迎来风口。迄今为止，已经将近一年。
在这一年中，无论是信息基础设施还是融合基础设施、创新基础设施，新基建产业链条中最重要的一环就是： 存储 。
很显然，没有存储，无论是5G、云计算、数据中心还是大数据、人工智能，都将成为无本之末、无源之水。
事实上，自从世界进入信息时代、数字时代乃至当前的人工智能时代之后，存储一直就是最核心、最基础的支撑技术。
存储技术：“科幻”未来的必由之路
自从人类步入信息 社会 ，计算和存储就变的愈发重要起来，计算能力和存储能力的不断提升持续拓展着人类的脑力边界， 社会 生活不再局限于眼前的“苟且”，更多的“诗与远方”给予了人类无限的遐想。
大数据、人工智能、自动驾驶、虚拟现实、火星殖民等“天顶星 科技 ”逐步由科幻变成现实的过程，让生活在这个时代的人类无限的憧憬和兴奋。所有这些 科技 的实现，无一不是依托更强的算力、更大的存储。
“运算”+“存储”构成了人类“科幻”未来的必由之路。
而事实上，从过去到现在，存储一直是构成了信息技术发展的重要基石之一，各国以及各大公司，在存储领域的争斗从未停歇，甚至存储领域的能力直接影响到了相关国家信息技术发展的进程。
存储史：也是信息 科技 的争斗史
翻阅存储产业的 历史 ，是一个行业乃至国家信息产业兴衰起伏的发展史，从美国、日本、韩国，存储产业轮番发展与壮大，随之而来的是存储芯片技术的飞速进步，与国家信息产业的突飞猛进。
存储产业的发源地：美国
上世纪50年代，由美国政府牵头，军方作为主要采购商，大力发展存储等集成电路产业，美国一跃成为世界电子信息产业的霸主。蓝色巨人IBM、无冕之王Intel都在当时赚到了存储领域的第一桶金，从而逐渐发展壮大，独霸一方。
美国IBM公司生产的KeyPunch 031型打孔卡数据记录装置
其实，美国IBM公司最早就是靠生产打孔卡数据机起家。1932年，美国IBM公司发明了第一种被广泛使用的计算机存储器 — 磁鼓存储器，采用电磁感应原理进行数据记录。磁鼓非常笨重，像个两三米长的巨型滚筒，但磁鼓的存储容量也只有几K而已，售价极其昂贵。
1949年，一个叫王安的中国人，在哈佛大学发明了磁芯存储器，嗅觉敏锐的IBM公司闻风而来，邀请他担任技术顾问，并购买磁芯器件。到1956年，王安将磁芯存储器的专利权，以50万美元卖给IBM公司。磁芯存储器是继磁鼓之后，现代计算机存储器发展的第二个里程碑。直至1970年代初，世界90%以上的电脑，还在采用磁芯存储器。
Intel在成立之初，就制定了研制晶体管存储芯片的方向。1969年，Intel推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片C3101，1970年10月，推出了首款可以大规模生产的1K 动态随机存储器（DRAM）芯片C1103，使得每bit（比特）存储只要1美分，它标志着DRAM内存时代的到来。到1974年，Intel占据了全球83%的DRAM市场份额。
整个1970年代，存储的王者是美国的存储厂商，而到了1980年代，日本厂商的存储时代到了。
存储产业大发展：日本崛起
70年代，日本跟随着美国的发展路径，通过从美国购买核心技术，举国发展存储等电子信息产业，NEC、日立、富士通、尔必达、东芝等企业先后崛起，与美国企业德州仪器，莫斯泰克，美光等大杀一方。
为打破存储技术壁垒，在1976年，由日本通产省牵头，以日立（Hitachi）、三菱（Mitsubishi）、富士通（Fujitsu）、东芝（Toshiba）、NEC这五大公司作为骨干，联合多家日本研究所，组建“VLSI联合研发体”，攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。
到了1980年，日本VLSI联合研发体宣告完成为期四年的“VLSI”项目，实现了多项研发的成果。各企业的技术整合，保证了DRAM量产良率高达80%，远超美国的50%，构成了压倒性的总体成本优势，从而一举奠定了当时日本在DRAM市场的霸主地位。
虽然在1980年，日本研制的DRAM产品，只占全球销量的30%，美国公司占到60%。但是到了1985年局势已经完全倒转。
日本的经济也随着半导体产业的繁荣开始腾飞。
由于日本廉价DRAM的大量倾销，美光被迫裁员，不得已只得向美国政府寻求帮助。而Intel，连续亏损数个季度，DRAM市场份额仅剩下1%。当时，Intel的年销售额为15亿美元，亏损总额却高达2.6亿美元，被迫关闭了7座工厂，并裁减员工。濒临死亡的Intel，被迫全面退出DRAM市场，转型发展CPU，并由此获得新生。日本电子企业、 汽车 企业的凶猛攻势，最终引爆了美日两国的经济战争。
渔翁得利后发制人：韩国半导体借存储产业腾飞
日美两国在存储芯片领域的竞争，快速拉高了对技术、资金的要求，两国的经济战争又给了韩国半导体产业发展的机会。
80年代，韩国产业联盟，四大财阀三星、现代、LG和大宇全力进攻存储产业。韩国政府全力配合，采取了金融自由化政策，松绑融资环境，让韩国各个财阀能够轻易调动资金，投入到存储产业竞争中。同样的套路，三星在起步初期从美国和日本购买技术，砸重金扶持自有技术和产业。
1992年三星完成全球第一个64M DRAM研发；1994年三星将研发成本提升至9亿美元，1996年三星完成全球第一个1GB DRAM（DDR2）研发。至此，韩国企业在存储芯片领域一直处于世界领跑者地位。
从1983年三星正式宣布进军存储器产业，到1992年末三星超越日本NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，三星走过了艰难的10年。
从此之后，三星在其后连续蝉联了近30年世界第一，韩国的经济也随之腾飞，实现了向高 科技 引导型经济的转型。韩国持续在存储芯片领域发力，长期保持着世界第一存储芯片生产大国的地位。目前全球三大存储器公司，韩国独占两席，最近甚至就连英特尔的3D NAND闪存业务也都卖给了韩国的SK。
新基建，发力存储正当时
时间来到21世纪，中国经历了近30年的改革开放，从一穷二白逐步迈入小康 社会 。新的经济发展需要新的产业动能驱动，产业升级的窗口期打开了，是中国出场的时候了。2014年，筹备许久的《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家大基金先后落地，中国的存储产业得到了腾飞的助力，徐徐拉开大幕。
存储是未来新基建的“粮食”，5G基础设施和数据中心的建设，都离不开存储。在紫光集团等国内芯片巨头的带领下，中国的存储产业将迎来关键的发展阶段。
2016年6月13日，合肥长鑫由合肥产投牵头成立，主攻DRAM方向。
2016年7月26日，紫光集团联合多方成立长江存储，首个闪存生产线在武汉建设，一期投资240亿美元，一号厂房于2017年9月封顶。
2017年，紫光集团旗下长江存储研发成功32层三维闪存芯片，打破了存储芯片国产化零的突破；2019年64层闪存芯片宣布研发成功，
2018年4月11日，长江存储开始搬入机台设备，在当年4季度量产32层三维闪存，2019年9月，长江存储宣布其64层三维闪存启动量产。到了2020年4月，长江存储宣布全球首款128层 QLC三维闪存研发成功，实现了跨越式的发展，中国存储技术第一次跟上了世界主流存储技术步伐。。
在内存DRAM领域，合肥长鑫在2017年开始投资建设DRAM工厂，2019年底宣布DDR4 DRAM和LPDDR4 DRAM芯片研发成功。
长江存储 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
合肥长鑫投资建设DRAM工厂
不过， 现有 垄断的存储市场并不欢迎新进的玩家，存储大厂三星，SK 海力士和美光垄断了全球90%以上的市场份额，全球存储大厂的产能规模是国内公司的几十倍，技术比国内公司领先好几代，国内公司在资金、规模和技术任何一项都不占优势，长途可谓漫漫。
然而，存储市场巨大，产值巨大，经济带动效用巨大。2019年，全球存储市场超过1000亿美金，国内存储市场超过500亿美金，单一月产能10万片的存储器制造工厂投资额就需要100亿美金，这也决定了存储产业 “配得上”国家新基建的这样的规模和力度。
在过去的几十年里，中国成为世界上最耀眼的“明星”，取得了举世无双的发展。当前，中国的铁路、公路和基础设施建设等传统的“基建”项目在经过几十年的高速发展后，已经屹立在“世界之巅”。
可以说，我们正从传统的不断缩小的“衣食住行等物质需求”向不断增大的“交流、沟通、计算和存储等信息需求”转变。
“传统基建”靠的是钢筋+水泥，“新基建”靠的是计算+存储。新基建，发力存储正当时。
在当前的市场环境下，在新旧动能切换的关键时期，发力存储产业正当时。
Ⅷ 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。
Ⅸ ddr4内存什么时候出 在DDR4内存有什么
DDR，又称双倍速率SDRAM
。Dual
Data
Rate
SDRAM
DDR
SDRAM
是一种高速CMOS动态随机访问的内存。美国JEDEC
的固态技术协会于2000
年6
月公布了双数据速率同步动态存储器(DDR
SDRAM)规范，JESD79
由于它在时钟触发沿的上下沿都能进行数据传输，所以即使在1333MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s
。DDR
不支持3.3V
电压的LVTTL
，而是支持2.5V
的SSTL2标准，它仍然可以沿用现有SDRAM
的生产体系，制造成本比SDRAM
略高一些，但远小于Rambus的价格。DDR存储器代表着未来能与Rambu
相抗衡的内存发展的一个方向。DDR4与以前的内存接口不兼容，需要主板支持DDR4内存类型。
Ⅹ 求世界上的着名内存供应商
1.现代
个人认为，原厂现代和三星内存是目前兼容性和稳定性最好的内存条，其比许多广告吹得生猛的内存条要来得实在得多，此外，现代"Hynix（更专业的称呼是海力士半导体Hynix Semiconctor Inc.）"的D43等颗粒也是目前很多高频内存所普遍采用的内存芯片。目前，市场上比划超值的现代高频条有现代原厂DDR500内存，采用了TSOP封装的HY5DU56822CT-D5内存芯片，其性价比很不错。
2.金士顿
作为世界第一大内存生产厂商的Kingston，其金士顿内存产品在进入中国市场以来，就凭借优秀的产品质量和一流的售后服务，赢得了众多中国消费者的心。
不过Kingston虽然作为世界第一大内存生产厂商，然而Kingston品牌的内存产品，其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、华邦（Winbond）、英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。
Kingston的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。
HyperX系列
Kingston的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超频性也不错，Kingston 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。
3.利屏
利屏是进来新近崛起的一个内存新秀。利屏科技（深圳）有限公司总部设在美国西部风景如画的世界高科技重镇旧金山。公司致力于研发、生产和销售利屏LPT极限高端内存条产品。公司拥有一支技术过硬的产品研发团队和足迹遍及中、外的专业销售队伍。产品深受广大游戏玩家和超频爱好者的喜爱。同时被冠以"超频之神"的美誉。
另外还有Kinghourse，NANYA，Micron等品牌，都是不错的选择，这里就不一一赘述了。
"利屏"眼镜蛇DDR400系列内存也是专门为追求性能的玩家所设计，它采用的也是D43的颗粒，但是时序更高，为了加强散热更是加上了金属散热片，其超频能力相当强劲，在加0.1V左右的电压下可以超频到DDR520。而利屏的DDR466内存，它采用的是编号为K4H560838E-TCCC的三星颗粒，运行在DDR466的时候内存时序为3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的报价就显得太高了。
而利屏的高端极限内存DDR560，提供单片256MB和512MB包装，同时双片装的512MB和1024MB支持双通道架构，每条内存的表面均有铜质散热片进行散热及确保运行的稳定性，其CAS值均为3，只能说刚好能用而已。
4.勤茂
勤茂（TwinMOS）CAS为2的DDR433内存，采用CSP技术封装—这款，勤茂DDR433内存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指数不错。此外，内存外面包裹着金黄色内存罩，能起到散热和屏蔽的作用，内存颗粒与散热片之间则填充了导热的垫片。价格在350元左右，其可超性也不含糊，性价比不错。
5.Kingmax 胜创
成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列中国台湾省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。
通过严格的质量控制和完善的研发实力，胜创科技获得了ISO-9001证书，同时和IT行业中最优秀的企业建立了合作伙伴关系。公司以不断创新的设计工艺和追求完美的信念生产出了高性能的尖端科技产品，不断向移动计算领域提供价廉物美的最出色的内存模组。
在SDRAM时期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝国，开启了内存产品的高速时代，也奠定了Kingmax在内存领域领先的地位。而今DDR来了，从266到300，再到现在的500，Kingmax始终保持着领先的位置，继续引领着内存发展的方向。说到KingMax内存，就不能不说到它独特的 "TinyBGA" 封装技术专利——作为全球领先的DRAM生产厂商，胜创科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封装技术的内存模组，这项屡获殊荣的封装技术能以同样的体积大小封装3倍于普通技术所达到的内存容量。同时，胜创科技还研制了为高端服务器和工作站应用设计的1GB StackBGA模组、为DDR应用设计的FBGA模组以及为Rambus RIMM应用设计的速度高达1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模组。
Kingmax胜创推出的低价版的DDR433内存产品，该产品采用传统的TSOP封装内存芯片，工作频率433MHz。Kingmax推出的这个SuperRam PC3500系列的售价和PC3200处于同一档次，这为那些热衷超频又手头不宽裕的用户提供了一个不错的选择。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500内存产品，其性能和其它厂家的同类产品大同小异。
6.Corsair（海盗旗）
Corsair（海盗旗）是一家较有特点的内存品牌，其内存条都包裹着一层黑色金属外壳，这层金属壳紧贴在内存颗粒上，一方面可以屏蔽其他的电磁干扰。其代表产品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）内存，其在DDR400下，可以稳定运行在CL2-2-2-5-T1下，将潜伏期和寻址时间缩短为原来的一半，这款内存并不比一些DDR500产品差，而且Corsair为这种内存提供终身保修。
而Corsair DDR500内存采用Hynix芯片，这款XMS4000能稳定运行在DDR500，并且可以超频到DDR530，在DDR500下其CAS值为2.5，性能还算不错。
7.Apacer（宇瞻）
在内存市场，Apacer一直以来都有着较好的声誉，其SDRAM时代的WBGA封装也响彻一时，在DDR内存上也树立了良好形象。宇瞻科技隶属宏基集团，实力非常雄厚。初期专注于内存模组行销，并已经成为全球前四大内存模组供应商之一。据权威人士透露，在国际上，宇瞻的品牌知名度以及产品销量与目在前国内排名第一的品牌持平甚至超过，之所以在国内目前没有坐到龙头位置，是因为宇瞻对于品牌宣传一直比较低调，精力更多投入到产品研发生产而不是品牌推广当中。
最近，宇瞻相应推出的"宇瞻金牌内存"系列。宇瞻金牌内存产品线特别为追求高稳定性、高兼容性的内存用户而设计。宇瞻金牌内存坚持使用100％原厂测试颗粒（决不使用OEM颗粒）是基于现有最新的DDR内存技术标准设计而成，经过ISO 9002认证之工厂完整流程生产制造。采用20微米金手指高品质6层PCB板，每条内存都覆盖有美观精质的黄金色金属铭牌，而且通过了最高端的Advantest测试系统检测后，采用高速SMT机台打造，经过高低压、高低温、长时间的密封式空间严苛测试，并经过全球知名系统及主板大厂完全兼容性测试，品质与兼容性都得到最大限度的保证。
宇瞻的DDR500内存（PC4000内存）采用金黄色的散热片和绿色的PCB板搭配。金属散热片的材质相当不错，在手中有种沉甸甸的感觉，为了防止氧化，其表面被镀成了金色。内存颗粒方面，这款内存采用了三星的内存颗粒，具体型号为：K4H560838E-TCC5，为32Mx8规格DDR466@CL=3的TSOPII封装颗粒，标准工作电压2.6V+-0.1V，标准运行时序CL-tRCD-tRP为3-4-4。在DDR500下其CL值为3，性能将就。
8.金邦
金邦(Geil)科技股份有限公司是世界上专业的内存模块制造商之一。全球第一家也是唯一家以汉字注册的内存品牌，并以中文命名的产品"金邦金条"、"千禧条GL2000"迅速进入国内市场，在极短的时间内达到行业销量遥遥领先。第一支"量身订做，终身保固"记忆体模组的内存品牌，首推"量身订做"系列产品，使计算机进入最优化状态。在联合电子设备工程委员会JEDEC尚未通过DDR400标准的情况下，率先推出第一支"DDR400"并成功于美国上市。
金邦高性能、高品质和高可靠性的内存产品，引起业界和传媒的广泛关注。在过去几年中，金邦内存多次荣获国内权威杂志评为读者首选品牌和编辑选择奖，稳夺国内存储器市场占有率三强。
金邦的Geil Platinum系列的DDR500内存（PC4000），采用TSOPII封装，使用了纯铜内存散热片，可较妥善的解决内存的散热问题。采用六层低电磁干扰PCB板设计；单条容量256MB，在内存芯片上做了整体打磨并上打上了Geil的印记，"号称"使用了4ns的内存芯片，但仍可以看出其是采用Hynix的内存颗粒。额定工作频率可达500MHz，在内存参数方面这是默认为CL3，可达CL2.5。除此而外，其还有金条PC4200（DDR533）等款产品。
9.威刚（ADATA）
威刚的高频内存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款价格适宜的DDR500产品，CAS值为3，其没有使用散热片，在芯片上的标签显示了Adata ID号。
10.OCZ
OCZ的高频内存在市场上也越来越常见，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3芯片，采用改良的散热片，标上有OCZ ID号及标准速度，其可以达到DDR500的水准，在DDR400/500下其CAS值均为2.5，还算不错。
尚却g－skill，infineon等品牌的资料，望大家能补充！