⑴ 计算机内存储器一般用什么作为存储介质
计算机内存中储存器一般用ROM作为储存介质，通电时可以存储信息，断电时信息消失。
RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
(1)微机内存储器用的材料扩展阅读：
ROM有多种类型，且每种只读存储器都有各自的特性和适用范围。从其制造工艺和功能上分，ROM有五种类型，即掩膜编程的只读存储器MROM（Mask-programmedROM）、可编程的只读存储器PROM（Programmable ROM）、可擦除可编程的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM）、可电擦除可编程的只读存储器 EEPROM（Elecrically Erasable Programmable ROM）和快擦除读写存储器（Flash Memory）。
⑵ 现代计算机常用的外存储器采用了磁性材料作为存储介质，而内存储器选取了什么材料制作的集成电路作为存储
现代计算机常用的外存储器采用了磁性材料作为存储介质，而内存储器选取了半导体材料制作的集成电路作为存储。
⑶ 为什么当前计算机内存储器使用的是一种具有信息存储能力的磁性材料 这句话是错的
因为一般常用的微型计算机的存储器有磁芯存储器和半导体存储器，微型机的内存都采用半导体存储器,
而现在磁芯存储器已被微型集成电路块上的半导体存储器所取代
半导体存储器就是用半导体集成电路完成的
我们也知道计算机存储的时候只有0和1,为什么呢?因为半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。
说简单点就像控制开关一样,所以并不是将信息存储到什么磁性材料上
⑷ 内存用的是什么材料做的
做内存用的芯片主要材料是半导体硅;
内存基板用的聚乙稀，基板上的线路用的金属，好点用铜，不好的用铝；
⑸ 计算机内存储器一般用什么作为存储介质
计算机内存中储存器一般用ROM作为储存介质。
随机存取存储器（英语：RandomAccessMemory，缩写：RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。
RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
(5)微机内存储器用的材料扩展阅读
RAM的特点为：
1、随机存取
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。
当RAM处于正常工作时，可以从RAM中读出数据，也可以往RAM中写入数据。与ROM相比较，RAM的优点是读/写方便、使用灵活，特别适用于经常快速更换数据的场合。
2、易失性
当电源关闭时，RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。
RAM的工作特点是通电后，随时可在任意位置单元存取数据信息，断电后内部信息也随之消失。
3、对静电敏感
正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。
4、访问速度
现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。
5、需要刷新（再生）
现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。
刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。
⑹ 在微型计算机中，内存储器，通常采用...存储器
在微型计算机中，内存储器，通常采用半导体存储器。
一个完整的微型计算机系统包括硬件系统和软件系统两大部分。硬件系统由运算器、控制器、存储器（ 含内存、外存和缓存）、各种输入输出设备组成，采用“ 指令驱动”方式工作。
半导体存储器特点是体积小，速度快，有电可存，无电清空，即电脑在开机状态时内存中可存储数据，关机后将自动清空其中的所有数据。
(6)微机内存储器用的材料扩展阅读
半导体存储器技术指标主要有：
1. 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N。
2. 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间。
3. 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。
4. 平均故障间隔时间MTBF（可靠性）。
5. 功耗：动态功耗、静态功耗。
⑺ 内存储器使用的半导体存储芯片有哪些主要类型
◆存储芯片（IC）的分类：
内存储器按存储信息的功能可分为随机存储器RAM(RandomAccess Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用来存放固定的程序，如微机的管理、监控程序，汇编程序，以及存放各种表格等。
还有一种叫做可改写的只读存储器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同点在于它可以用特殊装置摈除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。
RAM就是我们常说的内存，它主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外存交换信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。
由于RAM由电子器件组成，只能暂时存放正在运行的数据和程序，一旦关闭电源或掉电，其中的数据就会消失。RAM现在多为Mos型半导体电路，它分为静态和动态两种。
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠Mos电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM要设置刷新电路，但它比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。
●存储IC的特点，具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。
⑻ 微型计算机的内存储器,通常采用( )材料
半导体mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
⑼ 微型计算机中的数据存储器和程序存储器通常都用什么半导体存储器来承担
数据存储器基本上都是SRAM，程序存储器用ROM，可以长期保存。数据是不用保存的，掉电丢失也可以，但是要求读写速度快，这是SRAM的特点。