A. 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期
存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。
以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。
(1)器件存储周期扩展阅读
存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。
字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。
B. 存储周期是指
存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间
体现主存的速度 （纳秒ns）
存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-3ms=10-6s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条
存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期、存取时间等）表示。
存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的（3－1）关系式计算。
·······（3－1）
整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：
T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）
当命中率H→1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。
C. 存储器读写的工作周期是指什么
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标
D. 存储周期是指
存储周期，是指主存储器两次启动操作之间需要的最小时间间隔，也称之为主存储器周期时间。
存储周期具有以下特点：
1、存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间体现主存的速度；
2、存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写；
3、存储周期，通常用访问周期T表示；
4、存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。
E. 一般电子厂的物料储存期限标准
1、电子元器件有效储存期为：12个月
2、塑胶件有效储存期为：6个
3、五金件有效储存期为：12个月
4、包装材料有效储存期为：6个月
5、成品的有效储存期为：6个月
储存条件：仓库须通风、通气、通光、干净、整洁、保持空气流通，下雨天应关好门窗，以保证物料干燥，防止受潮，仓库内物料以常温(5℃-35℃，相对湿度量45%-85%)环境储存。
(5)器件存储周期扩展阅读：
储存注意事项：
1、储存应遵循三原则:防火、防水、防压；定位、定量、定点，先进先出。
2、物料上下叠放时要做到上小下大，上轻下重。
3、物料须检验合格品方可入库，严禁品质未检验材料的入库，免检产品除处。
4、易受潮物料，严禁直接摆放于地上，应放货架或卡板上进行隔离。
5、呆废料必须分开储存,并作定期提报处理。
6、晚上下班前应关好门窗及电源。(特别是贵重物品下班前应特别检查)
参考资料来源：网络-物料管理
参考资料来源：网络-物资储存规划
参考资料来源：网络-电子工业
F. 最近在整理库存物料，有许多电子物料放置时间都比较长了，想知道电子元件的储存周期是多久
电子元件的存储周期和储存环境密切相关,温度,湿度,是否密封包装.
电阻,陶瓷电容保存周期最长,只要焊点没有氧化,都可以使用,一般可以保存5年-10年.
电解电容,涉及电解液干涸问题,一般可以保存3年-5年.
IC除了特殊要求(例如潮敏等)室内干燥环境下一般可以保存3年.
G. 存储器周期（Memory Cycle）
主存储器（ Main memory ）是一种读/写存储器（ read/write memory ），它允许以所谓的（ in what is known as ）存储周期来检索(读取)（ retrieved (read) ）和存储(写入)（ stored (written) ）数据。
存储器周期（ The memory cycle ）包括通过读/写操作或通过单独的读和写操作（ by separate read and write operations. ）从存储器中读出数据和/或将数据写到存储器中（ reading the data out of memory and/or writing the data into memory ）。
存储器周期基于用于从存储器读取数据和/或将数据写入存储器（ reading and/or writing data from and into memory ）的固定（恒定）时间段（ fixed (constant) time periods ）。
一旦（ As soon as ）启动（ initiated ）读和/或写操作，几乎同时发生地址转换（ address translation occurs ），然后开始（ begin ）一个或多个读和/或写周期。
在读或写周期开始之前必须发生的最重要的过程之一是内存地址转换（ memory address translation ）。
将内存视为从 地址 0 开始到请求者（ CPU or IO(C) ）可用的最大内存地址的一系列内存位置。
接收或发送邮件使用类似的概念（ uses a similar concept ）。在接收或发送邮件之前，信封（ envelope ）上必须有地址。
内存使用相同的原理（ uses the same principle ）。
存储器逻辑（ Memory logic ）标识要从存储器中读取或写入存储器字（ a memory word ）的存储器地址。存储器地址可以是整个存储器地址范围（ 0 到最大值 ）中的任何一个。
为了识别期望的存储器地址，存储器逻辑使用被指定为地址寄存器（ the address register ）的寄存器和/或翻译器或解码器（ translators or decoders ）。
存储器逻辑从 CPU 或 I/O 接收逻辑地址（ logical address ），并将其临时存储在地址寄存器（ the address register ）中，然后将其转换为可以读取或写入的物理地址（ physical address ）。
地址寄存器和/或转换器（ The address register and/or translator ）识别（ identifies ）从中读取或写入位的确切位置（ the exact location ）。
地址寄存器或转换器的内容标识存储器地址（ the memory address ）。
存储器逻辑旨在（ is designed to ）根据其使用的存储器类型（ type of memory ）进行选择。
它可以被设计为识别单个存储器 pcb （ a single memory pcb ）的存储器地址，或者可以被设计为识别位于四个或更多存储器模块之一（ one of four or more memory moles ）中的地址。
如存储器的体系结构中所述（ As stated in the architecture of memory ），包含在存储器地址中的字（ the word ）可以是一个或多个位（ one or more bits ），大多数计算机具有的字至少具有8位，某些字的长度最多为128位。
从内存读取和/或写入的变体（ variations ）可以包括字的上半部分或下半部分（ include the upper or lower half of the word ），或给定计算机设计范围内（ within the design of a given computer ）的任何其他变体。根据指令类型（ instruction types ）和程序的不同而不同。
同样，如果将一台计算机标识为 8 位计算机 （ an 8-bit computer ），并且读或写操作需要 16 位字 （ a 16-bit word is required for a read or write operation ），则必须使用两个连续的内存地址（ two consecutive memory addresses ）来完成该操作（ to complete the operation ）。
还有许多其他变体。您计算机的指令集（ the instruction repertoire set of your computer ）和技术手册（ the technical manual ）将提供有关计算机内存操作和限制的详细信息（ details of your computer’s memory operations and limitations ）。
这是内存地址转换（ memory address translation ）的两个示例（ two examples ）。
对于第一个示例，请参考图 6-6。
它显示一个 4 位的存储器地址（ it shows a 4-bit memory address ）。
内存地址寄存器或转换器（ The memory address register or translator ）包含16 8 ，如下所示：
H. 电子元器件的储存时间是多久
跟温度，湿度和包装的密封性都有关系。其中，湿度和密封性主要影响可焊性。 表面氧化对插座和开关等机械接触的器件影响非常大，尤其是带金手指的高频插座。对于其他直插件影响要小些，这类器件要氧化的相当严重才会影响焊接。对应贴片件而言，引脚越小，表面氧化的影响越大。IC引脚氧化可以用清洗剂清洗或者手工补焊，但是这种处理很繁琐，工艺性比较差。BGA如果焊点氧化，有可能会需要重新植球。 民用级一般是3到5年，这个时间是指其可以可靠使用的时间。 电阻和陶瓷电容放的久些。 集成度高的IC，放的要短些，因为集成度越高，原子的热运动对特性的影响越大，时间久了热扩散会破坏IC的内部结构。 电解电容放的时间也比较短，时间久了电解液会干掉。