A. 半导体存储器有几类，分别有什么特点
1、随机存储器
对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。
特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。
特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。
(1)半导体存储器解释扩展阅读：
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
B. dram存储器的中文含义是
dram存储器的中文含义是动态随机存取存储器。
（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的资料会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。
工作原理：
DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵，左图所示是一个4×4的矩阵。基本的操作机制分为读（Read)和写（Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半。
反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储着操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。
C. 半导体存储器的分类
半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类。
只读存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据（如常数表、函数、表格和字符等），计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产厂家利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
随机读写存储器
1、静态存储器（SRAM）
利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低，成本高，功耗较大，通常作为Cache的存储体。
2、动态存储器（DRAM）
利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单，集成度高，成本低，功耗小，但需要反复进行刷新（Refresh）操作，工作速度较慢，适合作为主存储器的主体部分。
3、增强型DRAM（EDRAM）
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的，这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用，从而使DRAM芯片的性能得到显着改进。
D. 半导体存储器的介绍
半导体存储器(semi-conctor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。
E. 存储器的存储介质是半导体吗
存储器的存储介质是半导体，一般称为半导体存储器，由大量相同的存储单元和输入、输出电路等构成。每个存储单元有两个不同的表征态0和1，用以存储不同的信息。半导体存储器是构成计算机的重要部件。同磁性存储器相比，半导体存储器具有存取速度快、存储容量大、体积小等优点，并且存储单元阵列和主要外围逻辑电路兼容，可制作在同一芯片上，使输入输出接口大为简化。
半导体存储器的分类
按功能的不同，半导体存储器可分为随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）和串行存储器三大类。随着半导体集成电路工艺技术的发展，半导体存储器容量增长非常快，单片存储容量已进入兆位级水平，如16兆动态随机存储器（DRAM）已商品化，64兆、256兆DRAM在研制中。
F. 半导体存储器有哪些
半导体存储器(semi-conctor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。
按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）
RAM包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
ROM 主要用于BIOS存储器。
按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为：静态和动态两种。
G. 半导体存储器的分类；各自的特点；存储器容量与片上地址的关系；
半导体存储器分ROM和RAM
ROM只读存储器
只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为
1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产
2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产
3、可擦除可编程ROM（ EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研
4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护
RAM 随机存取存储器
既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器
RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。RAM又分为静态RAM，动态RAM
1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1
静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM
双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元
MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元
双极双极型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新
2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。
动态RAM需要进行刷新操作
存储器容量可以表示成2^n,n为地址线的数目
H. 半导体存储器简介及详细资料
分类
按功能分类
按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和唯读存储器(唯读ROM)
RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器)，当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(记忆体的主体部分)，SRAM主要用于高速快取存储器。
ROM 主要用于BIOS存储器。
按制作工艺分类
可分为:双极电晶体存储器和MOS电晶体存储器。
按存储原理分类
可分为:静态和动态两种。
主要特点
优点
体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
缺点
和磁芯存储器不同的是，半导体存储器属于易失性存储器(Volatile Memory)，在电源中断时会使数据消失，如RAM(Random Aess Memory)。
主要用途
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、唯读存储器、堆叠存储器等。
技术指标
主要有:
1. 存储容量:存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)
5. 功耗:动态功耗、静态功耗