‘壹’ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种
动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。
‘贰’ 动态RAM为什么要刷新这里的刷新是什么概念
RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。
在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。
电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。
‘叁’ 什么是动态存储器的定时刷新
动态刷新是指定期存放“1”的电容重新充电以补充泄路通路放掉的电荷。
也有表达刷新是指周期性的对电容执行读出再写入的操作。
‘肆’ 动态随机存储器为什么要进行刷新
dram的存储单元是用的电容的充放电来表示01的，如果电容有点表示为1，没有电表示为0.但是因由于电容会通过电阻放电，随着时间推移会造成1变成0，因此刷新的工作是将数据读出来再写进去，相当于重复给电容重复充电，保证数据不丢失。
‘伍’ 半导体动态存储器为什么要刷新刷新的主要方式有哪三种
动态存储器依靠电容电荷存储信息，时间一长，电荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。
‘陆’ DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。这里的刷新是什么意思
刷新是指给储存数据的电容重新充电，因为sram是用晶体管存数据所以不用刷新
‘柒’ 存储器的刷新有几种方式何谓“死时间”
1. 集中式刷新：刷新方式为前面的时间一直进行读取操作，后面的时间进行刷新。例如：对64*64的矩阵刷新，存取周期是0.5us，刷新周期为2ms
存取一次的时间=刷新一次的时间，那么刷新完64行需要的时间为：64*0.5=32us，说明这32us里不能进行读写操作
2. 分散式刷新：它扩大了读写周期，也就是说读一次需要时间为0.5us的话，那么一次的读写周期为1us，因为它包含了刷新用的0.5us。
3. 异步式刷新：它将每一行的刷新都分开来，也就是说只要在规定的时间完成对每一行一次的刷新就行了，(2ms/64)间隔进行一次刷新,这里的2ms是规定的，因为DRAM要求，至少2ms更新所有行一次。
不与固定相作用的组分的保留时间。死时间（dead time）,从进样到惰性气体峰出现极大值的时间称为死时间.