㈠ c8051F340往内部flash写一个字节需要多少时间呢不包括擦除的时间，时钟24M
参 数 条 件 最小值 典型值 最大值 单 位
擦除时间 24 MHz系统时钟 10 15 20 ms
写入时间 24 MHz系统时钟 40 55 70 µs
㈡ flash内存条与ddr的区别
区别1：不同的功耗和发热：flash闪存模块消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基础上降低了能耗和发热。
区别2：工作频率较高：flash存储模块能耗较高。由于降低了能耗，DDR可以获得更高的工作频率，在一定程度上弥补了延迟时间较长的缺点。
区别3：数据处理不一样：闪存模块数据删除不是基于单个字节，而是基于固定块。块大小通常为256Kb到20MB，闪存是一种电子可擦除只读存储器（EEPROM）。DDR内存颗粒大多为16M X 32bit，搭配中高端属显卡常用的128MB显存便需8颗较为合适。
区别4：通用性不同：闪存模块广泛应用于大多数电子设备中。由于DDR的针脚和封装等关键特性没有改变，所以显卡的显示核心和公共版本设计相对高端，也比较少见。
(2)flash存储时间花费扩展阅读：
在嵌入式系统中，内存（SDRAM或DDR）可以作为文件系统的存储介质。当存储器断电时，它不能保持原始数据不变。因此，基于内存的文件系统只能是临时文件系统，可以用来保存临时文件，而不是需要永久记录的文件。其优点是内存中只有动态变化，系统不会产生垃圾。
目前内存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM接口控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM接口控制器。两者最大的区别是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味着如果读取一个文件需要两秒钟，那么使用DDR可能需要不到一秒钟的时间。
Flash是嵌入式系统中最常用的文件系统存储介质。nor和NAND有两种类型。也不能直接读取flash，但写入是通过块而不是字节完成的。而不是直接写，它需要由命令控制；NAND flash也就是说，它不允许直接读写。读写都是通过块来完成的，需要通过命令来控制。
相比之下，nor的读取速度比NAND快，NAND的单位密度也比nor高，即单个IC NAND flash可以有4GB（字节）的存储空间，nor flash最多只能有1GB（位）。NAND flash通常有坏块，所以文件系统的设计比较复杂（坏块需要处理）。应该注意的是，关闭闪存电源可以防止文件丢失。
㈢ FLASH和EEPROM的区别
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。
一：FLASH和EEPROM的区别
1:相同点是两者都能掉电存储数据
2：不同点是：
A：FALSH写入时间长，EEPROM写入时间短。
B：FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）
二：单片机的数据存储器不能用FLASH，因为：
1：FLASH有一定的擦除，写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。
2：FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms，而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。
三：至于EEPROM，可以作为数据存储器，但是单片机如atmegal28，一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要太多，所以一般的单片机都没在内部集成EEPROM，需要的时候可以让单片机外挂24C01一类的串行EEPROM。
区别：
1、 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作
2、 FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短
3、 FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）
4、 FLASH的电路结构简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高
㈣ stm32中flash写入时间有多长
写入比较快16us每个字节，擦除时间非常长，大概擦除16K需要200ms
㈤ flash 存储器 擦除 写入 读出最快时间是多少
这要看存储器型号，一般擦除>100毫秒，写入几个到几十毫秒，读取是微秒级