Ⅰ 日立的旗下公司
日立环球存储科技公司 创立于2003年，它是基于IBM和日立就存储科技业务进行战略性整合而创建的。存储业务是日立的五项核心业务之一，引进先进的技术及雄厚的资金是其业务发展及利润增长的重要因素。公司着眼于通过提供适用于办公室、途中以及家中的大容量存储产品使用户们全面感受数字化的生活方式。日立环球存储科技公司专注于迅速地发展硬盘驱动器的适用范围，使其跨越传统的计算机应用环境的界限，延伸至电子消费产品及其它新兴产品。
公司会继承IBM和日立誉满全球的研究开发技术并将其合共80年的硬盘专业技术发扬光大。凭借雄厚、专注的研发技术及开发方面的投资，日立环球存储科技公司将激励和引领存储科技未来的发展方向。
在硬盘市场中，日立环球存储科技公司至诚为客户提供以客户为本并一应俱全的全方位服务。通过世界级的运营模式、务实的顶尖技术知识，及完善的客户支持服务架构，让该公司的产品及服务质量达到骄人的水准。
在产品类别方面，日立环球存储科技公司提供了一系列业界领先的产品组合，包括1英寸、2.5英寸及3.5英寸硬盘存储设备及方案，以迎合不同市场的需要。 由四个产品业务部门及一个内部业务部门组成：
● 台式机硬盘日立环球存储科技公司提供多种不同选择的台式机硬盘，可满足传统及先进的台式机应用程序的需求，如多媒体、视频串流、立体图像及数码相片等。该公司将善用旗下的丰富专业技术知识，以延续其获奖无数的Deskstar在创意技术及性能卓越上的模范传统。
● 移动电子产品硬盘 ─日立环球存储科技公司拥有在业界中最广泛的移动存储产品线，包括业界首张高性能、大容量的1英寸硬盘。微型硬盘 (Microdrive)提供的容量点由340MB至1GB，性能强于市场中其它同类型产品，而其每兆字节的成本价格也明显比竞争对手的低。此硬盘为全球最轻薄小巧并且性能卓越的1英寸硬盘，重量比一节2A电池还要轻。微型硬盘专为外型小巧但需要特大容量的应用环境而设计，如数码相机、PDA、MP3。
● 服务器硬盘 - 日立环球存储科技还提供一套完整的服务器硬盘产品，其在10000及15000RPM系列产品中也有较高的市场占有率。旗下的Ultrastar 服务器硬盘系列为数据密集的应用程序提供高容量数据处理表现，也为许多高端接口提供用户支持。
● 新兴市场 - 日立环球存储科技的新兴市场业务主要是负责为消费者提供各种解决方案，它通过不断地研究和开发使硬盘驱动器更广泛地应用于传统IT产业以外的领域。它的另一个任务则是促进和培育新的硬盘驱动器市场，将其应用于与消费者紧密联系的产品，从而缔造更多商机并促进业务的增长。
● 磁头/盘片 - 日立环球存储科技研发及生产自己的硬盘磁头及盘片。从而能够有效地控制并管理产品的品质与设计开发，使其产品的发展步伐紧跟客户的需求。
2009-11-10
日立环球存储科技公司（Hitachi GST）今天宣布交付第五代7200转笔记本电脑硬盘。这款2.5英寸的日立7K500硬盘产品具有500GB的容量和3Gb/sSATA接口，专为笔记本电脑、游戏和专业外部存储应用而设计。日立7K500集引领业界的高性能、大容量和耐用性为一体，是多任务处理、游戏以及其它图形处理的理想装备。新一代日立7K500是同类产品中运行最快的硬盘设备，与前一代1相比，提高了56%的容量，应用性能增强16%。此外，它还提供同类产品中最佳的抗震能力，最佳的性能表现和出色的电池续航能力。
2010年1月26日
继2009年9月在中国推出SimpleTOUGH 和SimpleDRIVE mini两款产品后，全球最受认可和信赖的品牌之一，日立环球存储科技公司（HitachiGST）今天宣布在中国推出日立X便携式硬盘。日立X便携式硬盘是专为那些寻求以最方便可靠、经济实惠的方式来存储和保护数码照片、音乐、视频和文档等数据内容的用户而设计的。
日立环球存储科技公司亚太区副总裁朱绍仁表示：“对数字内容进行备份至关重要，因此我们始终以‘让所有计算机用户都拥有一台外部硬盘驱动器’为目标不断努力。日立X便携式硬盘提供性能可靠、具有竞争力的价格的解决方案，凭借强大的存储能力帮助用户存储和备份其所需要的任何数字内容，并随时随地使用这些内容，无论是在办公环境、家中还是在路上。日立公司致力于开发持续创新、激动人心的存储解决方案，在日新月异的数字世界里满足消费者不断变化的各种需求。”
日立X便携式硬盘由随附的USB2.0连接线带动，专为不断发展的移动世界而设计，为用户提供一流的外部存储体验。同时以日立品牌享誉世界的优良品质、可靠性能以及全球顶尖的研发实力为后盾，为用户存储、保护数据解除一切后顾之忧。这款全新推出的日立X便携式硬盘在外形上与SimpleDRIVE相似，外形设计兼具时尚与现代感，但在价格上更具吸引力。
日立X便携式硬盘有红、黑两种颜色备选，现有如下型号/容量上市：日立X500便携式硬盘（500GB）、日立X320便携式硬盘（320GB）和日立X250便携式硬盘（250GB）。
2011年3月7日日立出售日立全球存储技术公司
日立制作所7日宣布，将把美国的全资子公司日立全球存储技术公司(HGST)出售给全球最大的硬盘驱动器生产商美国西部数据公司（WD）。出售金额包括现金和西部数据股份共计约43亿美元。这是日本企业向海外出售业务的案例中规模较大的一起。
HGST在全球硬盘市场占有率位居第三。日立原先准备让其在美国上市，但因西数方面开出的收购条件优厚，日立转变初衷决定出让HGST全部股份。
2012年8月4日 原“日立环球存储科技”正式被命名为HGST
随着日立环球存储科技的收购，日立也将名称进行更改，原“日立环球存储科技”正式被命名为HGST，归属为西部数据旗下独立营运部门。在HGST眼中，数据是新经济的货币。采用数据驱动决策，能够将生产力提高5%，企业利润率提高6%。也是在HGST的调查中，几乎百分之百的受访者认为更好的分析工具和存储解决方案能改善商业效益（99%）， 并愿意投资在新科技及解决方案以改善应用性能表现（98%）。基于此，HGST坚持在数据存储领域进行研发，希望能够帮助企业用户释放数据的力量，引领数据中心变革。 2010年，日立集团将迎来创业100周年。长期以来，日立集团在从信息通信系统、电力设备、产业机械、车辆交通设备、电梯、建筑机械到电子设备、数字媒体及家用电器、医疗设备、高性能材料、物流及金融服务的广泛领域为中国社会提供高品质的产品及服务。
早在1981年，日立就成立了日资制造业在中国大陆地区的首家合资公司，生产、销售电视机产品。自此，“HITACHI”品牌就以其卓越的技术和品质赢得了用户的信任与支持，深受中国广大消费者喜爱。
如今，中国社会变化日新月异，经济飞速发展。随着经济水平的不断提高，中国社会对节能、环保技术等与建设可持续发展型社会息息相关的领域给予了高度关注，今后日立也将积极地投身于该领域。
日立立足于蓬勃发展的中国大地，以做“在中国值得信赖的合作伙伴”为目标，坚持不懈地努力奋斗，加强研究开发力量、发展节能环保事业、推动人才培养战略，开展各种社会公益活动，为中国社会的发展做出积极贡献。
希望大家能够一如既往地支持和理解日立在华各领域事业及各项活动，日立也希望能够成为您事业上值得信赖的合作伙伴。
Ⅱ pcm是什么意思，代表什么
PCM是Phase Change Memory的简称，中文名称为相变存储器，它利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。
PCM是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
原理：
一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。晶态是一种低能态;因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。
在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。
在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。
以上内容参考：网络-PCM
Ⅲ 相变存储器的发展历史
二十世纪五十年代至六十年代，Dr. Stanford Ovshinsky开始研究无定形物质的性质。
无定形物质是一类没有表现出确定、有序的结晶结构的物质。
1968年，他发现某些玻璃在变相时存在可逆的电阻系数变化。
1969年，他又发现激光在光学存储介质中的反射率会发生响应的变化。
1970年，他与他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立的能量转换装置（ECD）公司，发布了他们与Intel的Gordon Moore合作的结果。
1970年9月28日在Electronics发布的这一篇文章描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。
近30年后，能量转换装置（ECD）公司与MicronTechnology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。
在2000年2月，Intel与Ovonyx发表了合作与许可协议，此份协议是现代PCM研究与发展的开端。
2000年12月，STMicroelectronics（ST）也与Ovonyx开始合作。
至2003年，以上三家公司将力量集中，避免重复进行基础的、竞争的研究与发展，避免重复进行延伸领域的研究，以加快此项技术的进展。
2005年，ST与Intel发表了它们建立新的闪存公司的意图，新公司名为Numonyx。
在1970年第一份产品问世以后的几年中，半导体制作工艺有了很大的进展，这促进了半导体相变存储器的发展。
同时期，相变材料也愈加完善以满足在可重复写入的CD与DVD中的大量使用。
Intel开发的相变存储器使用了硫属化物（Chalcogenides），这类材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。
Numonyx的相变存储器使用一种含锗、锑、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被称为GST。
现今大多数公司在研究和发展相变存储器时都都使用GST或近似的相关合成材料。
大部分DVD-RAM都是使用与Numonyx相变存储器使用的相同的材料。
2011年8月31日，中国首次完成第一批基于相变存储器的产品芯片。
2015年，《自然·光子学》杂志布了世界上第一个或可长期存储数据且完全基于光的相变存储器。
Ⅳ ge2sb2te5怎么读 在线等谢谢各位大神
我猜这是一种化合物，是相变存储器的关键部分，相变材料主要是硫系化合物合金材料，其中，G eSbTe 体系被认为是最成熟的材料体系， 而Ge2Sb2Te5（GST）是目前公认的最适合的相变材料。可以按照普通化合物念，5碲2锑化锗。
Ⅳ HGST硬盘中文名是什么
2012年8月4日 - 随着日立环球存储科技的收购，日立现在也将名称进行更改，原“日立环球存储科技”正式被命名为HGST，归属为西部数据旗下独立营运部门。
HGST品牌的前身是日立硬盘，即日立环球存储科技公司（Hitachi GST）。HITACHI日立集团是全球最大的综合跨国集团之一，台式电脑硬盘，笔记本硬盘都有生产。于2002年并购IBM硬盘生产事业部门。2011年3月7日日立宣布出售日立全球存储技术公司给全球着名的硬盘驱动器生产商美国西部数据公司。
(5)掺杂gst相变存储材料扩展阅读：
日立硬盘命名方式:
合并了IBM硬盘事业部后的新日立硬盘更像原来的IBM硬盘。IDE的硬盘依然是桌面之星和移动之星系列，而市面上常见的日立IDE硬盘包括7200rpm的腾龙五代（Hitachi Deskstar 180GXP）和腾龙四代（Hitachi Deskstar 120GXP）。
日立的系列名十分易懂，最前面的Deskstar 代表硬盘系列“桌面之星”，除了桌面之星外，日立还有面向高端存储市场的SCSI硬盘Ultrastar系列和面向移动存储市场的“移动之星”TravelStar系列产品。
紧接系列名之后的是该系列硬盘的最高容量，例如腾龙四代名称是120GXP，那就代表该系列中最高容量为120GB，同理，40GV即代表该系列中最高容量为40GB。最后的两个或三个字母代表硬盘的转速，GXP表示是7200rpm的，而GV表示是5400rpm的。
Ⅵ 相变存储器的工作原理
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。冷却的速度对于非晶层的形成至关重要。非晶层的电阻通常可超过1兆欧。
在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。由于这种状态通常出现在SET操作之后，我们一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。晶态是一种低能态；因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。
典型的GST PCM器件结构顶部电极、晶态GST、α/晶态GST、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。擦除/RESET脉冲比写/SET脉冲要高、窄和陡峭。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。
Ⅶ 相变存储OUM是什么
相变存储器(OUM)
奥弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文，创立了非晶体半导体学。一年以后，他首次描述了基于相变理论的存储器：材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。后来，人们将这一学说称为奥弗辛斯基电子效应。相变存储器是基于奥弗辛斯基效应的元件，因此被命名为奥弗辛斯基电效应统一存储器(OUM)，如图2所示。从理论上来说，OUM的优点在于产品体积较小、成本低、可直接写入(即在写入资料时不需要将原有资料抹除)和制造简单，只需在现有的CMOS工艺上增加2~4次掩膜工序就能制造出来。
OUM是世界头号半导体芯片厂商Intel公司推崇的下一代非易失性、大容量存储技术。Intel和该项技术的发明厂商Ovonyx
公司一起，正在进行技术完善和可制造性方面的研发工作。Intel公司在2001年7月就发布了0.18mm工艺的4Mb
OUM测试芯片，该技术通过在一种硫化物上生成高低两种不同的阻抗来存储数据。2003年VLSI会议上，Samsung公司也报道研制成功以Ge2Sb2Te5(GST)为存储介质，采用0.25mm工艺制备的小容量OUM，工作电压在1.1V，进行了1.8x109
读写循环，在1.58x109循环后没有出现疲劳现象。
不过OUM的读写速度和次数不如FeRAM和MRAM，同时如何稳定维持其驱动温度也是一个技术难题。2003年7月，Intel负责非易失性存储器等技术开发的S.K.Lai还指出OUM的另一个问题：OUM的存储单元虽小，但需要的外围电路面积较大，因此芯片面积反而是OUM的一个头疼问题。同时从目前来看，OUM的生产成本比Intel预想的要高得多，也成为阻碍其发展的瓶颈之一。