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3dxpoint存储器

发布时间: 2022-02-11 01:39:54

① 杀死NAND Flash,替代DRAM;3D Xpoint有这个能力吗

但实际上,这样的性能表现只能出现在PPT里。根据实际的测试,3D Xpoint只是比NAND快10倍,且在读入新数据的时候,需要先擦除老数据。
但是这个新兴的固态存储器将会在数据中心找到他的位置,因为他的价格只有DRAM的一半,只主要是因为它会和传统的存储技术搭配来提升性能。但是相比于NAND Flash,3D Xpoint的价格还是会贵很多。

② MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD,下一代存储器混战何时休

新型存储器的候选有很多,包括磁存储器(MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM)、相变存储器(PRAM)等。虽然存储器本身的技术开发也很重要,但对于大数据分析,使存储器物

③ Intel傲腾内存是内存还是固态硬盘

是内存。

傲腾内存外形像固态硬盘但实际上是内存。是英特尔基于3DXpoint存储介质而打造的缓存设备 ,可以为机械硬盘进行加速。

傲腾内存兼容了NVMe(非易失性存储器)存储协议,由3D XPoint内存介质、英特尔内存和存储控制器、英特尔互联 IP 和英特尔软件共同构成, 不仅可以为传统机械硬盘提供更高的性能和响应能力,而且还让低成本高容量、高速存储成为了可能。


(3)3dxpoint存储器扩展阅读

3D XPoint是傲腾内存的核心关键技术,也是傲腾内存能够提升PC性能的根本原因。3D XPoint是由英特尔和镁光科技共同推出的非易失性存储技术,英特尔将该技术称为Optane,而镁光则称其为QuantX。

傲腾内存是一种非易失性存储设备,即便突然断电,存储在内部的数据也不会损失,在存储速度、数据安全性两个方面,傲腾都有着极为出众的表现。

④ 如何评价英特尔 Intel 660P 系列固态硬盘

英特尔固态盘 660p 系列是英特尔首款采用先进 QLC(四层单元)NAND 技术的固态盘。它旨在提供诸如网上冲浪、办公和居家工作以及媒体娱乐等客户端平台使用所需的性能。

随着闪存颗粒技术的不断进步,市场顺利从SLC、MLC成功跳跃至TLC,几年来的事实证明,TLC的稳定性和性能表现令人满意,足以应付主流消费者需求,为接下来的QLC普及开了好头。

在2018全球闪存技术峰会上,intel(英特尔)推出旗下第一款QLC存消费级SSD——SSD 660P,是600P的升级版,定位介于600p及700p之间,能满足主流玩家市场需求。

全新SSD 660P有512GB、1TB、2TB三种容量,均提供5年质保。intel 660P采用M.2 2280规格,主控未知,基于高密度3D QLC NAND 颗粒,提供512GB/1TB/2TB三种容量。

走PCI-E 3.0 x4通道,支持NVMe 1.3协议,最高连续读取可达1800MB/s,写入1100MB/s,4K随机读写为150K IOPS。

此次所搭载的是64层3D QLC颗粒,相比TLC容量增加了33%,单颗粒最高可达到256GB或512GB。

关于QLC最关心的寿命问题,官方表示该64层3D QLC颗粒P/E循环约为1000次左右,比TLC略少一些,面向主流一般市场。

这类产品主要是依靠大容量和高性价比来抢占主流市场,可以预见接下来市场中高容量QLC SSD将进一步渗透。



⑤ 傲腾内存到底是内存还是硬盘

算是个硬盘吧,它就是跟电脑硬盘组成磁盘阵列,充当硬盘缓存的功能,现在一般硬盘缓存颗粒才64M,这个16G-32G,数据先传至傲腾内存上再慢慢倒至硬盘,因为傲腾传输速度快容量又大,所以在数据传输缓冲上是非常有优势的,其实这货基本就是给服务器使的,个人用户不如买个好点的固态硬盘,毕竟固态硬盘容量大价格便宜,而且平常的M.2接口的固态硬盘也可以通过划分一部分容量来实现这个功能

⑥ 3D XPoint 相比 3D NAND Flash 有什么不同

NAND就是改进的电容式FLASH,从以前的单层结构电容式FLASH演化而来;
3D XPoint其实就是相变材料做的新型存储器,存储原理和电容式FLASH有很大的不同
电容式闪存利用栅极储存的电荷控制开关管的电阻表示数据位的01状态,而储存的电荷时间长了会因为漏电而改变电路的状态的,而且做电极绝缘层的材料是二氧化硅(石英),通过击穿这层石英(即为写操作)来做到改写栅极。这层石英在反复改写的过程中被损坏的速度是很快的,而且改写导致的电荷也会逐渐堆积在附近而导致开关管最终失效。
xpoint则是利用电阻材料,通过大电流加热材料(即为写操作)导致材料发生变化而改变小电流(即为读操作)时候的电阻表示数据位的01状态,而这种材料即使不通电放置时间长了也是会逐渐起变化而改变电路的状态的。但相对于电容式FLASH来说变化速度简直慢太多了(长达几十甚至上百年,而电容式flash达不到15年、一般只有7年左右且随着集成度提高甚至越来越少),而且就算遗失也能通过写操作得到恢复。电容式FLASH因为漏电而遗失的数据也可以通过重写恢复但是电荷堆积导致的失效会让开关管变得无法再次写入而导致永久的损坏。
相变存储产品实际上已经有了就是刻录盘,而刻录盘和芯片比较则有易损坏的缺点,另外因为读写机构外置使得读写不那么稳定,所以容量和做成芯片相比也更是难以提高。
NAND的数据维持时间短、寿命也短(不管是理论上还是实际上);xpoint的寿命不管是数据维持时间还是寿命理论上比机械硬盘还长(实际上的话产品没出来就不说了,但是实验室的检测结论都是靠得住的)

⑦ intel傲腾一代二代区分

傲腾一代和二代的分辨,一看外观二代更精致,二看结构二代更科学严谨,三看性能二代性能更可靠更实用。

傲腾内存的确切称呼应该是傲腾智能缓存或傲腾技术,傲腾内存,是英特尔基于3DXpoint存储介质而打造的缓存设备,可以为机械硬盘进行加速。

它兼容了NVMe(非易失性存储器)存储协议,由3D XPoint内存介质、英特尔内存和存储控制器、英特尔互联IP和英特尔软件共同构成,不仅可以为传统机械硬盘提供更高的性能和响应能力,而且还让低成本高容量、高速存储成为了可能。

傲腾内存,是英特尔基于3DXpoint存储介质而打造的缓存设备。包括16GB和32GB两个版本。傲腾内存外形与M.2固态硬盘相仿,并占用主板上的一个M.2接口,其主要作用是为HDD与SSD加速(不支持为NVMe固态硬盘加速)。

⑧ 3D Xpoint 与3D NAND 有什么不同

3D NAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升,可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的,这样一片芯片上存储的cell会更多。
传统的2D NAND工艺到16nm就已经饱和了,而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右(现有的技术一般是32层或48层,个人预测未来终结产品会发展到128层)。同一片芯片上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。

而3D X point则和3D NAND完全不同,NAND是基于floating gate/charge-trap gate MOS技术,而x point则是基于phase change material。通俗的说,NAND是通过晶体管上充放电来存储数据,而x point是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言,x point会远远超过NAND,这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器,如果能很快的解决现在yield lost问题,会改变以后存储世界的格局。