‘壹’ 内存芯片识别
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
Samsung内存
具体含义解释：
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；
3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
Infineon（英飞凌）
Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133/CL=2；
-7——PC133/CL=3；
-8A——PC100/CL=2；
-8——PC100/CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
Mosel（台湾茂矽）
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。
V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
‘贰’ 在对存储器芯片进行片选时，全译码方式、部分译码方式和线选方式各有何特点
若cpu的寻址空间等于存储器芯片的寻址空间，可直接将高低位地址线相连即可，这种方式下，可用单条读写指令直接寻址，寻址地址与指令中的地址完全吻合。
若cpu的寻址空间大于存储器芯片的寻址空间，可直接将高低位地址线相连即可，cpu剩余部分高位地址线，这种方式下，可用单条读写指令直接寻址，未连接的地址线在指令中可以以0或1出现，即有多个地址对应每个存储器空间，可在指令中将这些位默认为零。
若cpu的寻址空间小于存储器芯片的寻址空间，可将其它io口连接剩余存储器高位地址线，寻址前，需设置好这些io口。
当存在多片存储器，且希望节省cpu的io口时，需要外加译码电路。比如说，存储器地址线为13根，共8片存储器，可用74ls138连接cpu的高3位地址线，74ls38的8位输出分别连接8片存储器，读写时，寻址地址与指令中的地址完全吻合。
上一种情况中，若希望简化外围电路，也可用其余端口的8个io分别连接8片存储的片选，其寻址方式与第三种情况类似。
‘叁’ 内存条 怎么看芯片识别大小 详细�0�3
内存条 怎么看芯片识别大小 我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如 DDR266 DDR333 之类的。但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法) 鉴于SDRAM 已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM 应用不广DDRII 内存还未量产。所以本文将只涉及市场主流的DDR 内存。 我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？ 内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为 RAM）。RAM 分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM （DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。 SRAM 是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。SRAM 的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM 内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM 的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本贵许多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM 的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的应用比SRAM 要广泛多了。DRAM 的结构较SRAM 要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS 管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积， DRAM 都比SRAM 具有优势。目前，随着PC 机的不断发展，我们对于系统内存的要求越来越大，随着WindowXP 的推出，软件对于内存的依赖更加明显：在 WindowsXP 中，专业版至少需要180MB 内存以上，而在实际使用中，128MB 才能保证系统正常运行。因此，随着PC 的发展，内存的容量将不断扩大，速度也会不断提升。 好了，下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度，决定于你选用CPU 的前端总线，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能满足3.2G 带宽得需要因为P4A 的前端总线是400MHZ，普通得DDR266 能够提供2。1GB 的带宽，此种内存适用于ATHLONXP 低频以及毒龙等中低端配置.已经不在主流市场之内。DDR333 能够提供2.7GB 的内存带宽适用于AMD166MHZ 外频的巴顿处理器。而DDR400 内存以及DDR433 DDR450 内存将能够提供3.2GB 以上的内存带宽，主要应用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。当然，上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的最低要求，由于p4 的前端总线的提高,内存和CPU 之间瓶颈问题已经十分严重,新的内窜技术必将产生.例如我们后面简要介绍到的双通道DDR 和未来的DDR 内存.当然,如果您拥有一颗像毒龙1.6G， ATHLONXP1800+(b0 1.5V 低压版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴顿 2500+这样的具有极品超品潜力的 CPU 那么我推荐您购买高一个性能档次的内存，例如Athlon2000+配合DDR333 的内存，这样基本所有的巴顿2000+都可以超到 2500+使用，市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。 在WINXP 系统的实际应用中，我们提出一个不规范的公式 内存容量〉内存速度〉内存类型 也就是说 就算是SD256M 内存也比128M 的 DDR400 系统速度快，在选购内存的时候，我们建议XP 系统应该配备384M 以上的内存，才能保证系统的快速运行。 下面我们在来说说内存的品牌差异 熟悉电脑的朋友们都知道，我们经常用到的内存品牌有：海盗船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盗船内存主要用于服务器，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，我们推荐Kingstone 的VALUERAM 盒装内存，以及宇詹盒装内存（建议购买英飞凌颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，大家完全可以放心使用，如果资金不是很宽裕，建议购买HY 的内存，经实践证明HY 的内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，HY 的内存假货泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买HY 的内存，那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上，我们不推荐您购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax 内存我们之所以不推荐，就是因为Kingmax 内存与某些主板的兼容性不是很好但其自身的品质和性能绝对也是一流的。我们希望您在购买的时候一定要试试，看有没有兼容性问题。 下面我们来说一下相同品牌内存的选购。让我来为大家解读一些品牌内存的颗粒编号含义： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12 这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY 生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我们再来看一下Kingstone 内存的标号方法. kvr *** X ** * c* / *** 1 2 3 4 5 6 7 8 1.KVR 代表kingston value RAM 2.外频速度3.一般为X 4.64 为没有ECC；72 代表有ECC5.有S 字符表示笔记本专用内存，没有S 字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR 内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC 校验的CAS=2.5 的256M 内存 我想通过以上的方法，更能方便大家对于内存的理解和选购。接下来我在强调一些有关内存的常见问题： 1. 内存的单面与双面，单Bank 与双Bank 的区别？ 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank 与双Bank 的区别就不同了。Bank 从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列芯片组支持4 个Bank，而SiS 的645 系列芯片组则能支持6 个Bank。如果主板只支持4 个Bank，而我们却用6 个Bank 的话，那多余的2 个Bank 就 白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2. 内存的2-2-3 通常是什么意思？ 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3 按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 为RAS 预充电时间，数值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道DDR 技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2 条D D R 内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR 技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4 处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A 处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B 处理器更是达到了4.3G B/s，而 P4C 处理器更是达到了 800MHZ 前端总线从而需要 6. 4 G 的内存带宽。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333 本身仅具有2.7G B/s 的带宽。DDR400 也只能提供3.2G /s 的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400 的内存，理论上提供2 倍DDR400 的带宽。将从而根本的解决了CPU 和内存之间的瓶颈问题。 4.DDR-Ⅱ和现在的DDR 内存有什么不同？ DDR-II 内存是相对于现在主流的DDR-I 内存而言的，它们的工作时钟预计将为 400MHz 或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333 产品直接过渡到DDR-II。 DDR-II 内存将采用0.13 微米工艺， 容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5 个时钟周期 (此段由于SOHU 禁词限制，发不了） 最后，我将为大家讲授内存的造假售假方法。（以下文字未经内存厂商证实，仅仅为笔者长时间的经验积累，不承担相应的法律责任，特此声明） 现在的假货内存主要集中在HY 普通条子和某些大厂内存（例如这段时间沸沸扬扬的Kingmax）上面。这里面，大厂的内存条比较容易识别，一般来讲，大厂盒装的正品内存在他的内存颗粒或者PCB 上都会有厂商的镭射防伪标签，内存标签清晰，字体规范，Kingmax 等品牌内存还带有800 免费的防伪咨询电话，现场打电话就可以辨别内存的真伪。因为大厂的内存价格相对透明，因此你在 购买内存的时候只要不贪图便宜，就应该可以买到正品大厂内存。而现在最难鉴别的就是HY 的内存，据笔者调查，现在市场上50%以上的HY 散装内存都是假货，但是，假货也分档次。比较有“良心”的假货就是我们通常所说的 REMARK（打磨）最常见的就是将HY 的内存颗粒表面用有机溶剂清洗，再标上更高内存性能的编号，例如将DDR266 的内存打磨成DDR333 的内存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大厂的内存出售，谋取利益。这样的内存在容量上没有问题，但是因为一般都是在超标准频率下使用，必然导致系统的不稳定。这种内存一般很好辨别，只要用手搓内存颗粒表面，用指甲刮，就能轻易的将表面的字迹去除，从而辨别真假。但是，一些手段比较高明的造假者，做出来的内存表面进行了特殊处理，让你不能够轻易的抹除字迹。对于这种内存，就要考考您的眼力了。一般说来，正品的内存字迹都是激光“刻”印在内存颗粒上的，会在内存颗粒上留下痕迹，打磨内存的奸商必然覆盖这些痕迹，看上去字体不是那么的规范，字的大小也不是很一致。字体的边角不够圆滑。辨别类似的内存，就需要一些久经杀场的老鸟了。下面我将告诉大家一种最为狠毒的制假方法，那就是本文开头提到的“油条”了。我先简要讲述一下此种内存的制作“工艺”。这种内存主要生长在我国南部省份，以深圳为甚。首先，不法奸商用极其低廉的价格（1000 元人民币一吨）收购国外运来的洋垃圾，或者是在中国市场上几乎可以不计成本的收购已经烧掉或者损坏的内存条，将这些内存放到一个大油锅里面煮，去掉焊锡，清除焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水（剧毒，有强烈刺激气味）进行清洗。然后，挑出相同的芯片重新焊在 PCB 上，再标上内存编号进行销售，这样的内存千条采购价格以256M 为例只有 120 元左右。可以说相当具有“性价比”，从而成为不法奸商们手中的“极品”以牟取暴利。这种内存可以说是性能和稳定性皆无。但是，我们不得不佩服中国人的制假方法，他们把这种内存做的和HY 内存一模一样，只是内存PCB 颜色看上去有些许的不均匀。但是，这种内存基本上还是很好辨别，大家在购买内存的时候，不要只看内存的表面字迹，应该注意一下内存颗粒右下角的内存编号一般都是数字例如56787 之类的，这种内存由于大批量处理，一般在一条内存上你会发现有2 种甚至更多种的内存颗粒只要抓住这点，基本上可以识别出这种假货内存，另外，我们还可以闻一下内存，都会有一些余味（香蕉水的味道） 最后，笔者奉劝您在购买内存的过程中，不要贪图几十元的小便宜，而为您的 系统带来不稳定甚至导致整机的故障。希望通过本文，能够对您在内存的选购方面有所帮助。希望大家都能够买到稳定性能一流的内存 不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM 颗粒的编号，一共是由14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY 是HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4 颗芯片；8＝8 颗芯片；16＝16 颗芯片；32＝32 颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85 度）；E=扩展温度（-25 - 85 度）） 由上面14 条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13 等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM 内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第 13 位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L 的产品（也就是说，它只支持DDR200） 注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的 LGS 的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS 应该首先排第一位。 LGS 的内存编码规则： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 电压。 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般为1 8、产品系列：从A 至F。 9、功耗：空白则是普通，L 是低功 10、封装模式：一般为T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（现代HYUNDAI） 现代是韩国着名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。 HY 的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY 代表现代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工艺：空白则是5V，V 是3V。 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、数据带宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般为0 8、产品线：从A－D 系列 9、功率：空白则为普通，L 为低功耗。 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做为韩国着名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量 虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM 参考。 SEC 编码规则： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此处编码一般均为4。 2、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均为S 4、这个数乘以S 前边的位数就是内存的容量。 5、一般均为0 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般为0 8、版本号 9、封装模式：一般为T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凯龙） 美凯龙是美国着名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凯龙MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般为LC：普通SDRAM 4、此数与M 后位数相乘即为容量。 5、一般为M 6、位宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 则代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封装模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 较好），10：10NS 10、如有L 则为低功耗，空白则为普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的着名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 则为EDO 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为5 6、产品系列：A－F 7、功耗：L 为低耗，空白则为普通 8、TT 为TSOP 封装模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西门子） 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM 厂商制造的，产品品质还算不错。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西门子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为0 6、产品系列 7、一般为T 8、L 为低耗，空白为普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM 商，市场上仅有少量零售产品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 标准的多为F，普通的内存为1 3、容量 4、位宽：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK 6、产品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（东芝） 东芝是日本着名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA 的内存产品在市场上见到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表东芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位宽：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、产品系列：A－B 6、FT 为TSOP 封装模式 7、空白为普通，L 为低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT 业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL 的PII／PIIICPU 的缓存供应商。普通 SDRAM 方面，因为较贵，所以市场上少见。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱产品 2、I／O 界面。一般为V 3、容量 4、一般为S，说明是SDRAM 5、位宽：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般为0 7、产品系列 8、TP 代表TSOP 封装 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白为普通，L 为低耗。
‘肆’ U盘芯片怎么才能看出是原装的和白片的和黑片,请高手指点一下,谢谢了!!!
计算机里保留的,直接拉上来了.
目前市面上到处都在流传SLC闪存、MLC闪存、黑片、白片，REMARK片搞的好多人云里雾里，不知所措，，我现在在这里向大家稍微作一点解释。
白片：按照行内的默认规则就是质量稍好的，容量偏差不大的，因为生产厂家检测容量不够而废弃的，
黑片：按照行内的默认规则就是质量很差的，闪存的容量偏差很大或者明显存在其它质量缺陷的
REMARK片：有的不良厂家为了达到某种目的，将买回来的黑片或者白片重新打字，或者将回收的旧芯片重新检测一下容量，把原来的芯片型号打磨掉，按照重新检测出来的实际容量重新打上假型号
SLC闪存：即单层式储存 (Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌（Infineon）与Saifun Semiconctors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；MBC）。MLC是英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功的，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，透过内存储存的电压控制精准读写，假设以4种电压控制、1个晶体管可存取2bits的数据，若是控制8种电压就可以存取3 bits的数据，使Flash 的容量大幅提升，类似Rambus的QRSL技术，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值（从00到11）。
三星与东芝这两家Flash(闪存)制造商长期统治着快速增长 的NAND Flash市场。其中三星属于最大的玩家，不断采用先进工艺尺寸，以维持竞争优势。本次主要对这两家公司的最新闪存进行比较，同时也兼顾与Hynix、美光和英特尔等公司的比照。
从历史来看，三星将研发重点集中在了单层单元(SLC)上。SLC架构中每个闪存单元只能存储1个比特的信息。而东芝在转向先进工艺技术方面同样积极，不过其竞争优势在于多层单元(NAND闪存方面的设计经验和能力。MLC闪存在每个存储单元存储2个比特的信息，使得东芝可在给定面积的硅片上存储更多的比特信息，并在存储器尺寸既定的情况下降低生产成本。因此，尽管东芝在工艺技术上可能落后于三星，但在裸片密度上仍是领跑者。
东芝的MLC闪存已经历经数代，其中包括新近发布的采用70nm工艺的8Gb闪存。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的比特密度为29Mb/mm2，远远高于三星73nm闪存的25.8Mb/mm2的比特密度。
在存储密度固定时，东芝甚至拥有比三星更小的裸片尺寸。例如，东芝90nm工艺生产的4Gb NAND闪存的 裸片尺寸为138mmsup>2，与之相比，三星73nm工艺生产的4Gb NAND闪存尺寸则为156mmsup>2。这使得东芝在成本方面更具竞争力。在用于文件存储方面，NAND闪存不可避免地面临价格战，我们也常常 听到，只有价格领导者才会赢得iPod设计中标。
虽然MLC在某些方面获得相当的认可，但如今对闪存芯片的狂热需求模糊了业界的视线。存储卡制造商需要价格低廉的芯片，但他们也需要稳定 的供货。正是基于这个原因，据报道，去年Kingston已就购买SLC芯片作为第二货源与三星进行了商谈。他们商讨该协议时，全然不顾MLC方案的成本 比SLC要低30%。
长期以来，三星都在鼓吹SLC而非MLC型NAND闪存， 不过2004年和2005年该公司提交给国际固态电路大会(ISSCC)上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧 没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。虽然我们已对该芯片的样品进行了分析，但要在市场中找到其样品仍旧非常困难。其裸片尺寸是156mm2，同东芝采用90nm工艺的MLC型4Gb NAND闪存相比，还是大了18mm2，因此要能与东芝相匹敌，三星在其下一代NAND MLC技术上还需要改进。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝 在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
此外，与SLC闪存相比，MLC闪存在可靠性方面存在不足。虽然对于消费者而言，可靠性不是他们关注的核心问题，但在其它消费市场却显然是一个弊端。
三星正准备推出采用65nm工艺的4Gb SLC NAND闪存，其尺寸比采用73nm工艺的器件稍为紧凑。由此引发的问题是：在工艺缩放方面是否已经无计可施了？
如果实际情况真的如此，那么情况显得对东芝更为有利，因为目前它已经生产出70nm工艺的MLC闪存。作为权宜之计，三星转向65nm工艺 的芯片或许能够立马同东芝的90nm MLC竞争。但是东芝的70nm工艺8Gb MLC技术已取得重大成就，实现了56.5Mb/mm2的比特密度，比三星65nm工艺31.3Mb/mm2的额定比特密度要高出80%。一些并非出自东芝公司的报告暗示，该公司将会跨过65nm工艺，直接转到50-60nm线宽的16Gb闪存。当然，在成功实现低于65nm线宽的工艺，仍有一些技术障碍有待克服。
图：东芝在90nm工艺中采用自校准单元架构
闪存器件的工艺缩放并非易事，过去业界曾多次出现过闪存走向终结的预言。然而国际半导体技术路线图(ITRS)显示，在32nm工艺节点出现之前，在所有赌注似乎仍然都压在闪存而非任何新型替换品上。
有必要使在每个单元中所存储的比特数翻番，使得浮动栅技术继续前进，而这很可能推动闪存首个替代物面市，诸如相变存储器(PCM)。但是目 前闪存供应商首先必须克服现有的缩放挑战，其中包括这样一些关键领域：单元校准(cell alignment)、隧道氧化层、多晶硅层间介电质(interpoly dielectirc)、相邻单元耦合和高压晶体管设计。
缩放挑战
随着芯片尺寸缩小，改进图层之间的校准颇受关注。更小的芯片需要更低的操作电压，反过来也推动了更薄隧道电介质的需求，以将电荷传输至浮动栅或传输出浮动栅，但问题是，电介层较薄的话，可靠性就较低。
在先进的工艺尺寸中，一个浮动栅的活动区域对存储单元晶体管的影响较小，但从控制到浮动栅的耦合比例需要保持恒定。所以，需要更薄的多晶硅层间介电质(IPD)。
在有两种介电质情况下，介电常数更高(higher-k)的材料能减少有效电荷厚度，同时具有更大的物理厚度，并能维护更高的可靠性。然而，采用新型材料会给自身带来挑战，存储单元封装得更加紧密，会增加风险，导致一个浮动栅上的电荷会影响相邻存储单元的操作。
最后，闪存的操作依赖于较高电压来写入或擦除存储单元。需要在给定硅片面积条件且无损存储单元效率的条件下，设计和应用能够转换电压的控制晶体管。
东芝的新型芯片集成了很多有趣的特性。当然，基本的存储单元结构已经缩降至90nm以下。东芝在90nm工艺上引入了完全自校准存储单元， 并且继续用于70nm工艺。隧道和多晶硅层间介电质同样降低了。为了减少干扰，对浮动栅的高度也作了优化。MLC技术在这方面需要更多关注，因为要从存储 单元中读出4个状态，所以感应(sensing)边界更小。
在存储列阵方面，东芝转而采用新型的沟槽蚀刻工艺处理来实现浅槽隔离(STI)。70nm工艺中更小的间距要求东芝使用两个沟槽深度。存 储阵列深度对隔离性能的要求较低，以便闪存单元能够排列得更加密集。控制晶体管——特别是那些用于控制写入/删除电压的晶体管，需要更好的电压隔离特性。 所以，他们要更深一些。
沟槽填充方式也发生了改变；现在使用一种新型沉积材料进行两步处理。在90nm工艺中，采用钨(tungsten)触点来代替多晶硅。也许最显着的一个创新是采用了一种新颖的电容器结构。
所有这些改进加在一起，相当于一个大小仅为0.020μm2的物理单元，换言之，保存1个比特信息仅需0.010μm2。相比较而言，三星的73nm技术保存1个比特信息则需要0.021μm2，而三星的65nm 4Gb器件保存1比特信息预计要0.017μm2。
体系架构上的改进
东芝的70nm NAND闪存还包括一些架构上的改变，包括焊盘布局和排列结构的调整，旨在减小裸片面积。东芝的焊盘设计是单面的，也就是说所有的焊盘都位于芯片的一边。 这与其它大多数NAND闪存大相径庭，后者上下两面都分布着焊盘。
焊盘全部移到裸片的一边就不再需要两面都设计焊盘条，芯片尺寸随之减小。为了获得单面布局的最大好处，对阵列结构作一些变动，从而能有效地访问芯片的上部或在芯片的边上远离焊盘的存储单元，并为其供电。为了更大程度地减小芯片尺寸，东芝还将改变了其冗余管理方案。
在单个存储地址存储2个比特的信息，要求感应电路能够分辨出四个电压等级的差别。自然地，要读取存储单元信息的感应放大器需要进行优化，从而为与单层感应相比所存在的较低的噪声裕量提供补偿。接下来的事情，就是为四个不同等级的电荷编程。
东芝选择了步步为营的方法，其中包括运行一系列“即编程即验证”的循环，直到获得期望的程序状态。 我们的分析检查了用来写入四个状态的时序和电压。
实际上，该方法是东芝的闪存合作伙伴Sandisk所开发出来的，并授权东芝采用其专利编程方法。东芝与Sandisk在MLC芯片的研发和生产上已经合作多年。毫不奇怪，两家公司都积极申请与MLC技术相关的方法、电路和结构方面的专利。
然而，我们却惊奇地发现，三星在MLC领域的专利申请也相当积极。2002年三星和Sandisk之间达成了一项交叉授权协议，双方在2009年之前不会提起任何专利争端。不过，如果三星被卷入MLC价格战，问题也许会再次提上日程。
也许仅是巧合，ITRS计划转向每单元4比特存储的时间也是2009年。既然有关MLC知识产权的争端还没有最后掀起，那么现在还很难说谁更强。
尽管有这些比较，三星始终还是NAND闪存市场的佼佼者，并且极具竞争力。虽然东芝依靠在MLC技术上的积累，东芝获得了些许优势，但三星已被证明是一个斗志顽强、勇往直前的对手。让我们拭目以待：在未来几年中，为了追赶MLC技术，三星会不懈努力。
三星和东芝还承受着后来者的压力，如Hynix公司，后者于2004年2月开始发售其首批NAND产品，就非常成功地从DRAM转向到闪 存。2005年Hynix利润增加了525%，并且与两个领军公司争夺市场份额。同时，英特尔与美光的合资又诞生了一个强有力的市场竞争者，而英飞凌也开 始显示出令人鼓舞的利润增长。
这些公司使得NAND市场的竞争更加激烈；但是至少在目前，三星和东芝仍然是市场和技术的领先者。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。这两者都是很重要的。再其次，就是产品的成熟程度，一般刚推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！
‘伍’ 储存芯片id识别正常能坏吗
芯片会坏,主要如下几种原因,经常与带磁的物品放在一起,导致消磁;表面划痕,以及使用频率过高,表面磨损。
存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。
存储芯片技术主要集中于企业级存储系统的应用，为访问性能、存储协议、管理平台、存储介质，以及多种应用提供高质量的支持。随着数据的快速增长，数据对业务重要性的日益提升，数据存储市场快速演变。从DAS、NAS、SAN到虚拟数据中心、云计算，无不给传统的存储设计能力提出极大挑战。
对于存储和数据容灾，虚拟化、数据保护、数据安全（加密）、数据压缩、重复数据删除、自动精简配置等功能日益成解决方案的标准功能。用更少的资源管理更多的数据正在成为市场的必然趋势。然而，以上提及的这些优化功能都需要消耗大量的CPU资源。如何快速实现多功能的产品化进程，保证优化后系统的高性能，是存储芯片发展的市场驱动力。
存储芯片能够快速实现把各项存储功能都整合到一个单一芯片上，保证优化后系统的高性能，此优势将会使存储芯片逐步被视为在线存储、近线存储和异地容灾的理想技术平台。
‘陆’ 主要的四种类型内部存储器芯片是什么
按照功能划分，可以分为四种类型，主要是内存芯片、微处理器、标准芯片和复杂的片上系统（SoCs）。按照集成电路的类型来划分，则可以分为三类，分别是数字芯片、模拟芯片和混合芯片。
从功能上看，半导体存储芯片将数据和程序存储在计算机和数据存储设备上。随机存取存储器（RAM）芯片提供临时的工作空间，而闪存芯片则可以永久保存信息，除非主动删除这些信息。只读存储器（ROM）和可编程只读存储器（PROM）芯片不能修改。而可擦可编程只读存储器（EPROM）和电可擦只读存储器（EEPROM）芯片可以是可以修改的。
微处理器包括一个或多个中央处理器（CPU）。计算机服务器、个人电脑（PC）、平板电脑和智能手机可能都有多个CPU。PC和服务器中的32位和64位微处理器基于x86、POWER和SPARC芯片架构。而移动设备通常使用ARM芯片架构。功能较弱的8位、16位和24位微处理器则主要用在玩具和汽车等产品中。
标准芯片，也称为商用集成电路，是用于执行重复处理程序的简单芯片。这些芯片会被批量生产，通常用于条形码扫描仪等用途简单的设备。商用IC市场的特点是利润率较低，主要由亚洲大型半导体制造商主导。
SoC是最受厂商欢迎的一种新型芯片。在SoC中，整个系统所需的所有电子元件都被构建到一个单芯片中。SoC的功能比微控制器芯片更广泛，后者通常将CPU与RAM、ROM和输入/输出（I/O）设备相结合。在智能手机中，SoC还可以集成图形、相机、音频和视频处理功能。通过添加一个管理芯片和一个无线电芯片还可以实现一个三芯片的解决方案。
芯片的另一种分类方式，是按照使用的集成电路进行划分，目前大多数计算机处理器都使用数字电路。这些电路通常结合晶体管和逻辑门。有时，会添加微控制器。数字电路通常使用基于二进制方案的数字离散信号。使用两种不同的电压，每个电压代表一个不同的逻辑值。
但是这并不代表模拟芯片已经完全被数字芯片取代。电源芯片使用的通常就是模拟芯片。宽带信号也仍然需要模拟芯片，它们仍然被用作传感器。在模拟芯片中，电压和电流在电路中指定的点上不断变化。模拟芯片通常包括晶体管和无源元件，如电感、电容和电阻。模拟芯片更容易产生噪声或电压的微小变化，这可能会产生一些误差。
混合电路半导体是一种典型的数字芯片，同时具有处理模拟电路和数字电路的技术。微控制器可能包括用于连接模拟芯片的模数转换器（ADC），例如温度传感器。而数字-模拟转换器（DAC）可以使微控制器产生模拟电压，从而通过模拟设备发出声音。