A. 储存卡存储数据原理
储存卡也可以叫做闪存主要分为NOR Flash和NAND Flash两种，两种闪存的原理有所不同，下面介绍的就是这两种闪存运作的基本原理。
NOR Flash
闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中，每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。
闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET, 除了晶体管有两个而非一个闸极。在顶部的是控制闸(Control Gate, CG)，如同其他MOS晶体管。但是它下方则是一个以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floating Gate, FG)。这个FG放在CG与MOSFET通道之间。由于这个FG在电气上是受绝缘层独立的, 所以进入的电子会被困在里面。在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。当FG抓到电荷时，它部分屏蔽掉来自CG的电场，并改变这个单元的阀电压(VT)。在读出期间。利用向CG的电压，MOSFET通道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定(而该单元的VT受到FG上的电荷控制)。这股电流流过MOSFET通道，并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。在每单元存储1比特以上的数据的MLC设备中，为了能够更精确的测定FG中的电荷位准，则是以感应电流的量(而非单纯的有或无)达成的。
逻辑上，单层NOR Flash单元在默认状态代表二进制码中的“1”值，因为在以特定的电压值控制闸极时，电流会流经通道。经由以下流程，NOR Flash 单元可以被设置为二进制码中的“0”值。
1. 对CG施加高电压(通常大于5V)。
2. 现在通道是开的，所以电子可以从源极流入汲极(想象它是NMOS晶体管)。
3. 源-汲电流够高了，足以导致某些高能电子越过绝缘层，并进入绝缘层上的FG，这种过程称为热电子注入。
由于汲极与CG间有一个大的、相反的极性电压，借由量子穿隧效应可 以将电子拉出FG，所以能够地用这个特性抹除NOR Flash单元(将其重设为“1”状态)。现代的NOR Flash芯片被分为若干抹除片段(常称为区扇(Blocks or sectors))，抹除操作只能以这些区块为基础进行;所有区块内的记忆单元都会被一起抹除。不过一般而言，写入NOR Flash单元的动作却可以单一字节的方式进行。
虽然抹写都需要高电压才能进行，不过实际上现今所有闪存芯片是借由芯片内的电荷帮浦产生足够的电压，所以只需要一个单一的电压供应即可。
B. 存储芯片的组成
存储体由哪些组成
存储体由许多的存储单元组成，每个存储单元里面又包含若干个存储元件，每个存储元件可以存储一位二进制数0/1。
存储单元：
存储单元表示存储二进制代码的容器，一个存储单元可以存储一连串的二进制代码，这串二进制代码被称为一个存储字，代码的位数为存储字长。
在存储体中，存储单元是有编号的，这些编号称为存储单元的地址号。而存储单元地址的分配有两种方式，分别是大端、大尾方式、小端、小尾方式。
存储单元是按地址寻访的，这些地址同样都是二进制的形式。
MAR
MAR叫做存储地址寄存器，保存的是存储单元的地址，其位数反映了存储单元的个数。
用个例子来说明下：
比如有32个存储单元，而存储单元的地址是用二进制来表示的，那么5位二进制数就可以32个存储单元。那么，MAR的位数就是5位。
在实际运用中，我们 知道了MAR的位数，存储单元的个数也可以知道了。
MDR
MDR表示存储数据寄存器，其位数反映存储字长。
MDR存放的是从存储元件读出，或者要写入某存储元件的数据（二进制数）。
如果MDR=16,，每个存储单元进行访问的时候，数据是16位，那么存储字长就是16位。
主存储器和CPU的工作原理
在现代计算中，要想完成一个完整的读取操作，CPU中的控制器要给主存发送一系列的控制信号（读写命令、地址译码或者发送驱动信号等等）。
说明：
1.主存由半导体元件和电容器件组成。
2.驱动器、译码器、读写电路均位于主存储芯片中。
3.MAR、MDR位于CPU的内部芯片中
4.存储芯片和CPU芯片通过系统总线（数据总线、系统总线）连接。
C. 闪存卡的存储原理是什么
闪存卡存储原理是什么？闪存(Flash Memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM（电可擦除可编程只读存储）。是SCM（半导体存储器）的一种。早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。RAM（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM（动态）和SRAM（静态）两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM（同步动态RAM），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存（cache）上。PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。 Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。 MSM（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。ODM（光盘存储）和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。
D. 闪存与传统硬盘分别是用什么原理储存数据的
你好
.
闪存（FlashMemory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种。闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
祝顺利,如有帮助,还望及时采纳.
E. 闪存的存储原理
要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。
F. 问个组成问题：存储元和存储单元和存储元件他们是什么关系
计算机中主存储器包括存储体M，各种逻辑部件及控制电路等，存储体由许多存储单元组成，每个存储单元又包含若干个存储元件，每个存储元件能寄存一位二进制代码“0”或“1”，存储元件又称为存储基元、存储元。
存储基元即存储元件，是存储单元的分支，能寄存一位二进制代码“1”或“0”，又称存储元件，存储元。
(6)闪存存储元由什么组成扩展阅读
在存储器中有大量的存储元，把它们按相同的位划分为组，组内所有的存储元同时进行读出或写入操作，这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可以存放一个字节；存储单元是CPU访问存储器的基本单位。
计算机中最小的信息单位是bit，即一个二进制位；一个字节Byte由8个二进制位bit组成一个存储单元可以存储一个字节一个存储器可被划分成若干个存储单元举例：1KB的存储器可容纳1024个字节，即它有1024个存储单元，编号从0-1023。
G. 存储器有哪些
问题一：计算机存储器包括哪些部分？？ 存储器：是计算机的重要组成部分.
它可分为：
计算机内部的存储器（简称内存）
计算机外部的存储器（简称外存）
内存储器从功能上可以分为：读写存储器 RAM、厂读存储器ROM两大类
计算机存储容量以字节为单位，它们是:字节B( 1Byte=8bit)、千字节(1KB=1024B)、兆字节(1MB=1024KB)、千兆字节（1GB=1024MB）、1TB＝1024GB
二、计算机的外存储器一般有：软盘和软驱、硬盘、CD－ROM、可擦写光驱即CD－RW光驱还有USB接口的移动硬盘、光驱、或可擦写电子硬盘（优盘）等。
问题二：计算机中有哪些存储器？ 40分 计算机存储器分为内存储器和外存储器
随机存取存储器（RAM）
主存储器（内存）
只读存储器（ROM）
存储器
硬盘
辅助存储器（外存） 软盘
光盘
其它
问题三：内存包括哪些存储器? 内存储器简称内存，一般指插在计算机主板上的内存条，但也包括主板、CPU、显卡、声卡等上带的内存，这些卡上的内存一般速度比较快，是上好的内存。
外存储器即能够带走的存储介质，如硬盘、软盘、ZIP盘、U盘、磁带等，相应的其驱动器也就称作外存储器，有的存储器和存储介质是做在一起的，如硬盘、U盘等。
问题四：存储器是什么 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器的构成构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。 一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示220，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1KB。存储器的分类按存储介质分半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。按存储方式分随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。按存储器的读写功能分只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。按信息的可保存性分非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。按在计算机系统中的作用分根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，目前通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。名称 简称 用 途 特点高速缓冲存储器 Cache 高速存取指令和数据 存取速度快，但存储容量小主存储器 主存 存放计算机运行期间的大量程序和数据 存取速度较快，存储容量不大外存储器 外存 存放系统程序和大型数据文件及数据库 存储容量大，位成本低存储器的层次结构按照与CPU的接近程度，存储器分为内存储器与外存储器，简称内存与外存。内存储器又常称为主存储器（简称主存），属于主机的组成部分；外存储器又常称为辅助存储器（简称辅存），属于外部设备。CPU不能像访问内存那样，直接访问外存，外存要与CPU或I/O设备进行数据传输，必须通过内存进行。在80386以上的高档微机中，还配置了高速缓冲存储器（chache），这时内存包括主存与高速缓存两部分。对于低档微机，主存即为内存。把存储器分为几个层次主要基于下述原因：1、合理解决速度与成本的矛盾，以得到较高的性能价格比。 半导体存储器速度快，但价格高，容量不宜做得很大，因此仅用作与CPU频繁交流信息的内存储器。磁盘存储器价格较便宜，可以把容量做得很大，但存取速度较慢，因此用作存取次数较少，且需存放大量程序、原始数据（许多程序和数据是暂时不参加运算的）和运行结果的外存储器。计算机在执行某项任务时，仅将与此有关的程序和原始数据从磁盘上调入容量较小的内存，通过CPU与内存进行高速的数据处理，然后将最终结果通过内存再写入磁盘。这样的配置价格适中，综合存取速度则较快。为解决高速的CPU与速度相对较慢的主存的矛盾，还可使用高速缓存。它采用速度很快、价格更高的半导体静态存储器，甚至与微处理器做在一起，存放当前使......>>
问题五：内存储器包括些什么 计算机的存储器包括内存储器和外存储器。
内存储器简称内存，一般指插在计算机主板上的内存条，但也包括主板、CPU、显卡、声卡等上带的内存，这些卡上的内存一般速度比较快，是上好的内存。
内存包括ram和rom，rom一般都很小，主要用来存储bi触s以及一些信息（比如内存条上除了ram还有一些rom用于存储ram的信息），只不过rom的大小一般都很小往往被忽略，所以有时候我们说到内存也特指是ram，即是运存
外存储器 如硬盘、软盘、ZIP盘、U盘、磁带等，相应的其驱动器也就称作外存储器，有的存储器和存储介质是做在一起的，如硬盘、U盘等。
问题六：内部存储器都存有哪些内容 内存包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）等。
ROM中常存放管理机器本身的监控程序和一些服务程序。
RAM一般用来存储电脑运行时所需要的程序和数据。程序运行之前要先调入内存。系统程序（监控程序、服务程序、操作系统等）也会使用RAM的一部分空间来存储程序或数据。
高速缓存为CPU提供高速访问缓冲。
问题七：常见的外存储器有哪些?它们各有什么特点? 磁盘，已淘汰。
光盘，容易存放，价格低，易刮花，容量一般，CD碟600M左右，DVD碟单层4.7G，双层8.5，BRD是新产品，容量更大，价格不菲。光盘有可刻录和只读之分，有一次性刻录和反复刻录之别。必需配置光驱、碟机、刻录机等其中一样设备才能使用。
硬盘，存储、读写比较容易，存储量也较大，价格高，现在市场上几百元元就能买到1T的产品，但是便携性比较差，再就是由于硬盘内部是物理结构器件，有磁盘，磁头，集成电路，电机等器件，也就决定了它的防震性能较差，受到摔打或撞击后容易形成硬伤。
U盘，又称闪存盘，拥有读写速度较快，携带方便，体积小等优点，容量一般，价格一般，现在普遍使用的是2G，4G，8G等产品，当然还有容量更高的16G，32G，64G等产品，但是价格也就不菲了。
闪存卡，又称内存卡，体积小巧，携带方便，存储快，与U盘相似，担体积更小，容量一般，目前常见的1G，2G，4G，价格一般。按材质分为TF卡、MMS卡（又称记忆棒）、SD卡、XD卡、MMC卡等。必须配置读卡器才能使用，现在手机、数码相机等电子设备都内置有读卡器。
问题八：PLC存储器常见的类型有哪些？ （2） EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)，这是一种可擦除的只读存储器，在断电情况下存储器内的所有内容保持不变(在紫外线连续照射下可擦除存储器内容)。（3） EEPROM(Electrical Erasable Programmable Read Only Memory)，这是一种电可擦除的只读存储器，使用编程器就能很容易地对其所存储的内容进行修改。2 PLC 存储空间的分配虽然各种PLC 的CPU 的最大寻址空间各不相同，但是根据PLC 的工作原理其存储空间一般包括以下三个区域：系统程序存储区；系统RAM 存储区(包括I/O 映象区和系统软设备等)；用户程序存储区。(1)系统程序存储区在系统程序存储区中存放着相当于计算机操作系统的系统程序，包括监控程序、管理程序、命令解释程序、功能子程序、系统诊断子程序、等由制造厂商将其固化在EPROM 中，用户不能直接存取，它和硬件一起决定了该PLC 的性能。(2)系统RAM 存储区 系统RAM 存储区包括I/O 映象区以及各类软设备如：逻辑线圈、数据寄存器、计时器、计数器、变址寄存器、累加器、等存储器。 I/O 映象区，由于PLC 投入运行后只是在输入采样阶段才依次读入各输入状态和数据在输出刷新阶段才将输出的状态和数据送至相应的外设，因此它需要一定数量的存储单元(RAM)以存放I/O 的状态和数据，这些单元称作I/O 映象区，一个开关量I/O 占用存储单元中的一个位(bit)，一个模拟量I/O 占用存储单元中的一个字(16 个bit)， 因此整个I/O 映象区可看作两个部分组成：开关量I/O 映象区，模拟量I/O 映象区。系统软设备存储区除了I/O 映象区区以外，系统RAM 存储区还包括PLC 内部各类软设备(逻辑线圈、计时器、计数器、数据寄存器和累加器等)的存储区，该存储区又分为具有失电保持的存储区域和无失电保持的存储区域，前者在PLC 断电时由内部的锂电池供电，数据不会遗失，后者当PLC 断电时数据被清零1) 逻辑线圈与开关输出一样，每个逻辑线圈占用系统RAM 存储区中的一个位，但不能直接驱动外设，只供用户在编程中使用，其作用类似于电器控制线路中的继电器，另外不同的PLC 还提供数量不等的特殊逻辑线圈，具有不同的功能。2) 数据寄存器
与模拟量I/O 一样，每个数据寄存器占用系统RAM 存储区中的一个字(16bits) ，另外PLC 还提供数量不的特殊数据寄存器，具有不同的功能。3) 计时器4) 计数器(3) 用户程序存储区 用户程序存储区存放用户编制的用户程序，不同类型的PLC 其存储容量各不相同。
H. 闪存（flash）指的到底是什么
闪存的基本概念
闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它也属于内存器件的一种。不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性(Non-Volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块，NAND的存储块大小为8到32KB），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB容量的NAND产品相当普遍，NAND闪存的成本较低，有利于大规模普及。NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8个，比NOR要少多了。这区区8个I/O端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修正，可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。三星、东芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND闪存制造商，其中三星电子凭借价格和技术双重优势获得了绝对领先的市场份额，甚至在去年第三季度超过Intel公司成为全球最大的闪存制造商。由于受到数码设备强劲发展的带动，NAND闪存一直呈现指数级的超高速增长，NAND可望在2006年超过NOR成为闪存技术的主导。
数码闪存卡：主流数码存储介质
数码相机、MP3播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。前面提到，手机领域以NOR型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板上，但数码相机、MP3播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性，这就必须制定出接口标准来实现连接，闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪存作为核心存储部件，此外它还具备接口控制电路和外在的封装，从逻辑层面来说可以和闪盘归为一类，只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则使用通行的USB接口。由于历史原因，闪存卡技术未能形成业界统一的工业标准，许多厂商都开发出自己的闪存卡方案。目前比较常见的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick记忆棒。
CF卡（CompactFlash）
CF卡是美国SanDisk 公司于1994引入的闪存卡，可以说是最早的大容量便携式存储设备。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm，相当于笔记本电脑的PCMCIA卡体积的四分之一。CF卡内部拥有独立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它与设备的连接方式同PCMCIA卡的连接方式类似，只是CF卡的针脚数多达五十针。这种连接方式稳定而可靠，并不会因为频繁插拔而影响其稳定性。
CF卡没有任何活动的部件，不存在物理坏道之类的问题，而且拥有优秀的抗震性能， CF卡比软盘、硬盘之类的设备要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自适应3.3伏和5伏两种电压，耗电量大约相当于桌面硬盘的百分之五。这样的特性是出类拔萃的，CF卡出现之后便成为数码相机的首选存储设备。经过多年的发展，CF卡技术已经非常成熟，容量从最初的4MB飙升到如今的3GB，价格也越来越平实，受到各数码相机制造商的普遍喜爱，CF卡目前在数码相机存储卡领域的市场占有率排在第二位。
MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德国西门子公司于1997年合作推出的新型存储卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚邮票差不多；其重量也多在2克以下，并且具有耐冲击、可反复读写30万次以上等特点。从本质上看，MMC与CF其实属于同一技术体系，两者结构都包括快闪存芯片和控制器芯片，功能也完全一样，只是MMC卡的尺寸超小，而连接器也必须做在狭小的卡里面，导致生产难度和制造成本都很高、价格较为昂贵。MMC主要应用与移动电话和MP3播放器等体积小的设备，而由于体积限制，MMC卡的容量提升较为困难，目前MMC产品以128M容量为主，256MB、512MB主要供应给数码发烧友及特殊用户使用。MMC4.0标准的极速1-2GB MMC存储卡问世，新标准的MMC多媒体存储卡读取速度最高达到了150倍速（22.5MB/S），而写入速度也达到了惊人的120倍速（18MB/S）。MMC4.0标准同样和原有的MMC存储卡及SD存储卡插槽兼容，可广泛使用在手机、数码相机、掌上电脑、其他移动数字设备等。MMC4.0标准由MMCA多媒体存储卡协会在MMC3.2标准的基础上推出的。
SD卡（Secure Digital）
SD卡的英文全称是Secure Digital Card，意为安全数码卡，它由日本松下公司、东芝公司和美国SanDisk公司共同研制。SD卡仍属于MMC标准体系，SD比MMC卡多了一个进行数字版权保护的暗号认证功能（SDMI规格），故而得名。
SD卡的尺寸为32mm×24mm×2.1mm，面积与MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多，SanDisk和松下公司都已推出容量高达1GB的SD卡。不过当前的主流还是64M、128M和256M容量，512MB以上的产品还相当昂贵。读写速度快是SD卡的另一个优点，它的最高读写速度已突破20MB/s、几乎达到闪存读写速度的极限。此外，SD卡还保持对MMC卡的兼容，支持SD卡的插口大多数都可以支持MMC卡。更重要的是，SD卡比MMC卡易于制造，在成本上有不少优势，SD卡得到了广泛应用，在MP3播放器、移动电话、数码相机、掌上电脑及便携式摄像机，目前SD卡接口支持者除了东芝、松下和SanDisk外，还包括卡西欧、惠普、摩托罗拉、NEC、先锋和Palm等公司。
SM卡（SmartMedia）与xD卡
SM卡被称为"智能型媒体卡"，尺寸为37mm×45mm×0.76mm， SM卡的功能较为单一，用户必须使用配有读写及控制功能的专用设备才能对其操作，SM卡规范的升级变化比较大。
I. 储存器可分为哪三类
储存器可分为随机存储器、只读存储器和外存储器三类。
一、随机存储器：随机存取存储器（random access memory）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
二、只读存储器：其英文简称是ROM，它所存储的数据通常都是装入主机之前就写好的，在工作的时候只能读取而不能像随机存储器那样随便写入，但是只读存储器有的所存储的数据十分稳定。而且只读存储器的结构十分简单，读出很简便，因此一般用于存储各种的程序与数据的地方。
三、外存储器：外存储器包括软盘存储器、硬盘存储器、移动存储器、闪存盘（优盘）、移动硬盘、固态硬盘（SSD）、光盘存储器等。外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。
(9)闪存存储元由什么组成扩展阅读
储存器主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。
一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。