① 中国攻克最先进128层闪存：它到底强在哪何时能跟三星掰手腕
芯片分为存储芯片和非存储芯片，其中存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。前者又称内存储芯片（内存），可以与CPU直接交换数据，速度快、容量小、价格高。后者为外存储芯片（外存），指除内存及缓存以外的储存芯片。此类储存芯片一般断电后仍然能保存数据，速度慢、容量大、价格低。
② 国产SSD取得重大突破，但是和老外还是有一定差距
相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。目前大多数NAND芯片仅能供应1.0 Gbps实际速率。Xtacking技术有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，与DRAM DDR4的I/O速度相当。
长江存储的Xstacking技术基于武汉新芯 科技 的CIS传感器芯片上开发的堆栈技术，它把外围电路置于存储单元之上，外围电路和存储单元是2片晶圆，这就意味着其芯片可用面积远大于其他传统3D NAND架构，从而实现更高的存储密度。
不仅是提高容量利用率，基于该技术节省出来的部分，除了控制电路，也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了无限可能。
根据资料显示，这些公司的96层堆栈3D闪存今年将占到产能的30%，不过随着厂商加快技术转型并提高良率，明年96层闪存的产能将超过64层闪存。也就是说，与国际上处于头部的存储芯片公司相比，我们仍旧存在一个完整的代差。
简单的说，长江存储刚刚宣布实现64层堆栈量产，而那些耳熟能详的“洋品牌”则已经即将完成64层到96层的过渡。不过这仅仅是国产闪存芯片实现追赶的开端，长江存储也曾公开宣布，未来将会直接跳过96层堆栈技术，直接在128层堆栈上展开竞争。
如今随着堆栈层数的不断增加，64层堆栈技术已经成为主流，512GB乃至1TB的SSD已经成为市场主销型号。因为这个容量的产品不仅每GB容量的价格更低，而且因为技术的原因，更高容量的产品可以获得更好的性能表现和更可靠的使用寿命。
而随着明年96层堆栈成为国际的主流，明年1TB容量的产品将会成为市场上绝对的主力。所以，如果您不懂技术上的差异，或许直接比较容量上的差异更为简单和直观。
尽管如此，我们不能否认国产存储芯片技术的进步。毕竟起步较晚，缺乏技术积累，并且屡屡遭受封锁和打压是不争的事实。中国存储芯片企业能够在如此之短的时间追赶上国际一线品牌的步伐，这仍旧是值得骄傲的巨大进步。
实现存储芯片的完全自主可控，这不仅对于中国 科技 产业发展具有极为重要的现实意义，更是国家 科技 发展战略的重要一环。长江存储实现64层堆栈闪存量产意义非凡，请给我们的 科技 企业多一些时间，相信未来必然会实现伟大的超越。
③ 长江存储展出64层3D NAND：可轻松实现单盘1TB容量
在2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团展出旗下芯片及云计算等领域的最新进展，首次公开旗下长江存储研发的64层堆栈3D闪存，采用了Xstacking堆栈结构，核心容量也提升到256Gb。
长江存储在2018年就小规模量产32层堆栈的3D闪存，但核心容量只有64Gb，年底真正量产的是64层堆栈的3D闪存，其核心容量将提升到256Gb，是32层闪存的4倍，虽然与512Gb到1Tb产品存在差距，但是256Gb核心的闪存在64层闪存已达主流水平，可轻松制造512GB到1TB容量的固态硬盘。
长江存储预计在年底量产64层堆栈的3D闪存，明年逐步提升产能，2020年底可望将产能提升导月6万片晶圆/月的规模。2020年会跳过96层堆栈直接杀向128层堆栈，进一步缩短与三星东芝等公司的差距。
根据长江存储的介绍，3D闪存采用Xstacking堆栈结构，2018年推出的Xstacking 1.0，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这种加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
长江存储是紫光集团收购武汉新芯 科技 之后成立的，公司于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。
④ 在长江存储工作是一种怎样的体验
从事高科技研究的工作，会觉得学无止境，有一种学海无涯的感觉吧。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。
长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。
2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。
2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。
2020年4月，长江存储宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为业界首款128层QLC闪存，拥有发布之时最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中研发工程技术人员4000余人。
通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
⑤ 长江存储什么时候上市
已经上市了。
根据查找相关资料可以知道：长江存储64层固态硬盘在2020年4月上市。长江存储曾对外表示，其自有品牌64层消费级解决方案产品将在2020年下半年陆续上市。
长江储存是一家专注于3DNAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业。长江存储致力于成为值得信赖，持续创新的存储方案提供商，为全球合作伙伴提供3DNAND闪存。
⑥ 华为手机用的谁的芯片
最新，华为7款智能手机用上联发科芯片！明年有望成其最大客户
据C114中国通信网7月8日最新消息，今年以来，华为已经在其7款智能手机中采用来自我国芯片制造商联发科的曦力4G芯片和5G天玑芯片。而据中国台湾媒体报道指出，预计华为在下半年乃至明年推出的5G新机也会采用联发科方案，届时来自华为的订单将为联发科带来百亿级别的营收，华为也有望成为联发科的最大客户。
此前，华为是台积电最大的芯片客户。然而，今年5月中旬，美国升级了相关的限制举措，进一步干预了相关芯片生产巨头与华为的合作。就连台积电也被传出，将停止接受华为新订单。由于台积电似乎有意跟从美国的步伐行动，华为也开始规划起未来的供应“B计划”，联发科无疑将成为其重要的一员。
日媒的报道指出，来自日本、韩国等的半导体制造商都将成为华为的重要替代供应来源。数据显示，华为每年花费约10万亿韩元（约合81亿美元）从韩国供应商购买内存和闪存芯片。此外，业界预计华为2019年从日本当地采购的零部件金额将达到1.1万亿日元，同比2018年增加50%。
而华为也有意在中资半导体企业中寻找替代供应商。除了上述的联发科以外，紫光展锐、中芯国际都被华为寄予厚望。今年年初，我国芯片设计巨头——华为海思已将旗下的14nm芯片大单从台积电手中转交给了中芯国际。5月下旬也有日媒曝出，华为找来紫光展锐商讨增加芯片供应的事宜。
与此同时，我国半导体领域也在迎来重大突破。据媒体6月初报道，长江存储年内将启动国家存储器基地二期工程，这一项目落成之后，该司的64层3D闪存芯片产能将提升三倍，从目前的10万片/月升至30万片/月。值得一提的是，海外更是十分看好我国半导体国产化的前景。美国集成电路研究公司预测，到2024年中国半导体自给率将超过20%
⑦ 长江存储：2020年推出大量新品，威刚将率先发布消费级SSD
IT之家1月16日消息 根据长江储存官方的消息，1月16日，长江存储召开市场合作伙伴新春沟通会。长江存储董事长，紫光集团董事长赵伟国在欢迎词中谈到：“2020年是存储器黄金十年新的开始。随着5G、AI、大数据、物联网、云计算等技术的发展，存储器市场需求将呈现指数级增长。”
以下是各大合作厂商的发言：
群联 （Phison）董事长潘健成谈到：群联长期专注于闪存主控的开发与存储方案的整合，透过群联自有技术与IP，整合长江存储创新的Xtacking®技术的3D NAND闪存，能快速的将存储产品整合及导入市场，协助扩大市场的应用与普及率。
威刚 （ADATA）董事长陈立白表示：威刚与长江存储顺利取得合作后，将先于市场推出消费性SSD产品。
联芸 科技 （MAXIO）副总经理李国阳表示：长江存储是全球唯一的掌握Xtacking®架构3D NAND闪存技术的厂商。在与长江存储的深度合作中，我们通过复杂应用场景深入了解长江存储3D NAND的特性。经过大规模持续压力测试，长江存储64层3D NAND闪存可靠性、稳定性、性能均可与国际同类产品相媲美。
慧荣 (SMI)资深副总Nelson Duann表示：从长江存储最初第一代NAND的开发，到近期最新一代慧荣也都参与其中，会持续以我们专业来支持中国闪存存储产业的发展。
国科微 (GOKE)副总裁康毅提到：通过将长江存储3D NAND闪存导入国科微固态硬盘，我们一起为用户提供更领先的存储解决方案。
⑧ 长江存储为什么叫YMTC
因为YMTC是长江存储的缩写。
1、大陆首家实现64层3DNAND闪存量产的内资IDM企业，国家和地方产业基金大力支持发展。
2、长江存储（缩写“YMTC”，简称“长存”）致力于提供3DNAND闪存设计、制造和存储器解决方案的一体化服务，产品广泛用于移动通信、消费数码、计算机、服务器等领域。
⑨ 国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车，长江存储实力究竟有多牛
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项专利申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时，接受国家财政援助，在武汉新新的基础上建立长江仓储。
要知道的是中国存储行业追赶速度更快，但中美关系持续恶化，层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片，用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。
⑩ 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
更多分享，请关注《东风高扬》。
理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。