㈠ 为什么不用铁电存储器
因为需要擦除块，瞬间断电的情况，能会造成数据丢失。出现这种情况，可以使用铁电存储芯片，这个芯片的擦写速度极快。
㈡ 铁电存储器的读写操作
FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的，实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体的中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，则中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰，把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。
无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个"预充"（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上"预充"时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个"预充"时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。
㈢ 电子芯片用什么材料做成，为什么能记东西
电子芯片用各种半导体材料做成，目前以硅材料为主。那些能够记忆数据的称为存储器，主要有两种类型，一种是已经使用多年的利用电容存储电荷的原理，EPROM、EEPROM、FLASH等存储器都是基于此。另一种是近年来出现的铁电存储器，利用带电的铁电畴的翻转来记忆两种逻辑状态。
㈣ 铁电存储器有什么型号，有什么容量的，有没有现成的驱动，什么封装
铁电芯片的型号多数以FM24xxxx,FM25xxxx,FM3xxxx为主，容量：串口最小的4K，最大的512K，并口最小的8K，最大的2M。只是单纯的存储，无驱动部分，串口多为SOP-8封装，并口多为贴片，管脚数不一。有任何问题可发邮件到我的Q邮箱 [email protected]。
㈤ 铁电存储器FRAM的FRAM技术
Ramtron的FRAM技术核心是铁电。这就使得FRAM产品既可以进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。
F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（如图1）。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。 内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。移去电场后中心原子保持不动，记忆体的状态也得以保存。FRAM 记忆体不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。
F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。
F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。 F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。
FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放于CMOS base layers之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
Ramtron 的FRAM 记忆体技术从开始到现在已经相当成熟。 最初FRAM 记忆体采用二晶体管/ 二电容器的( 2T/2C) 结构，导致元件体积相对较大。 最近发展的铁电材料和制造工艺不再需要在铁电存储器每一单元内配置标准电容器。 Ramtron 新的单晶体管/ 单电容器结构记忆体可以像DRAM一样进行操作，它使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效地把内存单元所需要面积减少一半。新的设计极大的改进了die leverage并且降低了FRAM存储器产品的生产成本。
Ramtron公司现采用0.35微米制造工艺，相对于现有的0.5微米的制造工艺而言，这极大地降低芯片功耗，提高了成本效率。
这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。
㈥ 铁电存储器,谁用过,有没有介绍的是什么
一、什么是铁电存储器？
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=19
相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。
二、铁电存储器技术原理
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新，掉电后数据能够继续保存，速度快而且不容易写坏。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
size=2>Ramtron的铁电存储器技术到现在已经相当的成熟。最初的铁电存储器采用两晶体管/两电容器（2T/2C)的结构，导致元件体积相对过大。最近随着铁电材料和制造工艺的发展，在铁电存储器的每一单元内都不再需要配置标准电容器。Ramtron新的单晶体管/单电容器结构可以像DRAM一样，使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效的把内存单元所需要的面积减少一半。新的设计极大的提高了铁电存储器的效率，降低了铁电存储器产品的生产成本。
Ramtron同样也通过转向更小的技术节点来提高铁电存储器各单元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工艺相对于前一代0.5微米的制造工艺，极大的降低了芯片的功耗，提高了单个芯片的利用率。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）
所有这些令人振奋发展使铁电存储器在人们日常生活的各个领域广为应用。从办公室复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设施，铁电存储器不断改进性能在世界范围内得到广泛的应用。
三、铁电存储器产品应用
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21）
仪表：电表、水表、汽表、流量表、邮资表。
汽车：安全气袋、车身控制系统、车载收音机、匀速控制、车载 DVD 、引擎、娱乐设备、仪器簇、 传动系、保险装置、遥感勘测/导航系统、自动收费系统
通讯：移动通讯发射站、 数据记录仪 、电话、收音机、电信、可携式GPS
消费性电子产品：家电、机顶盒、等离子液晶屏电视
计算机：办公设备、雷达系统、 网络附属存储 、电子式电脑切换器。
工业、科技、医疗：i工业自动控制、电梯、酒店门锁、掌上操作仪器、医疗仪器、发动机控制。
其他：自动提款机、照相机、游戏机、POS功能机（可以用来以电子 方式购买商品和服务）、 自动售货机。
-------------------------------------------------------------------------------- 铁电存储器在应用中所起的作用
数据收集存储
铁电存储器能够允许系统设计师更快、更频繁的写入数据，断电不易丢失。对于使用EEPROM的用户而言，这些是不能享受到的优良性能。
数据收集包括数据获取和存储数据，而这些数据必须在掉电的情况下仍能保留（不是暂时性的或中间结果暂存）。这些就是具有基本收集数据功能的系统或者子系统，并会随着时间而不断的发展出新的功能。在绝大多数的情况下，这个改变的过程纪录是很重要的。
配置信息存储
铁电存储器能够灵活实时的，并非在断电的瞬间，存储配置信息，从而帮助系统设计师克服由于突然掉电而造成的数据丢失。
配置信息的存储能够随着时间来追踪系统变化。其目标是在接通电源后恢复信息在以前的状态和位置，识别错误发生的起因。总的来说，数据收集通常是一个系统或者子系统的功能，然而配置信息存储则是一个低级别的工程功能，与系统的类别无关。
非易失性缓冲器
铁电存储器能够在数据发送或存储到其它非易失性媒介前，很快地存储正在运行中的数据。
在这种情况下，数据信息由一个子系统传输到另一个子系统。这个信息是十分重要的并且不允许在断电的情况下丢失。在有些情况下, 目标系统是一个更大的存储器。 而铁电存储器的快速、无限次的读写特点使得数据在被发送到另一个系统前就能及时保存。
SRAM的替代和扩展存储器
铁电存储器的快速写入和非易失性的特点可以通过系统设计师把SRAM和EEPROM的特点合而为一或者能单纯的扩展SRAM的功能而实现。
在很多情况下，一个系统会用到各种不同类型的存储器。铁电存储器同时具有ROM、 RAM以及 EEPROM的功能,并能节约系统内存和功耗。最常见的例子就是一个外部串行EEPROM的嵌入式的微控制器。铁电存储器能够取代EEPROM,同样也能提供SRAM的微功能。
㈦ 本人想考微电子的研究生，成电和东南选一个，这两个学校就业怎样啊，研究方向分别都是侧重哪里的 非常感谢
电子科技大学位于具有“天府之国”美誉的成都，是“211”和“985”名校之一，在2006年中国高校国际学术会议排名中名列第四，被誉为“我国电子类院校的排头兵”。其微电子与固体电子学院拥有一支以中科院院士陈星弼领衔的包括16名博士生导师、27名教授在内的雄厚师资力量，与国内外相关公司、高校和研究机构有着广泛的合作关系。
硬件环境：新建FAB工艺线
电子科大微固学院的硬件设施相当不错，有国家重点实验室电子薄膜与集成器件实验室、集成电路设计中心和纳米技术中心，还有最新建成的FAB工艺线——微细加工基地(6英寸，线宽为0.35um)。
师资科研：功率器件和功率电路研究突出
电子科大微电子专业最主要的特色在功率器件和功率电路方面，科研方向主要有功率器件与智能功率集成电路、微电子器件与集成电路、ULSI集成电路设计/ASIC设计与应用。功率器件与智能功率集成电路方向，由陈星弼院士和张波教授分别领导的小组研究，但侧重点有所不同：陈院士的科研小组主要研究功率器件、功率电路、电源管理和相关的一些模拟电路；张波教授科研小组的研究方向有电源管理(功率器件＋功率电路)和功率器件(传统硅基器件以及新材料比如SiC基的功率器件)。微电子器件与集成电路方向在年轻的于奇教授的带领下，主要集中开发模拟电路，也有锗硅器件、ADDC等研究方向。李平教授近年来的研究项目有电源管理、汽车电子、单片机芯片设计、铁电存储器、FPGA等，更集中于数电。
东南大学的微电子研究比较特殊，既有以射频闻名的射光所，又有在MEMS方向颇具实力的微电子所。射光所下属于在无线电系，而微电子所则下属于电子工程系。两个研究所各有所长，优势互补。
射光所：国内知名的高技术研究中心
射光所，即射频光电集成电路研究所，是由教育部和东南大学在1997年联合筹建的高技术研究所，属“211”工程项目。在国家教育部、科技部等有关方面的支持下，如今已发展成为国内外知名的射频与超高速光电集成电路人才培养和高技术研究中心。
东南射光所的前任所长，同时也是创建人的王志功教授，是从德国归国工作的微电子光电子专家，在国内射频和光电集成电路方面的造诣首屈一指，在学术界也享有盛名。
射光所的主要研究方向包括射频集成电路、微波毫米波集成电路、光电集成电路、光纤通信集成电路、ULSI、生物用集成电路等等。射频集成电路方向主要由李智群博士负责，研究内容包括移动通信及无线接入系统用射频集成电路，包括低噪声放大器、混频器、振荡器、功率放大器等。微波毫米波集成电路设计方向由王志功教授亲自负责，研究内容涉及HEMT移相器、GaAs HBT 压控振荡器和单片集成电路上的关键元件的研究等。光电集成电路方向，是射光所的一大特色，主要是关于光电转换一系列集成电路技术的研究。生物用集成电路技术，是将集成电路技术和生物学医学相结合的一个方向，射光所在这方面的研究也是很有优势的。
微电子所：MEMS教育部重点实验室
东南大学微电子所建有国家专用电路系统工程技术研究中心和微电子机械系统教育部重点实验室，其MEMS实验室属于教育部重点实验室。黄庆安教授的《硅微机械加工技术》，到目前为止还是国内最好的MEMS中文参考书。由于没有自己的生产加工线，黄老师把研究重点放到了不太耗资金但前景不错的MEMS CAD方向，具体包括VLSI器件物理与新型器件研究、超大规模集成电路与系统CAD设计与应用、智能传感与微电子机械系统研究和微电子系统与专用集成电路设计和固态电子学及其技术。
招生信息：
综合来看，射光所强在电路，而微电子所强在器件，一个学校两个所都具有相当实力，不能不说是东南大学的一大特色。2003年依托于两个研究单位的合力，东南大学IC学院成立，该学院已于2004年开始招收工学硕士、工程硕士和博士研究生。
两所都很很好 读研关键选个好导师 选个感兴趣的方向 祝你好运
㈧ 什么是铁电存储器
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。
FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。
FRAM技术
Ramtron的FRAM技术核心是铁电。这就使得FRAM产品既可以进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。 内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。移去电场后中心原子保持不动，记忆体的状态也得以保存。FRAM 记忆体不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。
FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放于CMOS base layers之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
Ramtron 的FRAM 记忆体技术从开始到现在已经相当成熟。 最初FRAM 记忆体采用二晶体管/ 二电容器的( 2T/2C) 结构，导致元件体积相对较大。 最近发展的铁电材料和制造工艺不再需要在铁电存储器每一单元内配置标准电容器。 Ramtron 新的单晶体管/ 单电容器结构记忆体可以像DRAM一样进行操作，它使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效地把内存单元所需要面积减少一半。新的设计极大的改进了die leverage并且降低了FRAM存储器产品的生产成本。
Ramtron公司现采用0.35微米制造工艺，相对于现有的0.5微米的制造工艺而言，这极大地降低芯片功耗，提高了成本效率。
这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。
铁电应用
数据采集与记录
存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。
典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。
参数设置与存储
FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。
典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。
非易失性缓冲
铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。
典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
SRAM的取代和扩展
铁电存贮器（FRAM） 快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗, 成本, 空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。
深圳华胄科技有限公司----RAMTRON铁电存储器代理商
网址：www.huazhoucn.com
㈨ 什么是铁电存储器
存储器分为易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等
铁电是属于非易失性的，可上百万次读写的存储，存储的原理类似于DRAM,由一个NMOS管，和一个CAP组成，可以参考一本COMS数字集成电路（第二版），那上面讲的很详细，
在芯片里面就是有行译码，列译码，读出写入缓冲器，位读出放大器组成。它的的读出写入时序很简单，只要按照加电压的顺序来就可以，要预充电之类的。
应用于简单存储，类似于EEPROM，应该了解这个吧
㈩ 芯片FM3164的功能是什么
FM3164是RAMTRON公司推出的新一代非易失性铁电存储器，采用I2C总线，是集串行存储器、实时时钟、看门狗、复位电路、低电压检测等多种功能于一体的强大芯片。如果将FM3164应用于火灾自动报警系统的报警主机中，则可以解决实现报警信息的快速存储功能和准确的系统时间，同时也解决了失效和处理器因干扰而死机问题。
在网上看的，看一下可不可以帮到你。