‘壹’ 人类到目前为止的历史存进电脑后内存总共多少
人类到目前为止的历史存进电脑后内存总共多少？
根据你所描述的问题的内容的具体的情况来看。人类到目前为止的历史存进电脑和内存总共多少？这个纯净电脑后的内存总共多少的看你存储的。内容的信息是多少是详细的内容还是说？大概的内容，如果大概的内容的话，那是非常非常的少的，根本就占不了什么内存，就算是个人的。一个很小的内存卡都可以储存下来的。如果你描述的非常非常的详细的话，把所有的事情发生的事情知道的事情通通的描述。心情内存储存的话，那么现有的内存都不够纯。因此呀，你说所说的历史存进电脑后应该是指。嗯，世界历史又是一个历史的概念的。情况加一部分的详细的历史情况。那么这样的情，历史的纯净，电脑也没有。呃，多少的内存基本上就是说把目前人类书籍。而历史书籍的内容存进电脑，那是绝对存的下的。嗯，也就是几个cp而已，或者说几个。即而已。其实你要存进电脑里面应该是有选择的呃进行存储的。所以你所表明的这个人类到目前为止的历史，曾经电脑和绿的是多少呢？必须。框定这个历史的范围才能够确定啊曾经电脑后到底需要多少内存？但是如果说把所有的内存知道的人，历史的详细情况存进去的话呃，理论上也是能够沉得下的，因为即便是目前是呃的内存存不下，那也没有关系呀。人类的目前可以继续的制造内存条可以继续的储存呐。你最大量的增加内存的储存量的，所以说呃任何的律师都能存的进去的。目前，所发生的。历史的情况都能存进去的。
‘贰’ U盘的发展史
来历：一种说法是： U盘使用USB接口，所以叫U盘。
其次呢：国内这种产品是中国深圳朗科公司开发的，申请了专利叫 优盘，后来其他的厂家为了避免版权的问题，使用谐音 U盘。
发展史：追溯闪存盘发展的历史，闪存盘应该是在2000年首次面市，当时全球共有5家企业拥有自有闪存盘品牌的销售，这5家主要是以色列的M－system、新加坡Track、朗科优盘、鲁文易盘和韩国FlashDriver。但这五家推出的产品是有区别的，M－system、track、优盘以及Flashdriver的第一代闪存盘在各种操作系统下都必须要安装驱动程序才可使用，这并没有实现闪存盘真正的“移动存储”的特点，而且当时这些厂家推出的闪存盘价格非常高，朗科优盘的16M产品就卖到了1000左右。鲁文推出的第一代闪存盘———易盘就具有“无驱”功能。无驱是指用户除了在Windows98／SE操作系统外，其他的win�dows2000、windowsxp等操作系统下都无需驱动程序，易盘可即插即用，让用户真正地实现移动存储。
随着无驱型易盘面市，其他品牌也紧接其后，朗科的第二代优盘也推出了无驱功能。随着消费者对闪存盘的认知度提高，消费者对闪存盘功能的需求也日益增多。鲁文公司在2002年初就推出了具有“无驱、启动、硬加密”功能三项功能于一体的“三合一”型易盘。此三合一易盘是指易盘除了具有无驱功能，还具有启动系统功能，可将易盘做为系统启动盘来启动系统，这项功能使得软盘没有存在的意义了；值得一提的是“硬加密”功能，此功能使得易盘具有私密性，用户必须键入正确的密码方可使用易盘，这样可以防止用户私密性的资料被其他人窃取。易盘已不仅仅具有存储功能，而具有了更多的个性化特色。
闪存万舸争流的时代已经到来，迅速扩张的闪存市场需求和一拥而上瓜分市场份额的厂商群雄割据，新产品和技术层出不穷。今年7月份，鲁文存储推出了集“无驱、启动、硬加密、写保护、随身邮、PC锁、压缩存储、保密碟、双重杀毒”9项功能于一体的“九合一”易盘。闪存盘在中国的历史不过区区两年，她所走过的历程是一个挖掘、引领用户需求的道路。最初的研究开发人员，是怀着为用户提供一个能存储更大容量工具的初衷，这才有了闪盘的出现；现在，闪盘的功能越来越丰富，价格也开始贴近个人用户，今后闪盘将向着个性化方向迈进。虽然现在，仍有很多人对闪盘比较陌生，不过有理由相信，只要是符合用户需求，闪盘的明天必将更好
‘叁’ 内存的颗粒封装: FBGA 同BGA 是什么区别 谢谢
兼容性没有影响，FBGA要比BGA的封装好！这是一个时代，已经淘汰了！内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP这些都成为历史了.
fbga 是塑料封装的bga bga=球栅阵列封装技术。该技术的出现便成为CPU、主板南、北桥芯片等高密度、高性能、多引脚封装的最佳选择。但BGA封装占用基板的面积比较大。虽然该技术的I/O引脚数增多，但引脚之间的距离远大于QFP，从而提高了组装成品率。而且该技术采用了可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能。另外该技术的组装可用共面焊接，从而能大大提高封装的可靠性；并且由该技术实现的封装CPU信号传输延迟小，适应频率可以提高很大。
BGA封装具有以下特点：
I/O引脚数虽然增多，但引脚之间的距离远大于QFP封装方式，提高了成品率
虽然BGA的功耗增加，但由于采用的是可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善电热性能
信号传输延迟小，适应频率大大提高
组装可用共面焊接，可靠性大大提高
‘肆’ 生物质颗粒历史进程是什么
颗粒是什么？
颗粒燃料在世界各地变得越来越重要，是可再生的、清洁燃烧及成本稳定的家庭供暖选择。它是可再生的生物质产品—通常是废弃木材。欧洲和美国数以百万计的人使用木屑颗粒供热，用于独立式炉具，壁炉、熔炉和锅炉。颗粒可用于工业应用和发电，作为热电联产项目中煤的替代或补充品。也可在学校和监狱等大场所使用木屑颗粒燃料供热。世界各地制造颗粒，其跨境交易十分活跃。总之，颗粒燃料是将数以百万计的废弃物转化为能量的一种方式。
薪材、木屑颗粒、木片、废纸以及许多其他的农副产品都能够被用于能源生产，都属于生物质燃料。生物质最引人注目的是它的可再生性。颗粒燃料显着的一致性和燃料效率产生一小部分微粒排放。颗粒燃烧器配备了所有固体燃料燃烧器最低的颗粒物排放。加以农业适当管理，生物质几乎是无限的，而且已证明与化石燃料相比，生物质的价格更具稳定性。
颗粒历史
·欧洲瑞典
使用生物质颗粒用于能源生产可以追溯到上世纪70年代，在能源危机后，寻求化石燃料的替代品。在这个时候，用于生产动物饲料颗粒的技术已被改进，以适用于更致密的木质材料。瑞典是这个行业的先行者之一，由于其突出的木材产业、增加能源独立的愿望和环境保育的承诺。
瑞典木屑颗粒的生产计划在1970年后期启动，决定在穆拉建一个颗粒厂。该工厂于1982年11月开始生产，不久后就出现问题了，因为成本远远高于预算。设备是将燃油锅炉改为颗粒燃料锅炉。但是效率很低，不仅仅是因为颗粒质量很差。第一年的原料主要是树皮。颗粒灰分含量通常是2.5-17％。穆拉工厂于1986年倒闭。
1984年在Vårgårda建了一间颗粒厂，于1989年倒闭。该厂的最后一个所有者是Volvo集团。在1987年，建于Kil的第一间干燥物料制粒厂，被设计为年产量为3000吨。这家工厂仍然在运作，是瑞典历史最悠久的商业化工厂。
在90年代初，瑞典政府想出了矿物燃料征税的提案。此时它也限制二氧化碳的排放量。在短期内，燃烧化石燃料变得无利可图，随之生物燃料进入填补能源缺口。这是一个转折点，标志着木屑颗粒的使用开始快速增长。
欧洲其他地方也出现了类似的清洁能源计划。其结果是，使欧洲成为生物质颗粒消费的领航者。颗粒可以通过卡车运送交付，直接存放在住宅的存储区域，类似于加油站进汽油的方式。除了住宅供热，越来越多的欧洲发电厂使用生物质颗粒发电，以及其它工业应用。
·北美洲
在上世纪80年代中期已经出现了木屑颗粒燃料行业，随着住宅木屑颗粒炉的推广。此设备是能够减少颗粒物排放，远低于美国环境保护局（EPA）对柴灶排放新要求，为消费者提供自动化和便利的木材供暖方式。颗粒炉的销量在90年代初迅速增加，在1994年达到顶峰。后来因天然气灶出现，增长逐渐趋于平缓。颗粒燃料销售量遵循住宅颗粒炉的需求曲线。在此期间，住宅用途占95％左右，其余为工业用途。
1984年，在美国太平洋西北地区经营了两家颗粒厂。大多数颗粒厂为小公司所有。然而，最近建成许多大型颗粒以应对欧洲不断上升的需求，欧洲已成为加拿大和美国主要的颗粒出口目的地。
使用的原料通常是木屑。刨花和木片比较少使用。这个行业是由许多独立的工厂组成，其唯一的业务是颗粒生产，这些工厂也是其它木材加工公司的一部分。这些独立的企业在公开市场上购买原材料，往往是更大的生产商。
木屑颗粒行业是由一间间厂缓慢发展起来的。许多工厂需要6-18个月的调整规范期。启动阶段时间长是由于多种因素，包括：原材料变化、设计不当和工程，使用破旧或尺寸不合适的设备和缺乏经验的管理人员和生产工人的一部分。尽管如此，随着行业的逐渐成熟，条件不断改善，企业在进入这个行业之前，一般会提前做研究调查，设备/工程公司提供更好的整体工厂设计和安装，改善装备，借助其他颗粒生产商提供信息和协助。
除了大型的颗粒生产厂，也有一些是个体户，特别是在农村地区大家自行用小型机械生产颗粒。这是一种自给自足的方式，满足周边地区用户需求，也是一种从现成的废料中获得经济效益的方法。
河北浩瀚农牧机械制造有限公司
‘伍’ 求助！！关于DRAM的发展史
作为PC不可缺少的重要核心部件——内存，它伴随着DIY硬件走过了多年历程。从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存，到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存，到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。不过我们有理由相信，内存的更新换代可谓万变不离其宗，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。那么，内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢？下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。
一、历史起源——内存条概念
如果你细心的观察，显存（或缓存）在目前的DIY硬件上都很容易看到，显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能，而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的，的确如此，如果没有内存，那么PC将无法运转，所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须将其焊接到主板上，但这也给后期维护带来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的IC不容易取下来，同时加上用户也不具备焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了内存的维修、升级都变得非常简单，这就是内存“条”的来源
小帖士：内存(Random Access Memory，RAM)的主要功能是暂存数据及指令。我们可以同时写数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此从某种角度而言，内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。
二、开山鼻祖——SIMM 内存
在80286主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了SIMM（Single In-lineMemory Moles，单边接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb，必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一般是四条一起使用。自1982年PC进入民用市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖）。
随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了（如图3），72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了.
小帖士：72线的SIMM内存引进了一个FP DRAM（又叫快页内存），在386时代很流行。因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失，其刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FP DRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。
三、徘徊不前——EDO DRAM内存
EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，带宽32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486及早期的Pentium电脑上。
在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用。
四、一代经典——SDRAM 内存
自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。
第一代SDRAM 内存为PC66 规范，但很快由于Intel 和AMD的频率之争将CPU外频提升到了100MHz，所以PC66内存很快就被PC100内存取代，接着133MHz 外频的PIII以及K7时代的来临，PC133规范也以相同的方式进一步提升SDRAM 的整体性能，带宽提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的带宽为64bit，正好对应CPU 的64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO 内存。
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题，所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
五、曲高和寡——Rambus DRAM内存
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存（称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类RISC(Reced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高而让Pentium 4平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但最终也是拜倒在DDR 内存面前。
六、再续经典——DDR内存
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于寻址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。
DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽）是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过度，而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
七、今日之星——DDR2内存
随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演义内存领域的今天。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。在AMD的Athlon 64使用DDR400内存控制器的情况下，未来对于高频率内存的需求量可能比较小，而且DDR2内存的发展空间也将取决于AMD是否改进内存控制器。
根据摩尔定理，只要DIY硬件在更新换代，内存规格也将不断更替，比如目前的DDR3有望取代现有的DDR2，而未来的FB-DIMM内存又将是另一个更好解决方案。从PC技术发展情况来看，实际上内存的发展，也代表了DIY硬件领域的发展历史，同时它也牵动并影响者整个DIY硬件技术的不管革新……
‘陆’ 世界第一大内存颗粒生产商是三星，金士顿还是闪迪
三星是目前世界第一大内存颗粒生产厂商，后面应该是镁光、海力士（以前叫现代）。金士顿、闪迪更本就不生产内存颗粒，金士顿就是组织内存厂商，闪迪也就生产闪存颗粒吧。
‘柒’ RAMBUS内存的RAMBUS 历史
Rambus公司创建于1990年三月，创始人是两位出身于名牌大学的值得尊敬的先生：毕业于伊利诺斯大学的 Mike Farmwald 博士和毕业于斯坦福大学的 Mark Horowitz 博士。说实话，公司一开始不过是间不起眼的普通微电子公司。就像业界里的无数普通小公司一样，99%的这种小公司不是濒临 倒闭就是被大公司兼并。同样，Rambus公司从创建伊始就经历了一条布满坎坷的发展道路，尽管起初没有人会想到它会掀起惊涛骇浪。
公司创建一个月后，也就是1990年4月，公司提出了一项关于发明Rambus工艺的专利的申请。申请并不让人满意，但是在1990年当时美国专利制度的特性就是如此：在最初的版本之后所有后来的继续努力和关于Rambus的专利申请都被认为是失败的。让我们记住这个事实因为它是公司发展史上曾经发生过的事件中意义相当重大的一件
像许多内存厂家一样，当时的Rambus公司并不是JEDEC的成员。该组织的48个 成员中的一个（准确的说是第42个成员公司）正致力于设计新的DRAM类型的规格，不过进展非常缓慢。 Rambus公司的代表首次出席JC-42 会议是在1990年年末，而正式加入JEDEC组织是一直到了1992年7月。那时，Rambus公司已经赢得了一些名望：当年3月的时候，它的新型Rambus DRAM已经得到日本富士通公司、东芝公司和NEC公司的认可。
Rambus公司引起人们的注意并是来自于它们自己技术标准，而是当年公司在四次JEDEC会议上投票反对批准通过SDRAM标准 （当时的整个局势对于Rambus非常有利：任天堂公司宣布它们将在新的游戏主机上采用RDRAM技术）。事情变的更加有趣了，因为JEDEC条例要求其成员公开 其专利技术－－这样这项技术才有可能得到JEDEC的批准成为所有成员都遵循的标准。1995年9月Rambus公司在没有做出任何解释的情况下拒绝表决有关SyncLink和RamLink技术的决议。其实原因很简单：Rambus公司当时已经取得了这两项技术的专利权。
因为JEDEC的条令同Rambus公司的商业计划是有所抵触的，条例要求 成员在组织内部公开其技术规范，但是Rambus并不想这样做。在有关SDRAM方面的专利，Rambus也保持了沉默：它还没有得到它们。现在我们从公司的商业计划 的一段话找到了这个沉默的原因，是1992年6月12日写的：
“（我们相信）Sync DRAM侵犯了我们申请的专利；我们可以对Sync DRAM涉及我们的专利权的部分提出申请。然后我们可以从Sync DRAM制造厂商那里得到专利金[酬金和版税]。我们的行动计划是在92年第三季度前确定 申请，然后到92年第四季度警告Sync DRAM制造厂商。”
所以，在1992－1995年间，公司出席JC-42会议，尽管它并不会正常的被允许那样做，在聚会上使用每一个机会来宣扬其这个思想和观念。Rambus公司希望取得一个属于公司专利的大规模标准，不过在实现之前它不会告诉任何人。
在恰当的时机到来之前不要告诉任何人。这一段将是我们整个故事中最激动人心的部分。1996年6月，Rambus提交给JEDEC一封信，表明公司退出该组织。信的大意是“我们退出并不再缴费，因为我们的商业发展计划不适合JEDEC组织有关尊重专利权的政策。顺便说一句，我们已经得到了专利：专利号XXX”。一句话也没涉及SDRAM。确实当时PC66/100规格的小样已经完成了，有的芯片厂家已经开始投产了。
到这时，Rambus立足已稳，对于RDRAM发展成为一个稳定的盈利途径充满了信心。我们没有机会掌握详细资料，但是无论如何，1996年11月，在经过了几年的谈判之后，Intel公司同Rambus公司签署了一些协议来共同致力于将Direct Rambus DRAM发展成为一项广泛承认的标准规范。这种内存类型由两家公司共同协作开发。 协议特别规定，Intel公司要在随后两年后推出支持 DRDRAM 内存的芯片组，也就是在1998年底前推出这样的芯片组产品。
营利 当然是促成Intel公司同Rambus达成这笔交易的最大原因，此外还有一个方面值得一提：Intel公司始终认为Direct DRAM是现有的内存类型中最理想的内存技术，始终认为它可以凭借这个技术轻而易举的赢得市场。
话说从头，退回到革命年代。在处理器市场上，Intel用Socket-370接口接替了Slot-1接口。在显卡领域，Intel公司用AGP取代 了PCI，尽管后者前者同样都是开放。显然，向着新型内存过渡是势在必行的了。
Slot 1接口的Pentium III和Socket370 Pentium III
当时业界面临着在Double Data Rate DRAM和SyncLink DRAM之间进行选择的局面，这两种内存规格实际上在1996年 就已经基本就绪了。在1997年，大的内存生产厂家开始着手设计DDR DRAM内存颗粒，SLDRAM 协会也随之成立，Micron公司积极的 推广这种内存规范。内存生产厂家认为在现有基础和架构发展上，比Intel公司只是追求性能的做法更好。后来的情形也的确是DDR占了上风并主宰了市场， 目前SLDRAM相关的技术已经被用于开发DDR-II上。当然，过多的谈论这些不免有些事后诸葛的味道。
简单的来说，1996年11月Intel公司选择了DR RDAM并宣称这种内存类型将要取代PC100 SDRAM。如果我们回忆一下当时的全部情形－当时市场上只有PC100类型内存，Intel公司关于DR DRAM的预言给人留下深刻的印象－我们应该赞同这种内存类型能够全面的取得领先地位。每个人都还记得Intel公司在PC100的发展过程中起到的主导地位。这是Rambus当年在股票市场上大获成功的原因，在最初的几日里取得98%的涨幅。是的，事实上没有人会怀疑它的价值。 在微处理器论坛上Intel和Rambus公司宣布将会于1999年联手将这项技术投放市场。这只限于具有1.6GB/s带宽的800MHz DR DRAM。它们允诺到时RIMM模组的容量会在32MB到1GB之间，而物理特性和发热量同SDRAM相当。它们还骄傲的宣称，绝大多数内存厂商向它们申请并得到了这种技术的许可。
大获全胜，真正意义上的胜利！LG Semicon, Samsung, Mitsubishi－几乎全部的厂家都选择了DR DRAM。当然，它们已经习惯了这样。产品多样化是业界的常事，某个公司不同时期生产不同类型的内存也是司空见惯。当然，没人愿意错过一项有前景的新 技术，也许今后能主宰市场。同样，没有人打算把全部身家都投入到DR DRAM上去：对DR DRAM大唱赞歌的公司同时也在发展DDR DRAM或者SLDRAM工艺，甚至两者都有。 Intel的老对手开始发放K7处理器许可证，对于OEM厂商来说到了抉择的时刻。此时，AMD并不想把K7的前途维系于某种类型的内存上。此时，Rambus公司的一个副总裁宣称DR DRAM将成为业界内存规范，因为此时一些业界巨头如IBM和康柏的名词已经出现在了许可名单的列表中。
一个月以后，在Comdex 98 Fall会上，Intel展示了运用了DR DRAM内存的家用电脑。然而，演示游戏却是Forsaken－－这款游戏对于内存带宽并没有多高的要求。Rambus公司也承认其在延迟时间方面存在问题，不过其声称问题已经解决了，而且强调即使其DR DRAM时钟周期之间的等待时间是10ns，这比其它的规格的内存都要快。
受合同限制，Intel公司虽然也对那些新工艺怀有浓厚兴趣，只能尽力支持Rambus，并在财政上激励内存制造厂商。Micron公司收到5亿美元，三星1亿美元，与NEC和东芝的谈判也取得进展。Rambus公司许诺在1999年上半年开始DR DRAM的大规模生产，所以1999下半年问世的i820主板会直接带动i820基础的计算机的大规模生产高潮。
那是天堂里最后的日子。随即RDRAM暴露出来的问题使得i820芯片组一再的延期，大部分重要的制造厂商根本不能确认是否要生产新型内存。我想你可能不记得S-RIMM了，那是Intel的一项建议来应付预期的DR DRAM芯片缺乏。那是一个电源转接RIMM模块来获得3.3V电压，这样才能允许在印刷电路板上使用PC100 SDRAM内存芯片。 这个期间，VIA挑头的企业联盟把赌注都压在PC133 SDRAM上，它们一直不懈的在做着针锋相对的竞争。
内存模组生产商一再宣称：“到年底市场需求将肯定到来，我们不知道需要会 有多么高，但希望做好准备”。因此，它们不断的在模组测试上投资，试图战胜竞争者。连接器和频率发生器制造厂商都做好准备等待六月的开始，显示芯片和显卡制造商计划在i820六月份投放市场之后大量生产新型的AGP 4x产品。Rambus公司的上市股票达到了最高价：109-15/16美元。 一月
即使在黄金时期也存在问题。特别是在年初 DR DRAM 的设计远非完美。 其实，DR DRAM技术中接口的内涵要比芯片设计更加重要。制造厂商要投产这种内存需要彻底的另起炉灶，无法在现有设备上改造。DR DRAM技术遭到了工作站和服务器 厂商抵制，因此没有厂商生产这个领域的rambus芯片组。这种情况使得Intel公司不得不开发能支持DDR DRAM内存的服务器芯片组。价格昂贵 却还有一些解决不了的问题，估计没有人愿意使用这种内存，虽然Intel也推出了支持Rambus的i840，但是这款芯片组最高只能支持2GB容量的内存－－服务器厂商绝不是小孩子那样的容易糊弄。
二月
与Intel和Rambus最初的乐观估计相反，好运不再站在它们这边，真正的问题在稍后的时间里暴露无疑。到二月份完全转运了， 传言说仅支持600MHz DR DRAM的Camino Lite芯片组会在六月问世。三星表示已经预先计划好了，日立则表示：“我们对600MHz DR DRAM一无所知”。 后来，我们在11月份才看到了600MHz DR DRAM，并且计划大量用于PC。
随即春季IDF召开，就在一年以前，IDF'97正式宣布DR DRAM，各个厂商在过去的一年内为此做了大量的工作，但是成果呢？因为技术问题和内存厂商低的生产能力，i820的上市推迟了三个月，直到9月份。 当时每生产四个频率发生器只有一个符合其规格，同时八个内存厂商里只有五个宣布支持这种新型内存，而且几乎没有一家厂商的内存模组通过了认证。 用户也发现唯一支持DR DRAM内存的芯片组并不是那么好，为此Intel推出了支持133MHz的i815芯片组，无疑，这是权宜之计。
更惨的是i820+DR DRAM的组合受到了猛烈的批评，发热量大、不稳定、与SDRAM相比昂贵的成本和专利使用费用。在这个月，威盛正式宣布成立一个研发团队来开发PC133，其实这个研究小组在一月中旬就已经投入工作了。
三月
又一个打击紧随而至。月底，公众了解到Intel基于DR DRAM设计的 芯片产品存在bug：MTH对由MTH总线信号的同步开关引起的主板/系统噪音过于敏感。该问题表现为在操作时发生间歇性的系统重启或死机。由于这一噪音敏感问题在极端的条件下有可能导致数据破坏。
四月
Intel开始很快的丢失市场份额。Intel试图通过提高内存带宽来召回大家的关注，于是通过了一个过渡性的700MHz DR DRAM规范。这是一个可行的步骤，既然行业内的每个人都对600MHz DR DRAM没兴趣，而800MHz又可能对制造厂家来说要求过于高了。当然，在进行了几年的研发，在最终的产品发布之前的半年内又进行了如此多的改变，我们不可能称之为稳定的设计。但是Intel和Rambus公司仍然宣称不管有多大的困难，i820/DR DRAM将要在九月份问世。 但是DR DRAM依然被诸多问题所困扰。三星依然坚定的站在Intel/Rambus这一边，它一再告诉每个人PC133 SDRAM不过是孩子的玩具，而128bit DR DRAM芯片市场1999年预计将达到5千万片。但是与此同时三星公司却仍然在供应PC133。
在这个期间，Intel的部分官员也对于Rabus的坚决立场有了松动。Paul Otellini，Intel架构事业群副主管曾经这么说过：“我不认为Rambus是必须的，没有它我们依然可以使用133MHz总线”。那么如果能使用，Intel为什么不使用呢？几个月之后，Intel终于迈出了这一步。
四月底－五月初
威盛公司推出它的Apollo Pro133芯片组，没有理会Intel挥舞的GTL+许可证并声称它不能适用133MHz系统总线。为了发出最后的通牒，Intel公司的一个推广事务部以所有可能和莫须有的罪名来控告威盛公司。起诉当天又撤消了，因为这仅仅是一个警告。 同期，矽统公司发布SiS630芯片组,其支持AGP 4x、UltraDMA/66、133MHz系统总线和PC133 SDRAM内存。
Apollo Pro133芯片组北桥
五月
Intel推出了错误百出的i810芯片组。威盛则继续生产Apollo Pro133。内存制造商 则继续改进工艺，比如缩小DR DRAM芯片尺寸，并开始生产PC133 SDRAM芯片。到9月份，i820面世的时候，大部分制造厂商已经开始采用0.20微米 制程。当然AGP 4x显卡虽然已经出现，但是支持这种模式的平台并不多。RIMM模组连接器的厂商开始增大它们的生产量，它们都拥有每月生产80万件能力的设备，并且在九月份完全可以满足实现150万需求的需要，这些厂商都满怀希望，现在的苦心经营到时候会有满意的回报。
看起来很熟悉，不是么？是的，这和我们在12月到1月份看到的情况是一致的。同样的匆忙，同样的最后的准备，同样的希望成为第一批提供为i820配套的产品。只不过当时这些公司投资是因为相信Intel公司许诺六月份将大量生产i820，而现在，变成9月份。
在这个月，Intel已经推出了A1版本的i820芯片组。主板制造商一直认为它是一款并不成熟的芯片组，而且设计和测试芯片组需要的设备花费不菲，大部分制造商并不具备这样的设备条件。台湾厂商的情况远不能让人乐观。由于Rambus的情形十分的不明朗，所以内存制造商仍然继续生产DDR DRAM和开发128, 256, 512MB甚至 1GB内存颗粒。而且已经推出了128MB样品。当时的情形是内存厂商已经准备好开始大量生产DDR DRAM，只需要等待支持它的芯片组的推出，i820/DRDRAM的情况却正相反。
六月
AMD宣布将 对于DRDRAM的支持推迟一年，同时将主要精力转向PC100和PC133。另一方面，有消息说IBM公司不打算在它们当年的计算机里使用DR DRAM，这重挫了Rambus公司和Intel公司的股价。第二天，IBM公司发言人谴责新闻记者撒谎，并确认IBM将使用DR DRAM，至少是在其高端个人电脑中使用。
两天后，在Computex'99上，威盛展出它的Apollo Pro133——首款采用133MHz系统总线的PC主板芯片组。同时展出的还有许多基于Apollo Pro133芯片的主板：ASUS、Gigabyte、MSI的产品。SiS, ALi和Reliance公司也同样预计将很快 推出它们的PC133芯片组。多数分析人士认为PC133是向DDR DRAM过渡的桥梁而非Direct Rambus DRAM。
Intel公司也开始频频暗示它们对于PC133 SDRAM的兴趣，如果 真的需要它并不不会排斥它。如果这种标准将被广为接受，为什么不应用呢？Intel花费了5个月的时间才得出这样的结论。关于这个问题的最后决议将在九月份的IDF上做出。 从此，Intel决定用自己来取代威盛。
Intel的所有客户接到一封信称威盛支持133MHz系统总线的芯片组超越了威盛头一年11月份 从Intel所得到的许可范围。Intel公司表示可以忽略威盛已经送到客户手中的芯片组样品的事实，但是这种情况绝对不能再次出现。看上去警告并没有起到作用，大约10天之内Intel公司收回了威盛的许可证并控告威盛罪名包括违反合同、侵犯专利权、负面的广告和不公平竞争。同时把专利许可授予了ALi公司。威盛准备维护自己权益。我们已经知道它们的维权方式：公司的头并没有在硅谷浪费时间，而且同国家半导体进行了卓有成效的谈判。
Intel仍然在致力于完善i820。B0版本比前一个版本有了些许改进，B1版本 也没有避免遭受批评的命运。尽管i820芯片组仍处于开发阶段，戴尔公司发布了支持DR DRAM内存新的工作站系列：Precision 220、420、 620,预计九月上市 －－这算是给了Intel一剂强心针。
七月
Intel终于可以给客户带来一些好消息 ，它展示几款由台湾主板大厂开发的基于i820芯片组的主板，其中包括了一款可以运行的ASUS主板。当Intel公司继续完善芯片组的时候，威盛正式发布Apollo Pro133芯片组并开始批量出货。
八月
相当的平静，然后九月终于到来了。
九月
在九月的第一天开幕的Intel开发论坛上，Intel再次展出一个采用800MHz DR DRAM的系统，并宣布将在2000年初大量生产支持PC133的芯片组。Dell公司所做的有关DR DRAM vs. PC100 SDRAM的测试数据表明两种内存类型在应用软件性能上没有太大的差异。i820上市两周前，测试数据出现在各种各样的网站。后来随着驱动程序的改进，测试结果也明显的改善。 ASUS、AOpen、ABIT、Chaintech 公司都公开它们基于i820的主板规格。
如同晴天霹雳：在i820上市一周前，Micron公司宣布将在它们生产的个人电脑中首选Apollo Pro133A而不是i820芯片组 。它们称 高性价比更加具有吸引力。如Micron公司所言，在典型商业应用软件上两者性能差距只有约2-3%。Micron公司是唯一的 按照常规进行判断并做出决定的大型个人电脑制造商，而其余的厂家都迷信于Intel。
它们（听从Intel的家伙）付出了昂贵的代价。几天后Intel再次推迟i820上市，原因是一个未考虑到的设计错误：第三RIMM插槽存在故障，即使这个插槽不被使用（内存 位错误）。据估计，这导致主板制造商损失100万i820主板产品。假设每一个主板的价值是100美元，那么总损失将达到1亿美元！当时内存制造商已经不对DR DRAM太感兴趣了，因为SDRAM的价格 不断增长（我们在谈论1999年秋天！），而现在它们完全丢掉了对DR DRAM哪怕最小的兴趣。它们开始把生产线转向制造64MB SDRAM。是啊，它们必须弥补每一片为DR DRAM而献身失去价值的硅片造成的损失。 DR DRAM并没有为Rambus带来一分钱的利润，同时业内却选择了PC133 SDRAM并生产 了数以百万计的这种芯片么。面对这种情况，Rambus决定收取许可费用。于是，在2000年开始的时候，Rambus发布了一个出人意料的公告：PC100/133 和DDR SDRAM都是基于它——Rambus的专利，所以所有的内存制造商必须支付 授权费用。费用的总和，按照一些官方说法，高的惊人。
看起来Rambus 的人更像是生意人而非工程师，因为它们的在法律上和经济领域的举动是完美的。它们轻易的利用了与之对抗的公司的弱点。东芝是首家做出让步的公司，2000年6月16正式从Rambus处得到SDRAM的生产许可。因为东芝为新的Sony PlayStation 2配套生产RDRAM，经受不起许可证的取消。 这是Rambus全面失败的一年，堪称它的滑铁卢。三月，法官Robert Pain裁决Rambus和Infineon之间的诉讼， 原告没有能够提出证据证明它所起诉的Infineon侵犯了其SDRAM专利权。从此以后一切都明朗化了：Anglo-Saxon法主要是依靠判例，所以首个判决结果稍后将左右正在进行的那些诉讼的审判。
事实的确如此。Rambus还起诉了Hyndai(现在是Hynix)和Infineon， 这两家公司反诉了Rambus。审判过程也许要持续上几年，但是从司法角度来看：Rambus输了。 Rambus输了，但是它也赢了。站在不同的角度来看，众说纷纭。
从经济的角度来看，Rambus很明显是赢了，尽管不想事先预想的收入那么丰厚。Intel公司不惜一切代价要生产规范的Pentium 4主板（支持DDR内存），只能选择赔偿Rambus。2001年9月，它们签署了一个合同，内容是Intel必须连续五年内每季度支付给Rambus公司500-800万美元！
从市场的角度来看，i820芯片组是彻底的失败！i850/i850E的情况还不那么明朗，因为它们是目前唯一能满足采用533MHz FSB的Pentium 4处理器高带宽需求的，同时由于采用了0.13微米制造工艺DR DRAM价格也开始下降 －－不过，Intel公司已经推出开始支持PC2700 DDR的芯片组，它们提供使用双通道PC800 DR DRAM内存相似的内存带宽。 这个故事是很具有教育意义的，能有助于我们了解计算机市场的一些法则。所谓的法则就是由于经济上的效力，开放的架构是首要的。Intel和Rambus两家妄图用它们的方式来引领市场事实证明是失败的。Intel公司并不是科技市场的绝对权威领导者。可能它是业界最有实力的公司，但是市场不会盲从于它，市场永远追随性价比。想把一个不起眼的产品强加给市场任谁也无能为力。
‘捌’ 内存颗粒必尔达 海力士哪个好谢谢 hp品牌机的话也一样吗
那么，作为业内人士，试答之。
尔必达是日本企业，海力士是韩国企业；在大陆市场上流通的尔必达/海力士颗粒均是台湾或者大陆代工。
你问那种颗粒要好，相当于在问哪个企业的设计和制程优秀。这个问题太复杂，建议作为消费者不用纠结。因为内存产品确实相当成熟，而且绝大多数厂商都包个3、5年甚至终生。尔必达和海力士均是历史很久的大厂，都有自己的研发能力。所以，作为消费者来说，并不需要去区分那么复杂和细微的差别。
hp等品牌电脑所使用的内存，一般来说，是级别较高的（相对于卖给一般消费者的），级别较高是指他们的测试更严格，标准更高，也就是说性能更可靠。但并不指标称容量和频率的区别，所谓的较高是同质产品下的比较。但因为内存的质保作的很到位，所以这一点点的区别也不在话下。因为对于内存厂家来说，之所以使用更高级别的送往品牌厂商，只是为了规避自身的麻烦。
‘玖’ 内存条的发展史！
内存发展史
在了解内存的发展之前，我们应该先解释一下几个常用词汇，这将有助于我们加强对内存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（随机存贮器）的缩写。它又分成两种StaticRAM（静态随机存贮器）和DynamicRAM（动态随机存贮器）。
SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。随着Intel将L2高速缓存整合入CPU（从Medocino开始）后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM市场勉强得以继续成长。
DRAM，顾名思义即动态RAM。DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS管和一个电容构成。具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是由DRAM构成的。所以下面主要介绍DRAM内存。在详细说明DRAM存储器前首先要说一下同步的概念，根据内存的访问方式可分为两种：同步内存和异步内存。区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步。内存控制电路（在主板的芯片组中，一般在北桥芯片组中）发出行地址选择信号（RAS）和列地址选择信号（CAS）来指定哪一块存储体将被访问。在SDRAM之前的EDO内存就采用这种方式。读取数据所用的时间用纳秒表示。当系统的速度逐渐增加，特别是当66MHz频率成为总线标准时，EDO内存的速度就显得很慢了，CPU总要等待内存的数据，严重影响了性能，内存成了一个很大的瓶颈。因此出现了同步系统时钟频率的SDRAM。DRAM的分类FPDRAM：又叫快页内存，在386时代很流行。因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FPDRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为72线的SIMM类型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，其接口方式多为72线的SIMM类型，但也有168线的DIMM类型。EDODRAM这种内存流行在486以及早期的奔腾电脑上。当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写），顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（burst）模式，它和原理是，SDRAM在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而适应高速系统的需要的呢？我们知道，原先我们使用的动态存储器技术都是建立在异步控制基础上的。系统在使用这些异步动态存储器时需插入一些等待状态来适应异步动态存储器的本身需要，这时，指令的执行时间往往是由内存的速度、而非系统本身能够达到的最高速率来决定。例如，当将连续数据存入CACHE时，一个速度为60ns的快页内存需要40ns的页循环时间；当系统速度运行在100MHz时(一个时钟周期10ns)，每执行一次数据存取，即需要等待4个时钟周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，则可避免这一时。SDRAM结构的另一大特点是其支持DRAM的两列地址同时打开。两个打开的存储体间的内存存取可以交叉进行，一般的如预置或激活列可以隐藏在存储体存取过程中，即允许在一个存储体读或写的同时，令一存储体进行预置。按此进行，100MHz的无缝数据速率可在整个器件读或写中实现。因为SDRAM的速度约束着系统的时钟速度，它的速度是由MHz或ns来计算的。SDRAM的速度至少不能慢于系统的时钟速度，SDRAM的访问通常发生在四个连续的突发周期，第一个突发周期需要4个系统时钟周期，第二到第四个突发周期只需要1个系统时钟周期。用数字表示如下：4-1-1-1。顺便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突发EDO内存。实际上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因为Intel的芯片组支持SDRAM，由于INTEL的市场领导地位帮助SDRAM成为市场的标准。
DRAMR的两种接口类型DRAM主要有两种接口类型，既早期的SIMM和现在的标准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的简写，即单边接触内存模组，这是486及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在更早的PC机中（486以前），多采用30针的SIMM接口，而在Pentium中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。DRAM内存通常为72线，EDO-RAM内存既有72线的，也有168线的，而SDRAM内存通常为168线的。新的内存标准在新的世纪到来之时，也带来了计算机硬件的重大改变。计算机的制造工艺发展到已经可以把微处理器（CPU）的时钟频率提高的一千兆的边缘。相应的内存也必须跟得上处理器的速度才行。现在有两个新的标准，DDRSDRAM内存和Rambus内存。它们之间的竞争将会成为PC内存市场竞争的核心。DDRSDRAM代表着一条内存逐渐演化的道路。Rambus则代表着计算机设计上的重大变革。从更远一点的角度看。DDRSDRAM是一个开放的标准。然而Rambus则是一种专利。它们之间的胜利者将会对计算机制造业产生重大而深远的影响。
RDRAM在工作频率上有大幅度的提升，但这一结构的改变，涉及到包括芯片组、DRAM制造、封装、测试甚至PCB及模组等的全面改变，可谓牵一发而动全身。未来高速DRAM结构的发展究竟如何？
Intel重新整装再发的820芯片组，是否真能如愿以偿地让RDRAM登上主流宝座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不论在DRAM制造、封装、模组、连接器方面，都延续旧有规范，它们的生产设备相同，因此生产成本也几乎与PC100SDRAM相同。严格来说，两者的差别仅在于相同制程技术下，所多的一道“筛选”程序，将速度可达133MHz的颗粒挑选出来而已。若配合可支持133MHz外频的芯片组，并提高CPU的前端总线频率（FrontSideBus）到133MHz，便能将DRAM带宽提高到1GB/sec以上，从而提高整体系统性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或称之为SDRAMⅡ，由于DDR在时钟的上升及下降的边缘都可以传输资料，从而使得实际带宽增加两倍，大幅提升了其性能／成本比。就实际功能比较来看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽），不仅在InQuest最新测试报告中显示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的测试中，其性能亦优于其他的高频宽解决方案，充份显示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM设计与以往DRAM很大的不同之处在于，它的微控制器与一般内存控制器不同，使得芯片组必须重新设计以符合要求，此外，数据通道接口也与一般内存不同，Rambus以2条各8bit宽（含ECC则为9bit）的数据通道（channel）传输数据，虽然比SDRAM的64bit窄，但其时钟频率却可高达400MHz，且在时钟的上升和下降沿都能传输数据，因而能达到1.6GB／sec的尖峰带宽。
各种DRAM规格之综合比较数据带宽：从数据带宽来看，传统PC100在时钟频率为100MHz的情况下，尖峰数据传输率可达到800MB／sec。若以先进0.25微米线程制造的DRAM，大都可以“筛选”出时钟频率达到133MHz的PC133颗粒，可将尖峰数据传输率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片组能配合，就可提高整体系统性能。此外，就DDR而言，由于其在时钟上升和下降沿都能传输数据，所以在相同133MHz的时钟频率下，其尖峰数据传输将可大幅提高两倍，达到2.1GB／sec的水准，其性能甚至比现阶段Rambus所能达到的1.6GB／sec更高。
传输模式：传统SDRAM采用并列数据传输方式，Rambus则采取了比较特别的串行传输方式。在串行的传输方式之下，资料信号都是一进一出，可以把数据带宽降为16bit，而且可大幅提高工作时钟频率（400MHz），但这也形成了模组在数据传输设计上的限制。也就是说，在串接的模式下，如果有其中一个模组损坏、或是形成断路，便会使整个系统无法正常开机。因此，对采用Rambus内存模组的主机板而言，便必须将三组内存扩充插槽完全插满，如果Rambus模组不足的话，只有安装不含RDRAM颗粒的中继模组（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），纯粹用来提供信号的串接工作，让数据的传输畅通。模组及PCB的设计：由于Rambus的工作频率高达400MHz，所以不管是电路设计、线路布局、颗粒封装及记忆模组的设计等，都和以往SDRAM大为不同。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组称之为RIMM（RambusInMemoryMole），目前的设计可采取4、6、8、12与16颗等不同数目的RDRAM颗粒来组成，虽然引脚数提高到了184只，但整个模组的长度却与原有DIMM相当。另外，在设计上，Rambus的每一个传输信道所能承载的芯片颗粒数目有限（最多32颗），从而造成RDRAM内存模组容量将有所限制。也就是说，如果已经安装了一只含16颗RDARM颗粒的RIMM模组时，若想要再扩充内存，最多只能再安装具有16颗RDARM的模组。另外，由于RDARM在高频下工作将产生高温，所以RIMM模组在设计时必须加上一层散热片，也增加了RIMM模组的成本。
颗粒的封装：DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。
随着DDR、RDRAM的陆续推出，将内存频率提高到一个更高的水平上，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的RDRAM来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。尽管RDRAM在时钟频率上有了突破性的进展，有效地提高了整个系统性能，但毕竟在实际使用上，其规格与现阶段主流的SDRAM有很大的差异，不仅不兼容于现有系统芯片组而成了Intel一家独揽的局面。甚至在DRAM模组的设计上，不仅使用了最新一代的BGA封装方式，甚至在电路板的设计上，都采取用了8层板的严格标准，更不用说在测试设备上的庞大投资。使得大多数的DRAM及模组厂商不敢贸然跟进。
再说，由于Rambus是个专利标准，想生产RDRAM的厂商必须先取得Rambus公司的认证，并支付高额的专利费用。不仅加重了各DRAM厂商的成本负担，而且它们担心在制定未来新一代的内存标准时会失去原来掌握的规格控制能力。
由于RIMM模组的颗粒最多只能为32颗，限制了Rambus应用，只能用在入门级服务器和高级PC上。或许就PC133而言，在性能上无法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技术后，其数据带宽可达到2.1GB／sec，不仅领先Rambus所能达到的1.6GB／sec标准，而且由于其开放的标准及在兼容性上远比Rambus高的原故，估计将会对Rambus造成非常大的杀伤力。更何况台湾在威盛与AMD等联盟的强力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼风唤雨，也成了未知数。至少，在低价PC及网络PC方面，Rambus的市场将会很小。
结论：尽管Intel采取了种种不同的策略布局及对策，要想挽回Rambus的气势，但毕竟像Rambus这种具有突破性规格的产品，在先天上便存在有着诸多较难克服的问题。或许Intel可以借由更改主机板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM与RDRAM共同存在的过渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式来解决技术面上的问题。但一旦涉及规模量产成本的控制问题时，便不是Intel所能一家独揽的，更何况在网络趋势下的计算机应用将愈来愈趋于低价化，市场需求面是否对Rambus有兴趣，则仍有待考验。 在供给方面，从NEC独创的VCMSDRAM规格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大厂对Rambus支持态度已趋保守的情况来看，再加上相关封装及测试等设备上的投资不足，估计年底之前，Rambus内存模组仍将缺乏与PC133甚至DDR的价格竞争力。就长远的眼光来看，Rambus架构或许可以成为主流，但应不再会是主导市场的绝对主流，而SDRAM架构（PC133、DDR）在低成本的优势，以及广泛的应用领域，应该会有非常不错的表现。相信未来的DRAM市场，将会是多种结构并存的局面。
具最新消息，可望成为下一世代内存主力的RambusDRAM因芯片组延迟推出，而气势稍挫的情况之下，由全球多家半导体与电脑大厂针对DDRSDRAM的标准化，而共同组成的AMII（、）阵营，则决定积极促进比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600与PC2100DDRSDRAM规格的标准化，此举使得RambusDRAM与DDRSDRAM的内存主导权之争，迈入新的局面。全球第二大微处理器制造商AMD，决定其Athlon处理器将采用PC266规格的DDRSDRAM，而且决定在今年年中之前，开发支持DDRSDRAM的芯片组，这使DDRSDRAM阵营深受鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资的重心，由RambusDRAM转向DDRSDRAM。
综上所述，今年DDRSDRAM的发展势头要超过RAMBUS。而且DDRSDRAM的生产成本只有SDRAM的1.3倍，在生产成本上更具优势。未来除了DDR和RAMBUS外还有其他几种有希望的内存产品，下面介绍其中的几种：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步链接内存)：SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它将当前的4体（Bank）结构扩展到16体，并增加了新接口和控制逻辑电路
。SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虚拟信道”是加装在内存单元与主控芯片上的内存控制部分之间，相当于缓存的一类寄存器。使用VC技术后，当外部对内存进行读写操作时，将不再直接对内存芯片中的各个单元进行读写操作，而改由VC代理。VC本身所具有的缓存效果也不容小觑，当内存芯片容量为目前最常见的64Mbit时，VC与内存单元之间的带宽已达1024bit。即便不考虑前/后台并列处理所带来的速度提升，光是“先把数据从内存单元中移动到高速的VC中后再由外部进行读写”这一基本构造本身就很适于提高内存的整体速度。每块内存芯片中都可以搭载复数的VC，64Mbit的产品中VC总数为16个。不但每个VC均可以分别对应不同的内存主控设备（MemoryMaster，此处指CPU、南桥芯片、各种扩展卡等等），而且在必要时，还可以把多个VC信道捆绑在一起以对应某个占用带宽特别大的内存主控设备。因此，在多任务同时执行的情况下，VC-SDRAM也能保证持续地进行高效率的数据传输。VC-SDRAM还有一个特点，就是保持了与传统型SDRAM的管脚兼容，厂家不需要重新进行主板布线设计就能够使主板支持它。不过由于它与传统型SDRAM控制方式不同，因此还需要得到控制芯片组的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片组有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。
‘拾’ DDR内存条的颗粒是什么
哎呀~~~~摘抄的 自己看吧！ 哈
内存颗粒的封装方式经历了DIP、SIP、SOJ、TSOP、BGA、CSP的变革，可谓风风雨雨一路发展而来.前面老的封装方式，就不说了，都成了历史。
就简单介绍一下CSP吧，CSP是我们的明日之星，大家都知道，封装面积与芯片的面积比越接近1：1越完美，那么CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍
内存编码含义
Samsung
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz