A. 存储器简单模型怎么看
你先打开设置菜单。在设置里面找到对应的功能选项！
B. 大数据的预测功能是增值服务的核心
大数据的预测功能是增值服务的核心
从走在大数据发展前沿的互联网新兴行业，到与人类生活息息相关的医疗保健、电力、通信等传统行业，大数据浪潮无时无刻不在改变着人们的生产和生活方式。大数据时代的到来，给国内外各行各业带来诸多的变革动力和巨大价值。
最新发布的报告称，全球大数据市场规模将在未来五年内迎来高达26%的年复合增长率——从今年的148.7亿美元增长到2018年的463.4亿美元。全球各大公司、企业和研究机构对大数据商业模式进行了广泛地探索和尝试，虽然仍旧有许多模式尚不明朗，但是也逐渐形成了一些成熟的商业模式。
两种存储模式为主
互联网上的每一个网页、每一张图片、每一封邮件，通信行业每一条短消息、每一通电话，电力行业每一户用电数据等等，这些足迹都以“数据”的形式被记录下来，并以几何量级的速度增长。这就是大数据时代带给我们最直观的冲击。
正因为数据量之大，数据多为非结构化，现有的诸多存储介质和系统极大地限制着大数据的挖掘和发展。为更好地解决大数据存储问题，国内外各大企业和研究机构做了许许多多的尝试和努力，并不断摸索其商业化前景，目前形成了如下两种比较成熟的商业模式：
可扩展的存储解决方案。该存储解决方案可帮助政府、企业对存储的内容进行分类和确定优先级，高效安全地存储到适当存储介质中。而以存储区域网络（SAN）、统一存储、文件整合/网络连接存储（NAS）的传统存储解决方案，无法提供和扩展处理大数据所需要的灵活性。而以Intel、Oracle、华为、中兴等为代表的新一代存储解决方案提供商提供的适用于大、中小企业级的全系存储解决方案，通过标准化IT基础架构、自动化流程和高扩展性，来满足大数据多种应用需求。
云存储。云存储是一个以数据存储和管理为核心的云计算系统，其结构模型一般由存储层、基础管理、应用接口和访问层四层组成。通过易于使用的API，方便用户将各种数据放到云存储里面，然后像使用水电一样按用量进行收费。用户不用关心数据的存储介质、网络状况以及安全性的管理，只需按需向提供方购买空间。
源数据价值水涨船高
在红红火火的大数据时代，随着数据的累积，数据本身的价值也在不断升值，这种情况很好地反应了事物由量变到质变的规律。例如有一种罕见的疾病，得病率为十万分之一，如果从小样本数据来看非常罕见，但是扩大到全世界70亿人，那么数量就非常庞大。以前技术落后，不能将该病情数字化集中研究，所以很难攻克。但是，我们现在把各种各样的数据案例搜集起来统一分析，我们很快就能攻克很多以前想象不到的科学难题。类似的例子，不胜枚举。
正是由于可以通过大数据挖掘到很多看不见的价值，源数据本身的价值也水涨船高。一些掌握海量有效数据的公司和企业找到了一条行之有效的商业路径：对源数据直接或者经过简单封装销售。在互联网领域，以Facebook、twitter、微博为代表的社交网站拥有大量的用户和用户关系数据，这些网站正尝试以各种方式对该源数据进行商业化销售，Google、Yahoo!、网络[微博]等搜索公司拥有大量的搜索轨迹数据以及网页数据，他们可以通过简单API提供给第三方并从中盈利；在传统行业中，中国联通[微博]（3.44, 0.03, 0.88%）、中国电信[微博]等运营商拥有大量的底层用户资料，可以通过简单地去隐私化，然后进行销售盈利。
各大公司或者企业通过提供海量数据服务来支撑公司发展，同时以免费的服务补偿用户，这种成熟的商业模式经受住了时间的考验。但是对于任何用户数据的买卖，还需处理好用户隐私信息，通过去隐私化方式，来保护好用户隐私。
预测是增值服务的核心
在大数据基础上进行深度挖掘，所衍生出来的增值服务，是大数据领域最具想象空间的商业模式。大数据增值服务的核心是什么？预测！大数据引发了商业分析模式转变，从过去的样本模式到现在的全数据模式，从过去的小概率到现在的大概率，从而能够得到比以前更准确的预测。目前形成了如下几种比较成熟的商业模式。
个性化的精准营销。一提起“垃圾短信”，大家都很厌烦，这是因为本来在营销方看来是有价值的、“对”的信息，发到了“错”的用户手里。通过对用户的大量的行为数据进行详细分析，深度挖掘之后，能够实现给“对”的用户发送“对”的信息。比如大型商场可以对会员的购买记录进行深度分析，发掘用户和品牌之间的关联。然后，当某个品牌的忠实用户收到该品牌打折促销的短信之后，一定不是厌烦，而是欣喜。如优捷信达、中科嘉速等拥有强大数据处理技术的公司在数据挖掘、精准广告分析等方面拥有丰富的经验。
企业经营的决策指导。针对大量的用户数据，运用成熟的数据挖掘技术，分析得到企业运营的各种趋势，从而给企业的决策提供强有力的指导。例如，汽车销售公司，可以通过对网络上用户的大量评论进行分析，得到用户最关心和最不满意的功能，然后对自己的下一代产品进行有针对性的改进，以提升消费者的满意度。
总体来说，从宏观层面来看，大数据是我们未来社会的新能源；从企业微观层面来看，大数据分析和运用能力正成为企业的核心竞争力。深入研究和积极探索大数据的商业模式，对企业的未来发展有至关重要的意义。
C. 数据在系统中存储方式的是什么模型
物理模型
在管理信息系统中，物理模型：描述的是对象系统“如何做”、“如何实现”系统的物理过程。
在数据仓库中的含义 总的来说，数据仓库的结构采用了三级数据模型的方式，即概念模型、逻辑模型、物理模型。 物理模型：构建数据仓库的物理分布模型，主要包含数据仓库的软硬件配置，资源情况以及数据仓库模式。
D. 存储模型的Coherence和Consistency的区别
用consistency。 conformity，它的词条的意思是：一致，符合。 而consistency表示的意思是：连接，结合，一致性，连贯性。 对比二者，可以分辨出来，我在翻译的时候，也比较过二者。鉴于你是想说“产品的一致性比较好
E. 12、存储模型2（操作系统笔记）
我们将虚拟存储技术和页式存储管理方案结合起来得到了虚拟页式存储管理系统。具体有两种方式，一是请求调页，二是预先调页。以 cpu 时间和磁盘换取昂贵内存空间，这是操作系统中的资源转换技术。
通常，页表项是硬件设计的。
为什么要锁定页面？
又称页面淘汰算法。最佳算法-->先进先出-->第二次机会-->时钟算法-->最近未使用-->最近最少使用-->最不经常使用-->老化算法-->工作集-->工作集时钟
在先进先出算法的基础上进行该机而来的，此算法按照先进先出算法选择某一页面，检查其访问位 R ，如果为 0 ，则置换该页；如果为 1 ，则给第二次机会，并将访问位置零，并将其从链头取下放到链尾。
在第二次机会算法中当给某个页面第二次机会的时候，将其访问位置零，然后将其挂到链尾，这都是需要开销的，于是我们改进为时钟算法。
选择最后一次访问时间距离当前时间最长的一页并置换，即置换未使用时间最长的一页。
即 Not frequently Used ，选择访问次数最少的页面置换
例子：
要求：
计算应用 FIFO、LRU、OPT 算法时的缺页次数
应用 FIFO、LRU 页面置换算法
应用OPT页面置换算法
例子：系统给某进程分配 m 个页框，初始为空页面访问顺序为
1 2 3 4 1 2 5 1 2 3 4 5 ，采用 FIFO 算法，计算当 m=3 和 m=4 时的缺页中断次数。
结论： m=3 时，缺页中断九次； m=4 时，缺页中断十次。注意： FIFO 页面置换算法会产生异常现象（ Belady 现象），即：当分配给进程的物理页面数增加时，缺页次数反而增加。
缺页越多，系统的性能越差，这称为颠簸（抖动）：虚存中，页面在内存与磁盘之间频繁调度，使得调度页面所需的时间比进程实际运行的时间还多，这样导致系统效率急剧下降，这种现象称为颠簸或抖动。
例子：
分配了一个页框，页面大小为 128 个整数，矩阵 A(128 x 128) 按行存放。
如果能为进程提供与活跃页面数相等的物理页面数，则可减少缺页中断次数，这是由 Denning 提出的。
F. 存储期和存储天数一样吗
一样的。存储期和存储天数是一样。
存储期是指产品的最长保存期限。超过保存日期的产品失去了原产品的特征和特性，丧失了产品原有的使用价值，从这个意义上说，保存日期的最后那天，也称为产品的失效日期。
G. 存储系统
计算机对存储器的要求是容量大，速度快，成本低。为了解决这三方面的矛盾，计算机采用多级存储体系结构，即cache，主存和外存。cpu能直接发你给我内存（cache， 主存），但不能直接访问外存。存储器的技术指标有存储容量，存取时间，存储周期，存储器带宽。
广泛使用的SRAM和DRAM都是半导体随机读写存储器，前者速度比后者快，按集成度不如后者高。二者的有点是体积小，可靠性高，价格低廉，缺点是断电后不能保存信息。只读存储器和闪速存储器正好弥补了SRAM和DRAM的缺点，即使断电后也能保存原先使用的数据，特别是闪速存储器能提供高性能，低功耗，高可靠性以及瞬时启动能力，因而有可能使现有的存储器体系结构发生重大变化。
双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构。前者采用空间并行技术，后者采用时间并行技术。
相联存储器不是按地址而是按内容访问的存储器，在cache中用来存放地址表，在虚拟存储器中用来存放段表，页表和快表。在这两种应用中，都需要快速查找。
cache是一种告诉缓存存储器，是为了解决CPU和内存之间速度不匹配而采用的一项重要的硬件技术，并且发展为多节cache体系，指令cache和数据cache分设体系。要求cache的命中率接近于1.主存于cache的地址映射有全相连，直接，组相连三种方式。其中组相连方式是前两者的折中方案，适度的兼顾了两者的优点又尽量避免其缺点，从灵活性，命中率，硬件投资来说较为理想，因而得到普遍采用。
虚拟存储器指的是主存-外存层次，它给用户提供了一个比实际主存空间大得多的虚拟地址空间。因此虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器分逻辑模型，不是任何实际的物理存储器，按照主存-外存层次的信息传送单位不同，虚拟存储器有页式，段式，段页式三类。
多个用户共享主存时，系统应提供存储保护。通常采用的方法存储区域保护和访问方式保护，并用硬件来实现。有些机器中提供特权指令来实现某种保护。
H. 存储器的结构
1cpu的内部
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存储器结构
存储器结构
第一层：通用寄存器堆
第二层：指令与数据缓冲栈
第三层：高速缓冲存储器
第四层：主储存器（DRAM）
第五层：联机外部储存器（硬磁盘机）
第六层：脱机外部储存器（磁带、光盘存储器等）
这就是存储器的层次结构~~~ 主要体现在访问速度~~~
2工作特点
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存储器结构
存储器结构① 设置多个存储器并且使他们并行工作。本质：增添瓶颈部件数目，使它们并行工作，从而减缓固定瓶颈。
② 采用多级存储系统，特别是Cache技术，这是一种减轻存储器带宽对系统性能影响的最佳结构方案。本质：把瓶颈部件分为多个流水线部件，加大操作时间的重叠、提高速度，从而减缓固定瓶颈。
③ 在微处理机内部设置各种缓冲存储器，以减轻对存储器存取的压力。增加CPU中寄存器的数量，也可大大缓解对存储器的压力。本质：缓冲技术，用于减缓暂时性瓶颈。
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
3具体结构分类
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根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：
01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储
存储器结构
存储器结构单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72PIN或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。
存储器结构
存储器结构06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，
存储器结构
存储器结构投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)
ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。
4组成元件分类
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ROM内存又分为以下五种：
存储器结构
存储器结构1.MASK ROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。
3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上
存储器结构
存储器结构的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。
5.Flash Memory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
I. 存储器的简单模型应该怎么看
存储器的简单模型是由这个存储器的硬件设施，也就是说主板上面这些小型的电路元件组成的，所以我们如果只是看表面，根本就看不出来这个简单模型。
J. 西门子PLC报警
严重错误将导致S7-200停止执行程序。依据错误的严重性，一个致命错误会导致S7-200无法执行某个或所有功能。处理致命错误的目标是使S7-200进入安全状态，S7-200由此可以对存在的错误条件的相关询问作出响应。
当检测到致命错误时，S7--200执行以下任务：
进入STOP模式
点亮SF/DIAG (红色)LED指示灯和停止LED指示灯
断开输出
这种状态将会持续到错误清除之后。在主菜单中使用菜单命令PLC >信息可查看错误代码。
从S7--200上可读到的致命错误代码及其描述：
错误代码 描述
0000 无致命错误
0001 用户程序校验和错误
0002 编译后的梯形图程序校验和错误
0003 扫描看门狗超时错误
0004 永久存储器失效
0005 永久存储器上用户程序校验和错误
0006 永久存储器上组态参数(SDB0)校验和错误
0007 永久存储器上强制数据校验和错误
0008 永久存储器上缺省输出表值校验和错误
0009 永久存储器上用户数据DB1校验和错误
000A 存储器卡失灵
000B 存储器卡上用户程序校验和错误
000C 存储卡组态参数(SDB0)校验和错误
000D 存储器卡强制数据校验和错误
000E 存储器卡缺省输出表值校验和错误
000F 存储器卡用户数据DB1校验和错误
0010 内部软件错误
0011 比较触点间接寻址错误
0012 比较触点浮点值错误
0013 程序不能被该S7-200理解
0014 比较触点范围错误