1. 电脑配置中的4G 500G分别代表的是什么跟RAM,ROM有什么关系么
4G为4GB，500G为500GB，代表存储的容量。我们常常说前者，就像我们常说500块，意思就是500块钱。
其中，计算机技术中1GB=1024MB=1024×1024KB=1024×1024×1024B，现实中因为1024约等于1000，所以现实中作为买卖的商品，其标准的1GB是这样：1GB=1000MB=1000×1000×1000B，所以500GB的硬盘实际容量为500000000000/(1024*1024*1024)，即真实意义的460多GB。
解释一下作为最底层的B，其含义如下：1B=8b，1b为一个空间，只能存储0或1（计算机为2进制，用一连串的0或1来表达含义，不知道你对黑客帝国的片头有没有印象，就是满屏的0和1），8个b合到一起，有关机构规定：这构成最短的一个表示意义的单位，称为1B（1Byte，翻译成汉语是1字节）比如我们自己规定00001001=h，00011100=a，那么00001001 00011100连起来就是ha，大体上这么理解就可以了。
电脑配置中的4G，指的是内存条的容量。特点是速度快，成本高。相当于柜台。
500G指的是硬盘的容量。硬盘是存储数据的。特点是速度慢，容量大。相当于仓库。
内存的作用是一个缓冲平台，因为作为数据处理的cpu（相当于售货员），处理能力十分之强，比如说，cpu一次能处理1000个数据，但是硬盘一次只能供给50个数据，而内存则能一次送达500个数据，所以硬盘就源源不断地将数据送到内存中，而内存不断地将数据送达到cpu中。
rom ram可以理解为存储器的不同制作工艺。其特性是不同的，成本是不同的。大体区别如下：
rom是只读存储器，读是读取数据/写入数据的意思，在断电后也能存储。硬盘就是这样。
ram为随机存储器，断电后数据就消失。内存就是ram工艺。
2. 半导体是怎样存储信息的
半导体存储器(semi-conctor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。
按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为：静态和动态两种。
其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。半导体是通过保持电平存储数据的。
1 电路中用高电平表示1，低电平表示0；
2 同样的在存储介质中，写入电平值，下次读出判断是1/0；
3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应：电容充电，读出的值就是高电平。电容放电后，读出的就是低电平
3. 半导体存储器有几类，分别有什么特点
1、随机存储器
对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。
特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。
特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。
(3)存储器的制作工艺扩展阅读：
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
4. 双极型存储器是干什么用的
双极型随机存储器指的是用双极型晶体管构成的随机存储器。它在半导体存储器中是最先研制成功的,用作计算机的缓冲存储器,使运算速度显着提高。
双极型随机存储器的速度比磁芯存储器速度约快 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。双极型随机存储器的制造工艺比 NMOS（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）复杂，密度不及 MOS金属-氧化物-半导体动态随机存储器。
在半导体存储器中,双极型随机存储器发展速度最快,在计算机高速缓冲存储器、控制存储器、超高速大型计算机主存储器等方面仍获得广泛应用。超高速发射极耦合逻辑电路随机存储器和高集成密度集成注入逻辑电路随机存储器已有新的发展。
5. 存储芯片是什么材料做的
对存储行业而言，存储芯片主要以两种方式实现产品化：
1、ASIC技术实现存储芯片
ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。除了可以大幅度地提高系统处理能力，加快产品研发速度以外，ASIC更适于大批量生产的产品，根椐固定需求完成标准化设计。在存储行业，ASIC通常用来实现存储产品技术的某些功能，被用做加速器，或缓解各种优化技术的大量运算对CPU造成的过量负载所导致的系统整体性能的下降。
2、FPGA 技术实现存储芯片
FPGA（现场可编程门阵列）是专用集成电路（ASIC）中级别最高的一种。与ASIC相比，FPGA能进一步缩短设计周期，降低设计成本，具有更高的设计灵活性。当需要改变已完成的设计时，ASIC的再设计时间通常以月计算，而FPGA的再设计则以小时计算。这使FPGA具有其他技术平台无可比拟的市场响应速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多数工具以微微秒-百亿分之一秒计算）的特性。同时，厂商可对FPGA功能模块和I/O模块进行重新配置，也可以在线对其编程实现系统在线重构。这使FPGA可以构建一个根据计算任务而实时定制软核处理器。并且，FPGA功能没有限定，可以是存储控制器，也可以是处理器。新一代FPGA支持多种硬件，具有可编程I/O，IP（知识产权）和多处理器芯核兼备。这些综合优点，使得FPGA被一些存储厂商应用在开发存储芯片架构的全功能产品。
6. 内存是怎么制作的
1. 内存的工作原理
显然，内存指的是PC中常见的内存条，这一类内存属于动态随机访问存储器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存储单元非常简单易懂，由一个N型场效应晶体管(NMOS FET)和一个电容组成。在这里可以把晶体管看成一个理想的开关。 当NMOS晶体管打开时，检测电容放电造成的电压改变就是读取0/1的过程，向电容注入不同电荷就是写入过程；NMOS晶体管关闭时，电荷保存在电容上，处于存储状态。
DRAM的优势在于其结构简单，面积小，所以在同样面积内可以塞入更多存储单元，存储密度高，现在内存条的容量都顶得上多年前的硬盘了。大家可以自己算算一根2Gb的内存里面有多少这样的单元。 缺点则是：
1. 每次读取都是破坏性的，电容放电后电荷就尼玛没有了啊，所以还要重新写入一遍啊！！！
2. 电容还尼玛会漏电啊，一般写入后几十个微秒之后就漏得没法检测了（现在的电容一般是25pF），整个阵列都要不停的刷新，就是把已经存储的内容读一次再写进去，期间什么都不能做啊！！！
3. 电容太小导致很多问题，比如速度不能太快啊，会被宇宙粒子打到然后就尼玛中和了啊 （ Soft error ） ！！！！
4. 没有电的时候存储的内容就丢掉了，这直接导致大量停电导致的文档丢失等杯具。。。。。
（使得存储器能够在无电时保留信息，台湾人施敏大师和一个韩国人发明了闪存Flash memory。半导体业已经贡献过两个诺贝尔物理学奖：晶体管和集成电路，施敏怕是这个行业中仅存的还有机会拿奖的人，他的合作者早早挂了甚至连专利费都没拿多少。）
2. 如何用半导体工艺制作以上的电路？
DRAM制造工艺是通用的集成电路制作工艺的子集，这个问题就可以转化为“集成电路是如何制造的？”而这个问题就比较复杂了，我争取用“盖楼”这个大家都能理解的例子讲清楚。
集成电路从其横切面来看，是分层的，基本使用同种材料实现类似功能，层与层之间通过通孔（via）做电学连接。
这一结构其实很像一座楼房，芯片制造的过程也有点像盖楼的过程，非常简化的步骤如下：
1. 设计图，也就是芯片的版图（layout）；版图是一幅分层的俯视图，包含了每一层的物理形状信息和层与层间的位置连接关系。版图被转化成掩模（mask），每张掩模则是某一层的俯视图，一颗芯片往往有几十张掩模。芯片的每层是被同时制作的，就像盖楼是必须3楼盖好才能盖4楼。（本来想放一些自己手头上的版图和掩模给大家看看，涉及版权等问题，有兴趣的同学自己搜吧）
2. 平整土地。这个没什么说的，绝大部分芯片都是从平整的芯圆（wafer）开始的，要对芯圆进行清洗啊什么的
3. 地基和底层。这是在制造过程中最关键最复杂的一步，因为所有重要的有源器件（active device）如晶体管都是在电路的最底层。 首先要划线（光照Photolithography）界定哪里要挖掉哪里要保留，然后挖坑（ecthing刻蚀），在需要的地方做固化（离子注入Ion Implantation），盖墙铺管道什么的（化学沉积和物理沉积CVD&PVD）等等。具体步骤十分复杂，往往需要十几张掩模才能完成，不过大家可以自行脑补一座大楼怎么从地上长出来的。
4. 高层。较高的层就相对简单了，还是划线决定（光照Photolithography）哪里要做墙或柱子，哪里是空间，再沉积金属把这些东西长出来。这些层次基本都是铜或铝金属连接，少有复杂器件。
5. 封顶。做一层金属化合物固化保护，当然要把连接点（PAD）露出来。
6. 清洗，切割。 这一步盖楼是没有的。。。。一块300毫米直径的晶圆上可能有成百上千块芯片，像切蛋糕一样切下来。
7. 封装。 有点像外立面装修，然后给整座楼通水通电通气。一块小小的硅芯片就变成了我们经常看到的样子，需要的信号和电源被连接到一个个焊球或针脚上。封装是一门很大的学问，对芯片的电气性能影响巨大。
7. 半导体存储器分为哪两种
半导体存储器分为随机读写存储器和只读存储器。
半导体存储器的分类从制造工艺的角度可把半导体存储器分为双极型、CMOS型、HMOS型等；从应用角度上可将其分为两大类：随机读写存储器（RAM），又称随机存取存储器；只读存储器（ROM）。
1、只读存储器（ROM）
只读存储器在使用过程中，只能读出存储的信息而不能用通常的方法将信息写入的存储器，其中又可以分为以下几种。
掩膜ROM，利用掩膜工艺制造，一旦做好，不能更改，因此只适合于存储成熟的固定程序和数据。工厂大量生产时，成本很低。
可编程ROM，简称PROM，由厂商生产出的空白存储器，根据用户需要，利用特殊方法写入程序和数据，但是只能写一次，写入后信息固定的，不能更改。
光擦除PROM，简称EPROM，这种存储器编写后，如果需要擦除可用紫外线灯制造的擦除器照射20分钟左右，使存储器复原用户可再编程。
电擦除PROM，简称EEPROM，顾名思义可以通过电来进行擦除，这种存储器的特点是能以字节为单位擦除和改写，而且不需要把芯片拔下插入编程器编程，在用户系统即可进行。
Flash Memory，简称闪存。它是非易失性存储器，在电源关闭后仍能保持片内信息，与EEPROM相比，闪存存储器具有成本低密度大的优点。
2、随机读写存储器（RAM）
分为两类：双极型和MOS型两种。双极型RAM，其特点是存取速度快，采用晶体管触发器作为基本存储电路，管子较多，功耗大，成本高，主要用于高速缓存存储器（Cache）MOS RAM，其特点是功耗低，密度大，故大多采用这种存储器。
SRAM：存储原理是用双稳态触发器来做存储电路，状态稳定，只要不掉电，信息就不会丢失，优点是不用刷新，缺点是集成度低。DRAM：存储原理是用电容器来做存储电路，优点是电路简单，集成度高，缺点是由于电容会漏电需要不停地刷新。
8. 存储器芯片生产线与CPU生产线的区别
主要是工艺精度不一样的，存储器的就是多大纳米的工艺都能用它，因为存储器这个概念比较大，属于啥都有的，啥类型的都有，属于基础元器件类生产线了，内存条子用，U盘用的闪存，主板上的的CMOS等等，现在只要是电子产品就到处都在用，而这些地方需求的存储要求都不同，工艺要求也高低不一样的，所以，是生产线，就能找来自己可以干的活。
CPU生产线，属于半导体里的细分了，NO1级别的，顶级的存在，不是其他低工艺生产先造不了，而是成本决定的，芯片设计的时候都会有对应的工艺考量要求，换次工艺，图就要重新优化画一次，对于IC这类高竞争行业，CPU敢这么干，就等于烧钱，等你改完了，可能你的CPU也过时了。另外，单片晶硅出产的颗粒越多成本越低，高制造成本逼着厂家用最贵的NO1生产线造CPU，只有量大才能有生路，用次代线，一次除不了多少货，成本直接就能亏死的。所以，CPU的生产线从来都是NO1级别的1代线，低工艺的次代线都不会考虑的。
9. 存储器的原理是什么
存储器讲述工作原理及作用
介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广，有很多层次，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等;在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存),也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
2.按存取方式分类
(1)随机存储器(RAM)：如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间与存储单元的物理位置无关，则这种存储器称为随机存储器(RAM)。RAM主要用来存放各种输入/输出的程序、数据、中间运算结果以及存放与外界交换的信息和做堆栈用。随机存储器主要充当高速缓冲存储器和主存储器。
(2)串行访问存储器(SAS)：如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说，存取时间与存储单元的物理位置有关，则这种存储器称为串行访问存储器。串行存储器又可分为顺序存取存储器(SAM)和直接存取存储器(DAM)。顺序存取存储器是完全的串行访问存储器，如磁带，信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入(或读出);直接存取存储器是部分串行访问存储器，如磁盘存储器，它介于顺序存取和随机存取之间。
(3)只读存储器(ROM)：只读存储器是一种对其内容只能读不能写入的存储器，即预先一次写入的存储器。通常用来存放固定不变的信息。如经常用作微程序控制存储器。目前已有可重写的只读存储器。常见的有掩模ROM(MROM)，可擦除可编程ROM(EPROM)，电可擦除可编程ROM(EEPROM).ROM的电路比RAM的简单、集成度高，成本低，且是一种非易失性存储器，计算机常把一些管理、监控程序、成熟的用户程序放在ROM中。
3.按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器：断电后信息就消失的存储器，如半导体读/写存储器RAM。
永久性记忆的存储器：断电后仍能保存信息的存储器，如磁性材料做成的存储器以及半导体ROM。
4.按在计算机系统中的作用分
根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，目前通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。
能力影响
从写命令转换到读命令，在某个时间访问某个地址，以及刷新数据等操作都要求数据总线在一定时间内保持休止状态，这样就不能充分利用存储器通道。此外，宽并行总线和DRAM内核预取都经常导致不必要的大数据量存取。在指定的时间段内，存储器控制器能存取的有用数据称为有效数据速率，这很大程度上取决于系统的特定应用。有效数据速率随着时间而变化，常低于峰值数据速率。在某些系统中，有效数据速率可下降到峰值速率的10%以下。
通常，这些系统受益于那些能产生更高有效数据速率的存储器技术的变化。在CPU方面存在类似的现象，最近几年诸如AMD和 TRANSMETA等公司已经指出，在测量基于CPU的系统的性能时，时钟频率不是唯一的要素。存储器技术已经很成熟，峰值速率和有效数据速率或许并不比以前匹配的更好。尽管峰值速率依然是存储器技术最重要的参数之一，但其他结构参数也可以极大地影响存储器系统的性能。
影响有效数据速率的参数
有几类影响有效数据速率的参数，其一是导致数据总线进入若干周期的停止状态。在这类参数中，总线转换、行周期时间、CAS延时以及RAS到CAS的延时(tRCD)引发系统结构中的大部分延迟问题。
总线转换本身会在数据通道上产生非常长的停止时间。以GDDR3系统为例，该系统对存储器的开放页不断写入数据。在这期间，存储器系统的有效数据速率与其峰值速率相当。不过，假设100个时钟周期中，存储器控制器从读转换到写。由于这个转换需要6个时钟周期，有效的数据速率下降到峰值速率的 94%。在这100个时钟周期中，如果存储器控制器将总线从写转换到读的话，将会丢失更多的时钟周期。这种存储器技术在从写转换到读时需要15个空闲周期，这会将有效数据速率进一步降低到峰值速率的79%。表1显示出针几种高性能存储器技术类似的计算结果。
显然，所有的存储器技术并不相同。需要很多总线转换的系统设计师可以选用诸如XDR、RDRAM或者DDR2这些更高效的技术来提升性能。另一方面，如果系统能将处理事务分组成非常长的读写序列，那么总线转换对有效带宽的影响最小。不过，其他的增加延迟现象，例如库(bank)冲突会降低有效带宽，对性能产生负面影响。
DRAM技术要求库的页或行在存取之前开放。一旦开放，在一个最小周期时间，即行周期时间(tRC)结束之前，同一个库中的不同页不能开放。对存储器开放库的不同页存取被称为分页遗漏，这会导致与任何tRC间隔未满足部分相关的延迟。对于还没有开放足够周期以满足tRC间隙的库而言，分页遗漏被称为库冲突。而tRC决定了库冲突延迟时间的长短，在给定的DRAM上可用的库数量直接影响库冲突产生的频率。
大多数存储器技术有4个或者8个库，在数十个时钟周期具有tRC值。在随机负载情况下，那些具有8个库的内核比具有4个库的内核所发生的库冲突更少。尽管tRC与库数量之间的相互影响很复杂，但是其累计影响可用多种方法量化。
存储器读事务处理
考虑三种简单的存储器读事务处理情况。第一种情况，存储器控制器发出每个事务处理，该事务处理与前一个事务处理产生一个库冲突。控制器必须在打开一个页和打开后续页之间等待一个tRC时间，这样增加了与页循环相关的最大延迟时间。在这种情况下的有效数据速率很大程度上决定于I/O，并主要受限于DRAM内核电路。最大的库冲突频率将有效带宽削减到当前最高端存储器技术峰值的20%到30%。
在第二种情况下，每个事务处理都以随机产生的地址为目标。此时，产生库冲突的机会取决于很多因素，包括tRC和存储器内核中库数量之间的相互作用。tRC值越小，开放页循环地越快，导致库冲突的损失越小。此外，存储器技术具有的库越多，随机地址存取库冲突的机率就越小。
第三种情况，每个事务处理就是一次页命中，在开放页中寻址不同的列地址。控制器不必访问关闭页，允许完全利用总线，这样就得到一种理想的情况，即有效数据速率等于峰值速率。
第一种和第三种情况都涉及到简单的计算，随机情况受其他的特性影响，这些特性没有包括在DRAM或者存储器接口中。存储器控制器仲裁和排队会极大地改善库冲突频率，因为更有可能出现不产生冲突的事务处理，而不是那些导致库冲突的事务处理。
然而，增加存储器队列深度未必增加不同存储器技术之间的相对有效数据速率。例如，即使增加存储器控制队列深度，XDR的有效数据速率也比 GDDR3高20%。存在这种增量主要是因为XDR具有更高的库数量以及更低的tRC值。一般而言，更短的tRC间隔、更多的库数量以及更大的控制器队列能产生更高的有效带宽。
实际上，很多效率限制现象是与行存取粒度相关的问题。tRC约束本质上要求存储器控制器从新开放的行中存取一定量的数据，以确保数据管线保持充满。事实上，为保持数据总线无中断地运行，在开放一个行之后，只须读取很少量的数据，即使不需要额外的数据。
另外一种减少存储器系统有效带宽的主要特性被归类到列存取粒度范畴，它规定了每次读写操作必须传输的数据量。与之相反，行存取粒度规定每个行激活(一般指每个RAS的CAS操作)需要多少单独的读写操作。列存取粒度对有效数据速率具有不易于量化的巨大影响。因为它规定一个读或写操作中需要传输的最小数据量，列存取粒度给那些一次只需要很少数据量的系统带来了问题。例如，一个需要来自两列各8字节的16字节存取粒度系统，必须读取总共32字节以存取两个位置。因为只需要32个字节中的16个字节，系统的有效数据速率降低到峰值速率的50%。总线带宽和脉冲时间长度这两个结构参数规定了存储器系统的存取粒度。
总线带宽是指连接存储器控制器和存储器件之间的数据线数量。它设定最小的存取粒度，因为对于一个指定的存储器事务处理，每条数据线必须至少传递一个数据位。而脉冲时间长度则规定对于指定的事务处理，每条数据线必须传递的位数量。每个事务处理中的每条数据线只传一个数据位的存储技术，其脉冲时间长度为1。总的列存取粒度很简单：列存取粒度=总线宽度×脉冲时间长度。
很多系统架构仅仅通过增加DRAM器件和存储总线带宽就能增加存储系统的可用带宽。毕竟，如果4个400MHz数据速率的连接可实现 1.6GHz的总峰值带宽，那么8个连接将得到3.2GHz。增加一个DRAM器件，电路板上的连线以及ASIC的管脚就会增多，总峰值带宽相应地倍增。
首要的是，架构师希望完全利用峰值带宽，这已经达到他们通过物理设计存储器总线所能达到的最大值。具有256位甚或512位存储总线的图形控制器已并不鲜见，这种控制器需要1,000个，甚至更多的管脚。封装设计师、ASIC底层规划工程师以及电路板设计工程师不能找到采用便宜的、商业上可行的方法来对这么多信号进行布线的硅片区域。仅仅增加总线宽度来获得更高的峰值数据速率，会导致因为列存取粒度限制而降低有效带宽。
假设某个特定存储技术的脉冲时间长度等于1，对于一个存储器处理，512位宽系统的存取粒度为512位(或者64字节)。如果控制器只需要一小段数据，那么剩下的数据就被浪费掉，这就降低了系统的有效数据速率。例如，只需要存储系统32字节数据的控制器将浪费剩余的32字节，进而导致有效的数据速率等于50%的峰值速率。这些计算都假定脉冲时间长度为1。随着存储器接口数据速率增加的趋势，大多数新技术的最低脉冲时间长度都大于1。
选择技巧
存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择是一个非常重要的决策。无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。另外，在选择过程中，存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。对于较小的系统，微控制器自带的存储器就有可能满足系统要求，而较大的系统可能要求增加外部存储器。为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考虑一些设计参数，包括微控制器的选择、电压范围、电池寿命、读写速度、存储器尺寸、存储器的特性、擦除/写入的耐久性以及系统总成本。
选择存储器时应遵循的基本原则
1、内部存储器与外部存储器
一般情况下，当确定了存储程序代码和数据所需要的存储空间之后，设计工程师将决定是采用内部存储器还是外部存储器。通常情况下，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此设计工程师必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，人们通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器，因此在预测代码规模的时候要必须特别小心，因为代码规模增大可能要求更换微控制器。目前市场上存在各种规模的外部存储器器件，我们很容易通过增加存储器来适应代码规模的增加。有时这意味着以封装尺寸相同但容量更大的存储器替代现有的存储器，或者在总线上增加存储器。即使微控制器带有内部存储器，也可以通过增加外部串行EEPROM或闪存来满足系统对非易失性存储器的需求。
2、引导存储器
在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。例如，如果没有外部的寻址总线或串行引导接口，通常使用内部存储器，而不需要专门的引导器件。但在一些没有内部程序存储器的系统中，初始化是操作代码的一部分，因此所有代码都将驻留在同一个外部程序存储器中。某些微控制器既有内部存储器也有外部寻址总线，在这种情况下，引导代码将驻留在内部存储器中，而操作代码在外部存储器中。这很可能是最安全的方法，因为改变操作代码时不会出现意外地修改引导代码。在所有情况下，引导存储器都必须是非易失性存储器。
可以使用任何类型的存储器来满足嵌入式系统的要求，但终端应用和总成本要求通常是影响我们做出决策的主要因素。有时，把几个类型的存储器结合起来使用能更好地满足应用系统的要求。例如，一些PDA设计同时使用易失性存储器和非易失性存储器作为程序存储器和数据存储器。把永久的程序保存在非易失性ROM中，而把由用户下载的程序和数据存储在有电池支持的易失性DRAM中。不管选择哪种存储器类型，在确定将被用于最终应用系统的存储器之前，设计工程师必须仔细折中考虑各种设计因素。
10. 储存卡是一般是几纳米的
目前普遍使用的是 DDR III内存 ，用了0.08微米制造工艺制造
存储卡是指用于手机、数码相机、便携式电脑、MP3和其他数码产品上的独立存储介质，一般是卡片的形态，故统称为“存储卡”，又称为“数码存储卡”、“数字存储卡”、“储存卡”等。与电脑硬件类似，存储卡也存在兼容性的问题。主要表现在读卡时间过长，存取速度较长，或者出现死机的现象。