‘壹’ 存储器读写的工作周期是指什么
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。
位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(byte)。当一个数作为一个整体存入或取出时，这个数叫做存储字。存储字可以是一个字节，也可以是若干个字节。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。
为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内，各个存储单元的内容可通过指令随机访问，这样的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。
因于结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。
存储器的主要技术指标
存储器的特性由它的技术参数来描述。
一、存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。主存储器的容量是指用地址寄存器(MAR)产生的地址能访问的存储单元的数量。如N位字长的MAR能够编址最多达2N个存储单元。一般主存储器(内存)容量在几十K到几M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
二、存储周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存储周期一般为100ns-200ns。
三、存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
四、性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标
‘贰’ 计算机存储器的存取时间和存取周期，能不能详细地介绍一下，不懂啊！！！先谢谢啦
这个是特别专业的问题了，除了设计计算机硬件，特别是CPU和存储部件的人员以外，使用的人们不用关注这个问题的。
因为现在计算机存储的周期都是用毫秒级别和Kbit来计算的，日常使用中存储时间已经不是问题了。
大概是这样的。
‘叁’ 关于计算机组成原理的交叉存储器问题
低位交叉多体并行存储器的特点 ：每个模块都有相同的容量和存取速度。其实就是从每个模块读取一个字是并行的，而从一个模块继续读取下一个字，才有时间间隔，这也就是为什么它的带宽比顺序存取大。总而言之，模块间并行，模块内部串行。
‘肆’ 计算机组成原理(三)存储系统
辅存中的数据要调入主存后才能被CPU访问
按存储介质，存储器可分为磁表面存储器（磁盘、磁带)、磁心存储器半导体存储器（MOS型存储器、双极型存储器）和光存储器（光盘)。
随机存取存储器（RAM）：读写任何一个存储单元所需时间都相同，与存储单元所在的物理位置无关，如内存条等
顺序存取存储器（SAM）：读写一个存储单元所需时间取决于存储单元所在的物理位置，如磁盘等
直接存取存储器（DAM）：既有随机存取特性，也有顺序存取特性。先直接选取信息所在区域，然后按顺序方式存取。如硬盘等
相联存储器，即可以按内容访问的存储器（CAM）可以按照内容检索到存储位置进行读写，“快表”就是一种相联存储器
读写存储器—即可读、也可写（如：磁盘、内存、Cache）
只读存储器—只能读，不能写（如：实体音乐专辑通常采用CD-ROM，实体电影采用蓝光光盘，BIOS通常写在ROM中）
断电后，存储信息消失的存储器——易失性存储器（主存、Cache）
断电后，存储信息依然保持的存储器——非易失性存储器（磁盘、光盘）
信息读出后，原存储信息被破坏——破坏性读出（如DRAM芯片，读出数据后要进行重写）
信息读出后，原存储信息不被破坏——非破坏性读出（如SRAM芯片、磁盘、光盘）
存储器芯片的基本电路如下
封装后如下图所示
图中的每条线都会对应一个金属引脚，另外还有供电引脚、接地引脚，故可以由此求引脚数目
n位地址对应2 n 个存储单元
假如有8k×8位的存储芯片，即
现代计算机通常按字节编址，即每个字节对应一个地址
但也支持按字节寻址、按字寻址、按半字寻址、按双字寻址
(Dynamic Random Access Memory，DRAM)即动态RAM，使用栅极电容存储信息
(Static Random Access Memory，SRAM)即静态RAM，使用双稳态触发器存储信息
DRAM用于主存、SRAM用于Cache，两者都属于易失性存储器
简单模型下需要有 根选通线，而行列地址下仅需 根选通线
ROM芯片具有非易失性，断电后数据不会丢失
主板上的BIOS芯片（ROM），存储了“自举装入程序”，负责引导装入操作系统（开机）。逻辑上，主存由 辅存RAM+ROM组成，且二者常统一编址
位扩展的连接方式是将多个存储芯片的地址端、片选端和读写控制端相应并联，数据端分别引出。
字扩展是指增加存储器中字的数量，而位数不变。字扩展将芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
实际上，存储器往往需要同时扩充字和位。字位同时扩展是指既增加存储字的数量，又增加存储字长。
两个端口对同一主存操作有以下4种情况：
当出现(3)(4)时，置“忙”信号为0，由判断逻辑决定暂时关闭一个端口（即被延时），未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问。
多体并行存储器由多体模块组成。每个模块都有相同的容量和存取速度，各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器。它们既能并行工作，又能交义工作。多体并行存储器分为高位交叉编址（顺序方式)和低位交叉编址（交叉方式)两种.
①高位交叉编址
②低位交叉编址
采用“流水线”的方式并行存取（宏观上并行，微观上串行）,连续取n个存储字耗时可缩短为
宏观上，一个存储周期内，m体交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍。存取周期为T，存取时间/总线传输周期为r，为了使流水线不间断，应保证模块数
单体多字系统的特点是存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储m个字，总线宽度也为m个字。一次并行读出m个字，地址必须顺序排列并处于同一存储单元。
缺点：每次只能同时取m个字，不能单独取其中某个字；指令和数据在主存内必须是连续存放的
为便于Cache 和主存之间交换信息，Cache 和主存都被划分为相等的块，Cache 块又称Cache 行，每块由若干字节组成。块的长度称为块长(Cache 行长)。由于Cache 的容量远小于主存的容盘，所以Cache中的块数要远少于主存中的块数，它仅保存主存中最活跃的若干块的副本。因此 Cache 按照某种策略，预测CPU在未来一段时间内欲访存的数据，将其装入Cache.
将某些主存块复制到Cache中，缓和CPU与主存之间的速度矛盾
CPU欲访问的信息已在Cache中的比率称为命中率H。先访问Cache，若Cache未命中再访问主存，系统的平均访问时间t 为
同时访问Cache和主存，若Cache命中则立即停止访问主存系统的平均访问时间t 为
空间局部性：在最近的未来要用到的信息(指令和数据)，很可能与现在正在使用的信息在存储空间上是邻近的
时间局部性：在最近的未来要用到的信息，很可能是现在正在使用的信息
基于局部性原理，不难想到，可以把CPU目前访问的地址“周围”的部分数据放到Cache中
直接映射方式不需要考虑替换算法，仅全相联映射和组相联映射需要考虑
①随机算法(RAND):若Cache已满，则随机选择一块替换。实现简单，但完全没考虑局部性原理，命中率低，实际效果很不稳定
②先进先出算法(FIFO):若Cache已满，则替换最先被调入Cache的块。实现简单，依然没考虑局部性原理
③近期最少使用算法(LRU):为每一个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块已经有多久没被访问了。当Cache满后替换“计数器”最大的.基于“局部性原理”，LRU算法的实际运行效果优秀，Cache命中率高。
④最不经常使用算法(LFU):为每一个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块被访问过几次。当Cache满后替换“计数器”最小的.并没有很好地遵循局部性原理，因此实际运行效果不如LRU
现代计算机常采用多级Cache，各级Cache之间常采用“全写法+非写分配法”；Cache-主存之间常采用“写回法+写分配法”
写回法(write-back)：当CPU对Cache写命中时，只修改Cache的内容，而不立即写入主存，只有当此块被换出时才写回主存。减少了访存次数，但存在数据不一致的隐患。
全写法(写直通法，write-through)：当CPU对Cache写命中时，必须把数据同时写入Cache和主存，一般使用写缓冲(write buffer)。使用写缓冲，CPU写的速度很快，若写操作不频繁，则效果很好。若写操作很频繁，可能会因为写缓冲饱和而发生阻塞访存次数增加，速度变慢，但更能保证数据一致性
写分配法(write-allocate)：当CPU对Cache写不命中时，把主存中的块调入Cache，在Cache中修改。通常搭配写回法使用。
非写分配法(not-write-allocate)：当CPU对Cache写不命中时只写入主存，不调入Cache。搭配全写法使用。
页式存储系统：一个程序(进程)在逻辑上被分为若干个大小相等的“页面”， “页面”大小与“块”的大小相同 。每个页面可以离散地放入不同的主存块中。CPU执行的机器指令中，使用的是“逻辑地址”，因此需要通“页表”将逻辑地址转为物理地址。页表的作用：记录了每个逻辑页面存放在哪个主存块中
逻辑地址（虚地址）：程序员视角看到的地址
物理地址（实地址）：实际在主存中的地址
快表是一种“相联存储器”，可以按内容寻访，表中存储的是页表项的副本；Cache中存储的是主存块的副本
地址映射表中每一行都有对应的标记项
主存-辅存：实现虚拟存储系统，解决了主存容量不够的问题
Cache-主存：解决了主存与CPU速度不匹配的问题
‘伍’ 什么是指计算机一次能并行存取
随着计算机应用领域的不断扩大，处理的信息量越来越多，并且现代计算机的I/O设备也在不断增加，因此，提高访存的速度已经成为了迫不及待的任务。于是就出现了并行存储器。
在介绍并行存储器之前，先来介绍一个概念：
**存储器的带宽：表示单位时间内存储器存取的信息量，可用字/秒或者位/秒表示。是衡量数据传输率的重要技术指标。**存储器的带宽是决定了以存储器为中心的机器获得信息的速度。可以通过下面的几种方式提高：
1.缩短存取周期
2.增加存储字长
3.增加存储体
双口RAM
为了提高CPU访问存储体的速度，可以采用双端口的存储器，多模块存储器等技术，它们同属于并行技术。前者为空间并行，后者为时间并行。
多模块存储器
我们还可以从时间上并行并行存取。我们知道CUP的速度要比存储器要快，如果我们同时从存储器中取出几条指令，那么我们就可以充分利用CPU资源，提高运行效率。
多体并行存储器
由多体模块构成，每个模块都有相同的容量和存取速度，有独立的读写控制电路，地址寄存器和数据寄存器。
多体并行存储器分为高位交叉编址和低位交叉编址两种。
高位交叉编址
当程序按体内地址顺序存放，即一个体存满之后，再存入下一个体时，这种方式称为顺序存储，
低位交叉编址
对应于高位交叉编址，低位交叉编址指的是将程序连续存放在相邻体中，又称交叉存储。
访存冲突
但是低位交叉存储可能导致访存冲突，当访存地址在相邻的四次访存中，出现在同一存储块内，就会发生访存冲突。
两种并行存储器的访问时间
设存储器的模块数为n，存取周期为T，总线传输周期为i，当采用流水线方式存取的时候，：
若采用高位交叉编址，那么连续读取n个字节所需的时间t1为： t1 = nT
若采用低位交叉编址，那么连续读取n个字节所需的时间t2为：t2 = T +(n - 1 )i
存储器的交叉模块数 m >= T/i
‘陆’ 存储器的存取时间是指什么
数据存储 和 读取时间，简单对于硬盘来说 就是读写速度
‘柒’ 内存正常读取速度是多少硬盘读取速度是多少
硬盘的读取速度没多大用处，一般机械硬盘用专业软件测得的读取速度在60-120MB/s。但这个数值没多大用处，正常使用中是达不到这个速度的。
好比用U盘向电脑传输一部电影，若电脑USB接口是2.0的，U盘也是2.0的，那么速度也就是10MB/S。若U盘是3.0的，那么速度可达到25MB/S，当电脑和U盘接口都是3.0的，那么速度更快，可到达45MB/S以上。以上数值本人亲测。至于固态硬盘，就一句话，那是相当快。一般都在200MB/S以上。所以说硬盘读取速度只能当参考。接口、文件类型等因素都会影响硬盘速度。
再说内存，平时所说的内存速度是指它的的存取速度，一般用存储器存取时间和存储周期来表示。存储器存取时间（memory access time）又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。存储周期（memory cycle time)指连续启动两次独立的存储器操作（例如连续两次读操作）所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存取时间，其差别与主存器的物理实现细节有关。
内存的速度一般用存取时间衡量，即每次与CPU间数据处理耗费的时间，以纳秒(ns)为单位。目前大多数SDRAM内存芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。可以这么说，内存主频越高，内存的速度越快。
‘捌’ 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期
存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。
以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。
存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间
内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。
(8)多体并行存储器读取时间扩展阅读
存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。
其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。
字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。
‘玖’ 多体交叉存储器
地址顺序存放（一个体存满后，再存入下一个体），故又有顺序存储之称。高位地址可表示体号，低位地址为体内地址。
高位地址：又称片选地址
串行工作：并没有提高访问速度，一个一个访问，读m个字仍需 m个周期时间
设存储周期为 T ，总线传送周期为 t ，交叉模数为m。
1、一个4体并行低位交叉存储器，每个模块的容量是64K×32位，存取周期为200ns，在以下说法中，（ ）是正确的。
A. 在200ns内，存储器能向CPU提供256位二进制信息
B. 在200ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息
C. 在50ns内，每个模块能向CPU提供32位二进制信息
D. 都不对
解：对CPU来说，它可以在一个存取周期内连续访问4个模块，32位×4=128位。本题答案为B
2、采用4体并行低位交叉存储器，每个模块的容量是32K×16位，存取周期为400ns，在以下说法中， 是正确的。
A. 在0.1µs内，存储器能向CPU提供 2 6 位二进制信息
B. 在0.1µs内，存储器能向CPU提供 1 6 位二进制信息
C. 在0.4µs内，存储器能向CPU提供 2 6 位二进制信息
D. 都不对
解：400ns=0.4µs，16位×4=64位= 2 6 位。本题答案为C
3、多体并行方式有两种，其中高位交叉编址的多体存储器中，程序 ① 存放，而低位交叉编址的多体存储器中，程序 ② 。
解：本题答案为：① 按体内地址顺序 ② 连续存放在相邻体中。
采用多体交叉存储器时，主要由地址的低位部分来选择各个存储体。
采用多体交叉存储器时，当连续访问的存储单元位于不同的存储体时可获得较高的存取速度。
有M个存储体的低位交叉编址的多体存储器是采用模M编址方式
4、为了通过交叉访问提高存储系的访问速率，必须满足
5、一个4体低位交叉的存储器，假设存取周期为T，CPU每隔1/4存取周期启动一个存储体，试问依次访问64个字需多少个存取周期？
答：
本题中，只有访问第一个字需一个存取周期，从第二个字开始，每隔1/4存取周期即可访问一个字，因此，依次访问64个字需：
存取周期个数 =(64-1)×(1/4)T+T =（63/4+1）T =15.75+1 =16.75T