Ⅰ 存储器读写的工作周期是指什么
读写周期:两次存储器读/写操作的最短时间间隔
存储周期:稍大于读写周期,(在读写周期的基础上加上必要的其他操作)
读周期或写周期:读写周期具体到或读或写
Ⅱ 计算机如何对存储器进行读写操作
计算机先把存储器地址写到地址总线上,在把数据放到数据总线上,这样就可以把数据写到正确的存储单元。
计算机先把存储器地址写到地址总线上,存储器在把数据放到数据总线上,这样计算机就可以从数据总线上读取数据了。
Ⅲ 计算机的有关存储器读写速度的排序
Cache、内存、光盘、硬盘。
首先,CACHE是CPU的缓存,和CPU速度一致,用于平衡CPU和内存的速度差,是速度最快的;其次是RAM。因为内存储存的是电脑的缓存,需要快速调用,速度必须快。比如ddr3 1333mhz内存的速度约是10.664GB/s.
ROM和硬盘是一个东西。u盘和硬盘也是同一类东西。而且速度也不好比。例如,硬盘分为机械硬盘和固态硬盘,固态硬盘比机械硬盘快很多。
(3)存储器读写扩展阅读:
数据存储器用于存放可随时修改的数据。数据存储器扩展使用随机存储器芯片,随机存储器简称RAM。对RAM可以进行读/写两种操作,但RAM是易失性存储器,断电后所存信息消失。
按其工作方式,RAM又分为静态和动态两种。静态RAM只要电源加电信息就能保存;而动态RAM使用的是动态存储单元,需要不断进行刷新以便周期性的再生才能保存信息。
Ⅳ 存储器的读写
RAM、硬盘、光盘、储蓄器
Ⅳ 存储器的读写过程是什么样的
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5.1 存储器系统基本知识
作者: 时间: 2008-04-10 来源:
5.1.1存储器的分类
按照存储介质不同,可以将存储器分为半导体存储器、磁存储器、激光存储器。
这里我们只讨论构成内存的半导体存储器。
按照存储器的存取功能不同,半导体存储器可分为只读存储器(Read Only Memory简称ROM)和随机存储器(Random Access Memory简称RAM)
1.只读存储器(ROM)
ROM的特点是把信息写入存储器以后,能长期保存,不会因电源断电而丢失信息。计算机在运行过程中,只能读出只读存储器中的信息,不能再写入信息。一般地,只读存储器用来存放固定的程序和数据,如微机的监控程序、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方式的不同,ROM共分为以下5种:
(1)掩模工艺ROM
这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息,设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制出成品之后,其存贮的信息即可读出使用,但不能改变。这种ROM常用于批量生产,生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存贮。
(2)可一次性编程ROM(PROM)
为了使用户能够根据自己的需要来写ROM,厂家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。一旦编程之后,信息就永久性地固定下来。用户可以读出和使用,但再也无法改变其内容。
(3)紫外线擦除可改写ROM(EPROM)
可改写ROM芯片的内容也由用户写入,但允许反复擦除重新写入。EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口,通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分,所以程序写好后要用不透明的标签封窗口,以避免因阳光照射而破坏程序。EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品,按存储容量不同有多种型号,例如2716(2KB′8)、2732(4KB′8)、2764(8KB′8)、27128(16KB′8)、27256(32KB′8)等,型号名称后的数字表示其存储容量。
(4)电擦除可改写ROM(EEPROM或E2PROM)
这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM芯片,它可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入,且读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别,所不同的只是写入速度慢一些。但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦写ROM(flash ROM)
E2PROM虽然具有既可读又可写的特点,但写入的速度较慢,使用起来不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种只读存储器,读写速度都很快,存取时间可达70ns,存储容量可达16MB~128MB。这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。
2.随机存储器RAM(也叫读写存储器)
读写存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。
(1) 双极型RAM
双极型RAM的主要特点是存取时间短,通常为几到几十纳秒(ns)。与下面提到的MOS型RAM相比,其集成度低、功耗大,而且价格也较高。因此,双极型RAM主要用于要求存取时间短的微型计算机中。
(2) 金属氧化物(MOS)RAM
用MOS器件构成的RAM又分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)。
j静态RAM(SRAM)
静态RAM的基本存储单元是MOS双稳态触发器。一个触发器可以存储一个二进制信息。静态RAM的主要特点是,其存取时间为几十到几百纳秒(ns),集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容量为几KB到几十KB。SRAM的功耗比双极型RAM低,价格也比较便宜。
k动态RAM(DRAM)
动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度特别高。其功耗比SRAM低,价格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特别注意的是,它是靠芯片内部的电容来存贮信息的。由于存贮在电容上的信息总是要泄漏的,所以,每隔2ms到4ms,DRAM要求对其存贮的信息刷新一次。
l集成RAM(i RAM)
集成RAM――Integrated RAM,缩写为i RAM,这是一种带刷新逻辑电路的DRAM。由于它自带刷新逻辑,因而简化与微处理器的连接电路,使用它和使用SRAM一样方便。
m非易失性RAM(NVRAM)
非易失性RAM――Non-Volatile RAM,缩写为NVRAM,其存储体由SRAM和EEPROM两部分组合而成。正常读写时,SRAM工作;当要保存信息时(如电源掉电),控制电路将SRAM的内容复制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能够恢复到SRAM中。
NVRAM既能随机存取,又具有非易失性,适合用于需要掉电保护的场合。
5.1.2存储器的主要性能指标
1.存贮容量
不同的存储器芯片,其容量不一样。通常用某一芯片有多少个存贮单元,每个存贮单元存贮若干位来表示。例如,静态RAM6264的容量为8KB′8bit,即它有8K个单元(1K=1024),每个单元存贮8位(一个字节)数据。
2.存取时间
存取时间即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。在计算机工作时,CPU在读写RAM时,它所提供的读写时间必须比RAM芯片所需要的存取时间长。如果不能满足这一点,微型机则无法正常工作。
3.可靠性
微型计算机要正确地运行,必然要求存储器系统具有很高的可靠性。内存的任何错误就足以使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)大概是(5′106∽1′108)小时左右。
4.功耗
使用功耗低的存储器芯片构成存储器系统,不仅可以减少对电源容量的要求,而且还可以提高存贮系统的可靠性。
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Ⅵ 计算机的存储器读写速度比较
首先,CACHE是CPU的缓存,和CPU速度一致,用于平衡CPU和内存的速度差,是速度最快的
其次是RAM。因为内存储存的是电脑的缓存,需要快速调用,速度必须快。比如ddr3 1333mhz内存的速度约是10.664GB/s.
然后首先,我先说一点,ROM和硬盘是一个东西。u盘和硬盘也是同一类东西。而且速度也不好比。例如,硬盘分为机械硬盘和固态硬盘,固态硬盘比机械硬盘快很多。
同时,u盘的传输速度除了和u盘自身有关外,还和传输接口有关,比如,usb3.1>usb3.0>usb2.0。
那么我就把这两个东西统一看为硬盘。目前世界上最快的消费级硬盘速度是威刚推出SSD,速度达3.2gb/s,自然卖的很贵。
u盘虽然自身速度跟硬盘没啥区别,但是收到系统、接口之类的限制,u盘还是比硬盘要慢一点。
至于软盘,你懂的。这玩意可以当纪念品了,速度慢地像蜗牛,内存小到装不下现在的一个软件。。。
综合来说,速度应该是:CACHE>RAM>ROM或硬盘>u盘>软盘
Ⅶ 下列有关存储器读写速度的排列,正确的是:
选择B 存储器读写速度的排列顺序:Cache>RAM>硬盘>软盘。
Ⅷ 存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为( )。A. 存取时间B. 存取周期C. CPU周期D. 机器周期
存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为存取时间。
存储器存取时间又称存储器访问时间,是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。主存储器得主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。
存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间(或读写时间),而连续启动两次独立的“读”或“写”操作(如连续的两次“读”操作)所需的最短时间,称为存取周期。
(8)存储器读写扩展阅读:
存储器的主要功能是存储程序和各种数据,并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取,有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器和辅助存储器,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。
主存储器的主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。
Ⅸ 几种存储器读写速度关系
存储器大体分为两种:只读存储器ROM和随机存储器RAM。ROM用得比较多的是NANDFLASH和NOR FLASH,写入速度NAND比NOR快,读取速度NOR比NAND快。随机存储器分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM),速度是SRAM>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.