Ⅰ 移动存储介质的发展趋势
趋势一：各种信息安全技术走向融合
在企业数据安全管理领域，一个最重要的趋势就是与各种安全技术的集成以及与各种安全产品的整合。移动存储介质的保密管理已经远远超越了设备单点安全的范畴，移动存储介质泄密防护作为企业信息失泄密防护的重要环节，需要结合企业现有组织结构，并能与现有的企业安全产品相整合，特别是与信息防护和控制系统(IPC)的整合，成为全面信息安全解决方案中的一部分。
一些厂家认识到基于软、硬件的保密防护的必要性、优点和不足，将单点设备安全和移动存储介质管理系统结合起来，并推出了软硬件结合的产品，这类产品的出现是技术融合的产物，它综合了以上两类产品的优点，实现了移动存储介质的数据安全、介质访问控制，介质使用环境安全、数据摆渡安全等多层次保护，对移动存储介质进行全生命周期管理。这类产品是迄今为止最全面的移动存储介质保密管理方案。
趋势二：基于安全芯片的验证和加密被越来越多的产品所采用
随着安全移动存储设备应用环境的复杂化，简单地依靠桌面操作系统的单向认证方式，无法抵挡假冒身份，数据拦截等恶意的窃密手段。基于安全芯片的身份认证方式，将大大提高移动存储设备数据访问的安全性。在安全移动存储设备芯片中运行独立的COS操作系统，通过USBKEY等安全通道进行身份认证，并由COS完成数据的动态加密。这种认证和保密技术是SIM卡、网上银行等应用认证技术的拓展。
趋势三：介质的分级保护成为产品的必要功能
国家保密部门在保密制度上做出了明确规定，对信息系统提出了分密级保护的要求，并规定不同密级实体之间的访问规则，比如高密级移动存储介质不能在低密级计算机上使用，高密级电子文件不能存储在低密级存储设备上。为满足保密部门这些要求，密级标识和基于主客体密级标识的访问控制成为移动存储介质保密管理的必备功能。
趋势四：安全数据摆渡成为热门技术
传统的数据摆渡威胁来自于移动存储介质在内外网之间的交叉使用。近几年，病毒(木马)通过移动存储介质摆渡来窃取用户文件，逐渐成为信息安全的焦点问题，如何有效地鉴别用户和病毒(木马)行为，通过有效的手段来保证移动存储介质在内外部网络之间进行数据摆渡的安全，成为移动存储介质保密管理越来越重要的课题。
趋势五：审计跟踪趋向多维度、立体化
移动存储介质的便携性决定它需要把传统的终端数据审核功能拓展到受控的环境之外，系统审计跟踪需要从简单一维空间发展到多维空间，实现基于身份、时间，地点、设备、不同安全模式等多维跟踪。人员操作审计，终端操作审计、设备使用审计，文件跟踪审计等构成了立体化的审计跟踪体系。
易产生的安全隐患
隐患1：使用人员安全意识不高，将带有与工作有关的资料、单位机密文件的移动存储介质随意外借或者麻痹大意而丢失，被他人将移动存储介质中的资料悉数窃取。
隐患2：移动存储介质在内外网之间直接交互使用，在接入互联网等网络时，容易被黑客利用高科技手段获取有用的个人或者公司信息，从而导致一些重要数据或信息的泄密，造成不必要的个人或者集体损失。
隐患3：由于移动介质的不规范使用，使其作为媒介将病毒从外网带入内网成为了可能，如银行内部发生了计算机病毒攻击内网导致网络瘫痪、系统崩溃和数据丢失。
隐患4：由于移动介质的方便性，常常随身携带，造成移动介质震动或跌落使其受损，从而造成数据和信息的丢失。
隐患5：目前市场假货很多，大多数都是扩容产品，实际容量与标识有很大的出入，往往使存储的资料丢失，所以，在购买时，一定要买正品。
Ⅱ 信息存储技术的背景 应用 发展以及趋势
信息存储技术作为信息技术的核心之一,一直伴随着、同时推动着IT业各方面技术的协同发展,是当今IT领域中少数发展最为迅速的热点之一。纸的发明记载了人类的历史和文明,现代信息存储技术则大大超越了纸张记录的含义。21世纪是数字化和多媒体化的信息时代,现代信息社会和经济的发展,所产生的信息量每年以指数方式上升,出现了信息爆炸的态势。据UC Berkley 2001年公布的数据显示,未来3年内所产生的数据将超过过去4万年中产生数据的总和,而且93%的新生成的信息为数字形式。当上世纪50年代计算机技术初现时,存储容量还只是以千位字节计…http://www.cnki.com.cn/Article/CJFD2006-CXJL200605012.htm
Ⅲ 纯国产芯片的翻身之作，平价轻奢的光威M.2 固态硬盘
都说存储领域，国内的生产厂商一直受制于人，自主可控技术都掌握在国外厂家手中，直到2018年的时候，中国存储行业完成了研发生产的大变化，国产主控和国产闪存才开始浮出水面，使得真正意义上的国产SSD成为可能，也拉开了SSD纯国产化的序幕。直到2020年，随着国产化的潮流趋势和国内自主研发技术的成熟，国内首款真正意义上的100%纯国产 “中国芯”光威弈Pro M.2 固态硬盘正式上市，填补了国产SSD技术上的最后一块空白。
在整个集成电路中，占比最大的是存储芯片，它广泛应用于内存、消费电子、智能终端和固态存储硬盘等领域，如果没有芯片的存在，个人电脑、智能手机、数码消费产品、通信基站、光通信等设备都无法正常运转，而且随着人工智能、大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全相互挂钩。中国作为最大的集成电路消费国，国内企业的市场占有率却很低，基本需要依靠进口才能满足供需平衡，最主要的DRAM、NAND存储芯片也基本被美日韩企业垄断，因为资金和技术上的缺陷，国内的芯片制造企业一直受到压制。
作为一个数码发烧友，早期最先使用的硬盘、U盘、内存条等存储硬件，也都是三星、美光、东芝等海外存储品牌，放眼望去，伪国产存储品牌的口碑并不是很理想，往往都是国外品牌占据了市场主导作用，价格也一度水涨船高，个人迫于需求问题也只能被动接受。可以说今时不同往日，目前主流的固态硬盘SSD的核心主控芯片、闪存芯片和固件算法，国内企业都已经具备了全部国产化的能力，可以实现大规模量产，能够完全摆脱国外技术壁垒，做到整条产品供应链的全部国产化。
个人在这几年也一直在关注着国产存储的发展情况，据悉国内SSD的研发投入一直在增加，生产技术上不断在攻克，近两年市面上的国产SSD也开始出现在存储市场中，与国外品牌形成对立局面，在一定程度上，国外品牌为了打压国内存储品牌，降低了长期保持的高价格，当然，国产存储品牌的高性价比还是给数码爱好者提供了更多的选择。
作为国产品牌，Gloway/光威在外包装上加入了中国元素，以中国红的色彩加上龙图腾的设计语言为主要视觉，给人有一种盛气凌人的霸气，再仔细看，外包装盒还有从古至今不同字体的“弈”子，可以说是满满的中国气息。接着我们将视角转到这条M.2固态硬盘，正面贴上了和外包装一样的视觉设计，整体看似小巧，上手之后还有些许分量感，细小的元器件之间相互连接，国产的精湛工艺肉眼可见。为了方便用户的对电脑硬盘的拆装，光威弈Pro M.2固态硬盘也单独为用户配备了一把小螺丝刀，收到之后就可以直接组装。不用想着去找什么工具了。收到之后就可以直接上手。
我选择的是光威弈Pro固态硬盘 1TB容量，接口的类型为M.2，选择的它的理由无非就两个，一个是体积小巧，轻盈便携，我可以装在外接的硬盘盒中，随时随地都能使用，同时M.2接口的固态硬盘实际的体验中，有更高的传输性能，传输速度会比STAT接口高出很多，1TB 的容量可以让我不用过度担心日常的存储问题，毕竟在这个亲民的售价上，肯定是要好好享受，平时使用中也能有更好的体验效果，特别是应对大容量的图片和视频，加上一系列的Adobe制作软件，才能够更加流畅的运行，提高工作效率。
光威弈Pro M.2固态硬盘在硬件上全国产化之后，基础配置信息上都能看到Gloway/光威的诚意，在性能上ASSSD总分可达5000分，硬盘接口使用的是比较常见的2280规格，M.2(M KEY)接口，支持PCIe 3.0X4和NVMe1.3协议，在持续读写性能上比PCIe 3.0X2高出一半，随机读取性能相对更好，积更小同时性能更强的支持NVME协议的M.2接口的SSD符合当今的主流，内存方面采用的是长江存储基于Xtacking架构的64层 3D NAND，相比传统3D NAND闪存架构，Xtacking可带来更快的I/O传输速度、更高的存储密度，能够显着提升产品性能，缓存方面采用的是国内的长鑫厂商，是国内规模最大、技术最先进的DRAM设计制造一体化企业。
重点说到“ 中国芯 ”，光威弈Pro M.2固态硬盘采用了自主主控忆芯STAR1000P，主控采用新思DesignWare ARC HS38处理多核结构，利用ARC可扩展架构与自定义指令集，提高硬件调度效率：走PCIe 3.0X4通道，支持NVMe 1.3规范，可支持8个内存通道、最大挂载32TB内存容量，兼容市面主流的3D TLC/MLC；理论顺序读写可达3.5GB/s和3.2GB/s，随机读写600K IOPS；同时，有着极佳的低功耗表现，号称在全性能模式下仅2W左右；高级特性上，引入了第三代4K LDPC纠错码技术，除支持国际AES加密标准以外，也全面支持中国商密（SM2/3/4）安全方案，可以说“中国芯”在性能表现和功耗上都标出了令人满意的内容。
M.2固态硬盘仔细虽然小巧轻便，传输速度快，还是其读写寿命还是相当关键的。查过资料后得知，目前固态硬盘的闪存颗粒有 SLC / MLC / TLC /QLC 之分， MLC 由于价格贵，产能少，供货周期不稳定主要还是用于军工行业， 在消费级市场是见不到的，而MLC与 TLC其实相差不大，随着工艺的进步，制程越来越小的情况下，MLC已经被TLC赶超风头了，体质较好的 TLC 颗粒已经可以干掉部分 MLC 了。光威弈Pro M.2固态硬盘选择TLC闪存颗粒，相比来说足够日常的使用，它的稳定和寿命都相对比较突出。
作为一款纯国产的光威弈Pro M.2固态硬盘，算是国内存储市场的一个新星出道，从性价比方面自然是不亚于当前的国外品牌，但既然是“新星”，究竟纯国产化 “中国芯”光威弈Pro M.2固态硬盘在存储量、读写速度、稳定性、温度等方面的实际使用中是否品质过关，它的综合表现又如何？光说不测假把式，想要知道光威弈Pro M.2固态硬盘的性能如何，还是要以实际的软件测试作为参考。
CrystalDiskMark 简称 CDM，是一款比较流行的硬盘性能测试工具，它的体积很小巧，而且界面简单易于操作，读写速度测试倾向于非压缩算法，因此它的持续读写速度更具有性能鉴别意义，借此可以比较硬盘性能的优劣。在CrystalDiskMark 1G文件传输测试中，默认为非压缩数据测试，得出光威弈Pro M.2固态硬盘的读取和写入分别为3042MB/S和1483MB/S，出现了读写差距较大的问题，由于是第一个软件测试，出来的结果似乎有点不正常，于是我继续用第二款软件进行读写测试论证。
AS SSD Benchmark是一款专门用于测试 SSD 固态硬盘性能的工具，可以准确测出固态硬盘持续读写的性能，还能非常清楚的查看我们固态硬盘的4K是否已经对齐，它的成绩显示可以分为两种，一种是MB/秒的形式，另一种是IOPS形式，本次测试主要使用这款软件的4k随机读写功能，测试4K-64K多任务随机读写速度，4KB随机读取访问IOPS是SSD根本性能的直接表征。光威弈Pro M.2固态硬盘的读取和写入分别为2989.72MB/S和2576.35MB/S，4K随机的读取和写入分别为2009.16MB/S和1984.31MB/S，显示4K已对齐，通过数据体现出持续读写速度略低于官方数据值，而4K随机读写速度反而远超官方数据值，检测软件可能也会有些许误差，但整体而言，光威弈Pro M.2固态硬盘的读取和写入性能表现方面还是可以的。
CrystalDiskInfo 简称 CDI，它主要的功能不是用于测试性能，作为一款实用的硬盘 健康 诊断工具，可以直观地检查硬盘的 健康 状态、温度以及更多一些相关的资料。它除了支持一般的机械硬盘之外，也支持 SSD 固态硬盘甚至部分移动硬盘。通过这个软件可以明显的看到光威弈Pro M.2固态硬盘接口类型为NVM Express，传输模式为PCIe 3.0X4，支持NVM Express 1.3协议，同时也支持S.M.A.R.T.，可以通过硬盘上的监测指令和主机上的监测软件对磁头、盘片、马达、电路的运行情况、 历史 记录及预设的安全值进行分析、比较。当出现安全值范围以外的情况时，就会自动向用户发出警告，对于不少用户，特别是商业用户而言，是非常有必要存在的一个功能，可以通过常用的系统工具(如AIDA32)来查看，并通过这些参数了解硬盘的" 健康 "状况。
在实际的长时间使用中，SSD会出现发热问题，大多数的SSD为了控制温度，往往会通过控制速度，牺牲性能来达到控温的目的。温控的好坏，直接会决定这款SSD是否适合入手。光威弈Pro M.2固态硬盘采用石墨散热贴，能够有一定的降温效果，保证持久的高性能传输。
以前的国产芯片确实是不尽人意，让很多国内用户失去了信心，但我想说的是，一开始总要出现瑕疵这也是正常的，即使是现在的知名海外芯片品牌，也是一步一个脚部把产品做好，刚开始也同样是会经历骂声。现在的国产储存品牌正在经历的漫长路程，更是需要我们去理解和支持。不管是基于情怀也好，还是国产芯的综合表现，我依旧是选择光威弈Pro M.2 固态硬盘，目前来说，纯国产的存储品牌已经日渐完善，整体的传输稳定性和知名品牌实际差距并不大。国产化存储的出现，也让我们不用担心所谓的存储大厂着火，芯片涨价的问题，在以光威为开头领衔之作 的M.2固态硬盘来说，也算是为“国产芯”开了一个好头，让每个人都是享受到平价轻奢的固态硬盘。在这里也想告诉大家，并不是任何东西越贵越好，合适自己的才是最好的。
Ⅳ 颗粒层的作用是什么
颗粒层 （stratum granulosum）位于棘细胞层的浅层，由2—3层细念稿胞组成。其厚度随角化层的厚薄而变化。在角化层薄的部位常无颗粒层。本层细胞排列与皮肤表面相平行，细胞呈梭启高滑形， 细胞核椭圆形，位于中央，染色较浅，是开始退化的表现。细胞质周边密布着张力原纤维束，膜被颗粒增多，其内含有 磷脂类、粘多糖等悄腊。随着颗粒层细胞不断向浅层推移角化的过程。
颗粒层：被誉为皮肤过敏的遮阳伞。有折射和过滤分解紫外线的作用。长斑都是因为颗粒层受损：一般受损30%，色斑浅，受损90%色斑就很深。
可以提高颗粒层免疫力的产品就是精华，精华素，精华露，所有跟颗粒层里晶样角质素成分一样的，所以精华是必不可缺的，甚至越早用越好。
Ⅳ 推进半导体技术发展的五大趋势
过去几十年，全球半导体行业增长主要受台式机、笔记本电脑和无线通信产品等尖端电子设备的需求，以及基于云计算兴起的推动。这些增长将继续为高性能计算市场领域开发新应用程序。
首先，5G将让数据量呈指数级增长。我们需要越来越多的服务器来处理和存储这些数据。2020年Yole报告，这些服务器核心的高端CPU和GPU的复合年增长率有望达到29%。它们将支持大量的数据中心应用，比如超级计算和高性能计算服务。在云 游戏 和人工智能等新兴应用的推动下，GPU预计将实现更快增长。例如，2020年3月，互联网流量增长了近50%，法兰克福的商业互联网数据交换创下了数据吞吐量超过每秒9.1兆兆位的新世界纪录。
第二个主要驱动因素是移动SoC——智能手机芯片。这个细分市场增长虽然没有那么快, 但这些SoC在尺寸受限的芯片领域对更多功能的需求，将推动进一步技术创新。
除了逻辑、内存和3D互联的传统维度扩展之外，这些新兴应用程序将需要利用跨领域的创新。这需要在器件、块和SoC级别进行新模块、新材料和架构的改变，以实现在系统级别的效益。我们将这些创新归纳为半导体技术的五大发展趋势。
趋势一:摩尔定律还有用，将为半导体技术续命8到10年…
在接下来的8到10年里，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV模式和引入新器件架构来实现逻辑标准单元缩放。
在7nm技术节点上引入了极紫外(EUV)光刻，可在单个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行了设计。在5nm技术节点之外(即关键线后端(BEOL)金属节距低于28-30nm时)，多模式EUV光刻将不可避免地增加了晶圆成本。最终，我们希望高数值孔径(High-NA) EUV光刻技术能够用于行业1nm节点的最关键层上。这种技术将推动这些层中的一些多图案化回到单图案化，从而提供成本、产量和周期时间的优势。
Imec对随机缺陷的研究对EUV光刻技术的发展具有重要意义。随机打印故障是指随机的、非重复的、孤立的缺陷，如微桥、局部断线、触点丢失或合并。改善随机缺陷可使用低剂量照射，从而提高吞吐量和成本。
为了加速高NA EUV的引入，我们正在安装Attolab，它可以在高NA EUV工具面世之前测试一些关键的高NA EUV材料(如掩膜吸收层和电阻)。目前Attolab已经成功地完成了第一阶段安装，预计在未来几个月将出现高NA EUV曝光。
除了EUV光刻技术的进步之外，如果没有前沿线端(FEOL)设备架构的创新，摩尔定律就无法延续。如今，FinFET是主流晶体管架构，最先进的节点在6T标准单元中有2个鳍。然而，将鳍片长度缩小到5T标准单元会导致鳍片数量减少，标准单元中每个设备只有一个鳍片，导致设备的单位面积性能急剧下降。这里，垂直堆叠纳米薄片晶体管被认为是下一代设备，可以更有效地利用设备占用空间。另一个关键的除垢助推器是埋地动力轨(BPR)。埋在芯片的FEOL而不是BEOL，这些BPR将释放互连资源路由。
将纳米片缩放到2nm一代将受到n-to-p空间约束的限制。Imec设想将Forksheet作为下一代设备。通过用电介质墙定义n- p空间，轨道高度可以进一步缩放。与传统的HVH设计相反，另一个有助于提高路由效率的标准单元架构发展是针对金属线路的垂直-水平-垂直(VHV)设计。最终通过互补场效应晶体管(CFET)将标准cell缩小到4T，之后充分利用cell层面上的第三维度，互补场效应晶体管通过将n-场效应晶体管与p-场效应晶体管折叠。
趋势2: 在固定功率下，逻辑性能的提高会慢下来
有了上述的创新，我们期望晶体管密度能遵循摩尔所规划的路径。但是在固定电源下，节点到节点的性能改进——被称Dennard缩放比例定律，Dennard缩放比例定律（Dennard scaling）表明，随着晶体管变得越来越小，它们的功率密度保持不变，因此功率的使用与面积成比例；电压和电流的规模与长度成比例。
世界各地的研究人员都在寻找方法来弥补这种减速，并进一步提高芯片性能。上述埋地电力轨道预计将提供一个性能提高在系统水平由于改进的电力分配。此外，imec还着眼于在纳米片和叉片装置中加入应力，以及提高中线的接触电阻(MOL)。
二维材料如二硫化钨(WS2)在通道中有望提高性能，因为它们比Si或SiGe具有更强的栅长伸缩能力。其中基于2d的设备架构包括多个堆叠的薄片非常有前景，每个薄片被一个栅极堆叠包围并从侧面接触。模拟表明，这些器件在1nm节点或更大节点上比纳米片的性能更好。为了进一步改善这些器件的驱动电流，我们着重改善通道生长质量，在这些新材料中加入掺杂剂和提高接触电阻。我们试图通过将物理特性(如生长质量)与电气特性相关联来加快这些设备的学习周期。
除了FEOL, 走线拥挤和BEOL RC延迟，这些已经成为性能改善的重要瓶颈。为了提高通径电阻，我们正在研究使用Ru或Mo的混合金属化。我们预计半镶嵌(semi-damascene)金属化模块可同时改善紧密距金属层的电阻和电容。半镶嵌(semi-damascene) 可通过直接模式和使用气隙作为介电在线路之间(控制电容增加)
允许我们增加宽高比的金属线(以降低电阻)。同时，我们筛选了各种替代导体，如二元合金，它作为‘good old’ Cu的替代品，以进一步降低线路电阻。
趋势3:3D技术使更多的异构集成成为可能
在工业领域，通过利用2.5D或3D连接的异构集成来构建系统。这些有助于解决内存问题，可在受形状因素限制的系统中添加功能，或提高大型芯片系统的产量。随着逻辑PPAC(性能-区域-成本)的放缓，SoC 的智能功能分区可以提供另一个缩放旋钮。一个典型的例子是高带宽内存栈(HBM)，它由堆叠的DRAM芯片组成，这些芯片通过短的interposer链路直接连接到处理器芯片，例如GPU或CPU。最典型的案例是Intel Lakefield CPU上的模对模堆叠， AMD 7nm Epyc CPU。在未来，我们希望看到更多这样的异构SOC，它是提高芯片性能的最佳桥梁。
在imec，我们通过利用我们在不同领域(如逻辑、内存、3D…)所进行的创新，在SoC级别带来了一些好处。为了将技术与系统级别性能联系起来，我们建立了一个名为S-EAT的框架(用于实现高级技术的系统基准测试)。这个框架可评估特定技术对系统级性能的影响。例如:我们能从缓存层次结构较低级别的片上内存的3D分区中获益吗?如果SRAM被磁存储器(MRAM)取代，在系统级会发生什么?
为了能够在缓存层次结构的这些更深层次上进行分区，我们需要一种高密度的晶片到晶片的堆叠技术。我们已经开发了700nm间距的晶圆-晶圆混合键合，相信在不久的将来，键合技术的进步将使500nm间距的键合成为可能。
通过3D集成技术实现异质集成。我们已经开发了一种基于sn的微突起互连方法，互连间距降低到7µm。这种高密度连接充分利用了透硅通孔技术的潜力，使>16x更高的三维互联密度在模具之间或模具与硅插接器之间成为可能。这样就大大降低了对HBM I/O接口的SoC区域需求(从6 mm2降至1 mm2)，并可能将HBM内存栈的互连长度缩短至多1 mm。使用混合铜键合也可以将模具直接与硅结合。我们正在开发3µm间距的模具到晶圆的混合键合，它具有高公差和放置精度。
由于SoC变得越来越异质化，一个芯片上的不同功能(逻辑、内存、I/O接口、模拟…)不需要来自单一的CMOS技术。对不同的子系统采用不同的工艺技术来优化设计成本和产量可能更有利。这种演变也可以满足更多芯片的多样化和定制化需求。
趋势4:NAND和DRAM被推到极限;非易失性存储器正在兴起
内存芯片市场预测显示，2020年内存将与2019年持平——这一变化可能部分与COVID-19减缓有关。2021年后，这个市场有望再次开始增长。新兴非易失性存储器市场预计将以>50%的复合年增长率增长，主要受嵌入式磁随机存取存储器(MRAM)和独立相变存储器(PCM)的需求推动。
NAND存储将继续递增，在未来几年内可能不会出现颠覆性架构变化。当今最先进的NAND产品具有128层存储能力。由于晶片之间的结合，可能会产生更多的层，从而使3D扩展继续下去。Imec通过开发像钌这样的低电阻字线金属，研究备用存储介质堆，提高通道电流，并确定控制压力的方法来实现这一路线图。我们还专注于用更先进的FinFET器件取代NAND外围的平面逻辑晶体管。我们正在 探索 3D FeFET与新型纤锌矿材料，作为3D NAND替代高端存储应用。作为传统3D NAND的替代品，我们正在评估新型存储器的可行性。
对于DRAM，单元缩放速度减慢，EUV光刻可能需要改进图案。三星最近宣布EUV DRAM产品将用于10nm (1a)级。除了 探索 EUV光刻用于关键DRAM结构的模式，imec还为真正的3D DRAM解决方案提供了构建模块。
在嵌入式内存领域，我通过大量的努力来理解并最终拆除所谓的内存墙，CPU从DRAM或基于SRAM的缓存中访问数据的速度有多快?如何确保多个CPU核心访问共享缓存时的缓存一致性?限制速度的瓶颈是什么? 我们正在研究各种各样的磁随机存取存储器(MRAM)，包括自旋转移转矩(STT)-MRAM，自旋轨道转矩(SOT)-MRAM和电压控制磁各向异性(VCMA)-MRAM)，以潜在地取代一些传统的基于SRAM的L1、L2和L3缓存(图4)。每一种MRAM存储器都有其自身的优点和挑战，并可能通过提高速度、功耗和/或内存密度来帮助我们克服内存瓶颈。为了进一步提高密度，我们还在积极研究可与磁隧道结相结合的选择器，这些是MRAM的核心。
趋势5:边缘人工智能芯片行业崛起
边缘 AI预计在未来五年内将实现100%的增长。与基于云的人工智能不同，推理功能是嵌入在位于网络边缘的物联网端点(如手机和智能扬声器)上的。物联网设备与一个相对靠近边缘服务器进行无线通信。该服务器决定将哪些数据发送到云服务器(通常是时间敏感性较低的任务所需的数据，如重新培训)，以及在边缘服务器上处理哪些数据。
与基于云的AI(数据需要从端点到云服务器来回移动)相比，边缘 AI更容易解决隐私问题。它还提供了响应速度和减少云服务器工作负载的优点。想象一下，一辆需要基于人工智能做出决定的自动 汽车 。由于需要非常迅速地做出决策，系统不能等待数据传输到服务器并返回。考虑到通常由电池供电的物联网设备施加的功率限制，这些物联网设备中的推理引擎也需要非常节能。
今天，商业上可用的边缘 AI芯片，加上快速GPU或ASIC，可达到1-100 Tops/W运算效率。对于物联网的实现，将需要更高的效率。Imec的目标是证明推理效率在10.000个Tops /W。
通过研究模拟内存计算架构，我们正在开发一种不同的方法。这种方法打破了传统的冯·诺伊曼计算模式，基于从内存发送数据到CPU(或GPU)进行计算。使用模拟内存计算，节省了来回移动数据的大量能量。2019年，我们演示了基于SRAM的模拟内存计算单元(内置22nm FD-SOI技术)，实现了1000Tops/W的效率。为了进一步提高到10.000Tops/W，我们正在研究非易失性存储器，如SOT-MRAM, FeFET和基于IGZO（铟镓锌氧化物）的存储器。
Ⅵ SLC，MLC和TLC三者的区别
一、存储技术不同
1、SLC：单层单元存储技术。
2、MLC：多层单元存储技术。
3、TLC：三层单元存储技术。
二、特点不同
1、SLC：在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。
2、MLC：架构可以为每个单元存储2个Bit。
3、TLC：用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。
三、用处不同
1、SLC：对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。它的价格最高。
2、MLC：存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。
3、TLC：适合于包含大量读取操作的应用程序，基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用。
Ⅶ 简述储存设备的发展趋势
市场由国外企业垄断，国内厂商奋力追赶
存储芯片是一个高度垄断的市场，三星、SK海力士、美光，合计占据全球DRAM市场95%左右的份额，NAND
Flash经过几十年的发展，已经形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局。
从中国存储芯片行业竞争格局来看，市场主要由国外存储芯片巨头领导，细分领域也落后于国外及台湾厂商(如NOR
Flash的旺宏/华邦等)，但近年来国内厂商奋力追赶，已在部分领域实现突破，逐步缩小与国外原厂的差距。
其中，兆易创新位列NOR
Flash市场前三，聚辰股份在EEPROM芯片领域市占率全球第三，长江存储128层3DNAND存储芯片，直接跳过96层，加速赶超国外厂商先进技术。值得注意的是，兆易创新集团旗下还包含长鑫存储(CXMT)，意味着兆易创新集团同时握有中国NOR
Flash与DRAM的自主研发能力，扮演中国半导体发展的重要角色。
——更多数据来请参考前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》。
Ⅷ 皮肤生理学一一颗粒层
在前几篇的文章当中，有分享过皮肤生理学的由外向内分为几层，也分析了角质层的一些作用。本章内容将颗粒层进行分析
颗粒层是表皮层中的第三层。由3-5层扁平细胞组成，这宴蚂厅一层的表皮层包含的细胞看起来像颗粒，而且充满了角蛋白。
颗粒层可以综合酸性物质，其中兰格罕细胞能够分泌免疫物质，含有晶样角素，可以曲折阳光，阻挡阳光中的紫外线。晌隐同时颗粒层也有再生的作用。
当颗粒层的吸收、折射、反射、分散、过滤紫外线功能下降，紫外线直接激活黑色素母细胞，产生大量黑色素细胞，随着新细胞新陈代谢不断向上推移，色素沉积斑的产生。
之前在资料上查阅一组数据。当颗粒层细胞受损30%时，皮肤会出现暗哑无光；受损物冲50%时，皮肤会出现暗沉；受损70%时，皮肤会出现晦暗，色素堆积；受损90%时，皮肤会出现较深的色斑沉积；
通过此数据，更加清晰颗粒层受损的程度直接影响了健康的皮肤的一些特征。保护颗粒层，不再受外界刺激，也不在去破坏颗粒层。
不用刺激性护肤品
不乱用药膏擦脸
不经常去角质
要安全
要营养
注意护肤手法
Ⅸ 揭秘：为什么手机“存储容量”最大只有256GB
现在的智能手机存储容量越做越大，很早之前，手机能有个8GB、16GB都称得上顶配，随着科技的进步，软件的更新速度不断加快，手机功能越来越多，用户对存储容量的需求量也越来越高。特别是近几年，手机ROM更是到了疯狂的256GB(像iPhone
7
Plus、ZenFone
3尊爵、ZenFone
2
Deluxe)。虽然不确定未来会不会有更高的规格，但是很明显的是256GB会持续很长一段时间。为啥会这样呢？
一、智能手机为何最大ROM只有256GB？
成本受限
大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取决于存储介质(存储颗粒)，相同容量的情况下，SLC的价格要明显高于MLC和TLC，虽然容量的提升反映在成本的具体数字上可能仅为几百一千。但考虑到手机要大规模生产，聚沙成塔这成语相信大家都懂。
TLC=Trinary-Level
Cell，即3bit
per
cell，该类芯片传输速度较慢，寿命短，生产成本低。MLC=Multi-Level
Cell，即2bit
per
cell，该类芯片传输速度一般，寿命一般。至于SLC=Single-Level
Cell，即1bit
per
cell，这类芯片几乎只出现在企业级SSD上，成本较高，当然速度和寿命也是三者中最出色的。
存储颗粒的三种类型
颗粒规格的限制
比较出名的三星、镁光、现代、东芝这些上游存储颗粒供应厂商，其颗粒规格现时尚未突破256GB。由于手机不像电脑那样体积庞大，供应商们通常只能把一颗存储颗粒装在小小的手机内，因此手机容量就取决于这颗存储颗粒的规格。
iPhone
7
nand
flash芯片
手机内部空间限制
手机内部空间寸金尺土，目前还无法做到两颗存储颗粒共存，早期的解决方案是插入手机内存卡（TF卡），不过为了轻薄化与传输速度，很多手机都取消了拓展内存卡的功能。但庆幸的是如今手机内置容量都比较大，正常用个2~3年不成问题。
TF内存卡
手机更换周期缩短
现在的智能机更新换代速度非常快，一年一换甚至一年两换的大有人在。之前中央电视台的《东方时空》栏目曾经做过调查，结果表示“52%手机用户平均一年以内换一部手机”。因此对于消费者来说，够用就好，太大也用不完。而厂商更是紧贴着用户的需求进行设计/生产。
大环境下云存储的发展
随着科技进步，网速也越来越快，而现在的4G也逐渐取代了之前的3G，未来的5G也呼之欲出，网速的不断提升就衍生了一个新的名词——云存储。作为新兴的存储技术，与传统的购买存储设备和部署存储软件相比，云存储有着成本低、见效快、便于管理、方式灵活等优点，在保证数据安全的情况下，很多用户更愿意把数据存在云端，所以并不需要太多的本地存储空间。
云存储
二、未来发展新趋势:3D
NAND
什么是3D
NAND？
3D
NAND的概念其实不难理解：其原理简单说来就是“堆叠”，目前由英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这么一来，一个MLC的闪存芯片上就可以增加最高32GB的存储空间，如果是单个TLC闪存芯片则可增加48GB。就目前来说3D
NAND闪存属于一种新兴的闪存类型，通过把存储颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
3D
NAND
3D
NAND技术的优点
3D
NAND的亮点在于它采用的是立体、垂直堆叠的方式来提高单颗粒中包含芯片的数量，堆叠层数的提高最终会带来容量的成倍提升，极大的提高产品的使用寿命；3D
NAND可以提供更高的指令运行效率，使产品的运行性能得以提升；简化了编程阶段，有效减少了产品待机和工作时的能耗。
3D
NAND
目前，三星、SK
Hynix、东芝/闪迪、Intel/镁光这几大NAND豪门都已经涉足3D
NAND闪存了，而武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地，更是国内首家新建的12寸晶圆厂，投产后直接生产3D
NAND闪存，可以说未来3D
NAND就是突破移动设备ROM容量的必备技术。
总结：
科技在进步，我们永远无法预知未来，未来的手机又会发展成啥样呢？目前，小编还是建议大家购买64GB、128GB的手机更为合适，够用就好。考虑到用户需求的问题，相信之后很长一段时间也不会出超过256GB存储规格的手机。
Ⅹ 打破美日垄断芯片国产化再获新突破：128层闪存芯片进入量产
长期以来，全球的存储芯片市场份额基本集中在韩国、日本、美国等国家的芯片企业手中，我国在这方面虽然起步比较晚，但是进步速度快，我国存储芯片“三剑客”之一长江存储仅仅花了4年时间，就完成了32层3D NAND闪存芯片到128层3D NAND闪存芯片的研发。近日，我国在闪存芯片和固态硬盘领域传来好消息。
据媒体周四（7月29日）最新报道，国内存储产品代工企业“嘉合劲威”宣布， 该司旗下 品 牌阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD闪存颗粒 ，该硬盘 采用的是长江存储研发的128层3D TLC NAND， 主要的实行方案同样来自于中企英韧 科技 。
闪存芯片和SSD固态硬盘之间有什么样的联系呢？NAND闪存芯片被广泛采用到SSD固态硬盘、智能手机、平板电脑等电子设备中， 数据统计显示，2019年，SDD固态硬盘对NAND闪存芯片的需求占比达49.6%，此外，2021年，预计SSD固态硬盘全球的出货量高达3.3亿台。 随着SSD固态硬盘的市场规模越来大，也加速拉动了NAND闪存芯片的市场需求量。
值得一提的是，虽然，当前硬盘市场仍以PCIe 3.0 SSD为主流，但是技术进步是发展趋势，随着更多的高端产品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼声也越来越高，三星、西部数据等闪存芯片巨头都推出了PCIe 4.0 SSD固态硬盘。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出现不仅能够填补我国国产高端 PCle4.0 SSD固态硬盘领域的长期空白， 同时也象征着我国国产SSD固态硬盘成功迈进高端市场。
另外，有业内人士分析认为，阿斯加特此次发布的新品， 意味着长江存储研发的128层闪存芯片已经进入量产阶段。由此，该司正式进阶到100层以上的高端闪存芯片赛道，未来有望在闪存芯片市场上获得更多的市场份额。
此次，阿斯加特与长江存储的强强合作，又为我国高端技术突破增添了“功勋章”，成功把我国国产NAND闪存芯片和SSD固态硬盘推向高端市场。
文 | 张建琳 题 |曾云梓 图 | 卢文祥 审 | 吕佳敏