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长江存储dram负责人

发布时间: 2023-04-26 22:47:43

⑴ 长江存储召开市场合作伙伴年会 赵伟国称发展集成电路决心不变

中证网讯(记者 吴科任)1月16日,以“新十年,芯梦想,新格局”为主题,长江存储在北京召开市场合作伙伴年会。“2020年是存储器黄金十年新的开始。随着5G、AI、大数据、物联网、云计算等技术的发展,存储器市场需求将呈现指数级增长。”长江存储董事长、紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国说,“中国市场为集成电路发展提供了资本纵深、市场纵深和人才纵深;紫光、长存有实力、有能力,更有对发展中国存储器、集成电路产业不变的决心。”

持续扩大产能

市场研究机构Counterpoint研究总监James Yan认为:“4G与5G共存阶段带来的对更大存储和吞吐量的需求。长江存储的加入,让消费电子终端厂商,尤其是手机厂商在元器件采购层面获得更多自由度,让厂家把更多的精力放在市场渠道和产品设计中。”

长江存储成立于2016年7月,总部位于湖北武汉,是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。公司发展迅速,2017年至2019年,长江存储陆续推出32层、64层3D NAND闪存芯片及存储器解决方案。

值得一提的是,长江存储是全球唯一掌握Xtacking架构3D NAND闪存技术的厂商。该技术可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,这样有利于选择更先进的逻辑工艺,从而让NAND能获取更快的I/O接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后,只需一个处理步骤既可通过数百万根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,合二为一。

共建产业生态

会上,长江存储向早期在市场布局和生态合作上发挥关键价值的企业颁发荣誉奖项。年度市场表现奖授予江波龙电子和群联电子,年度市场潜力奖授予威刚 科技 、国科微和忆联,年度生态伙伴奖授予群联电子和慧荣 科技 ,年度潜力伙伴奖授予联芸 科技 和美满电子 科技 。

长江存储首席执行官杨士宁认为,“自长江存储量产64层3D NAND闪存到现在,市场总体给予了正面积极的评价,这令我们感到欣慰,背后更离不开合作伙伴的深度配合及在终端市场的历练。长江存储的技术创新和质量可靠是通过与合作伙伴一起规模化量产赢得的,依靠各自研发、测试团队的共同努力,来之不易。”

江波龙电子董事长蔡华波表示:“合作中,我们感受到长江存储产品技术更新速度快、国际化的管理,让我们对长江存储的合作充满信心和期望。随着长江存储的快速进展,未来几年,全球存储市场将出现中国存储的力量。”

群联电子董事长潘健成表示:“通过群联自有技术与IP,整合长江存储创新的Xtacking技术的3D NAND闪存,协助扩大市场的应用与普及率。长江存储与群联不仅是NAND原厂与主控厂的关系,更是技术、产品、应用及市场等全方位的长期伙伴关系。”

联芸 科技 副总经理李国阳表示:“在与长江存储的深度合作中,我们通过复杂应用场景深入了解长江存储3D NAND的特性。经过大规模持续压力测试,长江存储64层3D NAND闪存可靠性、稳定性、性能均可与国际同类产品相媲美,充分证明了其技术水平及产品成熟度,完全达到国际主流NAND厂商水平,让我们满怀期待。”

国科微副总裁康毅提到:“通过将长江存储3D NAND闪存导入国科微固态硬盘,我们一起为用户提供更领先的存储解决方案。展望2020年,国科微将进一步深化与长江存储的全方面合作,承担更多的产业发展责任,为促进我国存储产业的繁荣发展贡献更多的力量。”

⑵ 长江存储是国企还是私企

长江存储不是国企,公司性质为其他有限责任公司。该公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立。其是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,是中国首款3DNAND闪存是设计制造商。主要经营范围:半导体集成电路科技领域内的技术开发、集成电路及相关产品的设计、研发、测试、封装、制造与销售,货物进出口、技术进出口、代理进出口。武汉长江存储不是国企。长江存储,即长江存储科技有限责任公司,于2016年07月26日成立,总部在武汉市东湖开发区。长江存储科技有限责任公司的公司类型为非自然人投资或控股的法人独资企业。长江存储科技有限责任公司的登记机关为武汉东湖新技术开发区,注册资本为3860000万元人民币。长江存储科技有限责任公司的法定代表人事赵伟国,股东为长江存储科技控股有限责任公司。长江存储科技有限责任公司的经营范围:半导体集成电路科技领域内的技术开发;集成电路和相关产品的设计、研发、测试、封装、制造和销售;货物进出口、技术进出口、代理进出口(不含国家禁止或限制进出口的货物或技术)。2017年,长江存储科技有限责任公司成功设计并制造了中国首批NAND闪存芯片。长江存储科技有限责任公司在武汉、上海、北京等地设有研发中心,为消费者提供NAND闪存解决方案。2014年10月,3DNAND项目在武汉新芯启动;2015年6月,9层3DNAND测试芯片通过了电器性能验证。