A. 长江存储总部在哪里
长江存储总部在武汉。
长江存储是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。公司信息：中文名：长江存储科技有限责任公司，别名：YMTC，公司类型：其他有限责任公司，登记机关：武汉东湖新技术开发区。
成立时间：2016年7月26日，发照时间：2016年7月26日，经营范围：半导体集成电路科技领域内的技术开发等，地址：武汉东湖新技术开发区未来三路88号。
发展历史：
2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，预计2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产。
初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。2022年4月19日，长江存储科技有限责任公司宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。
B. 存储器的发展史
存储器设备发展
1.存储器设备发展之汞延迟线
汞延迟线是基于汞在室温时是液体，同时又是导体，每比特数据用机械波的波峰（1）和波谷（0）表示。机械波从汞柱的一端开始，一定厚度的熔融态金属汞通过一振动膜片沿着纵向从一端传到另一端，这样就得名“汞延迟线”。在管的另一端，一传感器得到每一比特的信息，并反馈到起点。设想是汞获取并延迟这些数据，这样它们便能存储了。这个过程是机械和电子的奇妙结合。缺点是由于环境条件的限制，这种存储器方式会受各种环境因素影响而不精确。
1950年，世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯.诺依曼博士领导设计。它的主要特点是采用二进制，使用汞延迟线作存储器，指令和程序可存入计算机中。
1951年3月，由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。它不仅能作科学计算，而且能作数据处理。
2.存储器设备发展之磁带
UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器，首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性，并最先进行了自动编程的试验。
磁带是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。它互换性好、易于保存，近年来，由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术，大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录（数据流）技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。
根据读写磁带的工作原理，磁带机可以分为六种规格。其中两种采用螺旋扫描读写方式的是面向工作组级的DAT（4mm）磁带机和面向部门级的8mm磁带机，另外四种则是选用数据流存储技术设计的设备，它们分别是采用单磁头读写方式、磁带宽度为1/4英寸、面向低端应用的Travan和DC系列，以及采用多磁头读写方式、磁带宽度均为1/2英寸、面向高端应用的DLT和IBM的3480/3490/3590系列等。
磁带库是基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB，可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。
磁带库不仅数据存储量大得多，而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。在网络系统中，磁带库通过SAN（Storage Area Network，存储区域网络）系统可形成网络存储系统，为企业存储提供有力保障，很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份，无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。
3.存储器设备发展之磁鼓
1953年，随着存储器设备发展，第一台磁鼓应用于IBM 701，它是作为内存储器使用的。磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。鼓筒旋转速度很高，因此存取速度快。它采用饱和磁记录，从固定式磁头发展到浮动式磁头，从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。
磁鼓最大的缺点是利用率不高， 一个大圆柱体只有表面一层用于存储，而磁盘的两面都利用来存储，显然利用率要高得多。 因此，当磁盘出现后，磁鼓就被淘汰了。
4.存储器设备发展之磁芯
美国物理学家王安1950年提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。
为了实现磁芯存储，福雷斯特需要一种物质，这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到在新泽西生产电视机用铁氧体变换器的一家公司的德国老陶瓷专家，利用熔化铁矿和氧化物获取了特定的磁性质。
对磁化有明确阈值是设计的关键。这种电线的网格和芯子织在电线网上，被人称为芯子存储，它的有关专利对发展计算机非常关键。这个方案可靠并且稳定。磁化相对来说是永久的，所以在系统的电源关闭后，存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读，这使交互式计算有了可能。更进一步，因为是电线网格，存储阵列的任何部分都能访问，也就是说，不同的数据可以存储在电线网的不同位置，并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器（RAM），在存储器设备发展历程中它是交互式计算的革新概念。福雷斯特把这些专利转让给麻省理工学院，学院每年靠这些专利收到1500万～2000万美元。
最先获得这些专利许可证的是IBM，IBM最终获得了在北美防卫军事基地安装“旋风”的商业合同。更重要的是，自20世纪50年代以来，所有大型和中型计算机也采用了这一系统。磁芯存储从20世纪50年代、60年代，直至70年代初，一直是计算机主存的标准方式。
5.存储器设备发展之磁盘
世界第一台硬盘存储器是由IBM公司在1956年发明的，其型号为IBM 350 RAMAC（Random Access Method of Accounting and Control）。这套系统的总容量只有5MB，共使用了50个直径为24英寸的磁盘。1968年，IBM公司提出“温彻斯特/Winchester”技术，其要点是将高速旋转的磁盘、磁头及其寻道机构等全部密封在一个无尘的封闭体中，形成一个头盘组合件（HDA），与外界环境隔绝，避免了灰尘的污染，并采用小型化轻浮力的磁头浮动块，盘片表面涂润滑剂，实行接触起停，这是现代绝大多数硬盘的原型。1979年，IBM发明了薄膜磁头，进一步减轻了磁头重量，使更快的存取速度、更高的存储密度成为可能。20世纪80年代末期，IBM公司又对存储器设备发展作出一项重大贡献，发明了MR（Magneto Resistive)磁阻磁头，这种磁头在读取数据时对信号变化相当敏感，使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍。1991年，IBM生产的3.5英寸硬盘使用了MR磁头，使硬盘的容量首次达到了1GB，从此，硬盘容量开始进入了GB数量级。IBM还发明了PRML（Partial Response Maximum Likelihood）的信号读取技术，使信号检测的灵敏度大幅度提高，从而可以大幅度提高记录密度。
目前，硬盘的面密度已经达到每平方英寸100Gb以上，是容量、性价比最大的一种存储设备。因而，在计算机的外存储设备中，还没有一种其他的存储设备能够在最近几年中对其统治地位产生挑战。硬盘不仅用于各种计算机和服务器中，在磁盘阵列和各种网络存储系统中，它也是基本的存储单元。值得注意的是，近年来微硬盘的出现和快速发展为移动存储提供了一种较为理想的存储介质。在闪存芯片难以承担的大容量移动存储领域，微硬盘可大显身手。目前尺寸为1英寸的硬盘，存储容量已达4GB，10GB容量的1英寸硬盘不久也会面世。微硬盘广泛应用于数码相机、MP3设备和各种手持电子类设备。
另一种磁盘存储设备是软盘，从早期的8英寸软盘、5.25英寸软盘到3.5英寸软盘，主要为数据交换和小容量备份之用。其中，3.5英寸1.44MB软盘占据计算机的标准配置地位近20年之久，之后出现过24MB、100MB、200MB的高密度过渡性软盘和软驱产品。然而，由于USB接口的闪存出现，软盘作为数据交换和小容量备份的统治地位已经动摇，不久会退出存储器设备发展历史舞台。
6. 存储器设备发展之光盘
光盘主要分为只读型光盘和读写型光盘。只读型指光盘上的内容是固定的，不能写入、修改，只能读取其中的内容。读写型则允许人们对光盘内容进行修改，可以抹去原来的内容，写入新的内容。用于微型计算机的光盘主要有CD-ROM、CD-R/W和DVD-ROM等几种。
上世纪60年代，荷兰飞利浦公司的研究人员开始使用激光光束进行记录和重放信息的研究。1972年，他们的研究获得了成功，1978年投放市场。最初的产品就是大家所熟知的激光视盘（LD，Laser Vision Disc）系统。
从LD的诞生至计算机用的CD-ROM，经历了三个阶段，即LD-激光视盘、CD-DA激光唱盘、CD-ROM。下面简单介绍这三个存储器设备发展阶段性的产品特点。
LD-激光视盘，就是通常所说的LCD，直径较大，为12英寸，两面都可以记录信息，但是它记录的信号是模拟信号。模拟信号的处理机制是指，模拟的电视图像信号和模拟的声音信号都要经过FM（Frequency Molation）频率调制、线性叠加，然后进行限幅放大。限幅后的信号以0.5微米宽的凹坑长短来表示。
CD-DA激光唱盘 LD虽然取得了成功，但由于事先没有制定统一的标准，使它的开发和制作一开始就陷入昂贵的资金投入中。1982年，由飞利浦公司和索尼公司制定了CD-DA激光唱盘的红皮书（Red Book）标准。由此，一种新型的激光唱盘诞生了。CD-DA激光唱盘记录音响的方法与LD系统不同，CD-DA激光唱盘系统首先把模拟的音响信号进行PCM（脉冲编码调制）数字化处理，再经过EMF（8～14位调制）编码之后记录到盘上。数字记录代替模拟记录的好处是，对干扰和噪声不敏感，由于盘本身的缺陷、划伤或沾污而引起的错误可以校正。
CD-DA系统取得成功以后，使飞利浦公司和索尼公司很自然地想到利用CD-DA作为计算机的大容量只读存储器。但要把CD-DA作为计算机的存储器，还必须解决两个重要问题，即建立适合于计算机读写的盘的数据结构，以及CD-DA误码率必须从现有的10-9降低到10-12以下，由此就产生了CD-ROM的黄皮书(Yellow Book)标准。这个标准的核心思想是，盘上的数据以数据块的形式来组织，每块都要有地址，这样一来，盘上的数据就能从几百兆字节的存储空间上被迅速找到。为了降低误码率，采用增加一种错误检测和错误校正的方案。错误检测采用了循环冗余检测码，即所谓CRC，错误校正采用里德－索洛蒙(Reed Solomon)码。黄皮书确立了CD-ROM的物理结构，而为了使其能在计算机上完全兼容，后来又制定了CD-ROM的文件系统标准，即ISO 9660。
在上世纪80年代中期，光盘存储器设备发展速度非常快，先后推出了WORM光盘、磁光盘（MO）、相变光盘（Phase Change Disk，PCD）等新品种。20世纪90年代，DVD-ROM、CD-R、CD-R/W等开始出现和普及，目前已成为计算机的标准存储设备。
光盘技术进一步向高密度发展，蓝光光盘是不久将推出的下一代高密度光盘。多层多阶光盘和全息存储光盘正在实验室研究之中，可望在5年之内推向市场。
7.存储器设备发展之纳米存储
纳米是一种长度单位，符号为nm。1纳米=1毫微米，约为10个原子的长度。假设一根头发的直径为0.05毫米，把它径向平均剖成5万根，每根的厚度即约为1纳米。与纳米存储有关的主要进展有如下内容。
1998年，美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制备成功量子磁盘，这种磁盘是由磁性纳米棒组成的纳米阵列体系。一个量子磁盘相当于我们现在的10万～100万个磁盘，而能源消耗却降低了1万倍。
1988年，法国人首先发现了巨磁电阻效应，到1997年，采用巨磁电阻原理的纳米结构器件已在美国问世，它在磁存储、磁记忆和计算机读写磁头等方面均有广阔的应用前景。
2002年9月，美国威斯康星州大学的科研小组宣布，他们在室温条件下通过操纵单个原子，研制出原子级的硅记忆材料，其存储信息的密度是目前光盘的100万倍。这是纳米存储材料技术研究的一大进展。该小组发表在《纳米技术》杂志上的研究报告称，新的记忆材料构建在硅材料表面上。研究人员首先使金元素在硅材料表面升华，形成精确的原子轨道；然后再使硅元素升华，使其按上述原子轨道进行排列；最后，借助于扫瞄隧道显微镜的探针，从这些排列整齐的硅原子中间隔抽出硅原子，被抽空的部分代表“0”，余下的硅原子则代表“1”，这就形成了相当于计算机晶体管功能的原子级记忆材料。整个试验研究在室温条件下进行。研究小组负责人赫姆萨尔教授说，在室温条件下，一次操纵一批原子进行排列并不容易。更为重要的是，记忆材料中硅原子排列线内的间隔是一个原子大小。这保证了记忆材料的原子级水平。赫姆萨尔教授说，新的硅记忆材料与目前硅存储材料存储功能相同，而不同之处在于，前者为原子级体积，利用其制造的计算机存储材料体积更小、密度更大。这可使未来计算机微型化，且存储信息的功能更为强大。
以上就是本文向大家介绍的存储器设备发展历程的7个关键时期
C. 长江存储股东持股比例
新里程集团有限公司、湖北能源集团有限公司、三峡资本控股有限公司、国华人寿保险股份有限公司、武汉城建集团有限公司、湖北洪泰国有资本投资运营集团有限公司、上海海鑫集团有限公司、中国证券金融股份有限公司、中国葛洲坝集团有限公司、湖北鄂旅投创业投资有限公司、湖北长江产业投资集团有限公司
扩展信息:
1.长江存储(“YMTC”)是一家专注于3DNAND闪存及内存解决方案的半导体集成电路企业。长江存储致力于成为可靠的创新型存储解决方案提供商，向全球合作伙伴提供3DNAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘等产品，并推出“智体”品牌。长江存储科技有限公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区注册成立。法定代表人为赵卫国，经营范围包括半导体集成电路技术领域的技术开发；集成电路及相关产品的设计等
2.中国存储芯片行业以投资NAND闪存市场的长江存储、专注移动存储芯片的合肥长信、致力于普通存储芯片的金华集成为主芹橡。从三家厂商的进度来看，试产时间预计在2018年下半年，量产时间可能在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国内存芯片量产元年。长江存储科技有限公司于2016年7月26日在武汉东湖新运嫌技术开发区注册成立。法定代表人为赵卫国，经营范围包括半导体集成电路技术领域的技术开发；集成电路及相关产品的设计等2016年12月底，由长江存储牵头的国家存储基地正式开工，计划分三个阶段建设三个3D-NAND闪存工厂。厂房一期于2017年9月竣工。预计2018年第三季度迁入机，第四季度进行试生产。初期投资不超过1万片，用于生产32层3D-NAND闪存产品。预计第二和第三阶段的生产计划将在64层技术成熟后制定。嫌悄旁
D. 台湾威盛电子光谷金融港研发中心全面开工
军运会后，各大工程建设火速推进。据统计，光谷目前至少有11个重大项目集中开工。 其中就包括了来自台湾的两家尖乱毕端技术企业——威盛电子和联发科，都在金融港设立了研发基地。
联发科我们就不介绍了，威盛电子这家企业是全球高集成嵌入式平台及解决方案领导厂商，在人工智能、计算机视觉、无人驾驶、医疗自动化以及智慧城市等行业领域都很能打！ 主要产品包括：嵌入式系统、主板、开发套件昌陪渗以及芯片等等。
威盛电子的位置
湖北暴雨监测预警中心东向对面
对面就是联发科二期研发中心的位置
↓
从规划图上看，威盛电子拟建三栋高层厂房， A栋19层，B栋和C栋都是15层。效果图还是非常漂亮的：
● 在芯片领域，光谷正依托国家存储器基地及华为武汉海思等项目进行重点打造；
● 在显示屏领域，天马微电子和华星光电的规模已跃居国内前列；
● 在终端领域，联想武汉基地及华为消费业务线等正助力光谷形成全国影响力；
● 在互联网领域，斗鱼等已在细分取得相应优势。
威盛电子及联发科二期的全面开工建设，有利于提升光谷在半导体领域的积累、丰富光谷半导体及相关领域的要素聚集与生态形成， 对光谷正在着力打造的“芯-屏-端-网”万亿产业集耐脊群的加速形成无疑具有积极的促进作用。
E. 成都紫光芯城他们的项目，未来天府是做什么的呢
天府新区紫光芯城未来天府是：紫光的产业主要在三个区域布局之一
1、京津冀、
2、粤港澳大湾区、
3长江经济带
《紫光IC国际城项目合作框架协议》，包括建设紫光存储器制造基地及紫光芯城项目，规划总投资约2000亿元人民币，这是成都历史上投资额最高的工业项目。
其中，存储器制造基地占地约1200亩，总建筑面积54万平方米，已于2018年10月开工建设。今天开工建设的天府新区紫光芯城项目，总用地面积约2000亩，投资额约500亿元，其中产业部分投资约300亿元。
紫光芯城含三个研究院、两个应用研发中心
紫光芯城项目计划2019年开工建设28个地块，建筑面积约176万平方米；2020年开工建设19个地块，建筑面积约95万平方米，项目预计2022年竣工并投入运营。该项目以“三院两云”进行战略布局，包含紫光集成电路产业园暨紫光集成电路产业研究院、紫光大数据研究院、紫光智慧城市研究院、紫光天府工业云研发应用中心、紫光工业云四川基地。
项目建成：
1、集成电路、
2、大数据、
3、云计算
4、人工智能
F. 长江存储国际社区二期什么时候开建
2020年6月20日。长江存储国际社区是国家存储器基地配套项目，其二期工程枯历于2020年6月20日，在武汉东湖高新区未来科技城国家携春存储器基地建设工地开辩败耐工建设。
G. 哈尔滨建造物资储存基地的原因
方便及时组织和发运物资。
主要有旦橡返以下三个方面：1、方便及时组织和发运物资，物资的需求随地域及时间要求有差别，针对特点状态和特定地域，为了及时发运并缩短运输时间，在各地建仓库就很有必要。
2、物资的生产一般比较集中，为了满足各地的需求，需要把集中生如袜产出来的物资分发到各地，就要求各地有仓库存储，也需要建仓库。
3、有利于物资的均衡生产模饥，物资的需求有季节变化，建立仓库可以有效缓解忙闲不均的生产问题。
H. 长江存储国际社区二期建不建
建，2020年6月20日。2020年6月汪丛20日，长江存储国际社区二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。长江存储国际社区占地301568.89平米，建筑面积更达到658428.97平米之多，项目周边困乱樱教育、陪帆医疗、娱乐资源齐全