1. 华为5G随行WIFI Pro深度拆解，里面这用料做工绝了，真是厉害
5G技术的成熟以及商用使得很多手机品牌商纷纷推出自家的5G手机，即便如此，最早一批5G手机也不过是在去年中旬发布。对于手机还能用或者刚入手新款非5G手机的小伙伴来说，重新花钱买新款5G手机的意愿很小，华为为此推出了华为5G随行WIFI Pro移动路由器。
HUAWEI华为5G随行WiFi Pro E6878-370机型设计精致，插入5G SIM卡即可实现5G信号向高速WiFi转换，非5G手机、平板、笔记本电脑等设备也能享受5G高速网速。此外还支持小电流充电，充当应急电源。对于这款 科技 感十足的产品，我们就对其进行拆解，看看其内部如何设计。
一、华为5G随行WiFi Pro外观培模咐
产品采用白色硬纸质包装盒，正面印有产品外观图以及华为5G随行WiFi Pro字样。
包装盒底部印有产品的基本信息：产品名称：5G无线数据终端；型号：E6878-370；颜色：陶瓷白。
纸盒采用天地盖设计，背面印有产品四大功能描述信息。
包装盒内除了华为5G随行WIFI Pro外，还有40W SuperCharge充电器、数据线和使用说明书。
USB-A to USB-C数据线两头做了抗弯折处理，并设计有5A字样，可过5A大电流，线身整体光滑无毛刺。
充电器输入端外壳上标注产品参数信息：型号HW-100400C01；输入100-240V 50/60Hz 1.2A；输出5V/2A、9V/2A、10V/4A Max；华为技术有限公司制造。充电器已经通过了3C认证和VI级能效认证。
充电器输出顶面配有USB-A接口，白色胶芯，旁边凹印HUAWEI品牌。
华为5G随行WIFI Pro机身扁平修长，边角设计圆润不硌手，机身正面一端配有1.45英寸LCD显示屏，另一端印有HUAWEI品牌和5G字码灶样。
机身侧面配有电源键、Menu键和SIM卡槽。
SIM卡槽有塑料板进行保护，小板子上印有SIM卡放入方向提示标识。
开机后如果没有插入SIM卡，会提示用户插入卡并重启设备。
正常操作开机配纯后，首先会显示5G欢迎界面——Welcome to 5G。
菜单界面上有返回、恢复出厂、数据漫游、小电流充电选项，这时候Menu键对应“下一个”功能，电源键对应“OK”确认功能。
正确操作后即可实现5G信号向高速WiFi转换，非5G手机、平板、笔记本电脑等设备也能享受5G高速网速。
机身底部印有产品名称、型号等信息，并且已经通过了CE认证和3C认证。
顶部配有1A1C两个接口，支持最大40W有线输入以及18W或22.5W输出，电池容量8000mAh。除此之外还支持反向有线/无线充电。
使用ChargerLAB POWER-Z KT001检测USB-A口的输出协议，显示支持DCP、QC2.0和FCP协议。
此外通过电压诱骗操作，选择Huawei SCP选项，可以使A口以5V电压输出。
A口支持华为 FCP协议。
A口支持华为 SSCP协议。
使用该表没有检测到USB-C口支持的输出协议。
产品净重约为281g。
二、华为5G随行WIFI Pro拆解
将机身顶面外壳拆下，外壳上布满小固定柱和卡扣，机身两侧还贴有黑色双面胶贴纸，产品封装的很牢固。
LCD显示屏放置在塑料槽里。
机身中心位置放置无线充电线圈，线圈紧密绕制。
靠近无线充电线圈位置贴有金属铜箔贴纸。
线芯焊点饱满，做工扎实。
将另一面的外壳也拆下，黑色塑料板中心设计有凹槽用来放置电芯。
机身壳对应电芯位置贴有泡棉来保护电芯。
塑料板两端贴有1、2、3、4四个天线，圆孔内有固定螺丝。
1号贴纸天线上印有SX05MIM01字样。
2号贴纸天线上印有SX11 M2+HB+B32字样。
3号贴纸天线上印有SX03B32字样。
4号贴纸天线上印有SX09M2+LB字样。
锂离子聚合物电芯特写，贴纸上印有相关参数信息型号：HB896487ECW额定容量：7800mAh/29.79Wh典型容量：8000mAh/30.56Wh额定电压：3.82V充电限制电压：4.4V电池19年11月4日生产，已经通过了CE认证、俄罗斯GOST-R认证、PSE认证、KC认证。
电芯另一面特写，ATL 电池，电池厚4.3mm，宽63mm，长83mm，均压3.82V。
拆掉螺丝取出塑料板，中板采用铝合金金属材料，两边注塑工艺，底下的PCB板上所有的芯片都覆盖有屏蔽罩，还贴有石墨导热贴散热。
电芯通过这根排线和PCB板连接。
PCB板中心是三块较大的屏蔽罩，上面贴有黑色导热贴纸，板子两端同样有A、B贴片天线。
A号天线上印有SX11MAIN字样。
B号天线上印有SX07SUB字样。
拆掉PCB板上的金属屏蔽罩，部分芯片上贴有导热垫帮助导热。
靠近USB-A口的两颗NMOS管，用于接口切换，PSMN4R2-30MLD，来自NEXPERIA。
屏蔽罩里还有四颗MOS管。
华为海思 Hi6422 PMIC。
圣邦微 SGM66055 升压IC，2.2MHz工作频率，超低静态电流，同步整流升压，5V固定输出，内置开关管，采用WLCSP1.21mm超小封装。
圣邦微 SGM66055 详细资料。
华为海思 Hi6526 PMIC。
华为海思 Hi6421 PMIC。
丝印6563G。
MXIC旺宏MX30UF4G18AB，4Gbit SLC 闪存，用于存储系统及固件。
旺宏MX30UF4G18AB资料信息。
华为海思 Hi9500 巴龙5000 5G SOC，WiFi终端内部PCB面积足够，没有采用手机内部的POP叠层封装，控制成本，内存独立焊接在左侧。巴龙5000 5G多模芯片支持NSA和SA两组组网架构，这款5G无线终端支持1.65Gbps usb3.0 Type-C连接理论峰值速度和867Mbps WiFi连接理论峰值速度，让非5G的手机、平板、笔记本电脑也能享受到5G高速。
SK hynix海力士H9HCNNNBKMAL，LPDDR4内存。
丝印6H11和6H12芯片。
华为海思 Hi6365 射频收发器。
四颗小芯片。
丝印13H9。
切开边缘的屏蔽罩，内部是无线充电主控和充电功率管。
Richtek立锜 RT3181C无线发射器解决方案，其内部集成H桥功率级和电流检测放大器，为LP-A11线圈方案优化，外置功率级可以支持高功率输出，支持MP-A5/MP-A11方案，支持可编程的温度保护和风扇转速控制，这款无线终端支持15W无线充电输出。
立锜RT3181C资料信息。
四颗PSMN4R2-30MLD，来自NEXPERIA，NMOS管，用于无线充电功率输出。
PCB板正面一览。
将旁边的金属屏蔽罩也拆开，里面是三颗大芯片。
立锜一体式USB-PD和双向PWM Buck-Boost控制器RT7885，除具备升降压控制功能，还集成USB PD协议识别和MCU，集成度高，可减少外置元件数量。同时，立锜RT7885内置电荷泵，可驱动低成本的NMOS，支持1到4串锂电池充电，非常适合移动电源使用。
立锜RT7885资料信息。
另外两颗芯片同样来自立锜，型号RT9612B，同步整流降压半桥驱动器，配合无线充电主控 RT3181C，用于无线充电功率级MOS管驱动。
立锜 RT9612B资料信息。
四颗白色NPO谐振电容。
板子正面的芯片上同样使用金属壳覆盖。
华为 海思 Hi1151 无线控制芯片，用于5G信号转换成WiFi热点连接。
LCD显示屏排线特写。
C口母座外套有金属壳加固，金属壳上印有E9ASA。
SIM卡槽贴片焊接，金属壳上印有985B。
丝印2HZ。
全部拆解完毕，来张全家福。
充电头网拆解总结
HUAWEI华为5G随行WIFI Pro配备8000mAh大容量电池，5G高负荷状态下可持续工作10小时，机子支持22.5W反向有线充和15W反向无线充，并附带有一个华为40W超级快充充电器。该产品通过巴龙5000芯片可将5G信号向高速WiFi转换，实现5G双模全网通，非5G手机、平板、笔记本电脑等设备也能享受到快于4G 10倍的网速。无需更换手机，这款便携移动路由器就能带你畅享5G时代，同时还可作为路由器连接，零流量传输大文件。
充电头网通过拆解了解到，机子内部搭载华为海思 Hi9500 巴龙5000 5G SOC核心芯片，并使用了Hi6421/Hi6422/Hi6526 PMIC、Hi1151无线控制芯片和Hi6365 射频收发器。此外还采用海力士和旺宏存储芯片，以及立锜无线充解决方案。
机子电路板上的芯片全部覆盖有金属屏蔽罩，避免干扰，主要发热芯片上还贴有导热垫帮助导热；电芯放置在凹槽里，凹槽区域采用铝合金材质，帮助电芯散热；无线充电线圈绕制紧密，线芯焊接牢固。这款产品整体做工优秀。
2. pram放u盘可以吗pram是什么东东
你所说的是program这个文件夹键厅吧。一般安装文件默认就是C:\program
可以安装到U盘，但是不推荐，因为U盘和硬盘的读写毕闷速度不一样，可能导致安装在U盘里的文件出现假死或者其他症状。
建议你安装一个优化博士，让工程师帮你远程维护看看吧。说不定手亮弯真的有什么病毒或者恶意软件哦。
3. SDRM PSRAM SRAM PRAM各与各的区别是什么
1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。x0dx0a x0dx0a与系统拦蠢总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。x0dx0a2、x0dx0aPSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 x0dx0a x0dx0a编辑本段PSRAM与SRAM的比较：基本原理PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 x0dx0a容量PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量腔衡仔要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。 x0dx0a x0dx0a编辑本段主要应用PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手机基本采用256MB以上的PSRAM，很多采用512MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 x0dx0a x0dx0a编辑本段目前发展现状：东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四伍汪版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。x0dx0a3、SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。x0dx0a4、x0dx0aPRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。 x0dx0a x0dx0aPRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。 x0dx0a x0dx0aITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。 x0dx0a x0dx0a其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。 x0dx0a x0dx0a台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。 x0dx0a x0dx0a新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。 x0dx0a x0dx0aIBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。 x0dx0a x0dx0aPRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角.
4. 紫光国微行业分析,002049行业分析
近来，科技板块表现突出，相关个股的上涨很多，市场上的投资者也将目光投向了科技板块。今天我们就来具体讲讲科技板块中细分行业，特种集成电路行业的领头羊--紫光国微。
在开始分析紫光国微前，给大家分享我排好名次的特种集成电路行业龙头股名单，点击即可获得： 宝藏资料：特种集成电路行业龙头股一览表
一、从公司角度来看
公司介绍：紫光国微是国内特种集成电路老大，主营集成电路芯片设计与销售，压电石英晶体元器件的开发、生产与销售，LED蓝宝石衬底材料生产和销售。此公司生产的产品主要有SIM卡芯片、银行IC卡芯片、存储器、总线器件等。
大家浏览完了紫光国微的基本情况，下面了解一下紫光国微公司有什么优势，适不适合投资呢？
亮点一：拥有创新技术以及众多的知识产权
公司在创新技术方面有很突出的表现，建立了单片及组件总线产品的设计、验证和测试平台，现场可编程技术与系统集成芯片被结合，现已成功研发了具备现场可编程功能的高性能系统集成产品；通过多年的努力开发实践之下，公司在集成电路的设计和产业化方面积累了很多的经验，在智能安全芯片、特种集成电路等核心产品领域，人才和知识产权优势超越业内，拥有多项发明专利，让产品核心竞争力的提升确立了坚固的基础。
亮点二：突出的市场渠道与品牌优势
公司积累的客户资源也是十分雄厚的，与全球各大行业客户形成紧密合作，产品在全球各地的市场上都有卖。并且与智慧连接、智慧金融等方面厂商开展长远的战略配合，芯片生态系统越来越发展强大，品牌知名度和影响力一直在提高。 将来，公司将不断注重市场需求，抓住物联网、工业互联网、汽车电子以及数字货币等方面快速进展的机会，发扬技术、人才方面的优势，把不一样的产品与服务提供，与此同时在产业链上下游市场上进行了积极开拓，在获得资本市场力量帮助的情况下，达成了公司战略发展的目标，不断地在行业内学习与探索，使自己变得更强大。
篇幅有规定，更多关于紫光国微的深度报告和风险提示，学姐已经整合到这篇研报里了，直接戳这里就可以了： 【深度研报】紫光国微点评，建议收藏！
一、从行业角度来看
科技板块成长性很强，处在一条景气度十足的赛道上。作为科技板块的细分行业，特种集成电路广泛地应用在现代军事武器中，美国的科技封锁、我国的政策支持以及国防信息化的需求牵引为我国特种集成电路产业提供更好的发展环境。因为资质、技术、市场等都属于该行业的多重壁垒，竞争格局基本稳定；下游智能芯片的需求空间非常大，这也给国产提供了充分的替代空间，行业内还有非常充足的发展余地。紫光国微子借助其多年技术的积累、充足的产品线、涉及面广的市场布局，有希望在国产化的大背景下，使市场优势地位更加稳固，从而在行业的发展当中优先获得红利。
综合而言，本人认为紫光国微现在已经属于特种集成电路行业里的龙头老大，能够在这个行业转变的关头，趁着时代较好，迎来高速发展。不过文章还是存在滞后性的，比较好奇紫光国微未来行情的话，戳一下这个链接就可以了，会有专业的投顾为你提供诊股的帮助，能够知道紫光国微现在行情是不是在一个买入或卖出的好时机：【免费】测一测紫光国微还有机会吗？
应答时间：2021-09-09，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看
5. PH25Q80B是什么芯片
Flash存储芯片，一般被研发电子工程师用来存储大数据，以保证程序的顺利进行；常用的型号包括25Q80，25Q16，25Q32等等；其电路图符号与PCB封装如下图所示：
Flash存储芯片的品牌汇总：
1，国产品牌：上海复旦微，北京兆易创新，上海新茂，北京芯盈速腾，宁波时代全芯，珠海欧比特，深圳辉芒微，上海聚辰，上海芯泽，四川豆萁，上海普冉，上海芯火，珠海博雅，上海高通，深圳航顺，深圳华之美，东芯半导体，深圳芯天下，合肥恒烁，上海华虹挚芯，深圳明月微，珠海创飞芯，苏州诺存微，深圳友台，广东华冠，福建晋华，武汉鑫鑫等等
2，港台品牌：台湾榆木，台湾旺宏，AMIC联笙，台湾创瑞，Winbond华邦，ESMT晶豪，台湾群联，台湾类比，Innodisk宜鼎，台湾茂矽等等；
3，日韩品牌：日本东芝，韩国JSC济州，三星，SK Hynix海力士等等；
4，欧美品牌：ISSI芯成，Micron镁光，Cypress赛普拉斯，ON安森美，Microchip微芯，仙童，TI德州仪器，SST冠捷等等；
其中市场主流的Flash存储芯片品牌包含镁光，海力士，华邦，芯天下，辉芒等等；采购与研发电子工程师可以根据实际的项目设计需要以及成本的控制选择最优的性价比品牌，以满足采购BOM费用以及方案的设计需求；
Flash存储芯片一般关注的参数：
空间：如8M，16M；
电压：如2.7V~3.6V；
类型：如Nor Flash；
寿命：如100K次擦写；
封装：如SOIC-8；
Flash存储芯片的市场价格因品牌及其型号不同而有所区别：
台湾华邦 W25Q80DVSSIG SOIC-8 市场参考价 1.72RMB/PCS；
北京兆易创新 GD25Q80CSIG SOP-8 市场参考价 3.76RMB/PCS；
珠海博雅 BY25Q32BSSIG SOP-8 市场参考价 1.58RMB/PCS；
关于Flash存储芯片，芯片哥简单就分享到这了，关于具体在采购与研发国产中遇到的问题，可以在评论区留言，芯片哥会力所能及的帮助小伙伴们解决；另外希望芯片哥的分享能带来一些工作上的益处，在电子元器件与芯片领域从事的人可以关注芯片哥，每天分享如何在采购上降低成本以及如何在研发上
6. 拆解报告：JBL CHARGE4冲击波蓝牙音箱
JBL是哈曼卡顿旗下的一个音频品牌，作为美国的一个老牌的音频厂商，JBL拥有从原材料开发到喇叭单元的设计和生产，再到音箱的设计和生产等一系列工序。旗下音频产品服务范围非常广泛，涵盖专业领域和民用级别，在各种音频领域都能看到其身影。
此次我爱音频网为大家带来了JBL CHARGE4冲击波4代无线蓝牙音箱，这款产品在外观上延续了上代产品的设计，圆柱形的造型，整体被编织网布包裹。配置上采用50*90mm赛道扬声器，最大输出功率提升到了30W；充电接口升级为Type-C，续航时间达到了20h，并且可以充当充电宝使用；还支持IPX7防水，以及多台串联功能。今天来看下这款音箱产品的内部构造吧~
一、JBL CHARGE4 开箱
包装盒采用了横向的设计，左上角有JBL品牌LOGO；右上角有产品名称：CHARGE4；中间区域为产品外观渲染图；左下方有蓝牙标志，右下方20h续航标识。
背面左侧有JBL品牌LOGO，20h续航、IPX7防水、充电宝功能、多台串联四项产品特点。右侧有“PLAY AND CHARGE ENDLESSLY”产品slogan，产品名称：CHARGE4，以及产品充电宝功能展示。
底部有公司部分信息介绍、蓝牙介绍和众多认证标志信息。
侧边有产品外观渲染图和兼容性说明，可无线连接超过100台兼容JBL Connet+的扬声器。
音箱正面外观一览，有JBL品牌LOGO。
音箱背面外观一览。充电接口防尘塞上印有CHARGE4产品名称。
音箱底部外观一览，有5颗指示灯，脚垫采用橡胶材质，并做了斜纹防滑处理。
音箱侧面振膜上有JBL标志LOGO。
另外一侧是JBL品牌LOGO。
音箱上JBL品牌LOGO特写。
包岁春装盒内还有Type-C USB线、安全说明书、快速指南和保修卡。
Type-C USB线特写。
USB-A接口上压印JBL品牌LOGO。
充电线USB-A接口采用了双面盲插的设计，不分正反，均可使用。
Type-C 接口特写，非满针。
线材接口有较厚的密封防尘塞防护，可以起到防水效果。
线材接口防尘塞盖背面印有产品名称：JBL CHARGE4，以及各种认证信息和注意事项等。
接口依次为Type-C充电接口，3.5mm音频线接口和USB供电口。
音箱两侧防护橡胶采用半透明材质。
我爱音频网采用ChargerLAB POWER-Z KT002便携式电源测试仪JBL CHARGE4 进行快充测试，检测USB-A口不支持快充协议。
我爱音频网采用ChargerLAB POWER-Z KM001C 对JBL CHARGE4蓝牙音箱进行有线充电测试，充电功率约13.45W。
二、JBL CHARGE4 拆解
来到拆解部分，首先撬开图中编织网格布包裹的出音孔盖板。
卸掉外部壳体拆解一览。
功能按键内部结构特写。
JBL标志内侧特写。
音箱内部腔体正面一览，有椭圆形全频喇叭单元。
音箱内部腔体背面一览，腔体周围与外壳交接处均设置有缓冲海绵垫。
缓冲海绵垫特写。
顶部振膜盖板通过螺丝和卡扣的方式固定。
线材接口盖板采用卡扣的方式与主体固定乎兄耐。
卸掉螺丝解开卡扣，取掉两端振膜盖板单元。尘族
振膜盖板外侧特写。
内侧两个端面都是低频辐射单元。
腔体内部结构一览，首先看到主板上两颗较大的插座。主板右侧有螺丝固定。右边插座连接电池，左边插座连接充/放电副板。
另外一端腔体内部结构一览，可以看到全频喇叭单元的接线端子。
取掉底部脚垫盖板结构，内部是透明塑料防水壳。
盖板内侧可循环利用标志，2020年9月生产，PC+TPU材质。
电量显示指示灯导光结构特写。
盖板边缘位置设置有海绵包裹，提升防水性能。
腔体上还有透明盖板防护。
指示灯小板通过胶水固定在透明盖板上。
小板背面有与主板连接的排线插座，排线有泡棉包裹，防止共振产生杂音。
卸掉排线，透明盖板结构一览。
小板背面是排线接口和指示灯限流电阻。
正面有6颗LED指示灯，5颗相同颜色用于显示电量，还有一颗不同颜色的蓝牙连接指示灯。
透明盖板与壳体交接处设置有密封橡胶垫。
从腔体内取出电池。
电池组两端有海绵包裹防护。
导线也有海绵包裹。
可充电锂离子电池组型号：IAA011NA，充电限制电压：4.2V，执行标准：GB 31241-1014，标称电压：3.6V，额定容量：7500mAh/27.0Wh，制造商：博科能源系统（深圳）有限公司。
电池组底部海绵垫覆盖。
掀开海绵垫，内部还有塑料垫片保护。
撕掉外层蓝色保护膜，圆柱形锂离子电池上信息特写。
撕掉顶部海绵贴，电池组由三节18650电池并联组成，镍片规整、点焊牢固。
另外一端特写。
电池组上有电路保护板，保护板被泡棉胶覆盖。
撕掉绝缘贴，电池保护板固定在塑料绝缘支架内部，细节好评。
电路保护板正面元器件一览，输出线焊点胶水加固。
1.5mΩ贴片电阻，用于电池输出电流检测。
丝印AJ014的电路保护IC。
6颗丝印4422E 的NMOS管，用于电池保护。
扬声器单元正面特写。
扬声器单元与腔体交界处也有橡胶密封垫。
扬声器外观一览。
扬声器T铁特写，贴有二维码标签。
取出线材接口单元，小板通过排线与主板连接。
卸掉排线取出小板，盖板内侧有密封保护盖，双层防护。
输入小板与盖板由多颗螺丝固定。
腔体上交接处同样做了密封垫。
分离盖板与输入小板。
输入小板正面一览，过孔焊接有Type-C充电接口、3.5mm音频线接口和USB供电口。
输入小板背面仅有过孔焊接焊点。
盖板与PCB之间还有防尘防水双面泡棉胶做密封，且接口有TVS和ESD保护。
Type-C充电接口焊接在单独的一块PCB板上。
功能按键缓冲垫通过双面胶固定。
揭掉胶水固定的功能按键缓冲垫，拆解一览。
功能按键上覆盖的硅胶防护垫内侧结构特写。
功能按键小板正面一览。
小板上微动按键特写。
小板上还有多颗LED指示灯，为电源键和蓝牙连接键提供光源。
丝印2TY的三极管。
组件结构交接处缓冲垫特写。
主板正面一览，边缘有海绵垫防护。
主板背面一览，大面积露铜加锡散热。
蓝牙天线通过同轴线与主板连接，连接器打胶水加固。
薄膜蓝牙天线来自South star南星，型号：CHARGE4-BT。
两颗4R7滤波电感，用于数字功放输出滤波，和滤波电容通过白胶固定。
两颗1R5合金升压电感特写。
两颗润石RS622低噪声运算放大器。参数定义适中，并提供超低的输入偏置电流，最大程度降低对信号源的影响，适合处理音频信号的预防大、音频信号检测、包络检测、马达驱动电流检测等应用场景。
主要参数特性：单位增益带宽7MHz； 输入失调电压典型值0.7mV，可修调至最大值为0.5mV（S622xP系列）； 输入偏置电流低至1pA（典型值）；低输入噪声：7.5nV Hz@10KHz，11nV Hz@1KHz ；相位裕度62 ；每通道耗电低至600µA；轨对轨输入/输出；电源纹波抑制比PSRR 93dB； 共模抑制比CMRR 92dB； 压摆率3.7V/us； 工作电压范围2.5V~5.5V；工作温度范围满足-40 C~125 C。
据我爱音频网拆解了解到，JBL FLIP5 音乐万花筒蓝牙音箱也采用了这颗运算放大器芯片。
润石RS622详细资料图。
丝印LG和KL3的三极管。
丝印UBB的IC。
微盟D3TG稳压IC。
TI德州仪器 PCM5121音频立体声DAC，具有 PCM 接口和固定音频处理功能。PCM512x 器件属于单片 CMOS 集成电路系列，由立体声数模转换器 (DAC) 和附加支持电路组成，提供 2.1 VRMS 中央接地输出以及外部静音电路。
TI德州仪器 PCM5121详细资料图。
主板上焊接邮票小板，用于蓝牙连接。邮票板上有众多IC，主控芯片上贴有丝印二维码标签。
丝印SP2的IC。
丝印Fb的IC。
丝印MF的IC。
丝印661E01的IC。
Macronix旺宏 MX25U6435F 存储器，容量8MB，用于存储固件及连接信息。
Macronix旺宏 MX25U6435F 详细资料。
丝印9MB的IC。
Qualcomm高通 QCC5125 低功耗蓝牙音频SoC，支持蓝牙5.0，支持aptX音频解码。具有低功耗，高品质的无线音频等特点。专为主流蓝牙音箱，立体声耳机和真正的无线耳塞设计。
高通 QCC5125采用四核处理器体系结构，双核32位处理器应用子系统；双核Qualcomm Kalimba DSP音频，嵌入式ROM + RAM和外部Q-SPI闪存；支持aptX，aptX HD，aptX自适应技术；集成电池充电器，支持内部模式（最大200 mA）和外部模式（最大1.8 A）。
丝印HY4C的三极管。
AWINIC艾为电子 AW9523B LED驱动芯片 ，I2C接口，支持16路呼吸灯。16路LED为共阳恒流驱动，每路具备256步线性调光功能。
AO3401 PMOS管。
TI德州仪器 TPA3128D2 是具有低空闲功率损耗的双通道 30W 差分模拟输入 D 类放大器，具有延长蓝牙/无线扬声器和其他电池供电音频系统的电池寿命的特点，支持4.5-26V工作电压，支持可编程的功率限制。
TI德州仪器 TPA3128D2详细资料图。
微盟S2TG稳压IC。
台湾松木 ME4435 P通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟道技术制造。专门为减小导通电阻而设计的，适合于低电压应用。
台湾松木 ME4435详细资料图。
MPS MP3431 高效率全集成同步升压芯片，为数字功放供电，最高输出电压可达16V，支持30W输出，最高40W峰值输出。
MPS MP3431 详细资料。
丝印VLBUF的矽力杰 SY7065A，内置开关管的同步整流升压IC，用于USB-A口5V输出。
矽力杰 SY7065A 详细资料。
丝印CA4KH的IC。
TI德州仪器 TPS2546 具有 CDP/SDP 自动切换功能的 USB 充电端口控制器和具有负载检测功能的 2.5A 电源开关，用于USB-A口输出保护。
TI德州仪器 TPS2546详细资料图。
MPS MP2624 电源管理IC，用于内置电池充电管理，并且支持路径管理。
MPS MP2624 详细资料。
JBL CHARGE4冲击波无线蓝牙音箱拆解全家福。
三、我爱音频网总结
JBL CHARGE4 无线蓝牙音箱在外观设计上依旧延续了前代的设计，继承了家族式的设计语言。圆柱形的外观，大面积编织网布包裹，横向的立式方式，左右两侧均有辐射振膜，振膜上有JBL标志性LOGO，整体观感较为简约，并极具辨识度。拥有的众多配色，丰富了这款产品的个性化选择。
内部结构配置上，做工精良，细节到位。组件之间通过插座连接，腔体交接处均做了密封胶垫缓冲防护。配置上采用最大输出功率30W的扬声器单元，搭配左右两个低频辐射振膜单元，提升低频量感；并配备了德州仪器 TPA3128D2 D类放大器和PCM5121 音频数字处理器，以及两颗最大程度降低对信号源的影响的润石RS622低噪声运算放大器，有效保证音质效果。
充电接口由上代的Micro-USB更换为了Type-C，电池容量提升到了7500mAh，为音箱提供长达20h的持久续航；电池配备有电路保护板，保护板固定在塑料绝缘支架内部，保护板上有电路保护IC和NMOS管；并且配备有USB-A接口，支持充电宝功能，可为手机、平板等移动设备应急充电。
主控芯片采用了高通 QCC5125 低功耗蓝牙音频SOC，支持蓝牙5.0，具有低功耗，高品质的无线音频等特点；MPS MP3431 高效率全集成同步升压芯片，为数字功放供电；矽力杰 SY7065A同步整流升压IC，用于USB-A口5V输出；TI德州仪器 TPS2546 USB 充电端口控制器用于USB-A口输出保护；MPS MP2624 电源管理IC，用于内置电池充电管理；以及旺宏 MX25U6435F 存储器，艾为电子 AW9523B LED驱动器，松木 ME4435 P通道逻辑增强型功率场效应晶体管等。
7. 求助，170em bios吹下来了。但是只有2M的。官网上下的是6M的
MX25L8006EMX25L1606E•状态寄存器功能•电子识别 - JEDEC的1个字节的制造商的ID和2字节的设备ID - RES指令为1个字节的设备ID - REMS为1字节的制造商ID，1字节的设备ID的命令•支持发现的记忆能力（DMC）签署硬件特点•包装 - 16引脚SOP（300MIL），MX25L1606E的唯一 - 8引脚SOP（采用150mil） - 8引脚SOP（200mil） - 8引脚PDIP（300MIL） - 8 - 土地WSON（6x5mm） - 8：土地USON（4x4mm的） - 无铅器件符合RoHS标准概述该设备的功能一个串行外设接口和软件协议，允许操作一个简单的3线总线。三个总线信号是一个时钟输入（SCLK），串行数据输入（SI），和一个串哪或行数据输出（SO）。串行访问该设备已启卜腔用CS＃输入。当它是在双输出读模式下，SI引脚SO引脚成为SIO0数据输出引脚。该器件可提供整个芯片的顺序读操作。编程/擦除命令发出后，自动编程/擦除算法，编程/擦除和验证规定田间页面或扇区/块的位置将被执行。程序执行命令字节的基础上，页面的基础，或字连续编程模式和擦除命令的基础是执行部门，或块或整个芯片基础。为了容易地提供用户接口，包括一个状态寄存器以指示状态的芯片。读状态通过WIP位，可发出命令来检测编程或擦除操作型缓衫的完成状态。先进的安全功能增强了保护和安全功能，请参阅“安全功能”部分更多的细节。时，该设备不运行和CS＃高，它被置于待机模式。该器件采用旺宏电子公司专有的存储单元，能可靠地保存存储器的内容，甚至在典型的 10万次编程和擦除周期。
8. 台湾旺宏MXIC存储品牌的代理商有哪些
旺宏（香港）有限公司深圳代表处
谢浩纬 / 总经理
深圳市福田区车公庙天安数码城创新科技广场A座1401室
业务专线: +86-755-8343-3585
(上班时间: 8:30~18:00 GMT+8 )
电话: +86-755-8343-3579
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Fax: +86-755-8278-6155
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Tel: +86-755-2238-7905
Fax: +86-755-2238-7901
9. 史上最全的半导体产业链全景！
导 读 ( 文/ ittbank 授权发布 )
集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。
目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。
○ 在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。
○ 全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。
○ 由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半导体产业链收入构成占比图
① 设计：
细分领域具备亮点，核心关键领域设计能力不足。从应用类别(如：手机到 汽车 )到芯片项目(如：处理器到FPGA)，国内在高端关键芯片自给率几近为0，仍高度仰赖美国企业；
② 设备：
自给率低，需求缺口较大，当前在中端设备实现突破，初步产业链成套布局，但高端制程/产品仍需攻克。中国本土半导体设备厂商只占全球份额的1-2%，在关键领域如：沉积、刻蚀、离子注入、检测等，仍高度仰赖美国企业；
③ 材料：
在靶材等领域已经比肩国际水平，但在光刻胶等高端领域仍需较长时间实现国产替代。全球半导体材料市场规模443 亿美金，晶圆制造材料供应中国占比10%以下，部分封装材料供应占比在30%以上。在部分细分领域上比肩国际领先，高端领域仍未实现突破；
④ 制造：
全球市场集中，台积电占据60%的份额，受贸易战影响相对较低。大陆跻身第二集团，全球产能扩充集中在大陆地区。代工业呈现非常明显的头部效应，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了60%的市场份额。此行业较不受贸易战影响；
⑤ 封测：
最先能实现自主可控的领域。封测行业国内企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，长电+华天+通富三家17 年全球整体市占率达19%，美国主要的竞争对手仅为Amkor。此行业较不受贸易战影响。
一、设计
按地域来看，当前全球IC 设计仍以美国为主导，中国大陆是重要参与者。2017 年美国IC设计公司占据了全球约53%的最大份额，IC Insight 预计，新博通将总部全部搬到美国后这一份额将攀升至69%左右。台湾地区IC 设计公司在2017 年的总销售额中占16%，与2010年持平。联发科、联咏和瑞昱去年的IC 销售额都超过了10 亿美元，而且都跻身全球前二十大IC 设计公司之列。欧洲IC 设计企业只占了全球市场份额的2%，日韩地区Fabless 模式并不流行。
与非美国海外地区相比，中国公司表现突出。世界前50 fabless IC 设计公司中，中国公司数量明显上涨，从2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈现迅速追赶之势。2017 年全球前十大Fabless IC 厂商中，美国占据7 席，包括高通、英伟达、苹果、AMD、Marvell、博通、赛灵思；中国台湾地区联发科上榜，大陆地区海思和紫光上榜，分别排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 设计厂商
（百万美元）
然而，尽管大陆地区海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美满电子在中国区营收占比达50%以上，国内高端 IC 设计能力严重不足。可以看出，国内对于美国公司在核心芯片设计领域的依赖程度较高。
自中美贸易战打响后，通过“中兴事件”和“华为事件”我们可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片领域，国内的设计公司可提供的产品几乎为0。
大陆高端通用芯片与国外先进水平差距主要体现在四个方面：
1）移动处理器的国内外差距相对较小。
紫光展锐、华为海思等在移动处理器方面已进入全球前列。
2）中央处理器(CPU) 是追赶难度最大的高端芯片。
英特尔几乎垄断了全球市场，国内相关企业约有 3-5 家，但都没有实现商业量产，多仍然依靠申请科研项目经费和政府补贴维持运转。龙芯等国内 CPU 设计企业虽然能够做出 CPU 产品，而且在单一或部分指标上可能超越国外 CPU，但由于缺乏产业生态支撑，还无法与占主导地位的产品竞争。
3）存储器国内外差距同样较大。
目前全球存储芯片主要有三类产品，根据销售额大小依次为：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在内存和闪存领域中，IDM 厂韩国三星和海力士拥有绝对的优势，截止到2017年，在两大领域合计市场份额分别为75.7%和49.1%，中国厂商竞争空间极为有限，武汉长江存储试图发展 3D Nand Flash(闪存)的技术，但目前仅处于 32 层闪存样品阶段，而三星、英特尔等全球龙头企业已开始陆续量产 64 层闪存产品；在Nor flash 这个约为三四十亿美元的小市场中，兆易创新是世界主要参与厂家之一，其他主流供货厂家为台湾旺宏，美国Cypress，美国美光，台湾华邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，国内外技术悬殊。
这些领域由于都是属于通用型芯片，具有研发投入大，生命周期长，较难在短期聚集起经济效益，因此在国内公司层面发展较为缓慢，甚至有些领域是停滞的。
总的来看，芯片设计的上市公司，都是在细分领域的国内最强。比如2017 年汇顶 科技 在指纹识别芯片领域超越FPC 成为全球安卓阵营最大指纹IC 提供商，成为国产设计芯片在消费电子细分领域少有的全球第一。士兰微从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了芯片制造平台，并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS 传感器的封装领域。但与国际半导体大厂相比，不管是高端芯片设计能力，还是规模、盈利水平等方面仍有非常大的追赶空间。
二、设备
目前，我国半导体设备的现况是低端制程实现国产替代，高端制程有待突破，设备自给率低、需求缺口较大。
关键设备技术壁垒高，美日技术领先，CR10 份额接近80%，呈现寡头垄断局面。半导体设备处于产业链上游，贯穿半导体生产的各个环节。按照工艺流程可以分为四大板块——晶圆制造设备、测试设备、封装设备、前端相关设备。其中晶圆制造设备占据了中国市场70%的份额。再具体来说，晶圆制造设备根据制程可以主要分为8 大类，其中光刻机、刻蚀机和 薄膜沉积设备这三大类设备占据大部分的半导体设备市场。同时设备市场高度集中，光刻机、CVD 设备、刻蚀机、PVD 设备的产出均集中于少数欧美日本巨头企业手上。
中国半导体设备国产化率低，本土半导体设备厂商市占率仅占全球份额的1-2%。
关键设备在先进制程上仍未实现突破。目前世界集成电路设备研发水平处于12 英寸7nm，生产水平则已经达到12 英寸14nm；而中国设备研发水平还处于12 英寸14nm，生产水平为12 英寸65-28nm，总的来看国产设备在先进制程上与国内先进水平有2-6 年时间差；具体来看65/55/40/28nm 光刻机、40/28nm 的化学机械抛光机国产化率依然为0，28nm化学气相沉积设备、快速退火设备、国产化率很低。
三、材料
半导体材料发展历程
▲各代代表性材料主要应用
▲第二、三代半导体材料技术成熟度
细分领域已经实现弯道超车，核心领域仍未实现突破，半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料两大块。晶圆制造材料中，硅片机硅基材料最高占比31%，其次依次为光掩模版14%、光刻胶5%及其光刻胶配套试剂7%。封装材料中，封装基板占比最高，为40%，其次依次为引线框架16%，陶瓷基板11%，键合线15%。
日美德在全球半导体材料供应上占主导地位。各细分领域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻胶——TOK、Shipley，电子气体——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引线架构——住友金属，键合线——田中贵金属、封装基板——松下电工，塑封料——住友电木。
（1）靶材、封装基板、CMP 等，我国技术已经比肩国际先进水平的、实现大批量供货、可以立刻实现国产化。已经实现国产化的半导体材料典例——靶材。
（2）硅片、电子气体、掩模板等，技术比肩国际、但仍未大批量供货的产品。
（3）光刻胶，技术仍未实现突破，仍需要较长时间实现国产替代。
四、制造
晶圆制造环节作为半导体产业链中至关重要的工序，制造工艺高低直接影响半导体产业先进程度。过去二十年内国内晶圆制造环节发展较为滞后，未来在国家政策和大基金的支持之下有望进行快速追赶，将有效提振整个半导体行业链的技术密度。
半导体制造在半导体产业链里具有卡口地位。制造是产业链里的核心环节，地位的重要性不言而喻。统计行业里各个环节的价值量，制造环节的价值量最大，同时毛利率也处于行业较高水平，因为Fabless+Foundry+OSAT 的模式成为趋势，Foundry 在整个产业链中的重要程度也逐步提升，可以这么认为，Foundry 是一个卡口，产能的输出都由制造企业所掌控。
代工业呈现非常明显的头部效应 根据IC Insights 的数据显示，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了超过一半的市场份额，2017 年前八家市场份额接近90%，同时代工主要集中在东亚地区，美国很少有此类型的公司，这也和产业转移和产业分工有关。我们认为，中国大陆通过资本投资和人才集聚，是有可能在未来十年实现代工超越的。
“中国制造”要从下游往上游延伸，在技术转移路线上，半导体制造是“中国制造”尚未攻克的技术堡垒。中国是个“制造大国”，但“中国制造”主要都是整机产品，在最上游的“芯片制造”领域，中国还和国际领先水平有很大差距。
在从下游的制造向“芯片制造”转移过程中，一定要涌现出一批技术领先的晶圆代工企业。在芯片贸易战打响之时，美国对我国制造业技术封锁和打压首当其冲，我们在努力传承“两弹一星”精神，自力更生艰苦创业的同时，如何处理与台湾地区先进企业台积电、联电之间的关系也会对后续发展产生较大的蝴蝶效应。
五、封测
当前大陆地区半导体产业在封测行业影响力为最强，市场占有率十分优秀，龙头企业长电 科技 /通富微电/华天 科技 /晶方 科技 市场规模不断提升，对比台湾地区公司，大陆封测行业整体增长潜力已不落下风，台湾地区知名IC 设计公司联发科、联咏、瑞昱等企业已经将本地封测订单逐步转向大陆同业公司。封测行业呈现出台湾地区、美国、大陆地区三足鼎立之态，其中长电 科技 /通富微电/华天 科技 已通过资本并购运作，市场占有率跻身全球前十（长电 科技 市场规模位列全球第三），先进封装技术水平和海外龙头企业基本同步，BGA、WLP、SiP 等先进封装技术均能顺利量产。
封测行业我国大陆企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，美国主要的竞争对手为Amkor 公司，在华业务营收占比约为18%，封测行业美国市场份额一般，前十大封测厂商中，仅有Amkor 公司一家，应该说贸易战对封测整体行业影响较小，从短中长期而言，Amkor 公司业务取代的可能性较高。
封测行业位于半导体产业链末端，其附加价值较低，劳动密集度高，进入技术壁垒较低，封测龙头日月光每年的研发费用占收入比例约为4%左右，远低于半导体IC 设计、设备和制造的世界龙头公司。随着晶圆代工厂台积电向下游封测行业扩张，也会对传统封测企业会构成较大的威胁。
2017-2018 年以后，大陆地区封测（OSAT）业者将维持快速成长，目前长电 科技 /通富微电已经能够提供高阶、高毛利产品，未来的3-5 年内，大陆地区的封测企CAGR增长率将持续超越全球同业。