㈠ 存储器中存取速度最快的是
存储器中存取速度最快的是高速缓冲存储器。
高速缓冲存储器（Cache）是指存取速度比一般随机存取记忆体（RAM）来得快升渣知的一种RAM，一般而言它不像系统主记忆体那样使用DRAM技术吵消，而使用梁祥昂贵但较快速的SRAM技术，也有快取记忆体的名称。
高速缓冲存储器是存在于主存与CPU之间的一级存储器，由静态存储芯片(SRAM)组成，容量比较小但速度比主存高得多，接近于CPU的速度。在计算机存储系统的层次结构中，是介于中央处理器和主存储器之间的高速小容量存储器。
高速缓冲存储器组成部分
1、Cache存储体：存放由主存调入的指令与数据块。
2、地址转换部件：建立目录表以实现主存地址到缓存地址的转换。
3、替换部件：在缓存已满时按一定策略进行数据块替换，并修改地址转换部件。
㈡ DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快
只读存储器ROM，内容被永久烧录到芯片中而不能擦除的存储器。可擦写可编程只读存储器EPROM，只能使用紫外线低速擦除，可重新编程。动态随机访问存储器DRAM，是在程序运行时存储代码和数据的地方，它必须在1ms之内被重新刷新，否则其中的内容就会丢失。静态随机访问存储器SRAM，也是一种RAM芯片，主要用于昂贵的高速缓存，这种存储器不需要重复刷新即可保存其内容，CPU的缓存使用的就是SRAM。视频随机访问存储器VRAM，专用于存储视频数据，VRAM是双端口的，它允许在一个端慧键口不断读出数据刷新显示的同时从另一个端口写数据。互补金属氧化物半导体随机访问存储器CMOS RAM，在系统主板上用于存储系前闹巧统设置信息，它由一块电池供电，因此其中的内容即使在计算机关闭电源之后仍可以保留。谢谢弯隐了美女
㈢ 三纳米芯片运行速度多少
秒懂生活
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）
2022-11-23 12:23:44孤独尼玛死
作为芯片代工领域中的两大巨头，台积电、三星的竞争尤为激烈。为了提高自身的市场竞争力，三星抢先一步，推出了世界首枚3纳米芯片“SRAM存储芯片”，也因该枚芯片，三星一段时间内被冠以“芯”王的称呼。直到“蓝色巨人”IBM公司和它的 2纳米芯片的出现。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(1)
我是柏柏说科技，90后科技爱好者。今天大世渗带大家了解的是：IBM打破技术瓶颈，推出的全球首枚2纳米芯片以及2纳米芯片的面世，将会给全球半导体领域和我国的半导体发展带来怎样的连锁反应。
2021年5月6日，IBM推出了世界首枚2纳米工艺的半导体芯片。该消息一经放出，瞬间激起了半导体领域中的千层巨浪。在这里补充一点：IBM是全球最大的信息技术和业务解决方案公司，坐落于美国纽约的阿蒙克市。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(2)
据悉，该枚芯片的晶体管密度是台积电5纳米芯片晶体管密度的2倍，核心指标数为333.3MTr/mm2。此外，与业界估计的台积电的3纳米芯片密度相比，IBM推出的2纳米芯片比台积电的3纳米芯片高出11.4%，台积电的3纳米芯片晶体管数量为292.21MTr/mm2。补充一点：MTr/mm2的含义为：每平方毫米多少百万颗晶体管。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(3)
简单来说，IBM推出的2纳米半导体芯片在150平方毫米（指甲盖大小）的面积内，可以容纳500亿颗晶体管，可见该枚芯片的集成度有多么惊人。值得一提的是：IBM公司推出的2纳米芯片，很大可能是一枚用于计算机领域的芯片。
在芯片性能和功耗上，与台积电的7纳米芯片相比，IBM推出的2纳米芯片性能提升75%，功耗降低75%，运行速度提升45%。芯片技术采用的是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。有意思的是：三星的3纳米SRAM存储芯片使用的技术也是GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(4)
在这里简单为大家介绍一下GAAEFT（环绕栅极场效应晶体管）。GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术分为两种，一种是常规的GAAFET（被包含于GAAEFT概念），另一种则是MBCFET(多桥通道场效应晶体管）。方便大家更好理解，在这里拿当下最火的FINFET（鳍式场效应晶体管）作为对比。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(5)
在排序滚脊上；GAAEFT与MBCFET更加紧密有序，分别采用“环绕式”和“多通道”来完成能源传输。由于优化了能源利用方式，对比传统的FINFET，GAAEFT与MBCFET的功耗大幅降低。这一点通过三星推出的3纳米SRAM存储芯片其功耗降低50%和IBM推出的2纳米计算机芯片其功耗降低75%也能看出。
值得一提的是：台积电即将在今年第三季度投用的4纳米制程和明年第三、第四季度投用的3纳米制程，使用的芯片技术都是FINFET，并不是GAAFET。在2纳米芯片制程中，台积电采用了GAAFET技术。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(6)
至于原因，可能是台返败积电考虑到芯片制程的稳定性和技术运用的成熟性。因为对比FINFET，GAAFET是一个新型技术。但通过台积电在其2纳米制程中融入GAAFET技术可以看出，GAAFET将会逐渐替代FINFET。
在这里穿插一点：目前中芯国际N 1、N 2工艺采用的技术也是FINFET（鳍式场效应晶体管）。IBM推出2纳米芯片，将会给半导体领域带来怎样的影响呢？让我们继续往下看。首先是芯片代工领域。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(7)
5G通讯的成熟加速了大数据化时代的到来，智能设备对数据传输的高需求，提高了原有芯片制程的门槛。目前半导体行业已经来到了5纳米时代，负责芯片代工业务的两大巨头，台积电、三星已经相继完成了3纳米芯片制程工艺的突破。在此趋势下，苹果、英特尔、高通等芯片巨头逐渐将目光从5纳米转向3纳米。
在苹果、英特尔、高通等芯片巨头将目光放在3纳米制程的时候，IBM率先推出2纳米制程工艺的半导体芯片，无疑是对这些厂商的一棒重击。在此影响下，芯片厂商势必会加快芯片制程，提高市场竞争力。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(8)
在半导体领域中，基础建设决定上层技术，上层技术反作用于基础建设。IBM推出2纳米半导体芯片，将会刺激台积电、三星等芯片代工厂商加快芯片制程研发，以便抢先一步占据市场。换句话说：IBM将会在2纳米芯片制程领域中，担任“引路人”的角色。
在这里补充一点，IBM并不是首次在芯片制程领域中担任“引路人”。2015年IBM率先造出7纳米芯片，2017年IBM率先造出5纳米芯片。在电压、规格等其它芯片指标的定义中，IBM拿下了主导权。这次IBM推出的2纳米芯片，不出意外将会继续成为其它芯片厂商的“参考书”。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(9)
有一点需要注意，IBM公司并没有自己的芯片代工厂。早在2014年，IBM便将自己的代工厂卖给了格芯，合同为10年。看到这里，可能有些朋友会说：“这不是自相矛盾吗？没有代工厂，芯片是哪里来的呢？”
简单来说：IBM公司在芯片制程领域中，主要起着测试样品、新型概念技术是否可行的作用。在芯片进入正式使用前，IBM公司便提前研制、测试，依次为其他芯片厂商提供参考、借鉴，是一家芯片设计公司。因此，IBM并不负责生产芯片。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(10)
说完IBM，让我们将目光放在我国的半导体身上。值得一提的是：IBM推出的2纳米芯片，将会在一定程度上促进我国半导体行业的发展，为我国的芯片厂商提供相应借鉴（注意是借鉴，不是意味着我们实现量产）这样说也是有理由的。
早在1934年，IBM便与我们国家有着密切的合作关系。1979年IBM公司在我国安装了第一台IBM中型计算机。80年代中后期，IBM先后在北京、上海设立了办事处。1992年在中国成立公司，20世纪90年代中后期，IBM将世界级领先计算机水平引入我国，极大地促进我国计算机领域的发展。
全球第一颗3nm芯片（全球首枚2nm芯片面世）(11)
伴随着信息化时代的发展，IBM已经成为我国金融、交通、政府、教育、电信等许多重要业务领域的最可靠的信息技术手段。同时IBM的客户遍及我国经济的各条战线。值得一提的是，截止目前，IBM并未受到美国技术调控、限制的影响。因此说，IBM推出2纳米芯片，将会在一定程度上促进我国半导体行业的发展。
虽说IBM不能解决我们在芯片代工方面被国外卡脖子的现状，但可以保证我们在芯片设计方面，不会被国外落下太多。
当然，求人不如求己。现阶段只有掌握核心技术，才能够在半导体领域中站稳脚跟。祝愿国产半导体能够愈发强大，早日实现芯片自主化生产的目标。
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对于IBM公司推出的2纳米半导体芯片，大伙有什么想表达的吗？你认为我们在芯片制程领域中，能否实现持平、进而赶超呢？欢迎在下方留言评论。我是柏柏说科技，90后科技爱好者。关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。
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㈣ 速度最快的存储芯片CMOS RAMSRAM
rom属于非易失性存储器，读操作速度和ram查不多，具体要看它的时序，不可写，只能烧；ram属于易失性的，可读可写，写速度取决于总线频率和写周期长短，写操作比rom的烧写周期短，速度肯定快于rom的烧写操作；而ram分为静态（sram）和动态（dram），由于工艺不同，sram访问时间固定，而dram访问时间不固定，读写速度没有可比性；CMOS ram只是一种制作工艺，还有一种工艺是基于flash的，也就是非易失的，前面说过了，基于COMS的写周期要短一些。
㈤ 在计算机中,访问速度最快的存储器是什么
在计算机的各种存储器中，访问速度最快的是磁带存储器
磁带存储器：以磁带为存储介质，由磁带机及其控制器组成的存储设备，是计算机的一种辅助存储器。磁带机由磁带传动机构和磁头等组成，能驱动磁带相对磁头运动，用磁头进行电磁转换，在磁带上顺序地记录或读出数据。磁带存储器是计算机外围设备之一。磁带控制器是中央处理器在磁带机上存取数据用的控制电路装置。磁带存储器以顺序方式存取数据。存储数据的磁带可脱机保存和互换读出。
(5)存储芯片的速度扩展阅读：
磁带存储器物理特性
磁性材料被磁化以后，工作点总是在磁滞回线上。只要外加的正向脉冲电流(即外加磁场)幅度足够大，那么在电流消失后磁感应强度B并不等于零，而是处在+Br状态(正剩磁状态)。反之，当外加负向脉冲电流时，磁感应强度B将处在-Br状态(负剩磁状态)。
当磁性材料被磁化后，会形成两个稳定的剩磁状态，就像触发器电路有两个稳定的状态一样。如果规定用+Br状态表示代码1，-Br状态表示代码0，那么要使磁性材料记忆1，就要加正向脉冲电流，使磁性材料正向磁化；要使磁性材料记忆0，则要加负向脉冲电流，使磁性材料反向磁化。磁性材料上呈现剩磁状态的地方形成了一个磁化元或存储元，它是记录一个二进制信息位的最小单位。
㈥ 计算机的有关存储器读写速度的排序
Cache、内存、光盘、硬盘。
首先，CACHE是CPU的缓存，和CPU速度一致，用于平衡CPU和内存的速度差，是速度最快的；其次是RAM。因为内存储存的是电脑的缓存，需要快速调用，速度必须快。比如ddr3 1333mhz内存的速度约是10.664GB/s.
ROM和硬盘是一个东西。u盘和硬盘也是同一类东西。而且速度也不好比。例如，硬盘分为机械硬盘和固态硬盘，固态硬盘比机械硬盘快很多。
(6)存储芯片的速度扩展阅读：
数据存储器用于存放可随时修改的数据。数据存储器扩展使用随机存储器芯片，随机存储器简称RAM。对RAM可以进行读/写两种操作，但RAM是易失性存储器，断电后所存信息消失。
按其工作方式，RAM又分为静态和动态两种。静态RAM只要电源加电信息就能保存；而动态RAM使用的是动态存储单元，需要不断进行刷新以便周期性的再生才能保存信息。
㈦ 内存卡的读取速度和写入速度又是什么，搞不懂
你好！这个就是字面上的意思，读取速度是读取存储卡上存储内容的速度，写入速度就是向存储卡上拷贝文件的速度。存储卡芯片不同速度也会有不同，现在主流的是class10级别的，也有更高速度的存储卡，不过价格要贵许多。
㈧ DRAM、SRAM、ROM、CMOS RAM这些存储芯片中，哪个速度最快
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？ 一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下： ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 ◎SRAM使用的系统： ○CPU与主存之间的高速缓存。 ○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。
㈨ 存储器存取速度快慢 Cache存储器，RAM和ROM，寄存器，硬盘和优盘，他们的存取速度哪个最快，分别是多少
速度：寄存器>缓存>RAM内存>ROM
SRAM一般做缓存，速度在半导体存储器中仅次于寄存器，所以做的比较小，电脑上缓存一般就是KB为单位的；RAM对应起来就是我们通常所说的内存了，现在基本都上G了，速度比ROM很快。
cache是一个高速小容量的临时存储器，可以用高速的静态存储器芯片实现，或者集成到CPU芯片内部，存储CPU最经常访问的指令或者操作数据。而寄存器不同，寄存器是内存阶层中的最顶端，也是系统获得操作资料的最快速途径。
寄存器存放的是当前CPU环境以及任务环境的数据，而cache则存放最近经常访问的指令和数据。
(9)存储芯片的速度扩展阅读：
当访问RAM时，对所选寄存器的读或写操作由读和写信号控制。在读取操作过程中，所选单元的数据通过数据线和输入／输出线传输到CPU（中央处理器）。
在写操作期间，CPU通过输入/输入行和数据行将数据存储到选定的单元中。
RAM通过输入／输入报头与计算机的CPU交换数据，读取时输入到报头，写入时输入到报头，两用。由读／写控制线控制。
输入／输出端的数据行数与对应一个地址的寄存器数相同。一些RAM芯片有单独的输入／输出端。通常RAM的输出端有一个开路集电极或三态输出结构。
㈩ PC100内存条的存储器芯片速度为（ ）。(本题：1分)
选D,这都什么年代了，怎么还有PC100这种东西？