❶ 用rom做译码器，说明该如何去做
ROM的电路结构主要包括三部分：地址译码器，存储矩阵，输出缓冲器。如图24-1-2所示。
ROM的结构图
图中地址译码器有n个输入，它的输出W0、W1、……、Wn-1共有N=2n个，称为字线(或称选择线)。字线是ROM矩阵的输入，ROM矩阵有M条输出线，称为位线。字线与位线的交点，即是ROM矩阵的存储单元，存储单元代表了ROM矩阵的容量，所以ROM矩阵的容量等于W×D。输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线联接。
ROM的工作原理
图24-1-3是一个说明ROM结构和工作原理的电路，ROM矩阵的存储单元是由N沟道增强型MOS管构成的，MOS管采用了简化画法。它具有2位地址输入码，即4条字线W0、W1、W2、W3，有4位数据输出，即4条位线D0、D1、D2、D3，共16个存储单元。地址译码器相当最小项译码器，其输入A1、A0称为地址线。二位地址代码A1A0能给出4个不同的地址。每输入一个地址，地址译码器的字线输出W0~W3中将有一根线为高电平，其余为低电平。即
当字线W0~W3某根线上给出高电平信号时，都会在位线D3~D0四根线上输出一个4位二进制代码。输出端的缓冲器不但可以提高带负载能力，还可以将输出的高、低电平变换为标准的逻辑电平。如果作为输出缓冲器的反相器是三态门，还可以通过使能端
实现对输出的三态控制。
(a) ROM存储矩阵 (b) ROM矩阵中一条字线的分解图
图24-1-3 MOS 管ROM矩阵字线和位线关系
图24-1-3中4×4=16个存储单元，即跨接在字线和位线上的MOS管，MOS管的栅极接字线，源极接地。MOS管是否存储信息用栅极是否与字线相连接来表示，如果MOS管存储信息，该MOS管的栅极与字线连接，该单元是存“1”；如果该MOS管不存储信息，则栅极与字线断开，该单元是存“0”。根据图24-1-2，例如，当输入一个地址码[A1A0]=00时，字线W0被选中（高电平），其他为低电平，则该字线上信息就从相应的位线上读出，[D3D2D1D0]=0101。ROM全部4个地址内的存储内容见表24-1中。
当给定地址代码后，经译码器译成W0~W3中某一字线上的高电平，使接在这根字线上的MOS管导通，并使与这些MOS管漏极相连的位线为低电平，经输出缓冲器反相后，在数据输出端得到高电平，输出为1。将图24-1-3(a)中与位线D0相连的各字线的有关部分画在图24-1-2(b)中，显然
每一个逻辑式是一个或门，即位线与字线间的逻辑关系是或逻辑关系，位线与地址码A1、A2之间是与或逻辑关系。最小项译码器相当一个与矩阵，ROM矩阵相当或矩阵，整个存储器ROM是一个与或矩阵。
ROM存储器的两个矩阵一般与矩阵是不可编的，而或矩阵是可编的。编程时一般要通过专门的编程器，采用一定的编程工具软件进行，以决定存储单元的MOS管是否接入。不过存储单元上使用的MOS管是一种特殊的MOS管，将在下面介绍。
集成只读存储器
在集成只读存储器中，最常用的是EPROM，EPROM有2716、2732、2764、27158等型号。存储容量分别为2k×8、4k×8、8k×8、16k×8个单元，(型号27后面的数字即为以千计的存储容量)。下面以EPROM2716为例说明它的六种工作方式，见表24-2。它管脚引线如图24-1-4所示，共有24个管脚，除电源(VCC)和地(GND)外，A10～A0为地址译码器输入端，数据输出端有8位，既它有211条字线，8条位线，存储容量为211×8。
是
为低电平起作用片选端，
等于高电平时2716为高阻，与总线脱离，芯片不工作。PD/PGM为低功耗与编程信号，其作用是在两次读出的等待时间内降低器件的功率损耗，既当PD/PGM为“1”时，输出为高阻。在编程时需要在PD/PGM端加编程脉冲，同时要在电源端加较高的编程电压。
EPROM擦除需专用设备，写入时需要较高的电压，更改存储的数据不太方便。而E2PROM在写数据时不需要升压，用电擦除所需时间也很短（几十毫秒），型号如2815/2816和58064等。
EPROM2716管脚图
❷ 锁存器，触发器，寄存器和缓冲器的区别
1、锁存器把信号暂存以维持某种电平状态，只有在有锁存信号时输入的状态被保存到输出，直到下一个锁存信号。通常只有0和1两个值。
2、触发器具有两个自行保持的稳定工作状态，根据不同的输入信号可以置成0或1的状态，输入信号消失后，触发器保持获得的新状态不变。
3、寄存器是用来暂存数码的，它由触发器和控制门电路组成。
4、缓冲器又称三态门，是寄存器的一种，输出既可以是一般二值逻辑电路，即正常的高电平（逻辑1）或低电平（逻辑0），又可以保持特有的高阻抗状态。
(2)存储矩阵输出缓冲器扩展阅读
应用：
1、锁存器多用于集成电路中，在数字电路中作为时序电路的存储元件，在某些运算器电路中有时采用锁存器作为数据暂存器。
封装为独立的产品后也可以单独应用，数据有效延迟于时钟信号有效。这意味着时钟信号先到，数据信号后到。使用锁存器来区分开单片机的地址和数据，8051系列的单片机用的比较多。
2、可将寄存器内的数据执行算术及逻辑运算；存于寄存器内的地址可用来指向内存的某个位置，即寻址；可以用来读写数据到电脑的周边设备。
3、如果你的设备端口要挂在一个总线上，必须通过三态缓冲器。因为在一个总线上同时只能有一个端口作输出，这时其他端口必须在高阻态，同时可以输入这个输出端口的数据。
所以你还需要有总线控制管理，访问到哪个端口，那个端口的三态缓冲器才可以转入输出状态。这是典型的三态门应用。
❸ 256 8位存储器的字线和位线各有多少条
2^8=256，有8根地址线，256根字线，8根地址线和位线。
存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。每个存储单元存放一位二值代码(0
或 1)，若干个存储单元组成一个“字”(也称一个信息单元)。
地址译码器有n条地址输入线A0~An-1，2n条译码输出线W0~W2n-1，每一条译码输出线Wi称为“字线”，它与存储矩阵中的一个“字”相对应。因此，
每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”，并将字中的m位信息Dm-1~D0送至输出缓冲器。读出Dm-1~D0的每条数据输出线Di也称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。
❹ 什么是字线和位线
如图，在MOS管中，漏极所接线是位线而栅极所接线就是字线。字线为高电平时T管导通，字线为低电平时则截止。
访问SRAM时，字线（Word Line）加高电平，使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M，与M开通，把基本单元与位线（Bit Line）连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线，但是这种取反的位线有助于改善噪声容限。
(4)存储矩阵输出缓冲器扩展阅读：
SRAM一般由五大部分组成，即存储单元阵列、地址译码器（包括行译码器和列译码器）、灵敏放大器、控制电路和缓冲/驱动电路。存储阵列中的每个存储单元都与其它单元在行和列上共享电学连接。
通过输入的地址可选择特定的字线和位线，字线和位线的交叉处就是被选中的存储单元，每一个存储单元都是按这种方法被唯一选中，然后再对其进行读写操作。
有的存储器设计成多位数据如4位或8位等同时输入和输出，这样的话，就会同时有4个或8个存储单元按上述方法被选中进行读写操作。