A. 国产存储芯片开始提速，两大喜讯接连传来，实现从0到1突破
全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。
但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？
存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。
根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。
国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？
第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线
对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。
可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。
昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。
基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。
第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片
相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。
DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。
DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。
然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。
若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。
以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。
另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。
不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。
其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。
海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。
对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？
B. 存储芯片大厂集体“越冬”，芯片市场为何走了下坡路
存储芯片大厂集体“越冬”，芯片市场为何走了下坡路首先是因为受到政策的影响，其次就是我们国内的芯片公司在芯片领域取得了突破性的进展，再者就是很多国家都意识到了应该自主研发芯片，另外就是芯片更新换代的速度很快所以旧的芯片的市场价格往往会大幅度降价，还有就是存储芯片工厂之间的竞争非常激烈使得他们正在不断的更新产品。需要从以下四方面来阐述分析存储芯片大厂集体“越冬”，芯片市场为何走了下坡路。
一、因为受到政策的影响
首先就是因为受到政策的影响 ，对于芯片厂家而言如果受到一些消极的政策影响那么他们的长期发展就会收到限制不利于他们的一些战略调整，并且他们的一些营销策略也会改变。
芯片企业应该做到的注意事项：
应该提升整体的生产效率，并且扩大对应的合作渠道才可以满足长期利益。
C. 打破美日垄断芯片国产化再获新突破：128层闪存芯片进入量产
长期以来，全球的存储芯片市场份额基本集中在韩国、日本、美国等国家的芯片企业手中，我国在这方面虽然起步比较晚，但是进步速度快，我国存储芯片“三剑客”之一长江存储仅仅花了4年时间，就完成了32层3D NAND闪存芯片到128层3D NAND闪存芯片的研发。近日，我国在闪存芯片和固态硬盘领域传来好消息。
据媒体周四（7月29日）最新报道，国内存储产品代工企业“嘉合劲威”宣布， 该司旗下 品 牌阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD闪存颗粒 ，该硬盘 采用的是长江存储研发的128层3D TLC NAND， 主要的实行方案同样来自于中企英韧 科技 。
闪存芯片和SSD固态硬盘之间有什么样的联系呢？NAND闪存芯片被广泛采用到SSD固态硬盘、智能手机、平板电脑等电子设备中， 数据统计显示，2019年，SDD固态硬盘对NAND闪存芯片的需求占比达49.6%，此外，2021年，预计SSD固态硬盘全球的出货量高达3.3亿台。 随着SSD固态硬盘的市场规模越来大，也加速拉动了NAND闪存芯片的市场需求量。
值得一提的是，虽然，当前硬盘市场仍以PCIe 3.0 SSD为主流，但是技术进步是发展趋势，随着更多的高端产品的流出，PCIe 4.0 SSD的呼声也越来越高，三星、西部数据等闪存芯片巨头都推出了PCIe 4.0 SSD固态硬盘。 因此，AN4 PCle4.0 SSD的出现不仅能够填补我国国产高端 PCle4.0 SSD固态硬盘领域的长期空白， 同时也象征着我国国产SSD固态硬盘成功迈进高端市场。
另外，有业内人士分析认为，阿斯加特此次发布的新品， 意味着长江存储研发的128层闪存芯片已经进入量产阶段。由此，该司正式进阶到100层以上的高端闪存芯片赛道，未来有望在闪存芯片市场上获得更多的市场份额。
此次，阿斯加特与长江存储的强强合作，又为我国高端技术突破增添了“功勋章”，成功把我国国产NAND闪存芯片和SSD固态硬盘推向高端市场。
文 | 张建琳 题 |曾云梓 图 | 卢文祥 审 | 吕佳敏
D. 2022年上市，国产内存芯片实现量产，领先业界平均制程11~21纳米
相较于PC端、智能手机芯片制程的更新换代速率， 汽车 、家用电器等传统芯片制程过渡到尖端芯片制程的时间相对较长。步入2021年后，内存市场迎来了一波升级， 眼下PC端领域已经步入到DDR5时代 。低端的 DDR3内存逐渐被三星、SK海力士淘汰。 但对于国产厂商来说，这是 切入DDR3内存市场的最佳时机 。
2021年11月18日消息 ， 合肥长鑫重拾DDR3业务 ，为 兆易创新代工DDR3内存芯片 。据了解，合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3内存芯片采用的是 19纳米制程 。这比业界普遍使用的 30~40纳米 制程的 DDR3芯片 ， 领先了11~21纳米 。
目前合肥长鑫的19纳米DDR3内存芯片还处在工厂测试阶段， 出货时间暂定在2022年第一季度，预计2022年下半年，合肥长鑫将增加DDR3内存芯片产能。 可能有些朋友会说，DDR3早已被淘汰了，眼下已经是DDR5时代，兆易创新委托合肥长鑫代工的DDR3内存芯片，用往何处呢？
正如前面所说的，比起PC端、智能手机行业，家电、灯具等利基市场产品所用芯片的更新换代速率较慢。 合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3芯片用于家电、灯具当中 ，这些设备对内存芯片的性能、容量要求并不高。更何况合肥长鑫负责代工的DDR3内存芯片采用的是19纳米制程，因此能够满足大多数智能家居设备的内存需求。
大数字智能时代的到来，各行各业都在朝着信息智能时代过渡，台灯、厨房油烟机、扫地机器人等家用设备对芯片的需求量不断提高。虽说比起PC端、智能手机等高精尖设备，家电家居的利润并不高，但“蚂蚁再小也是肉”。显然，相较于手机、PC端，灯具、家电设备的市场规模更大。
为了在短期内实现效益的最大化，三星、SK海力士、美光等内存芯片巨头，将目光放在了DDR5身上。但DDR5对于大多数家居家电来说，有些性能过剩，容易造成制程浪费。兆易创新瞅准市场空档期，趁此机会加大对DDR3的市场布局，一定程度上能够提高兆易创新的营收以及市场竞争力。
当然，对于合肥长鑫来说，重拾DDR3制程，只是为了扩宽公司的业务营收，推动产业产品链多元化发展。作为国产存储芯片巨头，合肥长鑫采用自主研发技术于2019年实现了DDR4芯片的量产。关于制程更精密，设计难度更高的DDR5、LPDDR5等内存芯片，合肥长鑫不断加大资金投入力度，争取破冰技术壁垒。
值得一提的是，另一家国产存储芯片巨头，长江储存于2021年7月29日率先攻坚128层闪存芯片技术壁垒，成功推出128层堆栈的闪存芯片。这拉动了我国内存芯片产业的发展。
相较于三星、SK海力士等内存芯片巨头，虽说我们还与之存在一定的距离，但千里之行，始于足下。相信在长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片厂商的努力下，总有一天我们会实现对三星、SK海力士等内存芯片巨头的持平、赶超。
对于合肥长鑫重拾DDR3内存芯片业务这件事情，大伙有什么想说的呢？眼下长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片商不断破冰技术壁垒，在内存芯片领域中取得了许多不错的成绩。你认为我们能否在内存芯片领域中与国外内存芯片技术实现持平呢？
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E. 国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片
在DRAM内存芯片领域我国与其他国家一直都存在着较大的差距，中国台湾的南亚 科技 所生产的内存所占有的市场份额，远低于其他国家的内存芯片。中国自主生产的优质内存是中国高 科技 产业存在的一个短板之一。这一直都是中国之痛，但如今我国国内自主研发生产的内存终于迎来了新的希望，中国企业合肥长鑫有希望进入全球芯片内存市场的前四，合肥长鑫计划在明年量产17nm的内存芯片，并有望超越南亚 科技 ，这是一件值得国人共同庆贺的好消息，是中国国产芯片内存的一大进步。
话题讨论：国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片
对中国 科技 领域有一定了解的小伙伴，一定知道在DRAM内存芯片领域占据了垄断性地位的企业便是来自韩国的企业。三星、SK海力士以及美光这仅仅三家企业就已经占据了全球市场内存芯片领域超过95%的市场份额，排名第四的则是中国台湾的南亚 科技 。虽说是排名第四的企业，但是其所占有的市场份额却只有仅仅的3.2%。通过这几个数字，我们就可以明显感觉到我国国产内存与外国企业所存在的巨大差距。不过即便如此，即便我国在国产内存领域远远落后于他人，我国国内的内存厂商也永不言弃，依旧锲而不舍地加强进行自主研发。其中，中国合肥的长鑫企业就终于成功实现了DDR内存的量产。
首先先给大家介绍一下这一个后起之秀——合肥长鑫。长鑫企业在2016年的时候成立，长鑫储存是一家一 体化的储存器制造商，其拥有了自主设计、研发、生产与销售DRAM的能力。长鑫存储的DRAM产品应用领域非常广泛，在电脑、移动终端和互联网等领域都能见到他的身影。根据相关报道显示，如今的长鑫存储企业依旧在不断地进行扩产，将有希望超过台湾的南亚 科技 ，成功进入全球内存芯片市场排行榜的第四位。长鑫存储在默默的积蓄力量，以待成效之日。
在今年的上半年，长鑫存储就取得了非常优异的成绩。长鑫存储所自主研发的19nm DRAM工艺终于成功上市了，并且其量产也从两万片跨越到了四万片。这是一个非常良好的开端，长鑫存储的市场份额在不断提高，其知名度也在不断的提升，越来越多的人意识到了合肥长鑫的存在。不仅如此根据Digtime公布的消息来看，在今年的年末，长鑫存储的芯片量产有望增长三倍，也就是12万片。而12万片的量产片就足以让超越产量不足7万片的南亚 科技 。因此在今年年末，中国企业长鑫 科技 有望进入全球第四。相信短时间内，长鑫存储在业界的知名度将会又有一个大的提升。
但是就算是有着不错的成绩，但是长鑫存储在DRAM芯片内存领域与国际市场的三大巨头三星、SK海力士和美光这三家企业还是有着很悬殊的实力差距。无论在市场份额的占有上，还是在芯片的制造工艺上都与这三大业界巨头存在着很大的距离。我们都知道长鑫存储目前生产的内存芯片主要是19nm，和国际其他企业存在较大的差距，我国芯片内存制造的工艺技术水平落后于其他国外企业足足有大约两三年的时间。不过，有差距也就有了追赶的动力。据相关人士透露，长鑫存储在2021年的时候，将实现17nm的内存芯片的量产，我国国产的内存芯片存储密度又有了一个提升，这就是一种良好的发展态势。这意味着我国在内存芯片的生产技术上，将会再一次缩小与其他外国企业的距离。
长鑫企业的扩产一直在进行当中。合肥总投资高达2200 亿元的集成电路制造基地项目终于在2019年成功启动。这个项目的占地面积非常广，足足达到了15.2平方公里。这个基地一共设立了三大片区，分别是空港国际小镇、空港集成电路配套产业园以及长兴12英寸存储器晶圆制造基地。如今，合肥已经集结了多达200多家的上下游企业，看来合肥专注于创造一座IC城市。
在这么多家企业当中，长鑫存储就是其中的黑马。这个集成电路制造基地项目总投资2200 亿元，其中长鑫的12英寸存储器晶圆制造基地项目就占了1500亿元了。这是安徽合肥单体投资最大的工业项目，可以说创造合肥的 历史 记录。正是因为国家对长鑫存储寄予了厚望，所以才会如此大的资金投入到长鑫存储的量产当中， 如今的长鑫存储已经成为了国内芯片内存的领军企业，大家都对其满怀期待，相信它也不会让大家失望。长鑫企业一直在用实际行动证明着自己。
国产内存因为长鑫存储等内存制造企业的崛起而拥有了希望。根据相关的报导，安徽的半导体行业也将在短时间内进入高速发展的阶段，新的低耗能高速率内存产品将在这几年的推出，各大企业将专注于产品的产业化。各大企业并没有因为落后于外国企业而气馁，反正更加充满干劲。来日方长，我国国产芯片未来的发展还是非常值得期待的。
写在最后
没有什么企业产品是能够一蹴而就的，特别是在高新 科技 领域，尤其需要时间去发展生长。在我国芯片内存领域空白的那几年里，拉开了我国芯片内存生产技术与其他外国企业之间所存在的距离。在这十几年的时间里，我国一直致力于科学技术的自主研发，我国在 科技 领域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之过急，需要一步一个脚印的前进。虽然目前我国在内存芯片领域依旧有着很大的进步空间，但相信在我国企业的不断努力之下，总有一天我国在这一个领域也会取得耀眼的成绩。