㈠ 29f2g08abaea是nand还是nor
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进袭羡行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
可*性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可*性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可*性。
寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的拍大拍问题更仿早多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可*性。
坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可*的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
㈡ 固态硬盘推荐
SD 固态硬盘(solid state disk)，即固态电子存储阵列硬盘。由控制单元和固态存储单元(Flash芯片)组成。其接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。由于固态硬盘比普通硬盘读写速度快，质量轻，能耗低以及体积小，因此越来越受到大众的推崇。今天量产网就为大家总结下哪些固态硬盘好。
金泰克S300 120G固态硬盘特点就是价格便宜，读写速度也不错，读取能达到450M/S，写入能到360M/S，比金士顿强，可惜品牌没人家响，3年质保，以前是MLC闪存，现在不知道是不是变成TLC了；
采用了铝合金金属外壳，正反两面均涂有磨砂质感涂层，但依 然有较强的金属质感，并在四个角做了圆润的处理，避免与身体基础造成伤害，具有良好的导热散热性。
采用了慧荣SM2246EN主控，支持Trim功能、内 建ECC“错误检查和纠正”技术、AES高级加密标准、NCQ原生命令队列技术以及S.M.A.R.T自我监测技术。采用了4颗编号为 29F64B08NCMFS的英特尔原厂颗粒，单颗容量为64GB，分散在PCB正反两面各两颗，组成了256GB的总容量，其中16GB作为OP预留空 间，提升使用寿命。
这款金泰克S300 固态硬盘定位低于S500系列，但从性能的角度来看，表现的非常不错，具备了和中端产品一较高下的水准。相比老大哥S500系列，S300 固态硬盘的规格进行了全面更新，首先是群联主控更换为慧荣SM2246EN主控，再者是东芝19nm 颗粒更换为英特尔原厂20nm 闪存颗粒，其价格成本主要是由东芝颗粒更换成英特尔颗粒而产生的，虽然后者性能略差，但稳定性和寿命还是可圈可点，要知道它可是英特尔原厂颗粒。
㈢ 金华清科半导体新建项目有哪些
1、金华清科半导体新建项目一期建设目标是产出12英寸凳穗晶圆、DRAM、3DNAND闪存、AI+5G芯片等半导体产品，以及设计和枣态卜建造科研设施、购置设备、人才培养等等。
2、二期建设计划则会通过扩建以及增加新产线来进一步提升产闭升能和产出质量。
㈣ N97和N97i和N97mini和N900有什么区别
Nseries系列的第一款触控手机——Nokia N97
类别：高端全智能手机
上市时间2008年12月2日
上市地点：巴塞罗那
诺基亚N97[1]采用了侧滑型QWERTY全键盘造型，也是该机最大的特色所在，推开滑盖之后，能够看到三排式Q键盘设计，导航按键安置在Q键盘左方，方便配合Q键盘操作，机身三围体积仅为117.2×55.3×15.9毫米重150克，屏幕上采用了一块3.5英寸640×360像素超大触摸屏，显示效果令人满意。
在拍照上，诺基亚N97仍然采用了500万像素的卡尔·蔡司认证镜头，内置闪光灯，支持数码变焦和自动对焦，可以拍摄最大为2584×1938像素的照片，有众多拍摄选项，成像质量出类拔萃。另外FM收音和3.5毫米标准耳机接口也同样具备。内置的视频播放器支持MPEG- 4，H.264，AVC，H.263，3GPP，RealVideo8，9，10等格式的横向全屏播放，配合大屏，观看效果颇具震撼力。
首款Nseries系列Touch手机
BEIJING TIME 02，DEC，2008对广大机迷来说是非常令人激动的一天，因为当天来自芬兰巨人NOKIA CO.LTD在巴塞罗那CCIB召开了一场名为“HEI！JOIN IN”为主题的NOKIA WORLD 2008大会。
本届大会上，NOKIA官方正式对公众发布了全新的Nseries系列智能S60旗舰——N97。希望这款手机能给略显沉闷的S60领域注入新鲜的血液，带领NOKIA走向新的成功与辉煌。
在实际上，NOKIA N97也是NOKIA历史上首款采用全触屏+QWERTY全键盘S60智能手机，她的出现不仅仅预示诺基亚全球进驻触控机行业号角的吹响，同时透露出芬兰巨人诺基亚带给人们触控新体验的决心。
Nokia N97不但是Nseries系列的新旗舰，江湖地位人称机皇的他，第一眼看到却是那么的平易近人。已经上市的N97国内行货版现今分为标准零售版与限量版，其两种版本均有炫白与酷黑的颜色选择。白色版本高贵典雅，黑色机身显得更为稳重。据悉，NOKIA官方授权已独家买断限量版本的销路。
众所周知Nokia 5800XM，其实N97与5800XM看上去相同，系统均慎衫为Symbian OS v9.4 S60 5th Edition操作系统，搭载640x360高解像触控宽萤幕，单单就从屏幕这一点而言，5800XM的3.2与N97的3.5寸显然是有些小气了。N97在待机画面下，机主可通过主屏WIDGET程序设定实现个性化待机模式，如常用通讯录人物图片，天气预报，新闻播报，股市行情，社交网站内容或是多媒体服务内容等。操作更为快捷。
搭载完整的QWERTY键盘
虽然N97已具做简备触控萤幕宽胡腔，可利用萤幕输入文字；但对于N97来说，是远远不够的，在手机上增加一个QWERTY键盘，像一个豪华迷你型PC。因为这也是诺基亚设计师的一个设计理念，也是未来手机发展的一个趋势，键盘采用侧滑盖样式，在抽出滑盖后，萤幕疑似还可以进一步往上倾斜30角，这是采用人体工程学设计原理，专家分析：“人从30度角看屏幕是最好的一个角度了”。方便用户打字观看萤幕，这样的设计方式十分类似HTC的TyTN II手机。
搭载五百万像素、超强扩充能力
N97的出现，让人耳目一新，设备支持拍摄的分辨率为2592X1944像素，约500万像素，支援自动对焦、采用卡尔蔡司认证镜头；为了适应宽萤的改变，N97也支援16:9的DVD品质影片录制，拍下的相片更可即时利用Wi-Fi无线网路（非大陆版本）或是HSDPA上传到Ovi之类的分享社群网站。
在记忆体扩充方面，N97更是前所未有的海量，已达到顶级标准，相当于5年前的一台PC内存了，手机本身内建容量高达 32GB的内存，然而用户还是可以继续利用microSDHC记忆卡扩充容量，最高可扩展至16GB，因此两者相加，可有48GB的容量可放，容量比部份Netbook还要大。
GPS全球卫星定位系统（Global Positioning System）
该系统由美国政府运营。N97 搭载的全球卫星定位系统，支持A-GPS辅助型全球定位系统，内置的Nokia Maps3.0最新导航地图（通过升级实现版本扩充）可查询世界各国城市的景点，导航系统包括驾车与步行间的切换（首次购买送90天的免费使用导航权）。另外，N97也有电子罗盘的功能，可让你获知目前方位。无论您身在何处，永远不会迷失方向。N97的GPS全球定位系统通过第三方软件，支持SOS紧急救援服务。
[编辑本段]基本参数
上市时间 2008-10
网络制式 GSM 3G(联通WCDMA) (国行没有3G)
支持频段：GSM 850/900/1800/1900 WCDMA 850/900/1900/2100MHz
主屏分辨率 360×640像素
主屏颜色 1600万色
主屏尺寸 3.5英寸
主屏材质 TFT
输入方式 高端电阻式触摸屏 手写输入 QWERTY键盘
操作系统 Symbian S60
用户界面 S60 V5.0
CPU型号 ARM11
CPU频率 434MHz
本机内存容量 32768MB （一般显示为29.9或者30算法不同）
运行内存 128MB
ROM 256MB
扩展卡 microSD(TF) 支持SDHC高容量存储卡
电池规格 1500mAh
外观样式 侧滑盖
机身颜色 黑 白
产品尺寸 117.2×55.3×15.9mm
产品重量 150.0g
配备卡尔，蔡司认证的摄像头
摄像头像素 500万像素
摄像头材质 CCD
摄像高级功能 视频拍摄 双LED闪光灯 微距拍摄 自动对焦
手机铃声 MP3 MIDI
数据传输功能 GPS 蓝牙 A2DP WiFi （国行没有WiFi ）
通讯录 支持 S60标准化名片式通讯录 名片夹栏: 包括最近的短信息、电子邮件、通话记录、照片和博客更新、还支持微缩图像
通话功能 通话记录 视频通话 免提接听 语音拨号 来电铃声识别 来电大头贴 情景模式
短信彩信 彩信 短信群发
娱乐功能 音乐播放 电子书 录音功能 Java扩展 **播放 FM收音机 游戏
商务功能 记事本 计算器 闹钟 世界时钟 飞行模式 货币换算 日历 电子字典 单位换算 秒表 定时器 日程表 电子邮件
高级功能 重力感应 距离感应 光线感应
标配 锂电池(BP-4L 1500mAh) 旅行充电器 数据线 立体声耳机 CD光盘 皮套 挂绳笔
体积 117.2×55.3×18.3mm
重量 150 克
理论通话时间400分钟
理论待机时间430小时
【外观设计】
设计原理 人体工程学设计
屏幕样式 3度坡面触摸屏
手机外形 侧滑,全键盘
机身颜色 白色\黑色
主屏分辨率 360×640像素
主屏颜色 1600万色
主屏材质 TFT ,电阻屏
主屏尺寸 3.5英寸
【娱乐功能】
定时诺基亚 N97普通版(黑色)拍摄 游戏
摄像头像素 500万像素
摄像头类型 内置, 卡尔·蔡司认证镜头
摄像头材质 CMOS
支持自动对焦
ISO调节(可选高、中、低三档)
支持曝光补偿调节
支持对比度调节
数码变焦
支持锐利度调节
静止图像文件格式:JPEG
动态拍摄：
录制状态提示
闪光灯 内置 LED双闪光灯
照片质量 最大支持3264×2488分辨率格式
视频播放 RealPlayer media player ,支持MPEG-4 , H.264/AVC , H.263/3GPP, RealVideo 8/9/10
视频拍摄 有声视频拍摄
音乐播放 内置播放器, 支持WMA、MP3、eAAC+等音频格式播放(支持后台播放、播放列表编辑、可选预设、加重低音、古典、爵士、流行、摇滚等音乐播放模式、EQ音效调节及循环播放设置) 查看手机耳机报价
FM收音机 支持, FM调频收音机 （国行不支持FM）
流媒体播放 支持TV-Out电视输出
Flash播放 第2.0版Flash lite播放器
电视与视频
透过 3.5 英寸的 16:9 大宽屏或者借助 TV 输出端口在电视上观赏高质量的视频内容。
利用 照相/摄像机，拍摄高质量的 16:9 视频。
外出途中也能下载视频并进行流式播放。
利用 32 GB 的存储器，随身携带自己喜爱的视频节目。
输入法 手写输入,全键盘输入
【网络功能】
WAP浏览器 支持 WAP2.0执行标准
WWW浏览器 xHTML网页浏览器
E-mail内置， 支持SMTP、POP3、IMAP4等邮件协议
重量：150g
屏幕：3.5英寸TFT屏幕力，高清晰度16:，1600万色显示能9规格(640x360点)
电池：诺基亚BP-4L电池，1500毫安时
存储：最高可达48GB，包括机身内置的32GB和最大16GB的microSD扩展卡容量
视频回放：可播放MPEG-4 / SP和MPEG-4 AVC/H.264/RealVideo/WMV9格式，最高每秒30帧。并支持Flash Lite3.0和Flash视频播放。
音频回放：MP3, AAC, eAAC, eAAC+, WMA。
镜头：卡尔蔡司
拍摄：最高500万像素（2584 x 1938 ）
视频拍摄：VGA尺寸，MPEG-4格式，最高每秒30帧
光圈：F2.8
镜头口径：5.4mm
闪光灯：双LED补光灯
连接和数据：
1.802.11b/g无线连接
2.MicroUSB数据接口，USB 2.0高速连接
3.3.5mm立体声接口和电视视频输出
4.立体声蓝牙版本2.0，支持A2DP和EDR
5.内置GPS芯片，支持A-GPS系统
而N97i就是增加了3G模块，可以使用Wifi无线上网罢了，基本一样，但价格更高。
N97mini
诺基亚N97mini外形方面，整体的设计风格都延续了诺基亚N97的侧滑全键盘设计。该机配备了3.2英寸1600万像素的TFT触摸屏，分辨率仍为 360×640像素，内置500万卡尔蔡司镜头，N97mini不仅支持WCDMA网络还支持WiFi无线上网功能，不过机身内存缩小至8GB，支持 MicroSD卡扩展，基本能够满足日常使用需求。
与N97那块着名的BP-4L电池不同，N97mini所采用的BL-4D这块电池在容量上减少为了1200mAh，而且目前也只有它自己使用这款电池。不过在Wifi和3G全开，24小时持续联网的情况下，N97mini的电力支撑两天还是没有问题的。而且，行货版的N97mini提供了两块BL-4D 电池可以交替，这一点还是比较周到的。
[编辑本段]基本参数
上市日期 2009年09月
手机类型 智能手机；拍照手机；3G手机
手机制式 GSM、WCDMA
支持频段 GSM 850/900/1800/1900
WCDMAMHz
数据传输 GPRS、EDGE、HSDPA
主屏尺寸 3.2英寸
触摸屏 支持
操作系统 Symbian
机身内存 8GB
存储卡 最高支持16GBmicro SD(T-Flash)
产品外形
QWERTY全键盘
外观设计 侧滑盖
机身颜色 绚黑 珍珠白
机身特点 和N97比，全键盘取消了方向键
产品天线 内置
[编辑本段]拍摄专项
摄像头 内置
摄像头像素 500万像素 （港行版为500万相素，美洲版为300万相素）
[编辑本段]多媒体娱乐功能
视频播放 支持
音乐播放 支持
游戏 内置
[编辑本段]基本功能
短信(SMS)
彩信(MMS)
免提通话
闹钟功能
日历功能
输入方式 手写+键盘
网络功能
WAP浏览器
参数纠错
其他功能
GPS功能
待机图片
计算器
来电铃声识别
来电图片识别
图形菜单
[编辑本段]外观设计
带有倾斜式屏幕的侧滑盖 尺寸：113 x 52.5 x 14.2 毫米 重量（含电池）：138 克 体积：75 立方厘米 其他尺寸及形状信息：倾斜侧滑机构
尺寸：3.2 英寸 分辨率：640 x 360 像素 (nHD) 最高支持 1,670 万色 电阻式触摸屏 亮度控制 方向传感器 距离传感器 环境光线探测器
可选颜色：
黑色 白色 红色 限量版18K镀金（香槟色）
[编辑本段]个性化设置
可定制的主屏幕： 互联精灵 主题模式 图标 快捷方式 功能表 可定制的情景模式 铃声：mp3, AAC, eAAC, eAAC+, WMA 视频铃声 主题模式 壁纸 屏保 铃声 预装主题模式 可更改颜色主题
[编辑本段]电源管理
BL-4D 1200 毫安时锂电池 通话时间 (上限)： GSM 430 分钟 WCDMA 240 分钟 待机时间 (上限)： GSM 320 小时 WCDMA 310 小时 视频播放时间 (nHD，最高支持每秒 30 帧)：210 分钟 视频录制时间 (VGA，最高支持每秒 30 帧)：170 分钟 视频通话时间 (上限)：120 分钟 音乐播放时间 (离线模式，上限)：28 小时
[编辑本段]数据应用功能
存储器
MicroSD 存储卡插槽，支持热插拔，最高支持 16 GB 内部存储器：8 GB
数据网络
CSD HSCSD，最高速度 43.2 kbps GPRS 等级 A，多时隙等级 32，最高下载/上传速率 107/64.2 kbps WCDMA，最高速度 3.6 Mbps HSDPA，最高速度 3.6 Mbps WLAN IEEE 802.11b/g，最高速度 11Mbps/54MBps TCP/IP 支持 能够作为数据调制解调器使用 支持 MS Outlook 的通讯录、日历和邮件同步功能 支持 WAPI
工作频率
四频 EGSM 850/900/1800/1900 WCDMA 900/1900/2100 可在各 GSM 频段间自动切换 航班模式
连接功能
蓝牙 2.0 版 (支持增强型数据速率) 电视输出 支持本地和远程 SyncML 同步 高速 USB 2.0（Micro USB 插孔） 3.5 毫米 AV 插孔
[编辑本段]内置功能
软件平台和用户界面
S60 系列第 5 版 Symbian OS 9.4 版 声控命令 用户界面自动旋转 软件更新
个人信息管理 (PIM)
详细的联系人信息 日历 待办事项 备忘 录音器 计算器 时钟 转换器
GPS 和导航
内置 GPS 和 A-GPS 接收器 指南针和加速计可确保正确的显示方向 诺基亚地图软件 通过 PC 使用诺基亚地图加载器应用程序 随附 10 天的步行与驾车导航许可 (可能因地区而异)* * 随附 10 天的步行与驾车导航许可。通过“空中传送”下载地图可能需要传输大量的数据。您的服务提供商可能会收取数据传输费。某些特定产品、服务和功能的提供情况可能会因地区而异。请向当地的诺基亚经销商咨询进一步详情及语言选项。产品规格如有变更，恕不另行通知。
现在nokia官网已发布本机用的ovi地图，可以完全实现免费导航。[1]
[编辑本段]产品测评
诺基亚N97mini与诺基亚N97两者的变化主要体现在外观造型及功能配置两个方面，比如在外观款式的设计上，该机没有如诺基亚N97那样将NOKIA的LOGO设计在屏幕一侧，而是回归了到了以往传统的位置。同时手机的型号也没有如过去曝光时的那样安置在屏幕右上方，而是换成左上方。不仅如此，诺基亚N97mini还对屏幕下方的按键布局进行了重新设计，两个触控键的位置相比过去更均衡。至于在屏幕上方的右上角的前置摄像头和光线感应器则由过去的横向排列更改为纵向。而在左上角的距离感应器在造型上也似乎从过去的正方形变成长条设计，以便在手机通话时可以感应手机贴近人脸而关闭屏幕。
诺基亚N97mini还取消了QWERTY标准键盘上的方向键，并对部分按键的位置进行了调整，以期待获得更便利和快捷的文字输入方式。同时由于诺基亚N97 mini的部分硬件配置有所缩水，因此在体积方面也自然更迷你一些。其中，诺基亚N97mini的机身尺寸为113×52.5×14.2毫米，与N97所拥有的117.2×55.3×18.3mm的三维尺寸相比显然更加小巧。至于手机的重量方面，诺基亚N97mini也只有138克，相比诺基亚N97的150克重量无疑更便于携带。
至于诺基亚N97mini的机身周边各功能接口的设计则与诺基亚N97基本上没有多少不同。比如左边则仍旧安置着诸多功能接口和按键，而在靠近机顶的部分则有立体声的扬声器、micro-USB接口和锁定键等。除此之外，与诺基亚N97一样，该机也在USB接口旁边设计了一个小小的指示灯，在充电时便会亮起。
诺基亚N97mini也在机身顶部设计了通用的3.5mm耳机接口，让用户可以随意更换音质更好的耳机。有所差异的是，与诺基亚N97的手机挂绳孔相比，这次在诺基亚N97mini之上则进行了重新设计，在安装方面更为简便一些。而这也基本上是两款手机在机身周边在设计上唯一的不同。[2]
[编辑本段]诺基亚N97mini特性
[3]滑出式全键盘
机身按键 (S60 键、功能表键、发送/结束键)
触摸屏
箭头键
专门的拍摄键和音量控制键 省电模式、环境光线传感器、未拔充电器提醒、高效充电器 AC-10C"
诺基亚N900诺基亚N900是诺基亚公司于2009年8月27日年发布的采用了Maemo 5.0操作系统的3G智能手机。
目录[隐藏]
简介
基本信息
基本功能
数据应用功能
拍摄专项
多媒体娱乐功能
[编辑本段]简介
诺基亚官方宣称N900为移动电脑。诺基亚N900采用ARM架构，主频达600MHz，程序内存达到了1GB(其中包括256MB RAM和768MB的虚拟内存)，采用基于Linux的Maemo 5操作系统，并配备3D图形加速器支持OpenGL ES 2.0。
诺基亚N900是诺基亚继诺基亚N770，诺基亚N800和诺基亚N810之后推出的第四款基于Linux平台推出的多媒体网络终端，采用侧滑设计，拥有一块3.5英寸的触摸屏，屏幕分辨率达到了WVGA（800x480像素）级别。硬件方面，诺基亚N900装配了一个OMAP3430的CPU，频率可达600MHz。N900的摄像头为500万像素卡尔·蔡司镜头，能拍摄800×480像素AVC/H.264格式的高清视频。
此外，该款手机的操作系统将采用基于Linux底层平台的Maemo 5 OS，而不是N97上的Symbian S60。Maemo 5版本的系统提供3G网络支持，可随时随地通过接入互联网，并且可以通过Wifi网络进行VoIP通话。
软件方面，N900支持多任务同时处理，内置Firefox 3浏览器，支持Flash 9.4，其他各项功能都和一台成熟的智能手机没太大区别
目前 由于intel与nokia的合作关系，N900将可能成为最后一台，也是第一台的MAEMO5手机，据分析，将来n900可能升级为基于Arm A8c核心处理器版本的MEEGO
[编辑本段]基本信息
型号 N900
手机类型 智能手机,音乐手机,拍照手机,3G手机
手机制式 GSM,WCDMA
手机频段 WCDMA(3G),GSM
手机外形 滑盖
主屏尺寸 3.5英寸
主屏材质 TFT
主屏色彩 彩屏,1600万色
主屏参数 480×800像素(WVGA),电阻式触摸屏
内存容量 1GMB ROM,32G NAND
标准配置 BL-5J 1320mAh锂电池,说明书,充电器,数据线，光盘
外壳颜色 黑色
体积 111×59.7×18.2mm
重量 180克
[编辑本段]基本功能
铃声 支持mp3,aac,amr,wma,和弦等格式
通讯录 分组管理,名片式管理
信息功能 SMS短信,MMS短信,短信群发
E-mail收发 支持E-mail,支持SMTP、POP3、IMAP4等邮件协议
输入法 QWERTY键盘输入,手写输入,英文输入法
游戏 内置游戏,支持N-GAGE游戏
办公功能 Office(word、excel、ppt),Adobe PDF
录音功能 支持录音功能
主要功能 内置天线,时钟,内置震动,情景模式,通话时间提示,免提通话,待机图片,来电图片识别,来电铃声识别,来电防火墙,语音拨号,可换外壳,三防功能,飞行模式,主题模式
附加功能 重力感应功能,闹钟,关机闹钟,日历,计算器,日程表,备忘录,语音备忘录,世界时钟,货币换算,单位换算,定时器,秒表,自动键盘锁,自动开关机,名片扫描功能
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蓝牙 支持蓝牙,蓝牙v2.0,支持EDR,A2DP蓝牙立体声
数据业务 GPRS,EDGE,HSDPA
JAVA Java MIDP 2.0,CLDC 1.1
WAP上网 支持wap
WWW浏览器 支持WWW浏览器
数据线 支持数据线,micro USB接口,USB 2.0,支持免驱U盘功能,3.5mm耳机接口
扩展卡 支持microSDHC卡,支持热插拔,最大支持16GB扩展
WiFi(WLAN) 支持WiFi,支持802.11 b/g
GPS定位系统 支持GPS,内置GPS导航芯片,支持A-GPS网络辅助导航功能
其它数据功能 内置Modem
[编辑本段]拍摄专项
摄像头 内置摄像头,卡尔·蔡司认证镜头
摄像头像素 500万像素
传感器类型 CMOS传感器
副摄像头 内置副摄像头
闪光灯 内置闪光灯,双LED闪光灯
拍摄模式 可选5种白平衡:自动,阳光,阴天,白炽光,萤光,可选7种情境模式:自动,用户,微距,运动,夜间,纵向,横向,夜间纵向
照片质量 支持最大2592×1944分辨率照片拍摄
照片特效 可选色调:正常,怀旧,黑白,负片,鲜艳
拍摄特色 数码变焦,自动对焦
视频拍摄 有声视频拍摄,最大支持800×480像素视频录制
[编辑本段]多媒体娱乐功能
多媒体 Flash功能,3.5mm耳机接口,电子书
MP3播放器 支持MP3播放,支持MP3,WMA,ACC等格式
视频播放 支持视频播放,支持MPEG4,H.264/AVC,H.263/3GP,RealVideo等格式
Flash播放 支持,Flash 9.4
㈤ 史上最全的半导体产业链全景！
导 读 ( 文/ ittbank 授权发布 )
集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。
目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。
○ 在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。
○ 全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。
○ 由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半导体产业链收入构成占比图
① 设计：
细分领域具备亮点，核心关键领域设计能力不足。从应用类别(如：手机到 汽车 )到芯片项目(如：处理器到FPGA)，国内在高端关键芯片自给率几近为0，仍高度仰赖美国企业；
② 设备：
自给率低，需求缺口较大，当前在中端设备实现突破，初步产业链成套布局，但高端制程/产品仍需攻克。中国本土半导体设备厂商只占全球份额的1-2%，在关键领域如：沉积、刻蚀、离子注入、检测等，仍高度仰赖美国企业；
③ 材料：
在靶材等领域已经比肩国际水平，但在光刻胶等高端领域仍需较长时间实现国产替代。全球半导体材料市场规模443 亿美金，晶圆制造材料供应中国占比10%以下，部分封装材料供应占比在30%以上。在部分细分领域上比肩国际领先，高端领域仍未实现突破；
④ 制造：
全球市场集中，台积电占据60%的份额，受贸易战影响相对较低。大陆跻身第二集团，全球产能扩充集中在大陆地区。代工业呈现非常明显的头部效应，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了60%的市场份额。此行业较不受贸易战影响；
⑤ 封测：
最先能实现自主可控的领域。封测行业国内企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，长电+华天+通富三家17 年全球整体市占率达19%，美国主要的竞争对手仅为Amkor。此行业较不受贸易战影响。
一、设计
按地域来看，当前全球IC 设计仍以美国为主导，中国大陆是重要参与者。2017 年美国IC设计公司占据了全球约53%的最大份额，IC Insight 预计，新博通将总部全部搬到美国后这一份额将攀升至69%左右。台湾地区IC 设计公司在2017 年的总销售额中占16%，与2010年持平。联发科、联咏和瑞昱去年的IC 销售额都超过了10 亿美元，而且都跻身全球前二十大IC 设计公司之列。欧洲IC 设计企业只占了全球市场份额的2%，日韩地区Fabless 模式并不流行。
与非美国海外地区相比，中国公司表现突出。世界前50 fabless IC 设计公司中，中国公司数量明显上涨，从2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈现迅速追赶之势。2017 年全球前十大Fabless IC 厂商中，美国占据7 席，包括高通、英伟达、苹果、AMD、Marvell、博通、赛灵思；中国台湾地区联发科上榜，大陆地区海思和紫光上榜，分别排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 设计厂商
（百万美元）
然而，尽管大陆地区海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美满电子在中国区营收占比达50%以上，国内高端 IC 设计能力严重不足。可以看出，国内对于美国公司在核心芯片设计领域的依赖程度较高。
自中美贸易战打响后，通过“中兴事件”和“华为事件”我们可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片领域，国内的设计公司可提供的产品几乎为0。
大陆高端通用芯片与国外先进水平差距主要体现在四个方面：
1）移动处理器的国内外差距相对较小。
紫光展锐、华为海思等在移动处理器方面已进入全球前列。
2）中央处理器(CPU) 是追赶难度最大的高端芯片。
英特尔几乎垄断了全球市场，国内相关企业约有 3-5 家，但都没有实现商业量产，多仍然依靠申请科研项目经费和政府补贴维持运转。龙芯等国内 CPU 设计企业虽然能够做出 CPU 产品，而且在单一或部分指标上可能超越国外 CPU，但由于缺乏产业生态支撑，还无法与占主导地位的产品竞争。
3）存储器国内外差距同样较大。
目前全球存储芯片主要有三类产品，根据销售额大小依次为：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在内存和闪存领域中，IDM 厂韩国三星和海力士拥有绝对的优势，截止到2017年，在两大领域合计市场份额分别为75.7%和49.1%，中国厂商竞争空间极为有限，武汉长江存储试图发展 3D Nand Flash(闪存)的技术，但目前仅处于 32 层闪存样品阶段，而三星、英特尔等全球龙头企业已开始陆续量产 64 层闪存产品；在Nor flash 这个约为三四十亿美元的小市场中，兆易创新是世界主要参与厂家之一，其他主流供货厂家为台湾旺宏，美国Cypress，美国美光，台湾华邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，国内外技术悬殊。
这些领域由于都是属于通用型芯片，具有研发投入大，生命周期长，较难在短期聚集起经济效益，因此在国内公司层面发展较为缓慢，甚至有些领域是停滞的。
总的来看，芯片设计的上市公司，都是在细分领域的国内最强。比如2017 年汇顶 科技 在指纹识别芯片领域超越FPC 成为全球安卓阵营最大指纹IC 提供商，成为国产设计芯片在消费电子细分领域少有的全球第一。士兰微从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了芯片制造平台，并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS 传感器的封装领域。但与国际半导体大厂相比，不管是高端芯片设计能力，还是规模、盈利水平等方面仍有非常大的追赶空间。
二、设备
目前，我国半导体设备的现况是低端制程实现国产替代，高端制程有待突破，设备自给率低、需求缺口较大。
关键设备技术壁垒高，美日技术领先，CR10 份额接近80%，呈现寡头垄断局面。半导体设备处于产业链上游，贯穿半导体生产的各个环节。按照工艺流程可以分为四大板块——晶圆制造设备、测试设备、封装设备、前端相关设备。其中晶圆制造设备占据了中国市场70%的份额。再具体来说，晶圆制造设备根据制程可以主要分为8 大类，其中光刻机、刻蚀机和 薄膜沉积设备这三大类设备占据大部分的半导体设备市场。同时设备市场高度集中，光刻机、CVD 设备、刻蚀机、PVD 设备的产出均集中于少数欧美日本巨头企业手上。
中国半导体设备国产化率低，本土半导体设备厂商市占率仅占全球份额的1-2%。
关键设备在先进制程上仍未实现突破。目前世界集成电路设备研发水平处于12 英寸7nm，生产水平则已经达到12 英寸14nm；而中国设备研发水平还处于12 英寸14nm，生产水平为12 英寸65-28nm，总的来看国产设备在先进制程上与国内先进水平有2-6 年时间差；具体来看65/55/40/28nm 光刻机、40/28nm 的化学机械抛光机国产化率依然为0，28nm化学气相沉积设备、快速退火设备、国产化率很低。
三、材料
半导体材料发展历程
▲各代代表性材料主要应用
▲第二、三代半导体材料技术成熟度
细分领域已经实现弯道超车，核心领域仍未实现突破，半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料两大块。晶圆制造材料中，硅片机硅基材料最高占比31%，其次依次为光掩模版14%、光刻胶5%及其光刻胶配套试剂7%。封装材料中，封装基板占比最高，为40%，其次依次为引线框架16%，陶瓷基板11%，键合线15%。
日美德在全球半导体材料供应上占主导地位。各细分领域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻胶——TOK、Shipley，电子气体——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引线架构——住友金属，键合线——田中贵金属、封装基板——松下电工，塑封料——住友电木。
（1）靶材、封装基板、CMP 等，我国技术已经比肩国际先进水平的、实现大批量供货、可以立刻实现国产化。已经实现国产化的半导体材料典例——靶材。
（2）硅片、电子气体、掩模板等，技术比肩国际、但仍未大批量供货的产品。
（3）光刻胶，技术仍未实现突破，仍需要较长时间实现国产替代。
四、制造
晶圆制造环节作为半导体产业链中至关重要的工序，制造工艺高低直接影响半导体产业先进程度。过去二十年内国内晶圆制造环节发展较为滞后，未来在国家政策和大基金的支持之下有望进行快速追赶，将有效提振整个半导体行业链的技术密度。
半导体制造在半导体产业链里具有卡口地位。制造是产业链里的核心环节，地位的重要性不言而喻。统计行业里各个环节的价值量，制造环节的价值量最大，同时毛利率也处于行业较高水平，因为Fabless+Foundry+OSAT 的模式成为趋势，Foundry 在整个产业链中的重要程度也逐步提升，可以这么认为，Foundry 是一个卡口，产能的输出都由制造企业所掌控。
代工业呈现非常明显的头部效应 根据IC Insights 的数据显示，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了超过一半的市场份额，2017 年前八家市场份额接近90%，同时代工主要集中在东亚地区，美国很少有此类型的公司，这也和产业转移和产业分工有关。我们认为，中国大陆通过资本投资和人才集聚，是有可能在未来十年实现代工超越的。
“中国制造”要从下游往上游延伸，在技术转移路线上，半导体制造是“中国制造”尚未攻克的技术堡垒。中国是个“制造大国”，但“中国制造”主要都是整机产品，在最上游的“芯片制造”领域，中国还和国际领先水平有很大差距。
在从下游的制造向“芯片制造”转移过程中，一定要涌现出一批技术领先的晶圆代工企业。在芯片贸易战打响之时，美国对我国制造业技术封锁和打压首当其冲，我们在努力传承“两弹一星”精神，自力更生艰苦创业的同时，如何处理与台湾地区先进企业台积电、联电之间的关系也会对后续发展产生较大的蝴蝶效应。
五、封测
当前大陆地区半导体产业在封测行业影响力为最强，市场占有率十分优秀，龙头企业长电 科技 /通富微电/华天 科技 /晶方 科技 市场规模不断提升，对比台湾地区公司，大陆封测行业整体增长潜力已不落下风，台湾地区知名IC 设计公司联发科、联咏、瑞昱等企业已经将本地封测订单逐步转向大陆同业公司。封测行业呈现出台湾地区、美国、大陆地区三足鼎立之态，其中长电 科技 /通富微电/华天 科技 已通过资本并购运作，市场占有率跻身全球前十（长电 科技 市场规模位列全球第三），先进封装技术水平和海外龙头企业基本同步，BGA、WLP、SiP 等先进封装技术均能顺利量产。
封测行业我国大陆企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，美国主要的竞争对手为Amkor 公司，在华业务营收占比约为18%，封测行业美国市场份额一般，前十大封测厂商中，仅有Amkor 公司一家，应该说贸易战对封测整体行业影响较小，从短中长期而言，Amkor 公司业务取代的可能性较高。
封测行业位于半导体产业链末端，其附加价值较低，劳动密集度高，进入技术壁垒较低，封测龙头日月光每年的研发费用占收入比例约为4%左右，远低于半导体IC 设计、设备和制造的世界龙头公司。随着晶圆代工厂台积电向下游封测行业扩张，也会对传统封测企业会构成较大的威胁。
2017-2018 年以后，大陆地区封测（OSAT）业者将维持快速成长，目前长电 科技 /通富微电已经能够提供高阶、高毛利产品，未来的3-5 年内，大陆地区的封测企CAGR增长率将持续超越全球同业。
㈥ 在手机论坛中常可以看到“NAND”，“NAND”是什么
NAND技术
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技术Flash Memory。这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
NAND技术Flash Memory具有以下特点：（1） 以页为单位进行读和编程操作，1页为256或512B（字节）；以块为单位进行擦除操作，1块为4K、8K或16KB。具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms；而NOR技术的块擦除时间达到几百ms。（2） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程。（3） 芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器，将很快突破每兆字节1美元的价格限制。（4） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到3~35块（取决于存储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效块在地址映射表中屏蔽起来。 Samsung公司在1999年底开发出世界上第一颗1Gb NAND技术闪速存储器。据称这种Flash Memory可以存储560张高分辨率的照片或32首CD质量的歌曲，将成为下一代便携式信息产品的理想媒介。Samsung采用了许多DRAM的工艺技术，包括首次采用0.15μm的制造工艺来生产这颗Flash。已经批量生产的K9K1208UOM采用0�18μm工艺，存储容量为512Mb。
UltraNAND
AMD与Fujistu共同推出的UltraNAND技术，称之为先进的NAND闪速存储器技术。它与NAND标准兼容：拥有比NAND技术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的应用中体现出NAND技术的成本优势；它没有失效块，因此不用系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
与DINOR技术一样，尽管UltraNAND技术具有优势，但在当前的市场上仍以NAND技术为主流。UltraNAND 家族的第一个成员是AM30LV0064，采用0.25μm制造工艺，没有失效块，可在至少104次擦写周期中实现无差错操作，适用于要求高可靠性的场合，如电信和网络系统、个人数字助理、固态盘驱动器等。研制中的AM30LV0128容量达到128Mb，而在AMD的计划中UltraNAND技术Flash Memory将突破每兆字节1美元的价格限制，更显示出它对于NOR技术的价格优势。
3 AND技术
AND技术是Hitachi公司的专利技术。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技术的Flash Memory。AND技术与NAND一样采用“大多数完好的存储器”概念，目前，在数据和文档存储领域中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
Hitachi和Mitsubishi公司采用0.18μm的制造工艺，并结合MLC技术，生产出芯片尺寸更小、存储容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用双密度封装技术DDP（Double Density Package Technology），将2片512Mb芯片叠加在1片TSOP48的封装内，形成一片1Gb芯片。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，读电流为2mA，待机电流仅为1μA，同时由于其内部存在与块大小一致的内部RAM 缓冲区，使得AND技术不像其他采用MLC的闪速存储器技术那样写入性能严重下降。Hitachi公司用该芯片制造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用于智能电话、个人数字助理、掌上电脑、数字相机、便携式摄像机、便携式音乐播放机等。
4 由EEPROM派生的闪速存储器
EEPROM具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出另一类以EEPROM做闪速存储阵列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇区结构闪速存储器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存储器（Data-Flash Memory）。这类器件具有EEPROM与NOR技术Flash Memory二者折衷的性能特点：（1） 读写的灵活性逊于EEPROM，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与NOR技术Flash Memory的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。（2） 与EEPROM比较，具有明显的成本优势。（3） 存储密度比EEPROM大，但比NOR技术Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存储密度可达到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。
Small Sector Flash Memory采用并行数据总线和页结构（1页为128或256B），对页执行读写操作，因而既具有NOR技术快速随机读取的优势，又没有其编程和擦除功能的缺陷，适合代码存储和小容量的数据存储，广泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的专利产品，采用SPI串行接口，只能依次读取数据，但有利于降低成本、增加系统的可靠性、缩小封装尺寸。主存储区采取页结构。主存储区与串行接口之间有2个与页大小一致的SRAM数据缓冲区。特殊的结构决定它存在多条读写通道：既可直接从主存储区读，又可通过缓冲区从主存储区读或向主存储区写，两个缓冲区之间可以相互读或写，主存储区还可借助缓冲区进行数据比较。适合于诸如答录机、寻呼机、数字相机等能接受串行接口和较慢读取速度的数据或文件存储应用。
三、 发展趋势
存储器的发展都具有更大、更小、更低的趋势，这在闪速存储器行业表现得尤为淋漓尽致。随着半导体制造工艺的发展，主流闪速存储器厂家采用0�18μm，甚至0.15μm的制造工艺。借助于先进工艺的优势，Flash Memory的容量可以更大：NOR技术将出现256Mb的器件，NAND和AND技术已经有1Gb的器件；同时芯片的封装尺寸更小：从最初DIP封装，到PSOP、SSOP、TSOP封装，再到BGA封装，Flash Memory已经变得非常纤细小巧；先进的工艺技术也决定了存储器的低电压的特性，从最初12V的编程电压，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V单电压供电。这符合国际上低功耗的潮流，更促进了便携式产品的发展。
另一方面，新技术、新工艺也推动Flash Memory的位成本大幅度下降：采用NOR技术的Intel公司的28F128J3价格为25美元，NAND技术和AND技术的Flash Memory将突破1MB 1美元的价位，使其具有了取代传统磁盘存储器的潜质。
世界闪速存储器市场发展十分迅速，其规模接近DRAM市场的1/4，与DRAM和SRAM一起成为存储器市场的三大产品。Flash Memory的迅猛发展归因于资金和技术的投入，高性能低成本的新产品不断涌现，刺激了Flash Memory更广泛的应用，推动了行业的向前发展。
㈦ 固态硬盘的mlc和tlc和3dv-nand的区别
MLC可以储存更多的数据，可降低生产成本，寿命中等，传输速度较慢。
TLC传输速度更慢，价格便宜，但是寿命短，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。
3DNAND闪存的容量大、性能号、成本低、可靠性都有了保证。
㈧ 让国内如此疯狂的 3D NAND闪存到底是个啥
什么是3D NAND闪存？
从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
3D NAND与2D NAND区别
3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势？
在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势
传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色
在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。
四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色
上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。
三星：最早量产的V-NAND闪存
三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量产了3D NAND闪存
值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解
东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术
东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。
东芝的BiCS技术3D NAND
东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。
SK Hynix：闷声发财的3D NAND
在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。
SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存
这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。
美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。
Intel的杀手锏：3D XPoint闪存
IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。
Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。
3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏
这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。
由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。
相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。
最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，武汉新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂，第一个目标就是NAND闪存，而且是直接切入3D NAND闪存，他们的3D NAND技术来源于飞索半导体（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来，后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。
2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议，双方合作研发、生产3D NAND闪存，主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的，3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的，有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层，如果真是这样，相比主流的32-48层堆栈就差很远了，成本上不会有什么优势。
㈨ 三星v6nand多少层
三星v6nand共有136层竖行知。根据查询相关公开信息显示：三星V6NAND是三星生产的一种闪存存储器，采用了该公司自主研发带早的垂直堆叠技余消术（VerticalNAND），也就是3DNAND的一种。