① 长江存储属于什么级别的公司
长江存储不是上市公司。
长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设团念计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒， 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。截至目前，长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工6000余人，其中研发工程技术人员4000余人。通过不懈努力和技术创新，长江存储致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
【拓展资料】
世界芯片生产商：
一、英特尔
英特尔是一家成立于1968年的个人计算机零件和CPU制造商，拥有50年的市场领导历史，在1971年推出第一个微处理器，就为世界带来了计算机和互联网的革命，主要领域在半导体、微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等，位于福布斯2019全球企业2000强排行榜第44位，在2019年第一季度半导体市场以158亿美元营收排在第一位，也是世界三大芯片生产商之首。
二、三星
三星是全球着名的跨国企业集团，三星电子作为旗下最大的子公司，主要领域涉及到IT解决方案、生活家电、无线、网络、半导体及LCD事业等燃或塌，在1983年研制64K动态随机存储器成为了当时世界半导体领导者，之后在移动设备领域一直处在领先地位，也是智能手机市场份额最多的企业。
三、高通
高通公司是全球知名的移动设备和处理器制造商，旗下的骁龙处理器是业界最为领先的移动智能设备处理器，向多家制造皮圆商提供技术支持，在国内基本除了华为使用自己的研制的麒麟处理器外，小米、oppo、vivo等大部分手机制造商都会搭载骁龙处理器，也是知名的世界品牌500强之一。
四、超威
美国超威半导体AMD，也是知名的显卡制造商，涉及CPU、显卡、主板电脑硬件设备等领域，在计算机显卡领域和英伟达占据大半市场，但近年来似乎有所下降。
五、美光
美光也是世界十大芯片公司之一，也是世界最大的半导体储存及影像产品制造商之一，在全球拥有两万六千多名员工，在国内北京和深圳都营销办事处。
② 只读存储器和随机存储器的主要特点
只读存储器的特点是用户只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导操作系统。
随机储存器的特点是在储存器的数据被读取和斜入式，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。但随机储存器具有易失性，当电源关闭时RAM不能保留数据。
而且随机存储器对环境的静电荷极其的铭感，静电会干扰储存器内电容器的电荷，导致数据丢失，甚至是烧坏电路。随机存储器几乎是所有访问设备写入和读取速度最快的，并且现代的随机存取存储器以来电容器去存储数据。
(2)随机存储公司扩展阅读：
只读存储器工作原理
地址译码器根据输入地址选择某条输出(称字线)，由它再去驱动该字线的各位线，以便读出字线上各存储单元所储存的代码。
随机存储器的组成
RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成。
存储矩阵由触发器排列而成，每个触发器能存储一位数据(0或1)。通常将每一组存储单元编为一个地址，存放一个“字”。
每个字的位数等于这一组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址译码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号，从存储矩阵中选中一组单元，使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下，将数据读出或写入。
只读存储器种类
可编程只读存储器
可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。
用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。 PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。
ROM
只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。
在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
③ 随机存储是什么意思
问题一：随机存取和非随机存取分别是什么意思？有啥区别？ 随机存友坦取斗告告就是直接存取，可以通过下标直接访问的那种数据结构，与存储位置无关，例如数组。
非随机存取就是顺序存取了，不能通过下标访问了，只能按照存储顺序存取，与存储位置有关，例如链表。
问题二：随机存储器是什么意思？
问题三：为什么说数组中的元素是随机存储的?对于数组来说随机存储的意思是什么? 比如 数组a[10]有a[0]....a[9]共10个元素
你可以 a[0],a[1],a[5]这样在数组的任意一个位置读和写，就叫可以随机存储
“随机存储”和“顺序存储”向对
像队列、栈、文本之类的结构只能顺序存储，不能直接在任意位置读写。
问题四：考研计算机组成原理：随机存储方式、随机访问、随机存取是什么区别 随机存取：随机是指存取时间与存储单元的物理位置无关，存取是指写入与读出操作，计算机中的主存如RAM采用这种方式，故称为随机存储器；
随机访问侧重在访问，一般理解为读操作。因为ROM是只读存储器，所以可以像RAM一样随机访问，但不能随机存取；
随机存储可以理解为等同于随机存取，只有RAM可以；
RAM与ROM都属于内存，也称主存；CD-ROM是第一代光盘存储器，只能读出，不能写入，属于外部存储器的一种，也成辅助存储器，它采用激光蚀刻的方法记录信息；从存取方式上来看，与磁盘（软盘、硬盘）有相同的属性，属于直接存取方式。
问题五：RAM随机存储器是什么意思？ RAM 内存断电后数据丢失
ROM CD-ROM断电后数据任然能保存只读就是只能读取不能写入
问题六：随机存取的随机存储用途 SRAM：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。SRAM主要用于缓存。DRAM：动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，需要不断地刷新。FPM DRAM：快速页模式动态随机存取存储器是最早的一种DRAM。在存储器根据行列地址进行位元定位的全程中，FPM DRAM必须处于等待状态，数据读取之后才能开始处理下一位数据。向二级缓存的最高传输速率约为176MB每秒。EDO DRAM：扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，就可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，EDO DRAM就开始为下一位数据寻址。它比FPM快5%左右。向二级缓存的最高传输速率约为264MB每秒。SDRAM：同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。这种模式在读取数据时首先锁定一个记忆行，然后迅速扫过各记忆列，与此同时读取列上的位元数据。之所以有这种设计思想，是因为多数时候CPU请求的数据在内存中的位置是相邻的。SDRAM比EDO RAM快5%左右，已成为当今台式机内存中应用最广的一种。向二级缓存的最高传输速率约为528MB 每秒。DDR SDRAM：双倍速率同步动态RAM与SDRAM相似，但带宽更高，即速度更快。向二级缓存的最高传输速率约为1064MB每秒。（133兆赫兹DDR SDRAM）。RDRAM：Rambus动态随机存取存储器同先前的DRAM体系有着根本性的区别。由Rambus公司设计的RDRAM采用了Rambus直插式内存模组（RIMM），在外形尺寸和引脚构造方面类似于标准的DIMM。RDRAM与众不同之处在于它采取一种特殊的高速数据总线设计，称为Rambus信道。RDRAM内存芯片在并行模式下工作频率可达800兆赫（数据速率1600兆字节）。由于操作速率很高，RDRAM产生的热量要大大多于其他类型的芯片。为了驱散多余的热量，Rambus芯片配有散热器，这种散热器看上去就像是又长又薄的圆片。正如DIMM有其小外形版本一样，生产商还为笔记本电脑设计了小外形RIMM。信用卡内存：信用卡内存是一种享有专利权的独立DRAM内存模组，使用时要将其插入笔记本电脑的特制长槽中。PCMCIA内存卡：另一种用于笔记本空明电脑的独立DRAM内存模组，这种内存卡不享有专利权，只要系统总线能与内存卡设置相互匹配，即可用于各种笔记本电脑。CMOS RAM：CMOS RAM这一术语是指用于电脑和其他设备中的一种小容量存储器，用来存储硬盘设置等信息――有关详细信息，请查见《计算机基本知识》一文。这种内存需要一个小型电池来供电，以维持存储器的内容。VRAM：视频RAM，亦称多端口动态随机存取存储器（MPDRAM），为显示适配器和3D加速卡所专用。所谓“多端口”是指VRAM通常会有两个独立的访问端口，而非单一端口，允许CPU和图形处理器同时访问RAM。VRAM位于图形卡上，且种类繁多，其中很多享有专利权。VRAM的大小往往能决定显示器的分辨率和色深度。VRAM还可以用来保存一些图形专用信息，例如3D几何数据和质素图。真正的多端口VRAM往往价格不菲，因而当今的图形卡使用SGRAM（同步图形RAM）作为替代品。两种显存性能相差无几，而SGRAM价格更为便宜。
问题七：物流中随机存储是什么意思 10分 一般都是没有固定的仓罚号 新的小而且少用的不多的产品在入仓后会随机根据电脑指定一个仓位号！而产生的存储！
问题八：随机存储器所谓的随机是指什么？ 随机存储器所谓的随机是相对于顺序存储器来说的，顺序存储器只能按某种顺序来存取数据,存取时间和存储单元的物理位置有关，随机存储器任何存储单元的内容都能被随机存取数据偿且存取时间和存储单元的物理位置无关，相对来说，随机存储器比顺序存储器在存储形式上更灵活随意，所以就叫随机存储器。
问题九：c语言的数组随机存取是什么意思 随机存取需要和顺序存取做一下比较，比较之后就明白了
比如给你一列纵队的人，让你找到位置为5的人，第一种方法是你从第一个位置开始一个一个往后找，直到找到位置为5的位置，这样的就是顺序存取
而如果你已经知道5的位置，不需要经过前面的四个位置直接到达位置为5的位置，那么这样的就是随机存取
④ 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。
⑤ 长鑫存储技术有限公司员工主要是中国人还是外国人
长鑫存储技术有限公司员工主要是中国人。根据查询相关信息显示，长鑫存储技术有限公司员工一共有2000人，1800人是中国人。长鑫集电(北京)存储技术有限公司有北京户口。北京户口指标，企业文化模范践行奖，企业文化榜样团队奖，闪耀之敬神凳星。长鑫存储的事业开始于2016年，专业从事动态随机存取存储芯片的研发、生产和销售，目前12英寸晶圆厂已建成投产。产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现亮旅实和物联网等领域，市场瞎启需求巨大并持续增长。公司自成立以来，以技术为核心，加强管理体系的建设。
⑥ 随机存取存储器详细资料大全
随机存取存储器 （英语： R andom A ess M emory，缩写： RAM ），也叫 主存 ，是与CPU直接交换数据的内部存储器。[1]它可以随时读写（刷新时除外，见下文），而且速度很快，通常作为作业系统或其他正在运行中的程式的临时数据存储介质。
主存（Main memory）即计算机内部最主要的存储器，用来载入各式各样的程式与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般计算机主存的最主要部分。2014年生产计算机所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年开始DDR4 SDRAM逐渐普及化，笔电厂商如华硕及宏碁开始在笔电以DDR4存储器取代DDR3L。
基本介绍
- 中文名 ：随机存取存储器
- 外文名 ：random aess memory
- 存储原理 ：由触发器存储数据
- 单元结构 ：六管NMOS或OS构成
- 简称 ：RAM
特点
随机存取 所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Aess）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放作业系统、各种应用程式、数据等。 易失性 当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。 静态随机存取存储器 对静电敏感 正如其他精细的积体电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。 访问速度 现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。 笔记本电脑记忆体 需要刷新（再生） 现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。类别
根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。 静态随机存储器(SRAM) 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。 动态随机存储器(DRAM)动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。
组成
RAM电路由地址解码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成，如图所示。 图1 存储矩阵由触发器排列而成，每个触发器能存储一位数据(0或1)。通常将每一组存储单元编为一个地址，存放一个“字”；每个字的位数等于这一组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址解码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号，从存储矩阵中选中一组单元，使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下，将数据读出或写入。区别
唯读存储器
ROM-read only memory唯读存储器 ①简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。举个例子来说也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了档案，那么ROM可以随机保存之前没有储存的档案但是RAM会使之前没有保存的档案消失。 动态随机存取存储器记忆体
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程式和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称记忆体储器（简称记忆体），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软碟，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。记忆体指的就是主机板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程式，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的积体电路，记忆体只用于暂时存放程式和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程式和数据就会丢失。 从一有计算机开始，就有记忆体。记忆体发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，记忆体的速度一直在提高且容量也在不断的增加。今天，服务器主要使用的是什么样的记忆体呢？IA架构的服务器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。 快速周期随机存取存储器 既然记忆体是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程式，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的记忆体指的是动态记忆体（即DRAM），动态记忆体中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行记忆体刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因。刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持数据的连续性。存储单元
静态存储单元（SRAM） ●存储原理：由触发器存储数据 ●单元结构：六管NMOS或OS构成 ●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache ●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成晶片：6116(2K×8位)， 6264 (8K×8位)， 62256 (32K×8位)，2114(1K×4位) 动态存储单元（DRAM） ●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元） ●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2 ms ）。 ●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低 ●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。 尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。