㈠ 光谷成全球最大光纤光缆研制基地
光谷成全球最大光纤光缆研制基地
引导语：有光，世界才精彩。一年一度的光博会，是武汉光电子产业30年积淀与发展的侧写，从这里，我们能读到整个光电子产业的发展历程。
11月5日是本届光博会展出第二天，记者从会场获悉，2015年，湖北省电子信息产业主营业务收入突破5000亿元，已连续多年增幅保持在20%以上，是全省发展最快的新兴产业。
图为：3C智能制造示范工厂
湖北光电子行业的高速发展，使得作为行业名片的光博会，早已升格为国家级大型科技展会，吸引了来自全球的重量级企业，成为行业盛会。
全国领先 首发三维闪存
“我们在光谷的项目，代表了全国的最高水平。”在长江存储展会现场，一位市场部负责人指着正在展出的3DNAND(三维闪存)告诉记者。
有着中国第一“芯”之称的长江存储，肩负着中国布局自主性存储器的重任——我国存储器长期以来进口，提升行业研发能力，具有国家战略意义。“现在全球的存储器正在经历2DNAND向3DNAND的升级，我们希望能抓住这一市场机遇。”他透露，由长江存储生产的3DNAND有望在2018年实现量产，届时产能可达每月30万片，将广泛应用于服务器、PC、智能终端、物联网等领域，“到2020年，本项目将贡献中国芯片制造自产率的8%。”
长江存储是光谷光电子产业的一个缩影，光谷聚集了全国最为优质的光电子企业，已然成为国家级梯队选手。现场，华工科技、长飞光纤、楚天激光等本土企业聚集，展示光通信、光制造、物联网等前沿的技术和产品。
全球聚焦 产业创新高地
2015年，湖北省电子信息产业主营业务收入突破5000亿元，成为继食品、化工、汽车后，我省第四个过5000亿的产业。“今年，全球约60%光缆产量来自于中国，长飞已成长为全球第一大光纤和预制棒供应商、全球第二大光缆供应商。”长飞光纤总裁庄丹在光博会首届世界光纤光缆大会上表示。大会认为，中国成为全球光纤光缆行业的.“四大中心”——研发中心、制造中心、销售中心、咨询与服务中心指日可待。
在这背后，武汉光谷的力量功不可没，数据显示，光谷已经成为全球最拍迅大的光纤光缆研制基地，光纤光缆国内市场占有率66%，国际市场占有率25%，销量世界第一;是我国最大的光器件研发生产基地，光器件国内市场占有率60%，国际市场占有率12%;是我国最大的激光产业基地，激光产业国内市场占有率连续11年超过50%。“未来应通过对光材料、光传感、光网络、光计算、光服务等领域进行产业链上下游匹配协作，实现国内领先的‘光联万物’产业生态。”湖北省光电协会副主席单位光电通一位负责人接受记者采访时表示。
看点一
无人驾驶车开上城区路
坐上汽车，无需司槐贺机，说出目的地，汽车就能自动行驶带你前往，科幻电影中的无人驾驶汽车已驶入现实世界。本届光博会上，来自未来的无人驾驶汽车吸引观众眼球，记者看到，在无人驾驶汽车展区，一辆比亚迪汽车经过改装，油门、刹车、转向都进行了调整，车顶车身都安装了雷达、相机、导航定位等设备。“通过汽车电脑将传感器搜集的信息进行综合分析，再下达转向、加油、刹车等指令，车辆准确地通过弯道、靠边停车，全程不需要人工操作。”武汉光庭科技有限公司总经理苏晓聪介绍，无人驾驶可以解决很多问题，未来的交通将更节能，做到零伤亡零事故。
比如在高速公路上，如果采用自动驾驶技术，车辆之间联动，多辆车在同一车道行驶，前车发现障碍物，可在刹车的同时将状态传递给后车，大大提高车辆运行效率。武汉市民也可以近距离体验自动驾驶汽车，自动驾驶汽车实现了从封闭高速道路环境到开放城际道路的技术跨越。据悉，今年4月开始，该公司投放10台车每天从光谷广场开到未来科技城，市民可以通过预约体验，截至目前已有超过1.3万人次搭乘。
该公司销售部长郗彦庭表示，无人驾驶目前还处于一个研发阶段，暂未实现商业化。无人驾驶汽车要真正上路，在法律法规、技术成熟度、安全可靠性的确保方面，还有很多课题要解决。
政策支袭明此持将让武汉无人驾驶汽车产业获得飞跃发展机会，光博会上，武汉与北京、上海、重庆、杭州、长春一起，正式入围全国首批六个智能汽车与智慧交通应用示范城市，武汉开发区成为首批入选示范区项目建设的核心区。
看点二
3C智能打造无人工厂
相较于以往更多以单个机器人展示的方式，今年光博会上，华中数控带来了国家首个3C智能制造示范工厂的一整条示范单元生产线，十余台机器人手臂上下翻飞颇为壮观。下达生产指令后，不同分工的机器人在一条流水线上共同完成一个产品的制作与装配，整条流水线都不需要工人操作。
华中数控相关负责人表示，国家首个3C智能制造示范工厂这一成果，已在广东一企业投入使用，接到不同产品的订单时，生产线可以自动排产，在生产过程中还能自动优化流程，不需要人去到加工区域重新设置。在以往强调自动化的基础上，今年的研究成果更强调智能自动化，并将研发领域从3C推广到教育、注塑等多个方面，共推工业4.0高速发展。
另一旁的云机器人展区，三只巨大的机器人手臂正在吸起一个个小圆球。相关负责人黄先生告诉记者，让机器人抓取小球是大材小用，其中一台机器人最重可以抓取800公斤货物，堪称“大力士”，在物流、汽车制造等诸多领域使用;而一款白色机器手臂则是最新推出的一体机，虽然最重可以抓取165公斤不及“大力士”，但占用空间最小，不需要柜机;另一条六轴的机器手臂最灵活，还可以安装轨道滑动作业。
;㈡ 揭秘：为什么手机“存储容量”最大只有256GB
现在的智能手机存储容量越做越大，很早之前，手机能有个8GB、16GB都称得上顶配，随着科技的进步，软件的更新速度不断加快，手机功能越来越多，用户对存储容量的需求量也越来越高。特别是近几年，手机ROM更是到了疯狂的256GB(像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe)。虽然不确定未来会不会有更高的规格，但是很明显的是256GB会持续很长一段时间。为啥会这样呢？ 一、智能手机为何最大ROM只有256GB？ 成本受限 大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取决于存储介质(存储颗粒)，相同容量的情况下，SLC的价格要明显高于MLC和TLC，虽然容量的提升反映在成本的具体数字上可能仅为几百一千。但考虑到手机要大规模生产，聚沙成塔这成语相信大家都懂。 TLC=Trinary-Level Cell，即3bit per cell，该类芯片传输速度较慢，寿命短，生产成本低。MLC=Multi-Level Cell，即2bit per cell，该类芯片传输速度一般，寿命一般。至于SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，这类芯片几乎只出现在企业级SSD上，成本较高，当然速度和寿命也是三者中最出色的。 存储颗粒的三种类型 颗粒规格的限制 比较出名的三星、镁光、现代、东芝这些上游存储颗粒供应厂商，其颗粒规格现时尚未突破256GB。由于手机不像电脑那样体积庞大，供应商们通常只能把一颗存储颗粒装在小小的手机内，因此手机容量就取决于这颗存储颗粒的规格。 iPhone 7 nand flash芯片 手机内部空间限制 手机内部空间寸金尺土，目前还无法做到两颗存储颗粒共存，早期的解决方案是插入手机内存卡（TF卡），不过为了轻薄化与传输速度，很多手机都取消了拓展内存卡的功能。但庆幸的是如今手机内置容量都比较大，正常用个2~3年不成问题。 TF内存卡 手机更换周期缩短 现在的智能机更新换代速度非常快，一年一换甚至一年两换的大有人在。之前中央电视台的《东方时空》栏目曾经做过调查，结果表示“52%手机用户平均一年以内换一部手机”。因此对于消费者来说，够用就好，太大也用不完。而厂商更是紧贴着用户的需求进行设计/生产。 大环境下云存储的发展 随着科技进步，网速也越来越快，而现在的4G也逐渐取代了之前的3G，未来的5G也呼之欲出，网速的不断提升就衍生了一个新的名词——云存储。作为新兴的存储技术，与传统的购买存储设备和部署存储软件相比，云存储有着成本低、见效快、便于管理、方式灵活等优点，在保证数据安全的情况下，很多用户更愿意把数据存在云端，所以并不需要太多的本地存储空间。 云存储 二、未来发展新趋势:3D NAND 什么是3D NAND？ 3D NAND的概念其实不难理解：其原理简单说来就是“堆叠”，目前由英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这么一来，一个MLC的闪存芯片上就可以增加最高32GB的存储空间，如果是单个TLC闪存芯片则可增加48GB。就目前来说3D NAND闪存属于一种新兴的闪存类型，通过把存储颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。 3D NAND 3D NAND技术的优点 3D NAND的亮点在于它采用的是立体、垂直堆叠的方式来提高单颗粒中包含芯片的数量，堆叠层数的提高最终会带来容量的成倍提升，极大的提高产品的使用寿命；3D NAND可以提供更高的指令运行效率，使产品的运行性能得以提升；简化了编程阶段，有效减少了产品待机和工作时的能耗。 3D NAND 目前，三星、SK Hynix、东芝/闪迪、Intel/镁光这几大NAND豪门都已经涉足3D NAND闪存了，而武汉新芯科技主导的国家级存储器产业基地，更是国内首家新建的12寸晶圆厂，投产后直接生产3D NAND闪存，可以说未来3D NAND就是突破移动设备ROM容量的必备技术。 总结： 科技在进步，我们永远无法预知未来，未来的手机又会发展成啥样呢？目前，小编还是建议大家购买64GB、128GB的手机更为合适，够用就好。考虑到用户需求的问题，相信之后很长一段时间也不会出超过256GB存储规格的手机。
㈢ 长江存储内存条品牌
致钛是长江存储旗下的品牌中国存储芯片产业以投入NANDFlash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NANDFlash厂房。第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，预计2018年兄者第三季度开始链冲搬棚尘歼入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NANDFlash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。2022年4月19日，长江存储科技有限责任公司宣布推出UFS3.1通用闪存——UC023.
㈣ 闪存是什么东西啊
闪存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"。闪存盘是一种移动存储悄腊产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具.
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
闪存的分类
NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；败稿而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
NAND型闪存的技术特点
内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的启枯滑页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
决定NAND型闪存的因素有哪些？
1．页数量
前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
2．页容量
每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4Gb)提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次)。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
3．块容量
块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计)，块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！
4．I/O位宽
以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为(1K+32)×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
5．频率
工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则
K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。
6．制造工艺
制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间(如信号稳定时间等)等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。
㈤ 长江存储为什么叫YMTC
因为YMTC是长江存储的缩写。
1、大陆首家实现64层3DNAND闪存量产的内资IDM企业，国家和地方产业基金大力支持发展。
2、长江存储（缩写“YMTC”，简称“长存”）致力于提供3DNAND闪存设计、制造和存储器解决方案的一体化服务，产品广泛用于移动通信、消费数码、计算机、服务器等领域。
㈥ 新基建这一年，产业链中最重要的是什么
2020年1月3日，国务院常务会议确定促进制造业稳增长的措施时，提出“大力发展先进制造业，出台信息网络等新型基础设施投资支持政策，推进智能、绿色制造”。
2020年3月4日，中共中央政治局常务委员会召开会议，强调“要加大公共卫生服务、应急物资保障领域投入，加快5G网络、数据中心等新型基础设施建设进度”。
在中央密集部署之下，市场开始热捧，新型基础设施建设（以下简称新基建）迎来风口。迄今为止，已经将近一年。
在这一年中，无论是信息基础设施还是融合基础设施、创新基础设施，新基建产业链条中最重要的一环就是： 存储 。
很显然，没有存储，无论是5G、云计算、数据中心还是大数据、人工智能，都将成为无本之末、无源之水。
事实上，自从世界进入信息时代、数字时代乃至当前的人工智能时代之后，存储一直就是最核心、最基础的支撑技术。
存储技术：“科幻”未来的必由之路
自从人类步入信息 社会 ，计算和存储就变的愈发重要起来，计算能力和存储能力的不断提升持续拓展着人类的脑力边界， 社会 生活不再局限于眼前的“苟且”，更多的“诗与远方”给予了人类无限的遐想。
大数据、人工智能、自动驾驶、虚拟现实、火星殖民等“天顶星 科技 ”逐步由科幻变成现实的过程，让生活在这个时代的人类无限的憧憬和兴奋。所有这些 科技 的实现，无一不是依托更强的算力、更大的存储。
“运算”+“存储”构成了人类“科幻”未来的必由之路。
而事实上，从过去到现在，存储一直是构成了信息技术发展的重要基石之一，各国以及各大公司，在存储领域的争斗从未停歇，甚至存储领域的能力直接影响到了相关国家信息技术发展的进程。
存储史：也是信息 科技 的争斗史
翻阅存储产业的 历史 ，是一个行业乃至国家信息产业兴衰起伏的发展史，从美国、日本、韩国，存储产业轮番发展与壮大，随之而来的是存储芯片技术的飞速进步，与国家信息产业的突飞猛进。
存储产业的发源地：美国
上世纪50年代，由美国政府牵头，军方作为主要采购商，大力发展存储等集成电路产业，美国一跃成为世界电子信息产业的霸主。蓝色巨人IBM、无冕之王Intel都在当时赚到了存储领域的第一桶金，从而逐渐发展壮大，独霸一方。
美国IBM公司生产的KeyPunch 031型打孔卡数据记录装置
其实，美国IBM公司最早就是靠生产打孔卡数据机起家。1932年，美国IBM公司发明了第一种被广泛使用的计算机存储器 — 磁鼓存储器，采用电磁感应原理进行数据记录。磁鼓非常笨重，像个两三米长的巨型滚筒，但磁鼓的存储容量也只有几K而已，售价极其昂贵。
1949年，一个叫王安的中国人，在哈佛大学发明了磁芯存储器，嗅觉敏锐的IBM公司闻风而来，邀请他担任技术顾问，并购买磁芯器件。到1956年，王安将磁芯存储器的专利权，以50万美元卖给IBM公司。磁芯存储器是继磁鼓之后，现代计算机存储器发展的第二个里程碑。直至1970年代初，世界90%以上的电脑，还在采用磁芯存储器。
Intel在成立之初，就制定了研制晶体管存储芯片的方向。1969年，Intel推出了64bit容量的静态随机存储器（SRAM）芯片C3101，1970年10月，推出了首款可以大规模生产的1K 动态随机存储器（DRAM）芯片C1103，使得每bit（比特）存储只要1美分，它标志着DRAM内存时代的到来。到1974年，Intel占据了全球83%的DRAM市场份额。
整个1970年代，存储的王者是美国的存储厂商，而到了1980年代，日本厂商的存储时代到了。
存储产业大发展：日本崛起
70年代，日本跟随着美国的发展路径，通过从美国购买核心技术，举国发展存储等电子信息产业，NEC、日立、富士通、尔必达、东芝等企业先后崛起，与美国企业德州仪器，莫斯泰克，美光等大杀一方。
为打破存储技术壁垒，在1976年，由日本通产省牵头，以日立（Hitachi）、三菱（Mitsubishi）、富士通（Fujitsu）、东芝（Toshiba）、NEC这五大公司作为骨干，联合多家日本研究所，组建“VLSI联合研发体”，攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。
到了1980年，日本VLSI联合研发体宣告完成为期四年的“VLSI”项目，实现了多项研发的成果。各企业的技术整合，保证了DRAM量产良率高达80%，远超美国的50%，构成了压倒性的总体成本优势，从而一举奠定了当时日本在DRAM市场的霸主地位。
虽然在1980年，日本研制的DRAM产品，只占全球销量的30%，美国公司占到60%。但是到了1985年局势已经完全倒转。
日本的经济也随着半导体产业的繁荣开始腾飞。
由于日本廉价DRAM的大量倾销，美光被迫裁员，不得已只得向美国政府寻求帮助。而Intel，连续亏损数个季度，DRAM市场份额仅剩下1%。当时，Intel的年销售额为15亿美元，亏损总额却高达2.6亿美元，被迫关闭了7座工厂，并裁减员工。濒临死亡的Intel，被迫全面退出DRAM市场，转型发展CPU，并由此获得新生。日本电子企业、 汽车 企业的凶猛攻势，最终引爆了美日两国的经济战争。
渔翁得利后发制人：韩国半导体借存储产业腾飞
日美两国在存储芯片领域的竞争，快速拉高了对技术、资金的要求，两国的经济战争又给了韩国半导体产业发展的机会。
80年代，韩国产业联盟，四大财阀三星、现代、LG和大宇全力进攻存储产业。韩国政府全力配合，采取了金融自由化政策，松绑融资环境，让韩国各个财阀能够轻易调动资金，投入到存储产业竞争中。同样的套路，三星在起步初期从美国和日本购买技术，砸重金扶持自有技术和产业。
1992年三星完成全球第一个64M DRAM研发；1994年三星将研发成本提升至9亿美元，1996年三星完成全球第一个1GB DRAM（DDR2）研发。至此，韩国企业在存储芯片领域一直处于世界领跑者地位。
从1983年三星正式宣布进军存储器产业，到1992年末三星超越日本NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，三星走过了艰难的10年。
从此之后，三星在其后连续蝉联了近30年世界第一，韩国的经济也随之腾飞，实现了向高 科技 引导型经济的转型。韩国持续在存储芯片领域发力，长期保持着世界第一存储芯片生产大国的地位。目前全球三大存储器公司，韩国独占两席，最近甚至就连英特尔的3D NAND闪存业务也都卖给了韩国的SK。
新基建，发力存储正当时
时间来到21世纪，中国经历了近30年的改革开放，从一穷二白逐步迈入小康 社会 。新的经济发展需要新的产业动能驱动，产业升级的窗口期打开了，是中国出场的时候了。2014年，筹备许久的《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家大基金先后落地，中国的存储产业得到了腾飞的助力，徐徐拉开大幕。
存储是未来新基建的“粮食”，5G基础设施和数据中心的建设，都离不开存储。在紫光集团等国内芯片巨头的带领下，中国的存储产业将迎来关键的发展阶段。
2016年6月13日，合肥长鑫由合肥产投牵头成立，主攻DRAM方向。
2016年7月26日，紫光集团联合多方成立长江存储，首个闪存生产线在武汉建设，一期投资240亿美元，一号厂房于2017年9月封顶。
2017年，紫光集团旗下长江存储研发成功32层三维闪存芯片，打破了存储芯片国产化零的突破；2019年64层闪存芯片宣布研发成功，
2018年4月11日，长江存储开始搬入机台设备，在当年4季度量产32层三维闪存，2019年9月，长江存储宣布其64层三维闪存启动量产。到了2020年4月，长江存储宣布全球首款128层 QLC三维闪存研发成功，实现了跨越式的发展，中国存储技术第一次跟上了世界主流存储技术步伐。。
在内存DRAM领域，合肥长鑫在2017年开始投资建设DRAM工厂，2019年底宣布DDR4 DRAM和LPDDR4 DRAM芯片研发成功。
长江存储 X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
合肥长鑫投资建设DRAM工厂
不过， 现有 垄断的存储市场并不欢迎新进的玩家，存储大厂三星，SK 海力士和美光垄断了全球90%以上的市场份额，全球存储大厂的产能规模是国内公司的几十倍，技术比国内公司领先好几代，国内公司在资金、规模和技术任何一项都不占优势，长途可谓漫漫。
然而，存储市场巨大，产值巨大，经济带动效用巨大。2019年，全球存储市场超过1000亿美金，国内存储市场超过500亿美金，单一月产能10万片的存储器制造工厂投资额就需要100亿美金，这也决定了存储产业 “配得上”国家新基建的这样的规模和力度。
在过去的几十年里，中国成为世界上最耀眼的“明星”，取得了举世无双的发展。当前，中国的铁路、公路和基础设施建设等传统的“基建”项目在经过几十年的高速发展后，已经屹立在“世界之巅”。
可以说，我们正从传统的不断缩小的“衣食住行等物质需求”向不断增大的“交流、沟通、计算和存储等信息需求”转变。
“传统基建”靠的是钢筋+水泥，“新基建”靠的是计算+存储。新基建，发力存储正当时。
在当前的市场环境下，在新旧动能切换的关键时期，发力存储产业正当时。
㈦ 长江存储股东持股比例
新里程集团有限公司、湖北能源集团有限公司、三峡资本控股有限公司、国华人寿保险股份有限公司、武汉城建集团有限公司、湖北洪泰国有资本投资运营集团有限公司、上海海鑫集团有限公司、中国证券金融股份有限公司、中国葛洲坝集团有限公司、湖北鄂旅投创业投资有限公司、湖北长江产业投资集团有限公司
扩展信息:
1.长江存储(“YMTC”)是一家专注于3DNAND闪存及内存解决方案的半导体集成电路企业。长江存储致力于成为可靠的创新型存储解决方案提供商，向全球合作伙伴提供3DNAND闪存、嵌入式存储、移动硬盘、固态硬盘等产品，并推出“智体”品牌。长江存储科技有限公司于2016年7月26日在武汉东湖新技术开发区注册成立。法定代表人为赵卫国，经营范围包括半导体集成电路技术领域的技术开发；集成电路及相关产品的设计等
2.中国存储芯片行业以投资NAND闪存市场的长江存储、专注移动存储芯片的合肥长信、致力于普通存储芯片的金华集成为主芹橡。从三家厂商的进度来看，试产时间预计在2018年下半年，量产时间可能在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国内存芯片量产元年。长江存储科技有限公司于2016年7月26日在武汉东湖新运嫌技术开发区注册成立。法定代表人为赵卫国，经营范围包括半导体集成电路技术领域的技术开发；集成电路及相关产品的设计等2016年12月底，由长江存储牵头的国家存储基地正式开工，计划分三个阶段建设三个3D-NAND闪存工厂。厂房一期于2017年9月竣工。预计2018年第三季度迁入机，第四季度进行试生产。初期投资不超过1万片，用于生产32层3D-NAND闪存产品。预计第二和第三阶段的生产计划将在64层技术成熟后制定。嫌悄旁
㈧ 闪存是什么意思 闪存的定义和原理
闪存的优点是读写速度快、耐用性高、体积小、重量轻、功耗低、抗震性能好等。同时，闪存也存在一些缺点，如价格较高、容量受限、寿命有限等。
总之，闪存是一种非常实用的存储介质，它的出现极大地改变了数据的存储方式和读写速度，为人们的生活和工作带来了巨大的便利。
闪存孙斗的优点是读写速度快、耐用性高、体积小、重量轻、功耗低、抗震性能好等。同时，闪存也存在一些缺点，如价格较高、容量受则羡磨限、寿命有限等。
闪存的原理是通过电子存储单元内的电荷状派纤态来存储数据。闪存中的存储单元被称为“闪存单元”，每个闪存单元都由一个晶体管和一个电容器组成。当需要存储数据时，晶体管会被激活，并将电荷存储在电容器中，从而改变电容器的电荷状态。电荷状态的改变可以被检测出来，从而实现数据的读取和写入操作。
闪存的原理是通过电子存储单元内的电荷状态来存储数据。闪存中的存储单元被称为“闪存单元”，每个闪存单元都由一个晶体管和一个电容器组成。当需要存储数据时，晶体管会被激活，并将电荷存储在电容器中，从而改变电容器的电荷状态。电荷状态的改变可以被检测出来，从而实现数据的读取和写入操作。
闪存是一种常用的存储介质，也被称为固态存储器或快闪存储器。它是一种非易失性存储器，可以在断电后保持数据的存储状态，因此被广泛应用于各类电子设备中，如存储卡、闪存盘、固态硬盘等。