❶ STC单片机的FLASH程序存储器、SRAM字节、EEPROM有什么区别与联系
FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
(1)航天flash存储器扩展阅读：
特点：
EEPROM可单字节操作更灵活，FLASH存储量更大些FLASH：只能块擦除（叫块擦除更准确吧，原文是BLOCK），举例说明：比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入。
意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。
❷ flash内存条与ddr的区别
区别1：不同的功耗和发热：flash闪存模块消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基础上降低了能耗和发热。
区别2：工作频率较高：flash存储模块能耗较高。由于降低了能耗，DDR可以获得更高的工作频率，在一定程度上弥补了延迟时间较长的缺点。
区别3：数据处理不一样：闪存模块数据删除不是基于单个字节，而是基于固定块。块大小通常为256Kb到20MB，闪存是一种电子可擦除只读存储器（EEPROM）。DDR内存颗粒大多为16M X 32bit，搭配中高端属显卡常用的128MB显存便需8颗较为合适。
区别4：通用性不同：闪存模块广泛应用于大多数电子设备中。由于DDR的针脚和封装等关键特性没有改变，所以显卡的显示核心和公共版本设计相对高端，也比较少见。
(2)航天flash存储器扩展阅读：
在嵌入式系统中，内存（SDRAM或DDR）可以作为文件系统的存储介质。当存储器断电时，它不能保持原始数据不变。因此，基于内存的文件系统只能是临时文件系统，可以用来保存临时文件，而不是需要永久记录的文件。其优点是内存中只有动态变化，系统不会产生垃圾。
目前内存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM接口控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM接口控制器。两者最大的区别是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味着如果读取一个文件需要两秒钟，那么使用DDR可能需要不到一秒钟的时间。
Flash是嵌入式系统中最常用的文件系统存储介质。nor和NAND有两种类型。也不能直接读取flash，但写入是通过块而不是字节完成的。而不是直接写，它需要由命令控制；NAND flash也就是说，它不允许直接读写。读写都是通过块来完成的，需要通过命令来控制。
相比之下，nor的读取速度比NAND快，NAND的单位密度也比nor高，即单个IC NAND flash可以有4GB（字节）的存储空间，nor flash最多只能有1GB（位）。NAND flash通常有坏块，所以文件系统的设计比较复杂（坏块需要处理）。应该注意的是，关闭闪存电源可以防止文件丢失。
❸ c51单片机，通常所说的flash属于存储器吗
flash 属于存储器，相当于电脑的硬盘。实际又区分为存储程序和存储断电需要保持的数据的。对于一些新型号的单片机，直接就可以在自己的程序中对 flash 进行读写操作，很方便。
❹ 帮忙解释下solid state storage device 详细点最好
固态存储设备
一、固态存储设备的应用
在航空航天信息处理系统中，大容量固态存储器有磁泡和半导体盘。其主
要优点是没有机械运动部件、比磁盘、磁带存储器更能承受温度、振动、冲击
。90年代初Intel公司推出新型闪速存储器（Flash Memor
y）后，受到宇航系统及其它抗恶劣环境计算机应用领域高度重视。这种半导
体存储器是非易失性的，当电源有故障或被切断后，信息仍保存完整。
闪速存器基本特点是可以电擦除，并且可按字节重新编程，特别适合用在
实时模拟和电子战场合。Flash Memory现也译为快速擦写存储器
。
在宇航系统中Flash Memory主要用在以下领域：
（1）数据采集子系统。所采集的数据可以周期性地从芯片中取出，进行
分析、综合。电擦除后，Flash Memory成为空白芯片，可反复使
用万次以上。
（2）需要周期性地修改已存储的代码和数据表。过去用EPROM（可
擦、可编程只读存储器），修改一次代码耗时15～20分钟，用Flash
只要一秒左右。擦除和重新编程可在同一系统或同一编程器插座中现场进行。
（3）宇航计算机研制阶段（组装、装配），用它存放硬件诊断、调试程
序，芯片直接装焊在电路板上，既可提高系统可靠性，又增加了调试灵活性。
此外，Flash可维修性优异，可通过串行通信口对电路上的芯片直接进行
改写，可显着降低维修费用。
（4）固化操作系统，可以比装在软盘或硬盘上的操作系统开机等待时间
大大减少，提高系统实时性。
（5）当要求系统关键数据安全性时，例如飞行员（领航、驾驶员）携带
飞机数据库中保密信息时，一旦被击落，要有安全措施或清除掉上述信息。美
国海军空战中心信息存储部门十分强调：要在几秒钟内全部清除掉所存信息。
对此磁盘或磁带机难以胜任。
因此，在航空航天及军事系统中，Flash具有非易失性、可电擦除、
高密度和快速诸优点。即使价格昂贵，一般也倾向优选此方案。
二、闪速存储器的基本工作原理
ETOX－Ⅱ（Eprom Tannel OXide）闪速存储器是
Intel公司推出的典型Flash产品，其工艺是由标准的Cmos E
prom工艺发展而来的，单元结构一样。两者差别在于ETOX－Ⅱ的栅极
氧化层较薄，为100～120�，使它具有电擦除功能。而Epron的氧
化层一般为325�。
下面从编程（信息写入）和擦除原理方面进行分析。
1．编程原理
Flash和Eprom的编程原理相同。控制栅上接＋12V±5％的
编程电村Vpp，漏极（drain）上外加5V电压，源极（Source
）接地。漏源极间的电场作用使电子空越沟道，在控制栅的高电压吸引下，这
些自由电子越过氧化导进入浮置栅，（Floating gate），一旦
该栅获得足够多的自由电子，源漏极间便形成导电沟道（接通状态）。信息存
储在周围都绝缘的浮置栅上，即使电源切断，信息仍然保存。
2．擦除原理
Flash的擦除原理和Eprom完全不同。电擦除可编程只读存储器
（EEPROM）每位信息可用电来擦除；而紫外（UV）型Eprom（U
VEPROM）是靠紫外光束来“中和”浮置栅上的电荷实现整体擦除的。
Flash备两种Eprom特点。在源极上施加高电压Vpp，而控制
栅接地，在这种电场作用下，浮置栅上的电子就越过氧化层进入源极区域，被
外加电源全部中和掉，实现整体擦除。随着存储容量增大，Flash也可采
取分区擦除。
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三、Flash存储器芯片及半导体固态盘产品现状
美国两大供应Flash存储芯片的厂商是Intel和AMD。前者约
占70％，AMD占16～30％市场。
Intel公司16Mbits芯片1993年面市，1994年春已推
出单片32Mbits第四代产品。AMD公司将于1994年推出16Mb
its芯片，比商用产品推迟一季度交付军品芯片。
日本有四家公司生产供应4Mb FlashE〔2〕prom，它们是
东芝、日本电气（MEC）、三菱电机和日立，分别用512K×8b、25
6K×16b、或512K×6b以及512K×8b组成，可重写次数10
≥〔4〕次，生产工艺为CMOS、0．7～1．0μm，批量生产时间均为
1992年以后。
从逻辑结构上看，Flash是与或（NOR）逻辑，一般电源电压是＋
5V、＋12V。1987年东芝推出NAND与非逻辑的Nand Epr
om利用Fowler－Nerdhein隧道进行擦除和重写，电源电压只
用单一＋5V。它的位面积仅为Fash的36％，成本比Flash更低。
缺点是读出时间比Flash约慢10倍，在要求体积紧凑、电源单一、可靠
性高的场合Nand型更有潜在优势。第一个Flash产品是在美国的日本
公司开发的，但在生产和应用方面美国处于领先地位。
四、现有Flash存在的主要问题
虽然Flash具有电气整体擦除、高速编程（每个芯片总编程时间仍需
以秒计，每字节花费10～100μs）、低功耗、抗噪声、内部命令寄存器
结构可以和微处理器、单机片机微控制器写入接口兼容，以及比E〔2〕pr
om密度大、价兼、可靠等优点，但仍存在以下缺点和问题：
1．入时间过长（读出速度可与RAM相当）。不适合在军事宇航控制系
统中作随机存储器，适宜用作只读存储器（ROM）。
2．数据传输率不高。一般为270KB／S，而温盘机一般都超过1M
B／S。
3．Flash芯片仍存在极限寿命。过去几年，写入一擦除周期已从1
0〔5〕次提高到10〔6〕次。由于芯片的写入耐疲劳度所限，如果一个扇
区（Sector）被写入5万到10万次，它的氧化层就被磨损。
目前解决上述寿命问题的技术方案有以下三点：
（1）为回避此问题，Targa Electronics）公司研制
一种IDE（Integrated Device Electronic
s）接口的板级固态盘产品，该产品内装软件以保证数据完整性，一旦执行存
取操作就将数据重新安排并且在扇区磁道上标注出已损坏的扇区号。
（2）Sundisk公司作为Flash盘的最早厂家之一已经较好地
解决了这一问题。它采用了纠错码（ECC）技术、磨损调整（Wear－L
eveling）技术，以及动态缺陷管理技术等。
所谓磨损调整技术就像更换汽车轮胎安装部位那样，当某一扇区已经写入
太多次数时，就把基中数据搬移到另一扇区去。
动态降管理技术，必要时把某一已坏的信息位（bit）重新映像到另一
位。Sundisk公司不让任一位写入次数超过5万次，据称使用具备这些
技术的存储系统工作100年也不会破坏。尽管Flash有寿命极限问题，
但可以克服。
Sundisk公司称它不依靠另加软件就可实现磨损调整功能并且该存
储系统能和DOS及Windows系统100％全兼容。虽然它主要面向商
用，但已在波音777飞机上安装使用。
4．在提高可靠性方面存在的问题及改进措施
（1）偶然性的擦除使信息丢失：为此Intel公司1990年在其F
lash芯片中增加了字组保护结构（boot block archit
ecture），它能保持一部分重要代码不被偶然擦除丢失。
（2）传统的Flash芯片为实现重新编程需要单独的外电源＋12伏
电路。为适应军品宽温（－55℃～＋125℃）变化，要求＋12伏±5％
严格控制允差范围，这对军用固态盘存储系统不合适。为此AND公司于19
93年4月推出一种单一＋5伏电源供电、1Mb Flash芯片，其写入
次数至少有10万次。采用这种芯片既提高了可靠性又使写入周期次数增大。
写入周期耐疲劳度（Write cycle enrance）指在每
一扇区内可以反复存储数据的次数。
今后，要求双电源（＋5，＋12伏）的芯片将渐被淘汰。
5．在仿真硬磁盘（HDD）时，占用主机CPU时间
传统的Flash芯片构成存储器时由主机系统的软件命令控制，花费C
PU时间。
AMD公司单电源（＋5伏）芯片中已装入“嵌入式算法”（Embed
ded algorithm）命令由它给出。
许多固态盘仿真旋转式HDD时，主要是CPU花费时间在它的I／O端
口上访问传统的驱动器。
五、现有抗恶劣环境固态盘
我们将适应宽温、耐冲击、抗振动并经过美国军标质量论证过的各公司产
品型号扼要列于表中，以供参考。
❺ flash一个地址能存多大数据
flash一个地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024字节和2048字节，一般来说内部flash大的采用2048字节一页，内部flash小的采用1024字节一页。
flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。
flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还可以快速读取数据，使数据不会因为断电而丢失。
Flash种类：
目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。
以上内容参考网络-Flash
❻ ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么
1、ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。
2、RAM分为两大类：SRAM和DRAM。
SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
(6)航天flash存储器扩展阅读：
存储器的概念很广，在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。
计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
参考资料：存储器 网络
❼ 什么是闪速存储器它有哪些特点
90年代INTEL公司发明的一种高密度、非易失性的读写半导体存储器
闪速存储器的特点
闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点：与EPROM相比较，闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作）；与EEPROM相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的特点。其独特的性能使其广泛地运用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理（PDA）。