① 内存的颗粒识别，详解
您好，现在内存颗粒主要有以下厂家的产品：
samsung(三星),elpida（尔必达）,hynix,（现代）nanya,（蓝牙）infineon，（英飞凌）
在内存颗粒上都会有用激光蚀刻上去的相应的logo,您可以看得到，具体各个厂家的产品编码序列号的意思可以参考下面的内容：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR
SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要
参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M
4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯
片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU
＝MCP（UTC））
12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2
-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数
字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤
其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少
。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）
注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的
LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该
首先排第一位。
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：
128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS[
一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（现代HYUNDAI）
现代是韩国着名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工艺：空白则是5V，V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K
刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3）
，10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国着名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽
然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是
很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普
通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国着名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的
产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国
的产品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量。
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：
333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的着名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还
是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最
大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的
，产品品质还算不错。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，
市场上仅有少量零售产品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3
），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（东芝）
东芝是日本着名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯
卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产
品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为
速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，
因为较贵，所以市场上少见。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
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1、M2代表三菱产品
2、I／O界面。一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白为普通，L为低耗。
② 东芝thnsnk128gvn8固态硬盘使用的是什么颗粒
这个型号是东芝OEM产品，不在零售市场销售，实际使用的是支持QSBC纠错的东芝主控搭配东芝自家15nm 2D TLC闪存。个人购买固态硬盘的话推荐选东芝3D闪存的TR200 240G。