⑴ ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么
1、ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。
2、RAM分为两手让仔大类：SRAM和DRAM。
SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的滑穗性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
(1)存储的分类dram扩展阅读：
存储器的概念很广，在集成电路中毕汪，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。
计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
参考资料：存储器 网络
⑵ 内存类型中SRAM和DRAM什么区别
SRAM存储元件所用和伍MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；DRAM存储元件所用MOS管少，占硅片面积小，因而功耗小，集成度很高悄棚腔；
SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电现象，所以要使状态保持不变，必须定时刷新；因为读操作会使状态发生改变，故需读后再生。
SRAM不会因为读操作而使状态发生改变，故无需读后再生，特别是它的读写速度快，其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。DRAM因为启衫特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多，其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。
SRAM价格比较昂贵，因而适合做高速小容量的半导体存储器，如Cache。相比于SRAM、DRAM价格较低，因而适合做慢速大容量的半导体存储器，如主存。有三种刷新方式：集中、分散和异步。
(2)存储的分类dram扩展阅读：
静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
⑶ 内存有什么分类
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。那么内存的分类是什么?下面跟着我一起来了解下吧。
内存有什么分类
内存其实是一组或多组具备数据输入/输出和数据存储功能的集成电路。按照其工作原理可分为RAM和ROM两大类;从功能的角度，又可以分为主存储器、高速缓冲存储器(Cache)和 BIOS 存储器三种。
按工作原理分类
按照内存的工作原理可将内存分为RAM和ROM两大类。下面分别进行介绍。
(1)RAM
RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)存储的内容可以通过指令随机读写访问。RAM由半导体存储器组成，当系统运行时，将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入内存，CPU再从内存中读取指令或数据进行处理，并将结见存入内存，所以RAM既能读又能写。RAM中存储的数据在关机或断电后将自动丢失，因而只能在开机运行时存储数裾。RAM又分静态存储器SRAM、动态存储器DRAM和磁性内存MRAM三种。
&;SRAM
SRAM以双稳态电路形式存储数据，这种电路可视为一个开关，对应两个状态1和0。由于开关的转换由电路控制，所以只要电路不动，状态就不会改变。由于SRAM集成度低、体积大和造价高，从成本和体积考虑，内存不宜全部采用SRAM，但由于晶体管的开关速度很快，因此SRAM的读巧速度也很快，通常将其作为Cache。
②DRAM
DRAM通过MOS(金属氧化物半导体)电容存储电荷来储存信息，具有结构简单、集成度高、功耗低、体积小、生产成本低、便于大容量制造的特点，在计算机主存储器中得以大量应用。
常见的DRAM内存根椐制造工艺和性能参数等各方面的差异，可分为以下几种。
•SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步动态随机存储器)：采用同步技术，工作频率与系统的外频相同，因此在一定程序上提高了性能。随着其他硬件能力的快速提高，SDRAM逐渐暴露出其弱点，因此将被DDRSDRAM所取代(如图1所示为SDRAM内存)。
•DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,即双倍速率同步动态随机存储器)：习惯上称之为DDR，其核心建立在SDRAM的基础之上，只是在速率和容量上有所提高。DDR本质上并没有提髙时钟频率，但是它可以在时钟脉冲的上升沿和下降沿同时传输数据，因此其速度是标准SDRAM的两倍(如图2所示为DDRSDRAM内存)。
•DDR-II：DDR-II内存是DDR-1内存的换代产品，DDR-1I内存最早出现在高端显卡上，因为品存对传输带宽的需求比较高，因此使用了这种能够提供更高带宽的内存。DDR-II和DDR—样，采用了在时钟的上升沿和下降沿同时进行数据传输的基木方式，但DDR-II内存可进行4bit预读取，是标准DDR内存的两倍，这就意味着，DDR-II比DDR的预读取系统数据速度高两倍。DDR-II内存频率从533MHz开始，现在主要有533/667/800MHZ三类产品。DDR-II采用240线DIMM接口标准，因此完全不兼容DDR的184线DIMM接口标准，现有DDR标准接口的主板无法使用DDR-II内存(如图3所示为DDR-II内存)。
(2)ROM
ROM(Read Only Memory,只读存储器)，是一种半导体电路，通过掩模艺一次件制造，使用时只能从中读取信息而不能写入信息。ROM的特点是价格高并且容最小，但由于其与有断电后数据可保持不变的优点，常用于存放一次性写入的程序或数据，例如，主板上保存BIOS程序的芯片就是ROM存储器。
ROM存储器可分为四种，即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。早期主板上的BIOS使用的是普通ROM，只能一次性写入，其中的内容不可改变。其后BIOS使用EPROM制造，即可擦写可编程只读存储器。这种ROM使用紫外线扫描的 方法 擦除和改写其中的信息。而后开始使用EEPROM制造，即电可擦写可编程只读存储器。这种ROM可以用电子扫描的方法来改变存储器中的内容。目前，主板上的BIOS多使用Flash Memory制造，简称闪存，这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对BIOS进行升级操作。
£按功能分类
内存储器从功能上可分为主存储器、Cache和BIOS存储器。
•主存储器：是内存中最主要和容量最入的存储器。它用来存储计箅机运行过程中的程序和数据，因此其容量越大越好。
•Cache：商速缓冲存储器，它是位于CPU和主存储器之间并且容量较小，但速度很快的存储器。由于CPU运算速度要比内存读写速度快很多，闪此如果CPU直接从内存读取数据或把数据写入内存时则会花费大最时间，而系统可以把正在执行的指令地址附近的一部分指令或这者数据从主存调入Cache,供CPU在一段时间内使用，这样就能相对提高CPU的运箅速度。
随着计算机技术的发展，CPU芯片中也集成了Cache，称为LI Cache(一级缓存)，其速度高，容量小，一般仅为儿百KB;安装于主板上的Cache则称为L2 Cache(二级缓存)，有较大的容量，从256KB到2MB不等;Pentium II以后的CPU则将L2 Cache与CPU内核一起封装在一只金属盒内，或荇直接把L2Cache集成到CPU芯片内(如Celeron CPU)，进而提高速度，因此卞板上的Cache就称为L3 Cache(三级缓存)。
•BIOS存储器：它是用来存放BIOS(基木输入/输出系统)程序的存储器，如图4所示。由于BIOS中的数据和程序非常重要，不允许修改，因此一般情况下都采用ROM型存储器芯片。
⑷ 半导体存储器的分类
半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类。
只读存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据（如常数表、函数、表格和字符等），计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产厂家利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
随机读写存储器
1、静态存储器（SRAM）
利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低，成本高，功耗较大，通常作为Cache的存储体。
2、动态存储器（DRAM）
利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单，集成度高，成本低，功耗小，但需要反复进行刷新（Refresh）操作，工作速度较慢，适合作为主存储器的主体部分。
3、增强型DRAM（EDRAM）
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的，这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用，从而使DRAM芯片的性能得到显着改进。
⑸ 存储器的分类
计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器和辅助存储器，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。
⑹ 计算机内存（DRAM）的分类
计算机的内存条是指RAM
DRAM(动态随机存储器)属于RAM
RAM一般分为两大类型：SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)。
DRAM主要制造成计算机中的内存条
当计算机运行时，所需的指令和数据将从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入(或者称为“读入”)内存中，CPU再从内存中读取指令或数据进行运算，并将运算结果存入内存中，所以RAM是既能读又能写的“随机存取存储器”。通常所说的“内存”就是指RAM
⑺ 按存储内容内存分为哪几种
经常见到的内存按出现的先后为：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。
而实际上内存种类很多。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：
01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）
它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。
⑻ 计算机存储器的分类
计算机存储器可以根据存储能力与电源的关系可以分为以下两类：
一、易失性存储器（Volatilememory)是指当电源供应中断后，存储器所存储的数据便会消失的存储器。主要有以下的类型：
1、动态随机访问存储器，英文缩写写作DRAM，一般每个单元由一个晶体管和一个电容组成（后者在集成电路上可以用两个晶体管模拟）。
特点是单元占用资源和空间小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般计算机内存即由DRAM组成。在PC上，DRAM以内存条的方式出现，DRAM颗粒多为4位或8位位宽，而载有多个颗粒的单根内存条的位宽为64位。
2、静态随机存取存储器，英文缩写写作SRAM，一般每个单元由6个晶体管组成，但近来也出现由8个晶体管构成的SRAM单元。特点是速度快，但单元占用资源比DRAM多。一般CPU和GPU的缓存即由SRAM构成。
二、非易失性存储器（Non-volatilememory）是指即使电源供应中断扮升，存储器所存储的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取存储橡缺差器中的数据。主要种类如下：
1、只读存储器：可编程只读存储器、可擦除可规划式只读存储器、电子抹除式可复写只读存储器
2、闪存
3、磁盘：硬盘、软盘、磁带
(8)存储的分类dram扩展阅读：
存储器以二进制计算容量，基本单位是梁皮Byte：
1KiB=1,024B=210B
81MiB=1,024KiB=220B=1,048,576B
1GiB=1,024MiB=230B=1,073,741,824B
根据电气电子工程师协会（IEEE1541）和欧洲联盟(HD60027-2:2003-03)的标准，二进制乘数词头的缩写为“Ki”、“Mi”、“Gi”，以避免与SIUnit国际单位制混淆。
但二进制乘数词头没有广泛被制造业和个人采用，标示为4GB的内存实际上已经是4GiB，但标示为4.7GB的DVD实际上是4.37GiB。
对于32位的操作系统，最多可使用232个地址，即是4GiB。物理地址扩展可以让处理器在32位操作系统访问超过4GiB存储器，发展64位处理器则是根本的解决方法，但操作系统、驱动程序和应用程序都会有兼容性问题。
⑼ DRAM是什么
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
dram就是存储芯片的产业。也就是生产台式、手提、平板电脑和手机等上的内存的相关产业。