① SSD是什么
SSD(Solid State Disk)泛指使用NAND Flash组成的固态盘。
相比传统的磁盘，闪存（FLASH）有固有的优势，非易失性，存取速度快，抗震和低功耗。所以，它在嵌入式系统中被广泛采用，如USB闪盘，CF卡存储器，移动设备等。SSD很有可能彻底改变存储系统的前景。
闪存可分为两大规格，一种是NAND FLASH ，一种是NOR FLASH。NOR FLASH具有单独的地址线和单独的数据线，NAND FLASH的数据，地址都是通过同一个IO总线传递。NAND FLASH的擦写次数，最大可达到百万次，而NOR FLASH:只能擦写十几万次。NOR FLASH的读速度比NAND FLASH稍快一些，NAND FLASH的写入和擦除速度比NOR FLASH快很多。
而且NAND FLASH与NOR FLASH相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR FLASH比较适合频繁随机读写的场合。NAND FLASH主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND FLASH。
NAND FLASH分为SLC-单层式储存（Single-Level Cell）和MLC-多层式储存（Multi-Level Cell）。SLC每个存储单元存放1 bit 数据，该值由高低不同的两个阈值电压来区分。MLC 的每个存储单元存放2 bit或3 bit数据，可以表示4个或8个不同的值。与SLC闪存相比，MLC闪存价格较低，但性能和寿命却不如SLC。SLC可以存取10万次，而MLC只能承受约1万次的存取。由于SLC的寿命和性能的提高，普遍认为SLC非常适合企业级应用。所以，一般SLC用在工业和军事领域，MLC主要用在消费电子领域。目前，SLC的单颗粒一般为16Gb-32Gb，MLC的单颗粒为32Gb-64Gb。
SSD(Solid State Disk)泛指使用NAND Flash组成的固态盘。
SSD必须包含主机接口逻辑来支持某些形式的物理主机接口连接(USB，FiberChannel，PCI Express，SATA)和逻辑磁盘仿真，就像FTL(flash translation layer)机制可以使SSD模拟硬盘。主机互联的带宽严重的制约了整个系统的性能，所以，它必须和flash的性能相匹配。沿着基本数据路径有未处理的和已经处理的请求，内部的缓冲管理放置这些请求。复用器可以发出指令，并且处理flash的串行接口的数据传输。复用器也可以包含附加的逻辑，例如指令和数据的缓冲。处理器用来处理请求流和管理逻辑块地址到flash上物理位置的映像。处理器，缓冲管理和复用器通常在例如ASIC、FPGA的分离元件上实现，而且数据在这些逻辑部件之间的流动是非常快的。处理器及其相关的RAM是可以集成的。
② 存储和内存的区别
内存和储存的区别：易失性和易失性不同、性能不同、存储时长不同、访问权限不同
1、易失性和易失性不同
存储器，如随机存取存储器（RAM），是不稳定的。这意味着当系统关机时数据会丢失。相比之下，外部存储器是非易失性的，因此即使没有电源也可以保存数据。
2、性能不同
在大多数情况下，外部内存比内存慢得多。与外部存储器不同，ram通过更宽更快的总线直接连接到CPU。
3、不同的存储时间
断电后不保留内存，可长期保留外存
4、不同的访问权限
CPU只能直接访问内存，外部内存只能先在内存CPU中处理。
③ 存储和内存的区别是什么
内存技术
现如今，无论是手机还是电脑内存都使用了DRAM存储技术。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
存储技术
至于存储方面，现如今主要包含两大类技术：HDD（Hard Disc Drive）和NAND Flash，关于HDD在这里就不做过多介绍。NAND Flash全名为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示。
对于数据的表示，单个存储单元中内部所存储电荷的电压，和某个特定的阈值电压Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0；对于nand Flash的数据的写入1，就是控制External Gate去充电，使得存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示1了。而对于写入0，就是将其放电，电荷减少到小于Vth，就表示0了
④ CCD工作原理的电荷的存储
构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）结构 如图I（a）所示，在栅极G施加正偏压UO之前，P型半导体中空穴（多数载流子）分布是均匀的。当栅极施加正偏压UG（此时UG小于P型半导体的阈值电压Uth）后，空穴被排斥，产生耗尽区，如图I（b）所示。偏压继续增加，耗尽区将进一步向半导体内延伸。当UG>Uth时,半导体与绝缘体截面上的电势(常称为表面势,用ΦS 表示)变得如此之高,以至于将半导体内的电子(少数载流子)吸引到表面,形成一层极薄的(约10um )但电荷浓度很高的反型层,如图I(c).
反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能.然而,当栅极电压由零变到高于阈值电压时,轻掺杂半导体中的少数载流子很少,不能立即建立反型层.在不存在反型层的情况下,耗尽区将进一步向体内延伸,而且,栅极的衬底之间的绝大部分电压降落在耗尽区上,如果随后可以获得少数载流子,那么耗尽区将收缩,表面势下降,氧化层上的电压增加.当提供足够的少数载流子时,表面势可降低到半导体材料费密能级ΦP 的两倍.
例如,对于掺杂为10CM的P型半导体,费密能级为0.3V.耗尽区收缩到最小时,表面势ΦS下降到最底值0.6V,其余电压降在氧化层上。表面势ΦS随反型电荷浓度QINV,栅极电压UG的变化表示在图II和图III中。
图II中的曲线表示的是在掺杂为10CM的情况下,对于氧化层的不同厚度在不存在反型层电荷时,表面势ΦS 与栅极电压UG 的关系曲线.图III为栅极电压不变的情况下,表面势ΦS 与反型层电荷密度的关系曲线.曲线的直线性好,说明表面势ΦS与反型层电荷浓度QVIN 有着良好的反比例线性关系.这种线性关系很容易用半导体物理中的”势阱”概念描述.电子所以被加有栅极电压UG 的MOS结构吸引到氧化层与半导体的交界处,是因为那里的势能最低.在设有反型层电荷时,势阱的”深度”与栅极电压 UG的关系恰如ΦS 与UG 的线性关系,如图IV(a)空势阱的情况.图IV(b)为反型层电荷填充1/3势阱时，表面势收缩，表面势ΦS 与反型层电荷填充量QP 间的关系如图所示。