① 外存的工作原理
外存的工作原理就是把内容转换成信号，存在磁盘上。
外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。
外存储器的特点是容量大、价格低，但是存取速度慢。内存储器用于存放那些立即要用的程序和数据；外存储器用于存放暂时不用的程序和数据。内存储器和外存储器之间常常频繁地交换信息。[1] 外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。
软盘：软磁盘使用柔软的聚酯材料制成原型底片，在两个表面涂有磁性材料。常用软盘直径为3.5英寸，存储容量为1.44MB.软盘通过软盘驱动器来读取数据。
U盘：U盘也被称为“闪盘”，可以通过计算机的USB口存储数据。与软盘相比，由于U盘的体积小、存储量大及携带方便等诸多优点，U盘已经取代软盘的地位。
硬盘：硬磁盘是由涂有磁性材料额铝合金原盘组成的，每个硬盘都由若干个磁性圆盘组成。
磁带存储器：磁带也被称为顺序存取存储器SAM。它存储容量很大，但查找速度很慢，一般仅用作数据后备存储。计算机系统使用的磁带机有3中类型：盘式磁带机、数据流磁带机及螺旋扫描磁带机。
光盘存储器：光盘指的是利用光学方式进行信息存储的圆盘。它应用了光存储技术，即使用激光在某种介质上写入信息，然后再利用激光读出信息。光盘存储器可分为:CD-ROM、CD-R、CD-RW、和DVD-ROM等。
② 下面4种存储器中，属于数据易失性的存储器是（）。
下面4种存储器祥桐带中轮键，属于数据易失谨芦性的存储器是（）。
A.RAM(正确答案)
B.ROM
C.PROM
D.CD-ROM
③ 计算机组成原理(三)存储系统
辅存中的数据要调入主存后才能被CPU访问
按存储介质，存储器可分为磁表面存储器（磁盘、磁带)、磁心存储器半导体存储器（MOS型存储器、双极型存储器）和光存储器（光盘)。
随机存取存储器（RAM）：读写任何一个存储单元所需时间都相同，与存储单元所在的物理位置无关，如内存条等
顺序存取存储器（SAM）：读写一个存储单元所需时间取决于存储单元所在的物理位置，如磁盘等
直接存取存储器（DAM）：既有随机存取特性，也有顺序存取特性。先直接选取信息所在区域，然后按顺序方式存取。如硬盘等
相联存储器，即可以按内容访问的存储器（CAM）可以按照内容检索到存储位置进行读写，“快表”就是一种相联存储器
读写存储器—即可读、也可写（如：磁盘、内存、Cache）
只读存储器—只能读，不能写（如：实体音乐专辑通常采用CD-ROM，实体电影采用蓝光光盘，BIOS通常写在ROM中）
断电后，存储信息消失的存储器——易失性存储器（主存、Cache）
断电后，存储信息依然保持的存储器——非易失性存储器（磁盘、光盘）
信息读出后，原存储信息被破坏——破坏性读出（如DRAM芯片，读出数据后要进行重写）
信息读出后，原存储信息不被破坏——非破坏性读出（如SRAM芯片、磁盘、光盘）
存储器芯片的基本电路如下
封装后如下图所示
图中的每条线都会对应一个金属引脚，另外还有供电引脚、接地引脚，故可以由此求引脚数目
n位地址对应2 n 个存储单元
假如有8k×8位的存储芯片，即
现代计算机通常按字节编址，即每个字节对应一个地址
但也支持按字节寻址、按字寻址、按半字寻址、按双字寻址
(Dynamic Random Access Memory，DRAM)即动态RAM，使用栅极电容存储信息
(Static Random Access Memory，SRAM)即静态RAM，使用双稳态触发器存储信息
DRAM用于主存、SRAM用于Cache，两者都属于易失性存储器
简单模型下需要有 根选通线，而行列地址下仅需 根选通线
ROM芯片具有非易失性，断电后数据不会丢失
主板上的BIOS芯片（ROM），存储了“自举装入程序”，负责引导装入操作系统（开机）。逻辑上，主存由 辅存RAM+ROM组成，且二者常统一编址
位扩展的连接方式是将多个存储芯片的地址端、片选端和读写控制端相应并联，数据端分别引出。
字扩展是指增加存储器中字的数量，而位数不变。字扩展将芯片的地址线、数据线、读写控制线相应并联，而由片选信号来区分各芯片的地址范围。
实际上，存储器往往需要同时扩充字和位。字位同时扩展是指既增加存储字的数量，又增加存储字长。
两个端口对同一主存操作有以下4种情况：
当出现(3)(4)时，置“忙”信号为0，由判断逻辑决定暂时关闭一个端口（即被延时），未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问。
多体并行存储器由多体模块组成。每个模块都有相同的容量和存取速度，各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器。它们既能并行工作，又能交义工作。多体并行存储器分为高位交叉编址（顺序方式)和低位交叉编址（交叉方式)两种.
①高位交叉编址
②低位交叉编址
采用“流水线”的方式并行存取（宏观上并行，微观上串行）,连续取n个存储字耗时可缩短为
宏观上，一个存储周期内，m体交叉存储器可以提供的数据量为单个模块的m倍。存取周期为T，存取时间/总线传输周期为r，为了使流水线不间断，应保证模块数
单体多字系统的特点是存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储m个字，总线宽度也为m个字。一次并行读出m个字，地址必须顺序排列并处于同一存储单元。
缺点：每次只能同时取m个字，不能单独取其中某个字；指令和数据在主存内必须是连续存放的
为便于Cache 和主存之间交换信息，Cache 和主存都被划分为相等的块，Cache 块又称Cache 行，每块由若干字节组成。块的长度称为块长(Cache 行长)。由于Cache 的容量远小于主存的容盘，所以Cache中的块数要远少于主存中的块数，它仅保存主存中最活跃的若干块的副本。因此 Cache 按照某种策略，预测CPU在未来一段时间内欲访存的数据，将其装入Cache.
将某些主存块复制到Cache中，缓和CPU与主存之间的速度矛盾
CPU欲访问的信息已在Cache中的比率称为命中率H。先访问Cache，若Cache未命中再访问主存，系统的平均访问时间t 为
同时访问Cache和主存，若Cache命中则立即停止访问主存系统的平均访问时间t 为
空间局部性：在最近的未来要用到的信息(指令和数据)，很可能与现在正在使用的信息在存储空间上是邻近的
时间局部性：在最近的未来要用到的信息，很可能是现在正在使用的信息
基于局部性原理，不难想到，可以把CPU目前访问的地址“周围”的部分数据放到Cache中
直接映射方式不需要考虑替换算法，仅全相联映射和组相联映射需要考虑
①随机算法(RAND):若Cache已满，则随机选择一块替换。实现简单，但完全没考虑局部性原理，命中率低，实际效果很不稳定
②先进先出算法(FIFO):若Cache已满，则替换最先被调入Cache的块。实现简单，依然没考虑局部性原理
③近期最少使用算法(LRU):为每一个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块已经有多久没被访问了。当Cache满后替换“计数器”最大的.基于“局部性原理”，LRU算法的实际运行效果优秀，Cache命中率高。
④最不经常使用算法(LFU):为每一个Cache块设置一个“计数器”，用于记录每个Cache块被访问过几次。当Cache满后替换“计数器”最小的.并没有很好地遵循局部性原理，因此实际运行效果不如LRU
现代计算机常采用多级Cache，各级Cache之间常采用“全写法+非写分配法”；Cache-主存之间常采用“写回法+写分配法”
写回法(write-back)：当CPU对Cache写命中时，只修改Cache的内容，而不立即写入主存，只有当此块被换出时才写回主存。减少了访存次数，但存在数据不一致的隐患。
全写法(写直通法，write-through)：当CPU对Cache写命中时，必须把数据同时写入Cache和主存，一般使用写缓冲(write buffer)。使用写缓冲，CPU写的速度很快，若写操作不频繁，则效果很好。若写操作很频繁，可能会因为写缓冲饱和而发生阻塞访存次数增加，速度变慢，但更能保证数据一致性
写分配法(write-allocate)：当CPU对Cache写不命中时，把主存中的块调入Cache，在Cache中修改。通常搭配写回法使用。
非写分配法(not-write-allocate)：当CPU对Cache写不命中时只写入主存，不调入Cache。搭配全写法使用。
页式存储系统：一个程序(进程)在逻辑上被分为若干个大小相等的“页面”， “页面”大小与“块”的大小相同 。每个页面可以离散地放入不同的主存块中。CPU执行的机器指令中，使用的是“逻辑地址”，因此需要通“页表”将逻辑地址转为物理地址。页表的作用：记录了每个逻辑页面存放在哪个主存块中
逻辑地址（虚地址）：程序员视角看到的地址
物理地址（实地址）：实际在主存中的地址
快表是一种“相联存储器”，可以按内容寻访，表中存储的是页表项的副本；Cache中存储的是主存块的副本
地址映射表中每一行都有对应的标记项
主存-辅存：实现虚拟存储系统，解决了主存容量不够的问题
Cache-主存：解决了主存与CPU速度不匹配的问题
④ 计算机存储器是一种_____。
计算机存储器又称内存，是一种利用半导体技术做成的电子设备，用来存储数据。电子电路的数据是以二进制的方式存储，存储器的每一个存储单元称做记忆元。
对于32位的操作系统，最多可使用232个地址，即是4GiB。物理地址扩展可以让处理器在32位操作系统访问超过4GiB存储器，发展64位处理器则是根本的解决方法，但操作系统、驱动程序和应用程序都会有兼容性问题。
(4)vsb存储器是一种易失性存储器扩展阅读：
计算机存储器可以根据存储能力与电源的关系可以分为以下两类：
1.易失性存储器
易失性存储器（Volatile memory)是指当电源供应中断后，存储器所存储的数据便会消失的存储器。
2.非易失性存储器
非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所存储的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取存储器中的数据。
⑤ 易失性的存储器是什么
易失性存储器是RAM。RAMRamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。ROMReadOnlyMemory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。
易失性存储器是RAM。RAM RamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。ROM Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。
ROM和RAM是计算机内存储器的两种型号，ROM表示的是只读存储器，即：它只能读出信息，不能写入信息，计算机关闭电源后其内的信息仍旧保存，一般用它存储固定的系统软件和字库等。RAM表示的是读写存储器，可其中的任一存储单元进行读或写操作，计算机关闭电源后其内的信息将不在保存，再次开机需要重新装入，通常用来存放操作系统，各种正在运行的软件、输入和输出数据、中间结果及与外存交换信息等，我们常说的内存主要是指RAM。
⑥ 计算机的存储器有几类分别有什么作用
这个分类，还是要看从哪个角度来说吧。一般常用的微型计算机的存储器有磁芯存储器和半导体存储器。x0dx0a半导体存储器从使用功能上分，有随机存储器 （简称 RAM），又称读写存储器；只读存储器（称为ROM）。x0dx0a1.随机存储器x0dx0a随机存储器是一种可以随机读_写数据的存储器，也称为读_写存储器。RAM有以下两个特点：一是可以读出，也可以写入。读出时并不损坏原来存储的内容，只有写入时才修改原来所存储的内容。二是RAM只能用于暂时存放信息，一旦断电，存储内容立即消失，即具有易失性。 RAM通常由MOS型半导体存储器组成，根据其保存数据的机理又可分为动态（ Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。DRAM的特点是集成度高，主要用于大容量内存储器；SRAM的特点是存取速度快，主要用于高速缓冲存储器。x0dx0a2．只读存储器x0dx0aROM是只读存储器，顾名思义，它的特点是只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是采用掩膜技术由厂家一次性写入的，并永久保存下来。它一般 用来存放专用的固定的程序和数据。只读存储器是一种非易失性存储器，一旦写入信息后，无需外加电源来保存信息，不会因断电而丢失。
⑦ 存储器的类型
根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。
1 RAM
易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。
SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。
DRAM
DRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。
FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH，SSD固态硬盘也属于FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。
目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。
⑧ 存储器的分类
计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器和辅助存储器，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。
⑨ 易失性的存储器是什么
它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。
我们可以把电脑当做一个书房，存放书籍的书架和书柜相当于硬盘而我。我们工作的办公桌就相当于内存，我们可以在办公桌上很快找到文件资料儿，从书架上查找资料需要很久很久，所以说内存的速度是要远高于硬盘的，就算是最顶级的固态硬盘，读写速度也不过7GB每秒