❶ 单片机能存储多大的数据
2M的数据在51单片机内是没法保存的，只能外部扩展存储器了。像用AT29C040这样512KB的ROM需要4片，所以还是建议你考虑一下使用NandFlash吧，比如K9F1208芯片，64MB的容量足够你用的吧？不过需要注意，K9F1208是3.3V工作的，那你需要使用3.3V的单片机来运行。
❷ 运行内存6g和8g的区别
运行内存6g和8g的区别：
性能：8GB运行内存运行速度快。
数据传输速度：8GB系统比6GB系统快。8G在数据传输中可以更快的存储传输数据，游戏和软件的使用将更加顺畅。
内存利用率，当软件频繁开启，6G运行内存的利用率会增加。
运行内存的大小直接决定了系统能运行多少程序，运行内存越大，系统运行程序越快。内存的发展与处理器工艺与系统优化程度是密切相关的。 如果处理器性能本身跟不上，或是系统优化效果不佳，就算是配备了更大的内存也是一种资源浪费。
相关信息
存储阵列中任意位置的存储单元都能以随机次序迅速地写入和读出数据的存储器。是计算机保存操作系统、应用程序和用户数据的地方，与硬盘或其他存储设备不同，它可以使处理器更为迅速获得数据，但是关机后在RAM中存储的数据将全部丢失。
用户再次开机时，计算机将自动将操作系统和其他文件（通常由硬盘）再次装载入RAM。RAM类似于人的短期记忆，硬盘类似于人的长期记忆。短期记忆针对当前的工作，可以同时存储许多数据。长期记忆可被短期记需要刷新。
❸ 运行内存6g和8g的区别
1、性能不同。
8G的运行内存能够存储的内容和用于交换的内存更加的充足，运行的速度比6G的内存要快，所以说8G的运行内存比6G的运行内存性能更优越。
2、数据的传输速度。
8G的运行内存比6G的内存多出了2G的内存，用于物理页置换的内存更多，有了富余的存储空间，调入内存的数据访问的速度比在物理存储上的快，所以数据的传输速度更快。
3、内存的利用率。
当运行的程序越来越多时，6G内存的利用率会增加，导致运行的速度变慢，8G的运行内存相较于6G运行内存大额利用率增大。
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通常采用随机存储器（RAM）来作为运行内存，是电脑内部最重要的的存储器，用来加载各式各样的程序与资料以供CPU（中央处理器）直接运行与运用。
由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑运行内存的最主要部分。
运行内存是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行。
运行内存主要有两种随机存储器和只读存储器构成，其中的只读存储器放计算机的基本程序和数据，如BIOSROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。随机存储器（RAM）才是真正的用户运行时交换的内存。
参考资料来源：网络-内存
❹ 电脑内存6g和8g区别大吗
根据普通用户需求，6G和8G内存几乎没区别；但对于专业用户，区别很大。具体区别如下：
1、性能：8g内存性能运行更快。游戏和软件的使用会更流畅。
2、数据传输速度：8GB系统比6GB系统快，在数据传输上8g能存能更快的传输数据，
3、内存使用率：6g内存的使用率会在频繁开启软件升高使用率导致电脑运行变慢。
(4)铁电存储器最大多少扩展阅读：
电脑内存分类：
1、SRAM：
SRAM（Static RAM）意为静态随机存储器。SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。
2、RDRAM：
RDRAM是由RAMBUS公司推出的内存。RDRAM内存条为16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率，性能非常强。然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。
3、XDR RAM：XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写。XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处。因此，XDR内存的应用依旧非常有限。比较常见的只有索尼的PS3游戏机。
4、Fe-RAM：
铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。
❺ CPU-Z里面内存里的DC模式是什么意思
DC模式意思为、Dual Channel。Dual Channel是关于电脑记忆体的一种技术，最早使用此技术的记忆体是RDRam。
DC模式可理解为“打开双通道的方式”。一般在CPU-Z中的显示有灰色不可见、“对称”、“不对称”、“单通道+”等方式。DC模式在部分Intel芯片组的主板上是灰色的，原因是Intel的芯片组只支持对称双通道同步模式。
(5)铁电存储器最大多少扩展阅读：
在DDR Ram发展中期，内存带宽开始出现瓶颈。原因是FSB带宽比内存带宽大得多，而处理器处理完的数据不能即时转入内存，造成处理器性能得不到完全发挥。基于此,芯片组厂商引入双通道内存技术。单条DDR内存是64位元带宽,而两条则是双倍，128位元。内存瓶颈得以缓解。
注:若芯片组只支援单通道内存，就算插入两条DDR内存也都是单通道内存，不会变成双通道内存的。
引入双通道内存技术的第一家芯片组厂商是nVidia。但当时AMD处理器的FSB带宽不是很大，双通道内存的效能提升作用轻微。
期后Intel将DDR双通道内存技术引入，配合Xeon,芯片组名为E7205。它支援DDR266双通道内存。用DDR的价钱，得到RDRam的效能。而主板厂将之支援Pentium 4。
毕竟是服务器平台产品,价格比较贵。而SiS的SiS 655出现,使DDR双通道成了平民化的技术。由于支援DDR333双通道内存，效能比E7205更高,价钱更低。
而最经典的应该是i865PE了，支援DDR400双通道内存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533双通道内存。 最新的975X更支援DDR-II 667双通道内存。
AMD平台方面，nVidia凭nForce 2 Ultra 400支援DDR400双通道内存，成为当时AMD平台性能最佳的芯片组，更击败VIA的皇者地位。随后AMD的Athlon 64系列处理器亦内建了DDR400双通道内存控制器。
❻ 谁能给我讲讲FRAM产品是容量越大越好吗最好能举个例子对照着给我讲！
FRAM就是铁电存储器，运用了铁电效应，是一种高性能的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求；1012次的读写次数，这个是凸显它的卓越的读写能力的，比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求；+85度数据能保存10年，这个应该说是FRAM的一个亮点，比较适合需要长期存储数据的领域；每一个FRAM都会有电压范围，不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子，相信随着你的学习，你会发现FRAM其实是个很简单的东西，知道原理后，做应用就会变得很容易。
❼ 电阻电容的问题，。帮菜鸟的忙。
电阻一般来说有两个参数值 一个是电阻值, 一个是功率值.
电阻值就是当这个电阻被接入到电路当的时候,这个电阻的阻值.一般都是明确标出来得.电阻的单位是欧姆 1000欧=1k欧 1000k欧=1m欧 在电路中严格遵循欧姆定律的规律.
另外一个值就是功率,这是一个很容易被人们忽略的问题,因为一般的低功率模拟电路 或者数字电路当中的电流通常非常的小,所以电阻的作用一般都是用来分压的,因为电流相当的小,所以根本不用考虑功率的问题.而在实验物理或者大功率电路当中经常需要那种大功率的放电电阻,这样的电阻本身就是个大的用电器,用来把电能量转化成热能,这个时候就要考虑电阻的功率了,电阻的功率是指电阻的最大放电功率,比如一个1000w 的放电电阻,表示他的最大转换功率就是1000w 如果超过了这个功率,那么很容易烧毁.
所以说你说的那个四分之一瓦,就是电阻两个基本参数当中的一个而已.
再说偏差,电阻在出厂的时候其真正的电阻值其实并不跟他标签上标明的数值完全一样,只要是产品都会有误差,就是你所说的偏差,根据电阻的用途不同对电阻的偏差大小也不同,比如一般的功率电路当中的电阻误差大点小点都无所谓,但是比如航天飞机,电脑cpu之类的高精度设备当中的电阻就要求精度相当的高,比如他说你的电阻的偏差级别是k的话 那么他标明是500k的电阻 的真实电阻上下也就相差几k左右.
具体的电阻符号参数你可以看看这些连接
http://wdx.hnist.cn/dgdz/ShowArticle.asp?ArticleID=1028
http://wiki.keyin.cn/index.php?title=%E7%94%B5%E9%98%BB%E5%99%A8#.E9.98.BB.E5.80.BC.E5.92.8C.E8.AF.AF.E5.B7.AE.E7.9A.84.E6.A0.87.E6.B3.A8.E6.96.B9.E6.B3.95
❽ 胰岛素泵哪个牌子的好
相信糖友对胰岛素泵并不陌生，作为目前控糖最先进最安全的工具，胰岛素泵不仅携带方便能增加糖友生活的自由度，而且输注精确度高，控制血糖很有效，它已逐渐成为糖友控糖首选的工具。
市场上胰岛素泵品牌众多，今天稳糖APP挑选最常见的十大胰岛素泵品牌，做简单介绍，帮助糖友更全面的了解胰岛素泵
以下排名不分先后，文中胰岛素泵报价皆为厂家定价，不代表实际成交价
1、美敦力胰岛素泵
大名鼎鼎的美敦力，目前国内在售最贵的一款胰岛素泵就是美敦力722了，厂家定价89800元！！！剩下的两款美敦力712、美敦力易泵也分别以59800、39800的高价甩出同类胰岛素泵一大截。
美敦力胰岛素泵输注精确度可达0.05，基础率可设48段，双波、方波输注...
但是价格确实太贵，很多糖友承担不起！
2、丹纳胰岛素泵
丹纳胰岛素泵的价格比美敦力亲民许多，丹纳IIS和丹纳R泵厂家报价分别是32800和56800，比起美敦力保修4年，丹纳胰岛素泵的保修时间是6年，功能也包括了大剂量、双波方波等，输注精度更厉害了，可精确到0.01。
与美敦力同为进口胰岛素泵，丹纳胰岛素泵的实力不可小觑！
3、罗氏胰岛素泵
罗氏胰岛素泵已经退出中国，目前中国不售。稳糖APP不建议糖友购买水货，一来是售后保修难以解决，二来水货的安全性无法保证。
4、优泵胰岛素泵
国产优泵胰岛素泵字体大好操作、耗材便宜，是很适合老年糖友的一款胰岛素泵，价钱方面比进口胰岛素泵便宜很多，优泵PH300 C厂家定价23800元，优泵PH300定价32800元，优泵蓝牙版厂家定价39800元。
总体来说，优泵胰岛素泵便宜耗材也实惠，功能和使用方面也无可挑剔。
下载“稳糖APP”，了解胰岛素泵的更多优惠信息
5、迈世通胰岛素泵
迈世通曾经有市面上最便宜的胰岛素泵，厂家定价12800（目前停产），新款胰岛素泵欲定价33800，不知道比老款新增了哪些功能，至于效果如何一起期待下吧
6、智凯胰岛素泵
智凯胰岛素泵厂家报价39800，这价格在同类胰岛素泵中属中等水平，它有常规、方波、双波三种大剂量输注模式。
7、火凤凰胰岛素泵
火凤凰胰岛素泵在国产胰岛素泵属小众胰岛素泵，火凤凰厂家报价25700。
8、福尼亚胰岛素泵
福尼亚胰岛素泵有三款分别是：福尼亚1代定价 23800元，福尼亚4代胰岛素泵26800元、福尼亚新二代胰岛素泵39800元，输注准确度可达万分之五毫升。
9、维凯胰岛素泵
维凯也是进口韩国的胰岛素泵，但是丹纳的市场占有率太强了，维凯基本处于完全被压制的状态，如此一来维凯也退出了中国市场。
10、微泰胰岛素泵
微泰胰岛素泵自诩是贴敷式的智能泵，据称厂家报价28800，但是装药只能承受200单位，虽然无导管，但是耗材比别的胰岛素泵多了个底板，耗材花费甚至比同类国产胰岛素泵还贵。
微泰发展时间太短了，如今美敦力已经有闭环胰岛素泵，进入中国只是时间的问题，贴敷式智能泵能走多远，未可知！
胰岛素泵是一项长期投入，选择合适又实惠的胰岛素泵能减轻自己的经济压力又能控制血糖。关于胰岛素泵的操作和最新资讯，可详询“稳糖APP
❾ stc单片机读写EEPROM，我要写一个数组，数组很大，怎么样能很快的一下就能读出其中的值，比较快，
有几点建议：
1.一般的EEPROM有两种接口：I2C和SPI，并行的反正我没用过。如果是I2C一般情况下有100KHz和400KHz，当然还有1MHz甚至更高的（例如Ramtron的FM系列铁电存储器），所以只要可能，要选择通讯速率尽量高的EEPROM，或者在不影响通讯成功率的情况下，尽量提高一些通讯速度。方法一适当减小上拉电阻值以提高上下沿变化速度；二是优化底层的驱动代码，尽量做到能不延时的不延时（通过查看汇编代码仔细计算时钟数）。
2.由于EEPROM的共性，一次写操作完成最后要延时5ms左右让数据写入单元中，但是不是每写一个字节都要延时呢？不是的。EEPROM可以连续写，例如16字节（具体大小要看你的EEPROM型号），这样就可以写入16字节后只延时5ms，不但节省了15个START、STOP和写地址，还节省了15个5ms，大大加快了写的过程！
3.虽然EEPROM读可以不需要延时，但通过连续读，也可以省去一些I2C总线寻址的时间。
4.如果你是想写进EEPROM后立刻读出，则可能通过小间隔时间连续测试I2C设备是否就绪的方法，而不是延时的方法判断EEPROM是否已经写入的芯片，从而又节省一些时间。
5.由于连续写和连续读，所以需要一定量的缓冲区，根据你的单片机RAM、数据量、EEPROM可以连续读、写的大小合理地选择缓冲区。
另外.如果你是用STC单片机内部的EEPROM功能，这就不是太好处理了。它实际上是用它内部的Flash来模拟EEPROM，所以带有一些FLASH的影子在里面（例如有扇区擦除，只能将1写成0等）。这方面要快速读写可以参照STC的数据表中例程说明进行优化。
❿ 笔记本内存6G和8G有什么差别
笔记本内存6G和8G区别：
1、性能：8g内存性能运行更快。游戏和软件的使用将更加顺畅。
2、数据传输速度：8GB系统比6GB系统快，8g在数据传输上可以更快地存储和传输数据。
3、内存使用率：当软件频繁开启时，6G内存的使用率会增加，导致计算机运行缓慢。
(10)铁电存储器最大多少扩展阅读：
电脑内存分类：
1、SRAM：
SRAM（StaticRAM）意为静态随机存储器。
SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。
但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。
2、RDRAM：
RDRAM是由RAMBUS公司推出的内存。
RDRAM内存条为16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率，性能非常强。
然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。
3、XDRRAM：
XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtremeDataRate”的缩写。
XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处。因此，XDR内存的应用依旧非常有限。比较常见的只有索尼的PS3游戏机。
4、Fe－RAM：
铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。
由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。