1. 内存条的发展史！
内存发展史
在了解内存的发展之前，我们应该先解释一下几个常用词汇，这将有助于我们加强对内存的理解。
RAM就是RandomAccessMemory（随机存贮器）的缩写。它又分成两种StaticRAM（静态随机存贮器）和DynamicRAM（动态随机存贮器）。
SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。随着Intel将L2高速缓存整合入CPU（从Medocino开始）后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM市场勉强得以继续成长。
DRAM，顾名思义即动态RAM。DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS管和一个电容构成。具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是由DRAM构成的。所以下面主要介绍DRAM内存。在详细说明DRAM存储器前首先要说一下同步的概念，根据内存的访问方式可分为两种：同步内存和异步内存。区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步。内存控制电路（在主板的芯片组中，一般在北桥芯片组中）发出行地址选择信号（RAS）和列地址选择信号（CAS）来指定哪一块存储体将被访问。在SDRAM之前的EDO内存就采用这种方式。读取数据所用的时间用纳秒表示。当系统的速度逐渐增加，特别是当66MHz频率成为总线标准时，EDO内存的速度就显得很慢了，CPU总要等待内存的数据，严重影响了性能，内存成了一个很大的瓶颈。因此出现了同步系统时钟频率的SDRAM。DRAM的分类FPDRAM：又叫快页内存，在386时代很流行。因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FPDRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为72线的SIMM类型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，其接口方式多为72线的SIMM类型，但也有168线的DIMM类型。EDODRAM这种内存流行在486以及早期的奔腾电脑上。当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写），顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（burst）模式，它和原理是，SDRAM在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而适应高速系统的需要的呢？我们知道，原先我们使用的动态存储器技术都是建立在异步控制基础上的。系统在使用这些异步动态存储器时需插入一些等待状态来适应异步动态存储器的本身需要，这时，指令的执行时间往往是由内存的速度、而非系统本身能够达到的最高速率来决定。例如，当将连续数据存入CACHE时，一个速度为60ns的快页内存需要40ns的页循环时间；当系统速度运行在100MHz时(一个时钟周期10ns)，每执行一次数据存取，即需要等待4个时钟周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，则可避免这一时。SDRAM结构的另一大特点是其支持DRAM的两列地址同时打开。两个打开的存储体间的内存存取可以交叉进行，一般的如预置或激活列可以隐藏在存储体存取过程中，即允许在一个存储体读或写的同时，令一存储体进行预置。按此进行，100MHz的无缝数据速率可在整个器件读或写中实现。因为SDRAM的速度约束着系统的时钟速度，它的速度是由MHz或ns来计算的。SDRAM的速度至少不能慢于系统的时钟速度，SDRAM的访问通常发生在四个连续的突发周期，第一个突发周期需要4个系统时钟周期，第二到第四个突发周期只需要1个系统时钟周期。用数字表示如下：4-1-1-1。顺便提一下BEDO（BurstEDO）也就是突发EDO内存。实际上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因为Intel的芯片组支持SDRAM，由于INTEL的市场领导地位帮助SDRAM成为市场的标准。
DRAMR的两种接口类型DRAM主要有两种接口类型，既早期的SIMM和现在的标准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryMole的简写，即单边接触内存模组，这是486及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在更早的PC机中（486以前），多采用30针的SIMM接口，而在Pentium中，应用更多的则是72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。DIMM是DualIn-LineMemoryMole的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84针，但由于是双边的，所以一共有84×2=168线接触，故而人们经常把这种内存称为168线内存，而把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。DRAM内存通常为72线，EDO-RAM内存既有72线的，也有168线的，而SDRAM内存通常为168线的。新的内存标准在新的世纪到来之时，也带来了计算机硬件的重大改变。计算机的制造工艺发展到已经可以把微处理器（CPU）的时钟频率提高的一千兆的边缘。相应的内存也必须跟得上处理器的速度才行。现在有两个新的标准，DDRSDRAM内存和Rambus内存。它们之间的竞争将会成为PC内存市场竞争的核心。DDRSDRAM代表着一条内存逐渐演化的道路。Rambus则代表着计算机设计上的重大变革。从更远一点的角度看。DDRSDRAM是一个开放的标准。然而Rambus则是一种专利。它们之间的胜利者将会对计算机制造业产生重大而深远的影响。
RDRAM在工作频率上有大幅度的提升，但这一结构的改变，涉及到包括芯片组、DRAM制造、封装、测试甚至PCB及模组等的全面改变，可谓牵一发而动全身。未来高速DRAM结构的发展究竟如何？
Intel重新整装再发的820芯片组，是否真能如愿以偿地让RDRAM登上主流宝座？PC133SDRAM：PC133SDRAM基本上只是PC100SDRAM的延伸，不论在DRAM制造、封装、模组、连接器方面，都延续旧有规范，它们的生产设备相同，因此生产成本也几乎与PC100SDRAM相同。严格来说，两者的差别仅在于相同制程技术下，所多的一道“筛选”程序，将速度可达133MHz的颗粒挑选出来而已。若配合可支持133MHz外频的芯片组，并提高CPU的前端总线频率（FrontSideBus）到133MHz，便能将DRAM带宽提高到1GB/sec以上，从而提高整体系统性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM）或称之为SDRAMⅡ，由于DDR在时钟的上升及下降的边缘都可以传输资料，从而使得实际带宽增加两倍，大幅提升了其性能／成本比。就实际功能比较来看，由PC133所衍生出的第二代PC266DDRSRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽），不仅在InQuest最新测试报告中显示其性能平均高出Rambus24.4％，在Micron的测试中，其性能亦优于其他的高频宽解决方案，充份显示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM设计与以往DRAM很大的不同之处在于，它的微控制器与一般内存控制器不同，使得芯片组必须重新设计以符合要求，此外，数据通道接口也与一般内存不同，Rambus以2条各8bit宽（含ECC则为9bit）的数据通道（channel）传输数据，虽然比SDRAM的64bit窄，但其时钟频率却可高达400MHz，且在时钟的上升和下降沿都能传输数据，因而能达到1.6GB／sec的尖峰带宽。
各种DRAM规格之综合比较数据带宽：从数据带宽来看，传统PC100在时钟频率为100MHz的情况下，尖峰数据传输率可达到800MB／sec。若以先进0.25微米线程制造的DRAM，大都可以“筛选”出时钟频率达到133MHz的PC133颗粒，可将尖峰数据传输率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片组能配合，就可提高整体系统性能。此外，就DDR而言，由于其在时钟上升和下降沿都能传输数据，所以在相同133MHz的时钟频率下，其尖峰数据传输将可大幅提高两倍，达到2.1GB／sec的水准，其性能甚至比现阶段Rambus所能达到的1.6GB／sec更高。
传输模式：传统SDRAM采用并列数据传输方式，Rambus则采取了比较特别的串行传输方式。在串行的传输方式之下，资料信号都是一进一出，可以把数据带宽降为16bit，而且可大幅提高工作时钟频率（400MHz），但这也形成了模组在数据传输设计上的限制。也就是说，在串接的模式下，如果有其中一个模组损坏、或是形成断路，便会使整个系统无法正常开机。因此，对采用Rambus内存模组的主机板而言，便必须将三组内存扩充插槽完全插满，如果Rambus模组不足的话，只有安装不含RDRAM颗粒的中继模组（ContinuityRIMMMole；C-RIMM），纯粹用来提供信号的串接工作，让数据的传输畅通。模组及PCB的设计：由于Rambus的工作频率高达400MHz，所以不管是电路设计、线路布局、颗粒封装及记忆模组的设计等，都和以往SDRAM大为不同。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组称之为RIMM（RambusInMemoryMole），目前的设计可采取4、6、8、12与16颗等不同数目的RDRAM颗粒来组成，虽然引脚数提高到了184只，但整个模组的长度却与原有DIMM相当。另外，在设计上，Rambus的每一个传输信道所能承载的芯片颗粒数目有限（最多32颗），从而造成RDRAM内存模组容量将有所限制。也就是说，如果已经安装了一只含16颗RDARM颗粒的RIMM模组时，若想要再扩充内存，最多只能再安装具有16颗RDARM的模组。另外，由于RDARM在高频下工作将产生高温，所以RIMM模组在设计时必须加上一层散热片，也增加了RIMM模组的成本。
颗粒的封装：DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。
随着DDR、RDRAM的陆续推出，将内存频率提高到一个更高的水平上，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的RDRAM来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。尽管RDRAM在时钟频率上有了突破性的进展，有效地提高了整个系统性能，但毕竟在实际使用上，其规格与现阶段主流的SDRAM有很大的差异，不仅不兼容于现有系统芯片组而成了Intel一家独揽的局面。甚至在DRAM模组的设计上，不仅使用了最新一代的BGA封装方式，甚至在电路板的设计上，都采取用了8层板的严格标准，更不用说在测试设备上的庞大投资。使得大多数的DRAM及模组厂商不敢贸然跟进。
再说，由于Rambus是个专利标准，想生产RDRAM的厂商必须先取得Rambus公司的认证，并支付高额的专利费用。不仅加重了各DRAM厂商的成本负担，而且它们担心在制定未来新一代的内存标准时会失去原来掌握的规格控制能力。
由于RIMM模组的颗粒最多只能为32颗，限制了Rambus应用，只能用在入门级服务器和高级PC上。或许就PC133而言，在性能上无法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技术后，其数据带宽可达到2.1GB／sec，不仅领先Rambus所能达到的1.6GB／sec标准，而且由于其开放的标准及在兼容性上远比Rambus高的原故，估计将会对Rambus造成非常大的杀伤力。更何况台湾在威盛与AMD等联盟的强力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼风唤雨，也成了未知数。至少，在低价PC及网络PC方面，Rambus的市场将会很小。
结论：尽管Intel采取了种种不同的策略布局及对策，要想挽回Rambus的气势，但毕竟像Rambus这种具有突破性规格的产品，在先天上便存在有着诸多较难克服的问题。或许Intel可以借由更改主机板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM与RDRAM共同存在的过渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式来解决技术面上的问题。但一旦涉及规模量产成本的控制问题时，便不是Intel所能一家独揽的，更何况在网络趋势下的计算机应用将愈来愈趋于低价化，市场需求面是否对Rambus有兴趣，则仍有待考验。 在供给方面，从NEC独创的VCMSDRAM规格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大厂对Rambus支持态度已趋保守的情况来看，再加上相关封装及测试等设备上的投资不足，估计年底之前，Rambus内存模组仍将缺乏与PC133甚至DDR的价格竞争力。就长远的眼光来看，Rambus架构或许可以成为主流，但应不再会是主导市场的绝对主流，而SDRAM架构（PC133、DDR）在低成本的优势，以及广泛的应用领域，应该会有非常不错的表现。相信未来的DRAM市场，将会是多种结构并存的局面。
具最新消息，可望成为下一世代内存主力的RambusDRAM因芯片组延迟推出，而气势稍挫的情况之下，由全球多家半导体与电脑大厂针对DDRSDRAM的标准化，而共同组成的AMII（、）阵营，则决定积极促进比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600与PC2100DDRSDRAM规格的标准化，此举使得RambusDRAM与DDRSDRAM的内存主导权之争，迈入新的局面。全球第二大微处理器制造商AMD，决定其Athlon处理器将采用PC266规格的DDRSDRAM，而且决定在今年年中之前，开发支持DDRSDRAM的芯片组，这使DDRSDRAM阵营深受鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资的重心，由RambusDRAM转向DDRSDRAM。
综上所述，今年DDRSDRAM的发展势头要超过RAMBUS。而且DDRSDRAM的生产成本只有SDRAM的1.3倍，在生产成本上更具优势。未来除了DDR和RAMBUS外还有其他几种有希望的内存产品，下面介绍其中的几种：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步链接内存)：SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它将当前的4体（Bank）结构扩展到16体，并增加了新接口和控制逻辑电路
。SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虚拟信道”是加装在内存单元与主控芯片上的内存控制部分之间，相当于缓存的一类寄存器。使用VC技术后，当外部对内存进行读写操作时，将不再直接对内存芯片中的各个单元进行读写操作，而改由VC代理。VC本身所具有的缓存效果也不容小觑，当内存芯片容量为目前最常见的64Mbit时，VC与内存单元之间的带宽已达1024bit。即便不考虑前/后台并列处理所带来的速度提升，光是“先把数据从内存单元中移动到高速的VC中后再由外部进行读写”这一基本构造本身就很适于提高内存的整体速度。每块内存芯片中都可以搭载复数的VC，64Mbit的产品中VC总数为16个。不但每个VC均可以分别对应不同的内存主控设备（MemoryMaster，此处指CPU、南桥芯片、各种扩展卡等等），而且在必要时，还可以把多个VC信道捆绑在一起以对应某个占用带宽特别大的内存主控设备。因此，在多任务同时执行的情况下，VC-SDRAM也能保证持续地进行高效率的数据传输。VC-SDRAM还有一个特点，就是保持了与传统型SDRAM的管脚兼容，厂家不需要重新进行主板布线设计就能够使主板支持它。不过由于它与传统型SDRAM控制方式不同，因此还需要得到控制芯片组的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片组有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。
2. 内存是什么
内存是主板上重要的部件之一，它是存储CPU与外围设备沟通的数据与程序的部件。在主机中，内存所存储的数据或程序有些是永久的，有些是暂时的，所以内存就有不同形式的功能与作用，而且存储数据的多少也关系着内存的容量大小，传送数据的快慢也关系着内存的速度，这些都跟内存的种类与功能有关。现将内存重要的分类介绍如下：
内存的品牌
内存有许多不同的品牌，这些不同的品牌加载于主板上，它们的排列组合就关系着主板的性能和整个系统的稳定性。除了CPU、主板外，内存是一个关键的部件。每家厂商对于内存的规格、容量以及电路的特性都有不同的要求，所以对于在主板上使用的内存是否有不良的反应都应留意，尤其是高容量、高速度、新规格的内存，在选用时更应注意其特性，现将世界各国生产内存的厂商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代号：MN
NEC（日本电器）代号：MC
Mitsubishi（三菱）代号： MH
Fujitsu （富士通）代号：MB
Hitachi（日立）代号： HM
Toshiba （东芝）代号： TMM
OkI（冲电气）代号：MSM
Sharp（夏普）代号： LH
Sanyo（三洋）代号：LC
Seiko（精工）代号：SRM
Sony（索尼）代号：CXK
★美国系列： Motorola （摩托罗拉）代号：MCM
NS（国民半导体）代号： NS
TI（ ?菀瞧鳎┐�牛?TMS
Micron（美光）代号：MT
AMD（美国超微）代号： AM
Performance 代号：P
IDT（艾迪特）代号：IDT
★欧洲系列：Semens（德国西门于）代号：Semens
SGS（意大利汤拇逊）代号：T
★台湾系列：联华 代号： UMC
茂矽 代号：Mosel（MX）
德基 代号： Texas
矽成 代号：Is
华邦 代号：Winboard
华撇隆 代号：HMC
★韩国系列： Samsung（三星）代号：KM
Goldstar（金星）代号： GOldStar
Hyundai（ 韩国现代）代号： HY
两种内存新技术动态
为了充分挖掘内存中更多的性能，几种内存新技术正进入高档微机。这些新内存的特点是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,扩充数据输出）DRAM是一种*作效率更高的单周期内存，它在CAS周期处延迟数据的滞留，因为可维持更长的数据有效时间，这样无需拓宽数据总线也增加了带宽。
EDO内存是目前奔腾机中运用最多的一种内容，这种内存在工作时，允许CPU高效地用上次访问的尾部覆盖某次内存访问的首部；单个内存访问并没有更快，但一连串内存访问的完成时间比标准的快页模式DRAM要少。
2、同步高速内存
我们常说的高速缓存一般采用异步SRAM，它的访问速度相对DRAM来说已大大提高了，但相对CPU来说仍较慢。目前，有一种更新的同步SRAM的高速缓存出现在奔腾机的主板上。例如，在120MHz和更快的奔腾微机的主板上，均采用了Intel的Triton芯片组，该芯片组支持一种称为流水线突发（pipelined burst）高速缓存的特殊同步高速缓存，其中访问速度大大地提高。
除了上述两种新技术外，还有新型的同步DRAM技术和RambusDRAM的系统，这种技术采用25OMHz时钟速度极快地传送大批突发数据。
内存的速度
内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间，所以不同型号规格的内存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，这些编号后面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时，把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内，以后CPU直接与较快的DRAM联络即可，这就是我们所谓的ShadowRAM。
内存有它不同的规格和速度，在不同电路、不同设备也有不同的单位，现将它的应用说明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （纳秒）
数据的传送速度：
以ms为单位，如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
以us为单位，如DRAM每隔15us更新充电一次。
以ns为单位、如内存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常规内存（Conventional Memory）
常规内存在内存分配表中占用最前面的位置，从0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共占640KB的容量。因为它在内存的最前面并且在DOS可管理的内存区，我们又称之为Low Dos Memory（低DOS内存），或称为基本内存（Base Memory），使用此空间的程序有BIOS*作系统、DOS*作系统、外围设备的驱动程序、中断向量表、一些常驻的程序、空闲可用的内存空间、以及一般的应用软件等都可在此空间执行。由此可见，在DOS下的应用程序及其*作系统，挤在如此狭窄拥挤的空间里，640KB的容量已经不够使用，这是因为最早使用的CPU是8088，其寻址的地址信号线只有20条线，能够寻址的空间只有lMB，也就是祖先留下的祖产不多，受到先天硬件CPU寻址的限制。因此在规划内存给各个系统以及DOS下的一些套装应用软件使用时，在先天内存不足环境下，“省吃俭用”来分配这点内存， MS-DOS可以控制和管理1MB的内存空间，常规内存占了640KB，其他的384KB保留给BIOS ROM及其他各种扩展卡使用。这640KB的常规内存基本上分两部分，一部分给各种不同的*作系统程序使用，另一部分给数据、程序的使用。 上位内存（UMB）
3. 如何选择内存条
256M 正品，有保修
SD系列的－－－－－200以下
DDR266－－－－－230左右
DDR333－－－－－230左右
DDR400－－－－－260左右
DDR533－－－－－300左右
内存是主板上重要的部件之一，它是存储CPU与外围设备沟通的数据与程序的部件。在主机中，内存所存储的数据或程序有些是永久的，有些是暂时的，所以内存就有不同形式的功能与作用，而且存储数据的多少也关系着内存的容量大小，传送数据的快慢也关系着内存的速度，这些都跟内存的种类与功能有关。现将内存重要的分类介绍如下：
内存的品牌
内存有许多不同的品牌，这些不同的品牌加载于主板上，它们的排列组合就关系着主板的性能和整个系统的稳定性。除了CPU、主板外，内存是一个关键的部件。每家厂商对于内存的规格、容量以及电路的特性都有不同的要求，所以对于在主板上使用的内存是否有不良的反应都应留意，尤其是高容量、高速度、新规格的内存，在选用时更应注意其特性，现将世界各国生产内存的厂商列出如下
★日本系列： Panasonic（松下）代号：MN
NEC（日本电器）代号：MC
Mitsubishi（三菱）代号： MH
Fujitsu （富士通）代号：MB
Hitachi（日立）代号： HM
Toshiba （东芝）代号： TMM
OkI（冲电气）代号：MSM
Sharp（夏普）代号： LH
Sanyo（三洋）代号：LC
Seiko（精工）代号：SRM
Sony（索尼）代号：CXK
★美国系列： Motorola （摩托罗拉）代号：MCM
NS（国民半导体）代号： NS
TI（ ?菀瞧鳎┐�牛?TMS
Micron（美光）代号：MT
AMD（美国超微）代号： AM
Performance 代号：P
IDT（艾迪特）代号：IDT
★欧洲系列：Semens（德国西门于）代号：Semens
SGS（意大利汤拇逊）代号：T
★台湾系列：联华 代号： UMC
茂矽 代号：Mosel（MX）
德基 代号： Texas
矽成 代号：Is
华邦 代号：Winboard
华撇隆 代号：HMC
★韩国系列： Samsung（三星）代号：KM
Goldstar（金星）代号： GOldStar
Hyundai（ 韩国现代）代号： HY
两种内存新技术动态
为了充分挖掘内存中更多的性能，几种内存新技术正进入高档微机。这些新内存的特点是：
1.EDO DRAM 方案
EDO（Extend Data Out,扩充数据输出）DRAM是一种*作效率更高的单周期内存，它在CAS周期处延迟数据的滞留，因为可维持更长的数据有效时间，这样无需拓宽数据总线也增加了带宽。
EDO内存是目前奔腾机中运用最多的一种内容，这种内存在工作时，允许CPU高效地用上次访问的尾部覆盖某次内存访问的首部；单个内存访问并没有更快，但一连串内存访问的完成时间比标准的快页模式DRAM要少。
2、同步高速内存
我们常说的高速缓存一般采用异步SRAM，它的访问速度相对DRAM来说已大大提高了，但相对CPU来说仍较慢。目前，有一种更新的同步SRAM的高速缓存出现在奔腾机的主板上。例如，在120MHz和更快的奔腾微机的主板上，均采用了Intel的Triton芯片组，该芯片组支持一种称为流水线突发（pipelined burst）高速缓存的特殊同步高速缓存，其中访问速度大大地提高。
除了上述两种新技术外，还有新型的同步DRAM技术和RambusDRAM的系统，这种技术采用25OMHz时钟速度极快地传送大批突发数据。
内存的速度
内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间，所以不同型号规格的内存就有不同的速度，如ROM就有27010-20，27010-15等不同的速度。DRAM也有411000-7、411000－6等不同的速度，这些编号后面的20代表200ns，-15代表150ns，-7代表70ns，-6代表60ns，所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时，把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内，以后CPU直接与较快的DRAM联络即可，这就是我们所谓的ShadowRAM。
内存有它不同的规格和速度，在不同电路、不同设备也有不同的单位，现将它的应用说明如下：
ms， Milli Second（毫沙）
us： Micro Second（微秒）
ns： Nano Second （纳秒）
数据的传送速度：
以ms为单位，如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
以us为单位，如DRAM每隔15us更新充电一次。
以ns为单位、如内存的存取速度：
RAM： 41256-8，8即表示80ns。
411000-7，7即表示70ns。
411000-6，6即表示60ns。
ROM： 27256-20， 20即表示200ns。
27512-15，15即表示150ns。
常规内存（Conventional Memory）
常规内存在内存分配表中占用最前面的位置，从0KB到640KB（地址000000H～109FFFFH），共占640KB的容量。因为它在内存的最前面并且在DOS可管理的内存区，我们又称之为Low Dos Memory（低DOS内存），或称为基本内存（Base Memory），使用此空间的程序有BIOS*作系统、DOS*作系统、外围设备的驱动程序、中断向量表、一些常驻的程序、空闲可用的内存空间、以及一般的应用软件等都可在此空间执行。由此可见，在DOS下的应用程序及其*作系统，挤在如此狭窄拥挤的空间里，640KB的容量已经不够使用，这是因为最早使用的CPU是8088，其寻址的地址信号线只有20条线，能够寻址的空间只有lMB，也就是祖先留下的祖产不多，受到先天硬件CPU寻址的限制。因此在规划内存给各个系统以及DOS下的一些套装应用软件使用时，在先天内存不足环境下，“省吃俭用”来分配这点内存， MS-DOS可以控制和管理1MB的内存空间，常规内存占了640KB，其他的384KB保留给BIOS ROM及其他各种扩展卡使用。这640KB的常规内存基本上分两部分，一部分给各种不同的*作系统程序使用，另一部分给数据、程序的使用。 上位内存（UMB）
UMB是英文Upper Memory Block的缩写，是常规内存上面一层的内存（64OKB～1024KB），我们又称之为DOS高端内存（地址为0A0000H～0FFFFFH）。由于PC的老祖先把DOS使用的内存限定在640KB的框框里，所以大家都想尽办法要突破640KB的紧箍罩以摆脱640KB的限制，让DOS的一些程序摆脱640KB藩篱。在DOS可以控制的1MB内存空间中，常规内存占了640KB，其余的384KB的上位内存（UMB）保留给BIOS ROM、显示卡和其他各种扩展卡使用，但是还有一些保留空间未使用，所以在DOS 5.0以上的版本，即有突破640KB的能耐，允许使用常规内存上面的384KB的上位内存UMB（地址0A0000H～OFFFFFlH），但是要超越传统的640KB，必须有一些条件和*作，其条件和*作如下：
◎386以上的电脑和384KB以上的扩展内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎CONFIG.SYS设置Devuce=C:＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置Device=C:＼DOS＼EMM386．EXE， NOEMS（扩充内存EMS模拟驱动程序）。
◎CONFIG.SYS设置DOS=HIGH，UMB。
高端内存区（HMA）
HMA是英文High Memory Area的缩写。它是1024KB至1088KB之间的64KB内存，称为高端内存区，其地址为100000H～1OFFEFH或以上，CPU在实地址模式下以Segment:OFFSET（段地址：偏移量）方式来寻址，其寻址的最大逻辑内存空间为（FFFF：FFFF），即10FFEFH，此已超过8088 CPU的20条线所能寻址的lMB的上限，故286CPU的地址线有24条，只要把A20地址信号线的“逻辑门”打开，即可使用此64KB范围的内存，这段内存乃在实地址模式下。一般说HMA是64KB，其实是指lMB以上至我们现在CPU所能寻址的广大空间4GB，它们都称为高端内存区（HMA），如何去打开A20地址线（A20Gate，逻辑门）以上的内存，只要在DOS5.0或以上版本中使用扩展内存驱动程序，其*作如下：
在CONFIG设置驱动程序：
◎286以上的电脑和lMB以上的内存。
◎DOS 5．0以上的版本。
◎Device＝c：＼DOS＼HIMEM.SYS（扩展内存XMS驱动程序）。
◎DOS=HIGH
◎打开A20地址线， A20Gate（逻辑门）=1，即可寻址lMB内存以上的空间。
◎A20地址线没有打开， A20 Gate＝O，不能寻址lMB内存以上的空间。
◎A20 Gate信号由软件驱动键盘BIOS 8042或芯片组产生。
EMB是英文Extended Memory Block（扩展内存块）的缩写，扩展内存是指lMB以上的内存空间，其地址是从100000H开始，连续不断向上扩展的内存，所以把这种内存称为
EMB（Extended Memory Block）。扩展内存取决于CPU的寻址能力， 286 CPU可寻址到16MB, 386 CPU以上至Pentium II CPU可寻址到4GB。但是，有些主板上芯片组的实际地址译码电路并没有设计为可寻址那么大的地址空间，如286 AT的主板上最大寻址空间只到4MB，Pentium系列主板目前的最大扩展内存也只到1GB，距实际CPU的寻址空间还有一段距离。对于这些扩展内存，由于超过了DOS的寻址范围，并不能直接被实地址模式的BIOS或DOS*作系统所使用，只能用于存放数据，除非使用了DOS的扩展器（DOSExtender），或使用Windows3.1/Windows 95/Windows NT/OS2等，在保护模式下供不同*作系统使用。要使电脑主机能使用扩展内存，还需要一些扩展内存驱动程序（XMS）来加以驱动和设置，其驱动程序是DOS5.O以上的版本或Windows所附带的HIMEM.SYS，其在CONFIG.SYS下设置为：
◎Device=C:\DOS\HIMEM.SYS。
◎扩展内存是lMB以上连续的内存。
◎进入扩展内存程序，必须在保护模式下。
◎进入扩展内存，必须先打开CPU的A20逻辑门，使内存寻址连续。
◎在主板由键盘BIOS 8042的A20逻辑门信号输出或芯片组来打开。
◎A20逻辑门信号是实地址模式和保护地址模式的切换开关。
◎执行驱动扩展内存，在实地址模式有64KB高端内存的扩展。
◎扩展至顶端的最大内存，对DOS而言，只能存放数据。
扩充内存（EMS）
EMS是英文Expanded Memory Specification（扩充内存规范）的缩写，是由LOtus／Intel/Microsoft三家公司制订。扩充内存是利用1MB内存中64KB的内存区，此内存区为连续的4页，每页为16KB的实际页内存，它们映射（Memory Mapping）到EMS卡上广大空间的逻辑页内存， EMS 4.0版本驱动程序其映射的内存区为1MB内任意大小的内存，映射的扩充内存空间为32MB，这是另一种扩充内存的方法。一般我们常用比较方便的DOS5．0以上版本，在386 CPU以上有虚拟86和分页的能力，在EMS Emulator模拟程序的控制下，使用扩展内存的广大空间来作为映射的内存，其驱动程序和*作如下：
◎主板和CPU为386CPU以上有虚拟86及4KB分页的能力。
◎使用扩充内存驱动程序（EMS），必须先执行扩展内存驱动程序（EMS）。
◎使用DOS 5.0以上版本，有EMS Emulator扩充内存模拟程序EMM386.EXE的程序来实现主板上扩展内存的映射。即在CONFIG.SYS设置：Device=C:\DOS\EMM386.EXE
◎扩充内存是非连续性的内存，它是用DOS内存的存储体开关（Bank Switch）分页切换映射到EMS的内存空间。
闪速存储器
什么叫闪速存储器（Flash Memory），闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器，因为闪速存储器具有以下各项优点：
◎具有较快的速度（70ns-200ns）。
◎有节能的管理（Auto Sleep和Standby），低功率和低工作电压的功能。
◎更新数据方便，不须清除即可更改数据。
◎可由硬件或软件来控制数据的保护。
◎在电脑外围设备和通信设备中广泛应用。
◎目前586电脑使用容量为1MB（bit）的闪速存储器，686电脑使用容量为2MB（bit）的闪速存储器。
DRAM内存
DRAM是英文Dynamic RAM的缩写，其意思是动态随机存取内存，它是目前主板上使用的主要内存，因为它的集成度高，较小的体积即可获得较大的容量，而且价格低，所以是目前最常使用的内存。一般主机的内存容量即为DRAM的容量，虽然DRAM内存有容量大，价格低的优点，但是它也有缺点，主板必须有一个刷新电路与之相配合，对它的存储数据作刷新的*作，否则它的数据就会消失，因为它内部存储的数据是靠电容的充电来保存的，而电容会放电，故每隔一段时间就要对DRAM进行刷新。这种刷新*作会影响CPU对DRAM内存存取的效率，DRAM因为是主板主要使用的内存，所以主板在特性和内部的电路也作了一番改进，使之支持不同功能的DRAM。现将DRAM的特点归纳如下：
◎优点：集成度高，相同的体积可获得较大容量，价格便宜。
◎缺点：主板必须要有一个刷新的电路，这会影响CPU对DRAM内存的存取，影响CPU的工作效率。
◎DRAM使用的系统：
○作为CPU与主要数据的暂时存取的内存。
○作为CPU与外围设备显示卡数据的缓冲器或其他家电设备的内存。
SRAM存储器
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静志存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积，在主板上哪些是SRAM呢？
一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的*作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。现将它的特点归纳如下：
◎优点，节能、速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
◎缺点，集成度低，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统：
○CPU与主存之间的高速缓存。
○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。
PB（Pipeline Burst，流水线突发式）SRAM
提高主机系统性能的方法除了更换速度较快、频率较高的主板、CPU以及扩充增加一些主存外，就是要使用支持PB SRAM芯片组的主板，什么叫PB SRAM？它是一种SRAM存储器，也是一种高速缓存（Cache Memory）。它是主板上使用的速度较快的高速缓存，是一种在材质和电路工艺改进的SRAM。根据测试结果，可以给CPU超频两极，较少的费用可以获得较佳的性能。传统长方形的异步SRAM，其工作电压为5V，为以前486主板所使用，由于速度容量的限制，已无法满足现在快速CPU的需求，现已淘汰不用。现在的主板都用速度较快，容量较大的同步PB SRAM，其工作电压为3.3V，其形状为较大的四方形，一般PB SRAM在主板上有两种规格。 ○一种是PB SRAM芯片组固定在主板上，一般为256KB或512KB，为现在大部分的主板采用。
○另一种是PB SRAM模块的方式，插在主板PB SRAM的插槽上，一般我们称之为COAST（Cache On A stick）插槽，由于主板的品牌和规格不同，它们安装的方法和注意事项也不尽相同。这种高速缓存在较新的主板上已淘汰不用。度较快，有的传送速度较慢，其中RAM的速度就比ROM的速度快，主存RAM的速度一般为50至70ns，而ROM的速度则为150至200ns，所以在主机系统的BIOS Setup（BIOS设置程序），就设置有所谓ShadowRAM的*作。电脑启动时，系统就会把主机系统的BIOSROM或VGA卡上的VideoBIOS ROM程序全部载入DRAM内存中，并且将存储有这些程序的内存区改为只读状态。以后凡是CPU要执行系统BIOS中的程序或Video BIOS中的程序，都会自动转至速皮较快的Shadow RAM中执行，如此即可加快CPU的处理速度和屏幕图像的显示，一般电脑一启动，系统即会自动将BIOS ROM和Video ROM设置为Shadow的*作，以加快系统的速度。动态DRAM内部的数据是靠电容特性存储的，但电容会放电，所以使用动态DRAM内存就需要有数据刷新（Refresh）时钟的电路，在几个ms之内必须对DRAM完成充电，否则动态DRAM内存内的数据就会因放电而丢失。因此，动态内存内部结构就好像一个会漏水的茶壶，假如不在一个固定的时间去加水添满的话，里面的光（数据就会消失）。在PC标准的电路里是每隔15 us即充电一况在4ms之内完成整个充电*作。由于CPU的速度越越快，使得DRAM的速度越来越跟不上CPU的处理速度，所以CPU必须增加儿个等待周期，让DRAM刷新充电以后再继续工作，如此势必影响CPU的工作效率，故在AT时代的主板则有交替（Interleave）刷新DRAM内存的设计，即主板必须至少有两组存储休（Bank），当一个存储体供CPU存取数据时，另一个存储体就进行数据刷新，如此才不会牺牲CPU的工作效率。另一种方式为DRAM Page Mode（DRAM页面模式），一般在CPU对DRAM进行读写的一个周期中，我们只能对一个地址进行存取，但是，采用页面模武是将内存的列地址固定，而连续改变内存的行地址，如此可得到一个连续地址的页区块内存，而使CPU能够存取范围较大的数据，而达到CPU快速存取数据的目的。另外，改进DRAM数据读写周期的触发电路和材质，采用具有较佳节能特性的动态内存，在CMOS的设置中对DRAM的刷?芷诮�幸环�髡��映ざ欣RAM刷新充电的时间周期，减少对CPU*作的干扰，这都是增加CPU工作效率的方法。所以，要使内存系统发挥其性能，一方面是延长刷新的时间，另一方面是改进DRAM本身的电路和材质，提高速度，如此内存才能跟上速度一直在倍增的CPU。 在我们的主板上除了有主要的内存外，还有高速缓存。顾名恩义，高速缓存最主要的目的是提高CPU与内存之间数据的传送速度，所以高速缓存在电路的设计上，则置于CPU与主存DRAM之间。当CPU从外围设备读取数据时，经CPU加以处理，再将数据写入主存DRAM中，在写入过程中路经高速缓存，此时会将写入主存DRAM的地址记录在TagSRAM（标记SRAM）内，并将刚才写入主存DRAM中的数据拷贝一份至高速缓存的SRAM内，以备CPU下次就近取用，而不必到较远的DRAM中读取，如此即可加快CPU的存取速度。目前主板高速缓存的规格有256KB和512KB两种容量，购买时应根据当时的价差选购。
主板的高速缓存其容量只有256KB或是512KB，再扩充的容量还是有限的，要把主存几十MB的数据全部拷贝过来是不可能的，因此高速缓存还是无法取代主存的地位，所以只有把经常要读写的数据拷贝到高速缓存内，但是CPU要存取的数据是否在高速缓存内呢？那就涉及到CPU对高速缓存读写的命中率（Hit Ratio）当CPU要读取主存中的数据时，检查高速缓存系统的Tag SRAM的地址数据，当高速缓存内有一份所需的数据时，高速缓存总线的仲裁电路就会将高速缓存系统的大门打，让CPU直接到高速缓存系统中存取数据， CPU就近取村，即可快速存取所要的数据。但是，假如CPU所要存取的数据并不在高速缓存中时，高速缓存总线的仲裁电路就不会将高速缓存至统的大门打开CPU只有跑到比较远的主存，根据数据的地址去存取所需要的数据了。 Tag SRAM
什么叫Tag SRAM，即标记的静态随机存取存储器，它是在高速缓存系统中配合高速缓存的附加SRAM，它也是高速缓存，只是用在高速缓存电路中记录地址数据，当CPU要读取主存某一个地址中的数据时，会先到高速缓存电路中去寻找，对高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址数据进行搜寻和对比，当高速缓存内也存有此地址的数据时，高速缓存总线的仲裁控制电路即将数据读取传回CPU，若对比Tag SRAM记录的地址数据而找不到此数据的地址时，CPU就会到主存读取数据。
当CPU要往主存写入某一个地址的数据时 ，到主存写入数据，然后再到高速缓存电路，对比高速缓存系统的Tag SRAM所记录的地址，当高速缓存内也存有此地址的数据时，则更新高速缓存内的数据以保持主存与高速缓存数据的一致性。对比高速缓存系统Tag SRAM所记录的地址是否为CPU所需读取数据的地址，对应了高速缓存内数据读取的机率，即所谓的命中率（Hit Ratio），命中率的多少要看高速缓存容量的大小、电路的设计、以及执行程序数据的内容，这些都与高速缓存的命中率有关。
内存的ECC
什么叫内存的ECC， ECC是英文Error Check ＆Correct的缩写，其中文的意思是“差错检查与纠正”，是目前功能较强、价格较高的芯片组才支持的功能，如Pentium的8243OHX的芯片组、Pentium II的8244OFX/82440LX／82440BX等芯片组，这些芯片组支持内存ECC校验功能。
ECC的功能不但使内存具有数据检查的能力，而且使内存具备了数据错误修正的功能，以前奇偶校验的是8比特（bit）的数据，用一比特的奇偶校验位来检查数据的正确性，但是具有ECC功能的内存则用4比特来检查8比特的数据是否正确。当CPU读取时，若有一个比特的数据错误，则ECC内存会根据原先存在四个比特中的检测比特，定位那个比特错误，而且会将错误的数据加以校正。这种DRAM内存在整个系统中较稳定，一般用于局域网络的文件服务器，或Internet的服务器，当然其价格也较贵。
如何进行内存的奇偶校验
内存的奇偶校验（Parity Check），在主机系统中，它是对内存和数据读写的一种检查电路，检查写到主存的数据与读取的数据是否相符，假如不符，则通过对CPU强制中断（NMI）的电路，通知CPU死机。
当CPU把数据写入主存时，同时也会把数据送到奇偶校验位产主器/检查器（74280）来加以计算，74280这个芯片是一个9位的奇偶校验位产生器，但也是一个检查器，其实它的主要功能是负责把从CPU输入到DRAM内存的H信号（高电平信号，即“1”信号）加起来看是偶数个“1”还是奇数个“1”，再从它的Even（偶）或Odd（奇）脚输出，此输出的信号就是奇偶校验位（Parity bit）。当CPU把8个比特的数据写入主存时，同时经奇偶校验位产生器加以计算，计算的结果假如是偶数个“1”，则奇偶校验位为”1”假如是奇数个“1”，则奇偶校验位（Parity bit）则为L信号（低电平，即”0”信号），把此奇偶校验位送到第9块内存芯片暂存起来，也就是说，写入数据的时候是产生奇偶校验位（Parity bit），不进行奇偶校验位的检查（Parity Check），因为没有对比检查的机会，所以写入时产主的奇偶校验位可能是“1”，也可能是“0”，在PC AT的电路里，当CPU对主存读取时，则此8个比特的数据在与刚才第9块内存芯片所存储的奇偶校验位相加起来，所得的答案应该为奇数个“1”（即奇校验电路的校验位=“0”），假如是偶数个”1”则启动奇偶校验检查电路，经NMI电路通知CPU死机。所以奇偶校验位的检查（Parity Check）是在读取数据的时候产主，因为只有在读取的时候，才能对比刚才所写入内存的数据有没有错误。
奇偶校验电路可以分两种检查，一种是奇校验检查，一种是偶校验检查，在PC主机电路里是奇校验检查，即读取的时候，奇偶校验位（Parity bit）的Even输出应为“0”，假如奇偶校验位是“1”的话，即产生奇偶校验位错误（Parity Error），然后经NMI电路通知CPU死机，检查时因每一个奇偶校验位产生器/检查器（74280）芯片只能检查8个比特，看看您的CPU是几个比特的，则就有几组74280， Pentium CPU的主机有8个7428O，但现在全部被缩编在芯片组里，故以一组来说明奇校验与偶校验检查的工作原理。
奇校验检查：
◎CPU把数据写入内存时仅产生奇偶校验位，不作奇偶校验位检查。
CPU写入数据时（8bit），经奇偶校验位产生器把8个比特（bit）加起来，计算的结果：
○有偶数个“1”，则奇偶校验位=1。
○有奇数个“1”则奇偶校验位＝0。
○将奇偶校验位（Parity bit）存在第9个内存芯片内。
◎CPU读取内存数据时，此时与刚才写入数据进行对比，进行奇偶校验位检查。
○刚才写入的数据有偶数个“1” 加上存储在第9个内存芯片中的奇偶校验位=“l”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算，Even接脚的输出应为奇数个“1”，即奇偶校验位为“0”。
○刚才写入的数据有奇数个“1”加上存储在第9个内存芯片的奇偶校验位=“0”，再经奇偶校验位检查器和逻辑电路的计算， Even接脚的输出还是为奇数个“1”， 即奇偶校验位为“0”。
○所以无论刚才写入的数据有偶数个“1”还是有奇数个“1”读取的时候都是为固定的奇数个“1”，假如为偶数的话，则系统产生一连串的*作，通知CPU死机。
◎目前大多数主板都支持没有奇偶校验位的DRAM内存，系统的BIOS会锁定（Disable）奇偶校验功能，比较新的BIOS会自动检测主板的DRAM内存是否有奇偶校验位。
◎奇校验：D0～D7加起来有奇数个“1”，由74280Even接脚输出“0”作为校验位。
◎偶校验： D0～D7加起来有偶数个“1”，由74280Odd接脚输出“1”作为校验位。
◎奇校验检查：读取数据时，D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有奇数个“1”，则Even接脚输出“0”，Odd接脚输出“l”。若为偶数个“1”。则Even接脚输出“1”， Odd接脚输出“0”。
◎偶校验检查读取数据时， D0～D7再加上奇偶校验位由74280计算结果，如果共有偶数个“1”，则Even接脚输出“1”，Odd接脚输出“0”。若为奇数个“l”，则Even接脚输出“0”Odd接脚输出“1”。
不同主板如何使用无奇偶校验（Non-Parity）的内存
主板的功能和内存的结构一直在改进，所以在更新或扩充主板和内存的时候，就会碰到主板的CMOS Setup设置程序是否具有设置Parity Check Enable/Disable（偶校验启用／禁用）的功能，只有386或486的主机才有这种设置，因为586以上主板的BIOS大部分都已有自动
4. 谁知道计算机方面的英文术语是哪些英文缩写最好有中文注释
3GIO（Third Generation InputOutput，第三代输入输出技术）
ACR（Advanced Communications Riser，高级通讯升级卡）
ADIMM（advanced Dual In-line Memory Moles，高级双重内嵌式内存模块）
AGTL+（Assisted Gunning Transceiver Logic，援助发射接收逻辑电路）
AHCI（Advanced Host Controller Interface，高级主机控制器接口）
AIMM（AGP Inline Memory Mole，AGP板上内存升级模块）
AMR（Audio／Modem Riser；音效／调制解调器主机板附加直立插卡）
AHA（Accelerated Hub Architecture，加速中心架构）
AOI（Automatic Optical Inspection，自动光学检验）
APU（Audio Processing Unit，音频处理单元）
ARF（Asynchronous Receive FIFO，异步接收先入先出）
ASF（Alert Standards Forum，警告标准讨论）
ASK IR（Amplitude Shift Keyed Infra-Red，长波形可移动输入红外线）
AT（Advanced Technology，先进技术）
ATX（AT Extend，扩展型AT）
BIOS（Basic InputOutput System，基本输入输出系统）
CNR（Communication and Networking Riser，通讯和网络升级卡）
CSA（Communication Streaming Architecture，通讯流架构）
CSE（Configuration Space Enable，可分配空间）
COAST（Cache-on-a-stick，条状缓存）
DASP（Dynamic Adaptive Speculative Pre-Processor，动态适应预测预处理器）
DB Device Bay，设备插架
DMI（Desktop Management Interface，桌面管理接口）
DOT（Dynamic Overclocking Technonlogy，动态超频技术）
DPP（direct print Protocol，直接打印协议
DRCG（Direct Rambus clock generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DVMT（Dynamic Video Memory Technology，动态视频内存技术）
E（Economy，经济，或Entry-level，入门级）
EB（Expansion Bus，扩展总线）
EFI（Extensible Firmware Interface，扩展固件接口）
EHCI（Enhanced Host Controller Interface，加强型主机端控制接口）
EISA（Enhanced Instry Standard Architecture，增强形工业标准架构）
EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）
ESCD（Extended System Configuration Data，可扩展系统配置数据）
ESR（Equivalent Series Resistance，等价系列电阻）
FBC（Frame Buffer Cache，帧缓冲缓存）
FireWire（火线，即IEEE1394标准）
FlexATX（Flexibility ATX，可扩展性ATX）
FSB（Front Side Bus，前端总线）
FWH（Firmware Hub，固件中心）
GB（Garibaldi架构，Garibaldi基于ATX架构，但是也能够使用WTX构架的机箱）
GMCH（Graphics & Memory Controller Hub，图形和内存控制中心）
GPA（Graphics Performance Accelerator，图形性能加速卡）
GPIs（General Purpose Inputs，普通操作输入）
GTL+（Gunning Transceiver Logic，发射接收逻辑电路）
HDIT（High Bandwidth Differential Interconnect Technology，高带宽微分互连技术）
HSLB（High Speed Link Bus，高速链路总线）
HT（HyperTransport，超级传输）
I2C（Inter-IC）
I2C（Inter-Integrated Circuit，内置集成电路）
IA（Instantly Available，即时可用）
IBASES（Intel Baseline AGP System Evaluation Suite，英特尔基线AGP系统评估套件）
IC（integrate circuit，集成电路）
ICH（InputOutput Controller Hub，输入输出控制中心）
ICH-S（ICH-Hance Rapids，ICH高速型）
ICP（Integrated Communications Processor，整合型通讯处理器）
IHA（Intel Hub Architecture，英特尔Hub架构）
IMB（Inter Mole Bus，隐藏模块总线）
INTIN（Interrupt Inputs，中断输入）
IPMAT（Intel Power Management Analysis Tool，英特尔能源管理分析工具）
IR（infrared ray，红外线）
IrDA（infrared ray，红外线通信接口，可进行局域网存取和文件共享）
ISA（Instry Standard Architecture，工业标准架构）
ISA（instruction set architecture，工业设置架构）
K8HTB（K8 HyperTransport Bridge，K8闪电传输桥）
LSI（Large Scale Integration，大规模集成电路）
LPC（Low Pin Count，少针脚型接口）
MAC（Media Access Controller，媒体存储控制器）
MBA（manage boot agent，管理启动代理）
MC（Memory Controller，内存控制器）
MCA（Micro Channel Architecture，微通道架构）
MCC（Multilayer Ceramic Capacitor，积层陶瓷电容）
MCH（Memory Controller Hub，内存控制中心）
MDC（Mobile Daughter Card，移动式子卡）
MII（Media Independent Interface，媒体独立接口）
MIO（Media IO，媒体输入输出单元）
MOSFET（metallic oxide semiconctor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）
MRH-R（Memory Repeater Hub，内存数据处理中心）
MRH-S（SDRAM Repeater Hub，SDRAM数据处理中心）
MRIMM（Media-RIMM，媒体RIMM扩展槽）
MSI（Message Signaled Interrupt，信息信号中断）
MSPCE(Multiple Streams with Pipelining and Concurrent Execution，多重数据流的流水线式传输与并发执行）
MT=MegaTransfers（兆传输率）
MTH（Memory Transfer Hub，内存转换中心）
MuTIOL（Multi-Threaded IO link，多线程IO链路）
NCQ（Native Command Qu，本地命令序列）
NGIO（Next Generation InputOutput，新一代输入输出标准）
NPPA（nForce Platform Processor Architecture，nForce平台处理架构）
OHCI（Open Host Controller Interface，开放式主控制器接口）
ORB（operation request block，操作请求块）
ORS（Over Reflow Soldering，再流回焊接，SMT元件的焊接方式）
P64H（64-bit PCI Controller Hub，64位PCI控制中心）
PCB（printed circuit board，印刷电路板）
PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷电路板装配）
PCI（Peripheral Component Interconnect，互连外围设备）
PCI SIG（Peripheral Component Interconnect Special Interest Group，互连外围设备专业组）
PDD（Performance Driven Design，性能驱动设计）
PHY（Port Physical Layer，端口物理层）
POST（Power On Self Test，加电自测试）
PS2（Personal System 2，第二代个人系统）
PTH（Plated-Through-Hole technology，镀通孔技术）
RE（Read Enable，可读取）
QP（Quad-Pumped，四倍泵）
RBB（Rapid BIOS Boot，快速BIOS启动）
RNG（Random number Generator，随机数字发生器）
RTC（Real Time Clock，实时时钟）
KBC（KeyBroad Control，键盘控制器）
SAP（Sideband Address Port，边带寻址端口）
SBA（Side Band Addressing，边带寻址）
SBC（single board computer，单板计算机）
SBP-2（serial bus protocol 2，第二代串行总线协协）
SCI（Serial Communications Interface，串行通讯接口）
SCK (CMOS clock，CMOS时钟)
SDU（segment data unit，分段数据单元）
SFF（Small Form Factor，小尺寸架构）
SFS（Stepless Frequency Selection，步进频率选项）
SMA（Share Memory Architecture，共享内存结构）
SMT（Surface Mounted Technology，表面黏贴式封装）
SPI（Serial Peripheral Interface，串行外围设备接口）
SSLL（Single Stream with Low Latency，低延迟的单独数据流传输）
STD（Suspend To Disk，磁盘唤醒）
STR（Suspend To RAM，内存唤醒）
SVR（Switching Voltage Regulator，交换式电压调节）
THT（Through Hole Technology，插入式封装技术）
UCHI（Universal Host Controller Interface，通用宿主控制器接口）
UPA（Universal Platform Architecture，统一平台架构）
UPDG（Universal Platform Design Guide，统一平台设计导刊）
USART（Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter，通用同步异步接收传送器）
USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）
API（Application Programming Interfaces，应用程序接口）
ASCII（American Standard Code for Information Interchange，美国国家标准信息交换代码）
ATL ActiveX Template Library（ActiveX模板库）
BASICBeginner's All-purpose Symbolic Instruction Code（初学者通用指令代码）
COM Component Object Model（组件对象模式）
DNA Distributed Internet Application（分布式因特网应用程序）
HLL（high level language，高级语言）
HLLCA（High-Level Language Computing Architecture，高级语言计算架构）
MFC Microsoft Foundation Classes（微软基础类库）
NVSDK（nVidia Software Development Kit，nvidia软件开发工具包）
SDK（Software Development Kit，软件开发工具包）
STL（Standard Template Library，标准模版库）
AES（Attachment Execution Service，附件执行服务）
ASF（Advanced Streaming Format，高级数据流格式）
ASP（Active Server Pages，活动服务页）
BRC（Beta Release Candidate，测试发布候选版0）
CE（Consumer Electronics，消费电子）
COA（Certificate of Authenticity，真品证明书）
DCOM（Distributing Component Object Model，分布式组成物体模块）
DCE（Desktop Composition Engine，桌面组成引擎）
DEP（data execution prevention，数据执行预防）
DHCP（Dynamic Host Configuration Protocol，动态主机分配协议）
DID（Device ID，设备ID）
dll（dynamic link library，动态链接库）
DMF Distribution Media Format
DMT（Discreet Monitor Timing，智能型显示器调速）
DOM（Document Object Model，文档目标模型）
DUN（Dial-Up Networking，拨号网络）
E-WDM（Enhanced Windows Driver Model，增强型视窗驱动程序模块）
EULA（End-User License Agreement，最终用户释放协议）
EPM（enterprise project manage）
ERD（Emergency Repair Disk，应急修理磁盘）
GDI（Graphics Device Interface，图形设备接口）
GUI（Graphics User Interface，图形用户界面）
GPF（General protect fault，一般保护性错误）
GTF（General Timing Formula，普通调速方程式）
HCL（Hardware Compatibility List，硬件兼容性列表）
HCRP（Hard Cable Replacement Profile，硬复制电缆复位协议子集）
HE（Home Edition，家庭版）
HTA HyperText Application，超文本应用程序
IAS（Internet Authentication Service，因特网证明服务）
ICF（Internet Connection Firewall，因特网连接防火墙）
IIS（Internet Information Server，因特网信息服务器）
INF File（Information File，信息文件）
INI File（Initialization File，初始化文件）
IOMON（Intel WDM IO Subsystem Performance Monitor，英特尔WDM输入输出子系统性能监视）
LOB（Large Object，大型对象）
MBSA（Microsoft Baseline Security Analyzer，微软基准安全分析器）
ME（Millennium Edition，千年版）
MMC（Microsoft Management Console，微软管理控制台）
MMC（MultiMedia Controler，多媒体控制器）
MTP（Microsoft Multimedia Transport Protocol，微软多媒体传输器协议）
MUI（Multilingual User Interface，多语言用户接口）
NDIS Network Driver Interface Specification，网络驱动程序接口规范
NT（New Technology，新技术）
OLE（Object Linking and Embedding，对象链接和嵌入）
OPP（Object Push Profile，物体推拉传输协议）
PAN（Personal Area Networking，个人区域网络）
Qos（Quality of Service，服务质量）
RC（Release Candidate，候补释放版）
RDP（Remote Desktop Protocol，远程桌面协议）
RMS（Rights Management Services，版权管理服务）
RPC（remote procere calls，远程程序呼叫）
RRVP Resource ReserVation Protocol（资源保留协议）
RsoP（Resultant Set of Policy，方针结果规定）
RTM（release to manufacture，厂商版，公开发行批量生产）
RTOS（Real Time Operating Systems，实时操作系统）
SBFS Simple Boot Flag Specification，简单引导标记规范
SDP（Service Discovery Protocol，服务发现协议）
SHS（Shell Scrap Object，外壳剪贴对象）
SID（Subsystem ID，子系统ID）
SIP（Session Initiation Protocol，会议起始协议）
SMS（Systems Management Server，系统管理服务器）
SP（Service Pack，服务工具包）
SVID（Subsystem Vendor ID，子系统销售者ID）
VBA（Visual Basic for Applications，应用程序可视化Basic）
VEFAT Virtual File Allocation Table（虚拟文件分配表）
VSDS（Visual Studio development System ，虚拟工作室发展系统）
VxD（Virtual device drivers，虚拟设备驱动程序）
VID（Vendor ID，销售者ID）
VLK（Volume License，大量授权企业版）
WebDAV（Web-based Distributed Authoring and Versioning，基于网页的分布式创造和翻译）
WDM（Windows Driver Model，视窗驱动程序模块）
WGF（Windows Graphic Foundation，视窗图形基础）
Winsock Windows Socket，视窗套接口
WFP（Windows File Protection，视窗文件保护）
WHQL Windows Hardware Quality Labs，Windows硬件质量实验室
WHS Windows Scripting Host，视窗脚本程序
WMA（Windows Media Audio，视窗媒体音频）
WMP（Windows Media Player，视窗媒体播放器）
WMS（Windows Media Services，视窗媒体服务）
ZAM Zero Administration for Windows，零管理视窗系统
CSS（Cascading Style Sheets，层叠格式表）
DCD Document Content Description for XML XML文件内容描述
DTD Document Type Definition，文件类型定义
DTXS（Decryption Transform for XML Signature，XML签名解密转换）
HTML（HyperText Markup Language，超文本标记语言）
JVM（Java Virtual Machine, Java虚拟机）
OJI Open Java VM Interface，开放JAVA虚拟机接口
SDML（Small Device Markup Language，小型设备标示语言）
SGML Standard Generalized Markup Language，标准通用标记语言
SMIL Synchronous Multimedia Integrate Language（同步多媒体集成语言）
VRML：Virtual Reality Makeup Language，虚拟现实结构化语言
VXML（Voice eXtensible Markup Language，语音扩展标记语言）
XML Extensible Markup Language（可扩展标记语言）
XMLESP（XML Encryption Syntax and Processing，XML加密语法和处理）
XSL（Extensible Style Sheet Language，可扩展设计语言）
XSLT（Extensible Stylesheet Language Transformation，可扩展式表语言转换）
ABB（Advanced Boot Block，高级启动块）
ABP Address Bit Permuting，地址位序列改变
ADT（Advanced DRAM Technology，先进DRAM技术联盟）
AL（Additive Latency，附加反应时间）
ALDC（Adaptive Lossless Data Compression，适应无损数据压缩）
APM（Automated Precision Manufacturing，自动化精确生产）
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
ATP（Active to Precharge，激活到预充电）
BEDO（Burst Enhanced Data-Out RAM，突发型数据增强输出内存）
BPA（Bit Packing Architecture，位封包架构）
AFC media（antiferromagnetically coupled media，反铁磁性耦合介质）
BLP（Bottom Leaded Package，底部导向封装）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
CDRAM（Cache DRAM，附加缓存型DRAM）
CL（CAS Latency，CAS反应时间）
CMR（Colossal Magnetoresistive，巨磁阻抗）
CPA（Close Page Autoprecharge，接近页自动预充电）
CSP（Chip Size Package，芯片尺寸封装）
CTR（CAS to RAS，列地址到行地址延迟时间）
DB Deep Buffer（深度缓冲）
DD（Double Side，双面内存）
DDBGA（Die Dimension Ball Grid Array，内核密度球状矩阵排列）
DDR（Double Date Rate，上下行双数据率）
DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）
DRCG（Direct Rambus Clock Generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DIL（al-in-line）
DIVA（Data IntensiVe Architecture，数据加强架构）
DIMM（Dual In-line Memory Moles，双重内嵌式内存模块）
DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定循环电路）
DQS（Bidirectional data strobe，双向数据滤波）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
DRDRAM（Direct RAMBUS DRAM，直接内存总线DRAM）
DRSL（Direct RAMBUS Signaling Level，直接RAMBUS信号级）
DRSL（Differential Rambus Signaling Levels，微分RAMBUS信号级）
DSM（Distributed shared memory，分布式共享内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
ED（Execution driven，执行驱动）
EDO（Enhanced Data-Out RAM，数据增强输出内存）
EHSDRAM（Enhanced High Speed DRAM，增强型超高速内存）
EL DDR（Enhanced Latency DDR，增强反应周期DDR内存）
EMS（Enhanced Memory System，增强内存系统）
EMS（Expanded Memory Specification，扩充内存规格）
EOL（End of Life，最终完成产品）
EPROM（erasable, programmable ROM，可擦写可编程ROM）
EPOC（Elevated Package Over CSP，CSP架空封装）
EPV（Extended Voltage Proteciton，扩展电压保护）
ESDRAM（Enhanced SDRAM，增强型SDRAM）
ESRAM（Enhanced SRAM，增强型SRAM）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写可编程只读存储器）
FCRAM（Fast Cycle RAM，快周期随机存储器）
FEMMA（Foldable Electronic Memory Mole Assembly，折叠电子内存模块装配）
FM（Flash Memory，快闪存储器）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
FPM（Fast Page Mode，快页模式内存）
HDSS（ Holographic Data Storage System，全息数据存储系统）
HMC（holographic media card，全息媒体卡）
HMD（holographic media disk，全息媒体磁盘）
HSDRAM（High Speed DRAM，超高速内存）
LRU（least recently used，最少最近使用）
MADP（Memory Address Data Path，内存地址数据路径）
MDRAM（Multi Bank Random Access Memory，多储蓄库随机存储器）
MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器）
ns（nanosecond，纳秒，毫微秒，10亿分之一秒）
NVRAM（Non-Volatile RAM，非可变性RAM）
NWX（no write transfer，非写转换）
ODR（Octal Data Rate，八倍数据率）
ODT（on-die termination，片内终结器）
OP（Open Page，开放页）
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
PLEDM Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
PLL（Phase Lock Loop，相位锁定环）
PRISM（Photorefractive Information Storage Material，摄影折射信息存储原料）
PROM（Programmable Read Only Memory，可编程只读存储器）
PTA（Precharge to Active，预充电到激活）
QBM（Quad Band Memory，四倍边带内存）
QRSL（Quad Rambus Signaling Levels，四倍RAMBUS信号级）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
RAC（Row Access Time，行存取时间）
RAM（Random Access Memory，随机存储器）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RAT（Precharge to Active Trp，预充电到激活时间）
RCD（Row to Cas Delay，行地址到列地址控制器延迟时间）
RDF（Rambus Developer Forum，RAMBUS发展商论坛）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
RIMM（RAMBUS In-line Memory Moles，RAMBUS内嵌式内存模块）
ROM（read-only memory，只读存储器）
RRAM（Resistance RAM，非挥发性阻抗存储器）
RP（RAS Pre-charge Times，行地址预充电时间）
RL（Read Latency，读取反应时间）
SCP（CHIP SCALE PACKGE，芯片比例封装）
SD（Single Side，单面内存）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态内存）
SDR（Single Date Rate，单数据率）
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
SIMM（Single Inline Memory Mole，单边直线内存模块）
SLM（Spatial Light Molator，空间光线调节器）
SM（Smart Media，智能存储卡）
SMRAM（System Management RAM，系统管理内存）
SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Moles，小型双重内嵌式内存模块）
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）
SRAM（single-transistor DRAM，单晶体管DRAM）
SSFDC（Solid State Floppy Disk Card，固态软盘卡，通常指Smart Media）
SSTL（Stub Series Terminated Logic，残余连续终结逻辑电路）
TCP（Tape Carrier Packaging，带载封装）
TCSR（temperature compensated self refresh，温度补偿自刷新）
TD（Trace driven，追踪驱动）
TOM（Top of main memory，主内存顶端）
TSOPs（thin small outline packages，小型薄型封装）
UMA（Upper Memory Area，上部内存区）
ULVS（ultra low voltage signal，超低电压信号）
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非缓冲随机混合写入）
VCRAM（Virtual Channel Memory，虚拟通道内存）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构）
VCSDRAM（Virtual Channel SDRAM，虚拟通道内存）
VM（Virtual Memory，虚拟存储器）
VR（Virtual Register，虚拟寄存器）
WBGA（Windows-BGA，WBGA的面积尺寸为传统TSOP封装的36.52%，重量为传统TSOP的23.37%，整个WBGA的面积与内核的比例为128%，也就是说，封装的面积仅比管芯大28%。
WL（Write Latency，写反应时间）
WORM（write-onceread many，写一次读多次介质）
XDR（eXtreme Data Rate，极速数据率）
XMS（Extended Memory，扩展内存）