⑴ 韩国目标到2030年实现50%芯片材料供应本土化，难度有多大
难度系数很大，只有30%，实现半导体制造产业链中一半的原材料、元器件和设备可以在当地采购。政府加强芯片产业战略的一部分。拥有全球最大存储芯片制造商三星和SK海力士的韩国正在寻求加强其供应链的资源安全和稳定性，以成为该领域的“超级大国”。据芯片行业估计，韩国约20%的芯片设备和50%的原材料来自当地供应商。
要知道的是对于12英寸硅片来说，由于新厂的产能和硅片材料的新增产能，不存在明显的时间冲突。材料供应和价格都相对持平。但随着中国新晶圆厂的建设，这种平衡可能会被打破。同时，如何应对中国国内厂商对就近配套服务的需求，也将成为行业亟待解决的现实问题。在消费电子产业链的下游，零部件加工和整机组装复制了全球最大的廉价产能。将产业链上游零部件厂商和材料产能投入中国市场，满足中国国内市场零部件产能爆发后的配套需求。
⑵ 内存条上有HYNIX和KOREA ，哪个是内存的类型
这是现代内存条，韩国产。
内存容量：256
内存类型：ddr
内存主频：266mhz
⑶ 韩国芯片库存增幅创下6年多来最大，这背后代表了什么
韩国芯片库存增幅创下6年多来最大，这背后代表了韩国的芯片积压已经达到了历史以来的最高点，说明当前的芯片市场需求少，从中也使人们更加担心未枯搜来的市场前景。韩国的出口数据不佳，从而给全球经济的前景也增添了一抹浓重阴影。
韩凯念国的统计局公布，自6月份以来，全国的芯片库存比上一年同期增长了79%，这个数据可以算是2016年以来的最高幅度。当然因为韩国的芯片出口出现了问题，也使国内的出货量逐渐放慢，主产业的增速也出现了慢速度增长。
和去年的经营状况相比，今年的芯片下单量逐渐的减少。各家厂商的芯片库存已经积累到了最顶端，特别是储存芯片，驱动IC等市场的需求量特别少。积压不断的上升，在目前这种情况下，如何销售厂内的库存已经成为了各厂商最头疼的问题。在目前的形势下，全球经济紧缩，不管是哪个行业，都或多或少受到了不同程度的影响。这个时候更应该关注市场的变化，时刻紧随市场行情。
⑷ SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产1
据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。
该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。
去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。
这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。
由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。
据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。
外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产2
SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。
据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。
官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。
此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。
SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。
SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产3
7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。
美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。
韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的.NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。
据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。
SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。
层数越高越好
NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。
不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显着提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。
美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。
而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。
200层的野心
目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。
早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。
今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。
参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。
现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。
而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。