Ⅰ 求助，switch内存卡是TF卡吗
switch内存卡是sd卡，说是TF卡也行
就是手机用的那种卡
常见的闪迪就划分为 Ultra、Extreme 和 Extreme Pro 三种，三星在这方面就简单的分为 EVO 和 PRO。在同系列中，通常 Pro 系列的性能最强。
如果主卡带玩家，偶尔存点 DLC 和小游戏，那么只需认准 Class 10 规格的内存卡，往便宜的买就够了，毕竟百兆宽带跑满也才 10M/s，写入差不了多少，如果不是遇到较大容量的游戏，基本也没差多少。
Ⅱ 内存的性能指标
内存的性能指标有以下方面。
1、存储速度：内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取时间越短，速度就越快。
2、容量：内存的容量越大越不容易卡顿，但它要受到主板支持最大容量的限制。单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等几种。主板上通常都至少提供两个内存插槽，若安有多条内存，则电脑内存的总容量是所有内存容量之和。
3、CL CL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。
4、SPD芯片 SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器) 芯片.位置一般处在内存条正面的右侧, 里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。
5、工作电压：由于低电压内存要低于标准电压1.5V保证稳定工作，因此生产低电压内存要求更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质越不好，这也是低电压内存的优点之一。因此，内存条高低电压的区别就在于低压内存条比高压内存条耗电量低，更加环保。
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内存的构造和原理。
内存的内部结构是PC芯片中最简单的，是由许多重复的“单元”——cell组成，每一个cell由一个电容和一个晶体管（一般是N沟道MOSFET）构成，电容可储存1bit数据量，充放电后电荷的多少（电势高低）分别对应二进制数据0和1。
由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢失，导致电势不足而丢失数据，因此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作叫做刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。
而MOSFET则是控制电容充放电的开关。DRAM由于结构简单，可以做到面积很小，存储容量很大。
Ⅲ 在计算机中,存储信息速度最快的设备是
在计算机中，存储信息速度最快的设备是内存。
存取时间是内存的另一个重要指标，其单位为纳秒(ns)，常见的SDRAM有6ns，7ns， 8ns， 10ns等几种，相应在内存条上标为-6，-7，-8，-10等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也越高。在选配内存时，应尽量挑选与CPU的时钟周期相匹配的内存条，这将有利于最大限度地发挥内存条的效率。
内存慢而主板快，会影响CPU的速度，还有可能导致系统崩溃；内存快而主板慢，结果只能是大材小用造成资源浪费。
当内存的存取时间是10ns时，它的时钟频率最高可达100MHz，也就是说可以配合100MHz外频的主板使用；当存取时间是7ns时，时钟频率最高可达142MHz，这时主板的外频可以上到133MHz以上。
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内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就序状态前等待内存响应的时间。打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。
这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。
通常情况下，用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency，也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。