‘壹’ 什么是寄存器的容量衡量存储器容量的单位是什么
介绍一些最新的RAM技术词汇
CDRAM-Cached DRAM——高速缓存存储器
CVRAM-Cached VRAM——高速缓存视频存储器
DRAM-Dynamic RAM——动态存储器
EDRAM-Enhanced DRAM——增强型动态存储器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外扩充数据模式存储器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外扩充数据模式静态存储器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外扩充数据模式视频存储器
FPM-Fast Page Mode——快速页模式
FRAM-Ferroelectric RAM——铁电体存储器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步动态存储器
SRAM-Static RAM——静态存储器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步视频存储器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3维视频处理器专用存储器
VRAM-Video RAM——视频存储器
WRAM-Windows RAM——视频存储器(图形处理能力优于VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽动态存储器
SGRAM-Signal RAM——单口存储器
2.存储器有哪些主要技术指标
存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为记忆元件或记忆单元。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。位(bit)是二进制数的最基本单位，也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(Byte)，可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)在PC机中一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合组成一个存储体(MemoryBank)。为了区分存储体内的存储单元，必须将它们逐一进行编号，称为地址。地址与存储单元之间一一对应，且是存储单元的唯一标志。应注意存储单元的地址和它里面存放的内容完全是两回事。
根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器。在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器。在执行期间，程序的数据放在主存储器内。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为随机存取存储器(RAM)。另一种存储器叫只读存储器(ROM)，里面存放一次性写入的程序或数据，仅能随机读出。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间。RAM中存取的数据掉电后就会丢失，而掉电后ROM中的数据可保持不变。因为结构、价格原因，主存储器的容量受限。为满足计算的需要而采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如磁盘、光盘等。存储器的特性由它的技术参数来描述。
存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。一般主存储器(内存)容量在几十K到几十M字节左右；辅助存储器(外存)在几百K到几千M字节。
存取周期：存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。半导体存储器的存取周期一般为60ns-100ns。
存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来衡量。MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越强。
性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容。性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。对于外存储器，要求容量极大，而对缓冲存储器则要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/价格比是评价整个存储器系统很重要的指标。
SDARM能成为下一代内存的主流吗
快页模式(FPM)DRAM的黄金时代已经过去。随着高效内存集成电路的出现和为优化Pentium芯片运行效能而设计的INTEL HX、VX等核心逻辑芯片组的支持，人们越来越倾向于采用扩展数据输出(EDO)DRAM。EDO DRAM采用一种特殊的内存读出电路控制逻辑，在读写一个地址单元时，同时启动下一个连续地址单元的读写周期。从而节省了重选地址的时间，使存储总线的速率提高到40MHz。也就是说，与快页内存相比，内存性能提高了将近15%～30%，而其制造成本与快页内存相近。但是EDO内存也只能辉煌一时，其称霸市场的时间将极为短暂。不久以后市场上主流CPU的主频将高达200MHz以上。为优化处理器运行效能，总线时钟频率至少要达到66MHz以上。多媒体应用程序以及Windows 95和Windows NT操作系统对内存的要求也越来越高，为缓解瓶颈，只有采用新的内存结构，以支持高速总线时钟频率，而不至于插入指令等待周期。这样，为适应下一代主流CPU的需要，在理论上速度可与CPU频率同步，与CPU共享一个时钟周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM区别，SRAM的全写是Static RAM即静态RAM，速度虽快，但成本高，不适合做主存)应运而生，与其它内存结构相比，性能价格比最高，势必将成为内存发展的主流。
SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据。通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可达100MHz，与中档Pentium同步，存储时间高达5～8ns，可将Pentium系统性能提高140%，与Pentium 100、133、166等每一档次只能提高性能百分之几十的CPU相比，换用SDRAM似乎是更明智的升级策略。在去年初许多DRAM生产厂家已开始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM内存条，但其成本较高。现在每一个内存生产厂家都在扩建SDRAM生产线。预计到今年底和1998年初，随着64M SDRAM内存条的大量上市，SDRAM将占据主导地位。其价格也将大幅下降。
但是SDRAM的发展仍有许多困难要加以克服，其中之一便是主板核心逻辑芯片组的限制。VX芯片组已开始支持168线SDRAM，但一般VX主板只有一条168线内存槽，最多可上32M SDRAM，而简洁高效的HX主板则不支持SDRAM。预计下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片组TX将更好的支持SDRAM。
SDRAM不仅可用作主存，在显示卡专用内存方面也有广泛应用。对显示卡来说，数据带宽越宽，同时处理的数据就越多，显示的信息就越多，显示质量也就越高。以前用一种可同时进行读写的双端口视频内存(VRAM)来提高带宽，但这种内存成本高，应用受很大限制。因此在一般显示卡上，廉价的DRAM和高效的EDO DRAM应用很广。但随着64位显示卡的上市，带宽已扩大到EDO DRAM所能达到的带宽的极限，要达到更高的1600×1200的分辨率，而又尽量降低成本，就只能采用频率达66MHz、高带宽的SDRAM了。SDRAM也将应用于共享内存结构(UMA)——一种集成主存和显示内存的结构。这种结构在很大程度上降低了系统成本，因为许多高性能显示卡价格高昂，就是因为其专用显示内存成本极高，而UMA技术将利用主存作显示内存，不再需要增加专门显示内存，因而降低了成本。
什么是Flash Memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于Flash Memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS升级非常方便。Flash Memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的PCMCIA卡，一种称为Flash存储器卡，此卡中只有Flash Memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为Flash驱动卡，此卡中除Flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与IDE标准兼容，可在DOS下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为Flash固态盘。Flash Memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。(文章来源：硬件时空)
‘贰’ 如图1所示，请回答以下问题：通常半导体存储器芯片的存储容量如何表示图中存储器芯片的容量是多少
用字数位数表示，以位为单位。也可以用字节数表示容量。
8位数据总线，所以用字节表示比较方便。12位地址总线=2^12=4K
地址范围：0x000 ~0x3FF
所以存储容量为4K字节。
双译码方式，适用于存储容量较大、存储单元较多的情况下。
‘叁’ 某存储器芯片有地址12根，数据线16条。存储容量是多少怎么算就步骤
主存容量为8KB。
ram芯片的存储容量 ＝地址线条数×数据线的条数bit ＝ 字数（返陆蔽存储单元个数）×字长漏州。
地址线12根，表示能指示2^12个内存单元；而数据线16根，表明通过数据线每次可以传送16位(每根线每次只能传送1位)，即2B(16bit= 2*8bit = 2B)，那么可以理解为内存单元的大小等同于数据线每次的传送位数，同样为2B，所以主存容量为2^12*2B=8KB。
(3)寄存器芯片的存储容量怎么表示扩展阅读：
每一千个字节称为1KB，注意，这里的“千”不是我们通常意义上的1000，而是指1024。即：1KB=1024B。但如果不要求严格计算的话，也可以忽略地认为1K就是1000。 4）。
每1024个KB就是1MB（同样这里的K是悉扒指1024），即：1MB=1024KB=1024×1024B=1,048,576B这是准确的计算。如果不精确要求的话，也可认为1MB=1,000KB=1,000,000B。
另外需要注意的是，存储产品生产商会直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的计算方式统计产品的容量，这就是为何买回的存储设备容量达不到标称容量的主要原因（如320G的硬盘只有300G左右）
每1024MB就是1GB，即1GB=1024MB，例如一张软盘是1.44MB、一张CD光盘是650MB、一块硬盘是120GB。一篇10万汉字的小说，如果我们把存到磁盘上，需要占用100,000汉字=200,000B=200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB。
‘肆’ SRAM芯片的存储容量为多少，该芯片的地址线是多少根
SRAM芯和掘片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线是16根，数据线是16根。
存储容量的计算公式是：2^n，其中n就表示地址线的数目。2^16=65536，在计算机中就称其存储容量最大可扩展为64K。存储器芯片容量=单元数×数据线位数，因此64k*16位芯片的数据线是16根。
SRAM的中文意思就是静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。
相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
(4)寄存器芯片的存储容量怎么表示扩展阅读
SRAM主要用途：
SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。
SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。
SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。
SRAM是静态存储方式，以双型皮稳态电路作为存储单卜棚差元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
‘伍’ 怎么根据芯片的地址范围求该芯片的存储容量
用末地址减首地址，加1即为十六进制数，拆橘再用二进制的权位表示即可。所以根据该题中EPROM芯片的地址范围为：30800H ~ 30FFFH。
可得芯片的存储容量为2KB。另外EPROM芯片的存储容量为4KB，再由于无地址重叠，所以芯片存储容量为2KB。
片容量=2的地址线位数次方乘以数据线位数，比森御谨如地址线8位，数据线4位，芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位。
按位计算 (b) ： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长。
按字节计算(B)： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长 / 8。
存储单元 ：CPU访问存储器的最小单位，每个存储单元都有一个地址。
存储字长 ：存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数。
(5)寄存器芯片的存储容量怎么表示扩展阅读：
芯片储存之间的关系：
存储单元与地址线的关系： CPU访问存储器的最小单位是存储单元且每个存储单元都有一个地址，1 根地址线此基可以查找 2 个地址既2个存储单元，16根地址线则可以查找 2^16个存储单元。
存储字长与数据线的关系 ： 存储字长是指存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数，而二进制代码的位数是由数据线的根数决定的，也就是说： 存储字长 = 数据线根数字节（B）与位(b)的关系 : 计算机里规定 1Byte = 8bit 。
‘陆’ 存储器存储容量的基本单位是什么
计算机存储数据的最小单位是位，储存容量的基本单位是字节。计算机存储数据的最小单位，英文名称bit，又叫比特。
存储器中所包含存储单元的数量称为存储容量，其计量基本单位是字节，英文Byte。简称B。
8个二进制位称为1个字节，此外还有KB、MB、GB、TB等，它们之间的换算关系是1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。
存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量，用存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。
存储容量是指该便携存储产品最大所能存储的数据量，是便携存储产品最为关键的参数。一般U盘的容量有1GB、2GB、4GB、8GB、16GB、32GB、64GB，还有部分更高容量的产品，但价格已超出了用户可以接受的地步。其中1GB～2GB的便携存储，已基本被市场淘汰。
而4GB～16GB的产品是市场中的主流，价格在普通用户可以接受的范围内，也是厂家推出产品类型最多的容量类型；32GB以上的产品，因为价格昂贵，用户群体较少，产品种类也较少。
‘柒’ 存储器芯片的“256k x 16位”是什么意思这是怎么命名的
256K是256KB(256千字节)容量，16位是数据传输位宽（既16个数据同时传输）。另外对于存储器技术参数还有频率，也是相当重要，它决定多少时间传输一次（比如问起的256k x 16位，那一次就是16位）数据。
一般存储器的命名是以存储器的容量x存储器位宽（数据线根数）的规则命名。
这样根据命名就可以看出存储器的总容量，以及位宽（数据线根数）是多少。位宽越大，每次处理器能一次读取的数据就越多，这样访问速度就越快。
256kx16位，就是存储器总的容量是256k，也就是256x，256K是存储器容量。
16位是字长位宽，位宽越大，CPU一次读取的数据量就越多。
存储芯片是按模块存储的，分多少块，每块多少大容量，所说的 256K是每块存256字节，那16位是总线数理。
(7)寄存器芯片的存储容量怎么表示扩展阅读
存储器容量计算公式：
按位计算 (b) ： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长；
按字节计算(B)： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长 / 8。
存储单元 ：CPU访问存储器的最小单位，每个存储单元都有一个地址。
存储字长 ：存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数。
例题：一个存储器有16根地址线，8根数据线，求此存储器存储容量?
答：按位求取 2^16 x 8位 =64K x 8位；
按字节求取 2^16 x 8位/8 = 64K x B = 64kB。
分析：存储单元与地址线的关系： 我们知道CPU访问存储器的最小单位是存储单元且每个存储单元都有一个地址，1 根地址线可以查找 2 个地址既2个存储单元，16根地址线则可以查找 2^16个存储单元。
存储字长与数据线的关系 ： 我们知道存储字长是指存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数，而二进制代码的位数是由数据线的根数决定的，也就是说： 存储字长 = 数据线根数字节（B）与位(b)的关系 : 计算机里规定 1Byte = 8bit 。
所以存储器容量就有；两种表示方法 64K x 8位 = 64KB。我们常见的内存容量表示方法 是以字节为单位的。例如 1GB ,4MB, 512KB
1GB = 10^3MB =10^6KB = 10^9B = 10^9 x 8b 。
‘捌’ 有关于存储芯片容量问题
64K和16K可以理解为组数
8，1是这个芯片的位数。存储芯片一般使用位密度来表示其容量，但那样看不出单颗粒的位宽。
所以使用用64K*8或16K*1的方式来表达，很明显的可以看出芯片的位宽，方便拼接应用到它适合的总线宽度。32位总线上的256Kbyte存储器，我可以用4个64K*8的芯片拼在一起实现。字节容量256KB=64k*32位=64K*8位*4片。
现实中没有1位宽的内存芯片，最小是4位的。
前者只用一个片选，32片*16K*1位=（8片*16K*1位）*4组，组之间共享地址与数据线，要4个片选。