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存储类组件

发布时间: 2023-07-27 13:41:14

‘壹’ 存储器可分为哪三类

存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法,存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。

一、按存储介质划分

1. 半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。

2. 磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。

二、按存储方式划分

1. 随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。

2. 顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。

三、按读写功能划分

1. 只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。

2. 随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的存储器。

二、选用各种存储器,一般遵循的选择如下:

1、内部存储器与外部存储器

一般而言,内部存储器的性价比最高但灵活性最低,因此用户必须确定对存储的需求将来是否会增长,以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑,用户通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器。

2、引导存储器

在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中,用户可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码,以及是否需要专门的引导存储器。

3、配置存储器

对于现场可编程门阵列(FPGA)或片上系统(SoC),可以使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下,FPGA采用SPI接口,但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。

4、程序存储器

所有带处理器的系统都采用程序存储器,但是用户必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后,用户才能进一步确定存储器的容量和类型。

5、数据存储器

与程序存储器类似,数据存储器可以位于微控制器内部,或者是外部器件,但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器,但有时不包含内部EEPROM,在这种情况下,当需要存储大量数据时,用户可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。

6、易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器,前者在断电后将丢失数据,而后者在断电后仍可保持数据。用户有时将易失性存储器与后备电池一起使用,使其表现犹如非易失性器件,但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。

7、串行存储器和并行存储器

对于较大的应用系统,微控制器通常没有足够大的内部存储器。这时必须使用外部存储器,因为外部寻址总线通常是并行的,外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

8、EEPROM与闪存

存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊,如今有一些类型的存储器(比如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写,并像ROM一样在断电时保持数据,它们都可电擦除且可编程,但各自有它们优缺点。

参考资料来源:网络——存储器

‘贰’ 计算机的五大组件是什么

计算机的五大组件卜枯包枯弊悔括:

处理器(CPU):处理器是计算机的中央处理单元,负责执行计算机的指令和进行数据处理。

主板(motherboard):主板是没正计算机的基础硬件,它将计算机的各个部件连接在一起。

内存(RAM):内存是计算机的运行内存,用于存储程序运行时所需的数据和指令。

硬盘(hard drive):硬盘是计算机的长期存储设备,用于存储程序、文件和数据。

显示器(monitor):显示器是计算机的输出设备,用于显示计算机的输出信息。

‘叁’ 内存芯片的种类有哪些

爱学习的小伙伴们,你们知道内存芯片有哪些种类吗?不知道的话跟着我一起来学习了解内存芯片有哪些种类吧。

内存芯片有哪些种类

存储器分类

简称:Cache

标准:Cache Memory

中文:高速缓存

高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种,其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器

(CPU)处理数据时,它会先到高速缓存中寻找,如果数据因先前已经读取而暂存其中,就不

需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快,CPU若要连续存取内存的话,

必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如

Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存,通称为

L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

简称:DDR

标准:Double Date Rate

中文:双倍数据传输率

DDR系统时脉为100或133MHz,但是数据传输速率为系统时脉的两倍,即200或266MHz,系统

使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加,因此它的传输效能比同步动态随机存取

内存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

简称:DIMM

标准:Dual in Line Memory Mole

中文:双直列内存条

DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块,它实际上是一

种封装技术。在PCB板的一边缘上,每面有64叫指状铜接触条,两面共有168条。DIMM可以分

为3.3V和5V两种电压,这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种,目前比较常见的是3.3V含

缓冲器类型,而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各

种参数,让芯片组(Chipset)达到最佳状态。

简称:DRAM

标准:Dynamic Random Access Memory

中文:动态随机存储器

一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种,差异

在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据

则不需要刷新过程,在上电期间,数据不会丢失。

简称:ECC

标准:Error Checking and Correction)

在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差,也可以作双位或多位的误差核对与改

正。

简称:EDO DRAM

标准:Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文:EDO动态随机存储器

EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM,这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取

效能的存储器,为了提高EDO DRAM的读取效率,EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期

CAS#之下降边缘,而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。

简称:EEPROM

标准:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文:电子抹除式只读存储器

非挥发性存储器。电源撤除后,储存的信息(Data)依然存在,在特殊管脚上施加电压,同

时输出相应命令,就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中,存储用户设置的参

数。

这种存储器支持再线修改数据,每次写数据之前,必须保证书写单元被擦除干净,写一个数

据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

简称:EPROM

标准:Erasable Programmable Read-Only Memory

中文:紫外擦除只读存器

非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容,非常适合用作硬件当中的基本输出入系统

(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

这种存储器不支持再线修改数据。

简称:Flash

标准:Memory

中文:闪烁存储器

非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再

线修改数据,写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

Flash应用于大容量的数据和程序存储,如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

简称:FeRAM

标准:Ferroelectric random access memory

中文:铁电存储器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

简称:MRAM

标准:Magnetoresistive Random Access Memory

中文:磁性随机存储器

磁性随机存储器是正在开发阶段的,基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技术的固态存储介质,属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon

(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器,可达

1015,读写时间可达70nS,

简称:RAM

标准:Random Access Memory

中文:随机存储器

随机存取内存,是内存(Memory)的一种,由计算机CPU控制,是计算机主要的储存区域,指

令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存,它帮助中央处理器 (CPU ) 工作,从键盘

(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令,帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅

助内存 (Auxiliary Memory) ,以便日后仍可取用,也能主动把资料送到输出装置,例如打

印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度,RAM越大,所能容纳的资料越多,CPU读取的

速度越快。

简称:RDRAM

标准:Rambus DRAM

中文:Rambus动态随机存储器

这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ,提供了1000Mbps的传送速率,作业时不会

间断,比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速,当然价格比要DRAM贵。虽然

RDRA无法完全取代现有内存,不过因为总线 (BUS) 速度的需求,可以取代DRAM与静态随机

存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ,制造商展示的RDRAM则可达

600MHz,内存也只有8或9位 (bit ) 长,若将RDRAM并排使用,可以大幅增加频宽

(Bandwidth) ,将内存增为32或64位。

简称:ROM

标准:Read Only Memory

中文:只读存储器

只读存储器,这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变,计算机与使用者只能读

取保存在这里的指令,和使用储存在ROM的数据,但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一

个非挥发性芯片上,也就是说,即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存,所以这种内存多

用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令,开机的时候ROM提

供一连串的指令给中央处理单元进行测试,在最初的测试中,检查RAM位置(location)以确

认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer

circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

简称:SDRAM

标准:Synchronous Dynamic RAM

中文:同步动态随机存储器

SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步,所以可以比EDO 动态记忆模块

(EDO DRAM ) 的速度还快,采用3.3V电压(EDO DRAM为5V),168个接脚,还可以配合中央处

理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ,而有66与100MHz不同的规格,100MHz的规格就是

大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

简称:SIMM

标准:Single In-Line Memory Mole

中文:单直列内存模块

内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上,当时的

接脚主要为30个,可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line),一次资料存取

(Access)为32个字节,所以分为四条一组,因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为

72Pins,不过只能提供32字节的工作量,但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite),

因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

简称:SRAM

标准:Static Random Access Memory

中文:静态随机存储器

SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同,每个位使用6个晶体管(transistor)组

成,不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失,其存取时间较短控制电路简单,但制造

成本较高,单片难以做到DRAM那样容量。

简称:VCM SDRAM

标准:Virtual Channel Memory SDRAM

中文:虚拟信道存储器

1999年由于SDRAM在市场上大为缺货,而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组

(Chipset)业者,大力推广所谓的VCM模块技术,而为消费者广为接受,日本NEC更希望一举

将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品,并加

强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料

后,才能完整地送至SDRAM做进一步的处理,然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual

Channel),每一个信道都负责一个单独的memory master,因此可以减少内存(Memory)接口

的负担,进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与

日本NEC技术合作,在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机,由于

VCM技术可以减少内存接口的负担,以及本身低耗电的特性,相当适合笔记型计算机的运

‘肆’ 存储器的类型

根据存储材料的性能及使用方法的不同,存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类:半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类,一类是掉电后存储信息就会丢失,另一类是掉电后存储信息依然保留,前者专业术语称之为“易失性存储器”,后者称之为“非易失性存储器”。

1 RAM

易失性存储器的代表就是RAM(随机存储器),RAM又分SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)。

SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的,SRAM的工艺复杂,生产成本高,但SRAM速度较快,所以一般被用作Cashe,作为CPU和内存之间通信的桥梁,例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe,由于工艺特点,SRAM的集成度不是很高,所以一般都做不大,所以缓存一般也都比较小。

DRAM
DRAM(动态随机存储器)保存数据靠电容充电来维持,DRAM的应用比SRAM更普遍,电脑里面用的内存条就是DRAM,随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM(同步动态随机存储器)DDR SDRAM(双倍速率同步动态随机存储器),SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据,而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4,在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求,又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM),对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4,主流配置为3G或4G容量,如果达到6G或以上,就属于高端产品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器,这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据,后面不能再次修改,常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来,随着技术的发展,ROM也可以写数据,但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程的ROM内存,写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住, 以防止遭到紫外线照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除,所以这种存储器也不方便写入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM),电可擦除ROM,现在使用的比较多,因为只要有电就可擦除数据,再重新写入数据,在使用的时候可频繁地反复编程。

FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器,也叫闪存,FLASH是EEPROM的变种,与EEPROM不同的是,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比,FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛,U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH,SSD固态硬盘也属于FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面;随后,1989年,东芝公司发表了Nand Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同,Nor Flash更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而Nand Flash更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样,而且Nand Flash与Nor Flash相比,成本要低一些,而容量大得多。

如果闪存只是用来存储少量的代码,这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此,Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,Nand Flash型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持,在Nand Flash上进行同样操作时,通常需要驱动程序。

目前手机中的机身内存容量都比较大,主流配置已经有32G~128G存储空间,用的通常就是Nand Flash,另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。

‘伍’ SLC,MLC和TLC三者的区别

一、存储技术不同

1、SLC:单层单元存储技术。

2、MLC:多层单元存储技术。

3、TLC:三层单元存储技术。

二、特点不同

1、SLC:在每个单元中存储一个Bit,这种设计提高了耐久性、准确性和性能。

2、MLC:架构可以为每个单元存储2个Bit。

3、TLC:用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。


三、用处不同

1、SLC:对于企业的关键应用程序和存储服务,SLC是首选的闪存技术。它的价格最高。

2、MLC:存储多个Bit似乎能够很好地利用空间,在相同空间内获得更大容量,但它的代价是使用寿命降低,可靠性降低。

3、TLC:适合于包含大量读取操作的应用程序,基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用。


‘陆’ 静态存储器和动态存储器器件的特性有哪些主要区别各自主要应用在什么地方

静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个双稳态电路存储一位二进制代码0或1,一块存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件,需要电源才能工作,只要电源正常,就能长期稳定的保存信息,所以称为静态存储器。如果断电,信息将会丢失,属于挥发性存储器,或称易失性。
动态存储器是采用超大容量的存储技术,但是,其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比,耗电量相对较高。优点: 跟其它类型的存储器相比,每兆比特的价格为最低。
所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等都属于动态储存器。