❶ FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有啥区别各有什么作用用在那
Flash存储器又称为闪存，是一种非易失性的ROM存储器，在EEPROM的基础上发展而来，但不同于EEPROM只能全盘擦写，闪存可以对某个特定的区块进行擦写，这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快，但远不及RAM存储器；但它断电后不会像内存一样丢失数据，因此适合做外存储设备。用途：U盘、固态硬盘、BIOS芯片等。
DDR是一种技术，中文为双倍速率，并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器，全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义，它有三个重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（动态），表明存储元为电容，通过电容的电荷性判断数据0和1。而由于电容有漏电流，必须随时对电容进行充电，以防数据丢失，这个过程就叫动态刷新；其次是Synchronous（同步），表明读写过程由时钟信号控制，只能发生在时钟信号的上沿或下沿，是同步进行的，而不可以在随意时刻进行；最后是Double Date Rate（DDR），这是DDR内存最重要的特性，即相比SDRAM内存，DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射，因此一个周期内可以传输两次数据，所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途：内存条和显存颗粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。
RAM是Random Access Memory的缩写，中文为随机存储器。这个定义非常广，凡是可以进行随机读写的存储器，都可以称为RAM，和ROM（只读存储器）相对。用途：内存、显存、单片机、高速缓存等等
SRAM是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。相比动态RAM，优点：1.不需要刷新操作，省去刷新电路，布线简单；2.速度远高于DRAM。缺点：1.容量远小于DRAM；2.由于晶体管规模远大于DRAM，成本远高于DRAM。用途：寄存器、高速缓存、早期内存
DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写，动态存储器。和上面的定义一样，由电容存储数据，需要实时刷新，因此叫动态RAM。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射，但通常我们不严格区分它们，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也属于一种DRAM。用途：内存、显存
❷ flash芯片有哪些种类
Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash三类；
Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过Nor
Flash，比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的读卡MP3和数码相框中还有见
到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。
Nand
Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level
cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2
bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
AG-AND
Flash
是日本Renesas(瑞萨)公司的技术，良品率不是很高，而且有效容量也比较低。原厂推出的Flash，容量有88%、92%、96%，96%可以用于
MP3产品中，而另外两种只能用于U盘和SD卡产品中。现在Renesas已经推出Flash的生产商行列，而
AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。
❸ FLASH存储器是什么
什么是flash
memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识
近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(flash
memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，flash
memory属于eeprom(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有rom的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，
功耗很小。目前其集成度已达4mb，同时价格也有所下降。
由于flash
memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用flash
rom
bios，会使得bios
升级非常方便。
flash
memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于flash
memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。
目前研制的flash
memory都符合pcmcia标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的pcmcia卡，一种称为flash存储器卡，此卡中只有flash
memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为flash驱动卡，此卡中除flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与ide标准兼容，可在dos下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为flash固态盘。
flash
memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把bios系统驻留在flash存储器中。
❹ 如何查U盘\卡的Flash存储芯片是MLC颗粒、SLC颗粒 黑胶体的U盘
可以用ChipGenius 或者同类软件查出U盘、卡和黑胶体的芯片型号。如下图所示：
❺ 什么存储芯片能存储20M左右的数据
你是要20M的还是20Mbit的? 接近的有32M和16M
下面给你推荐两个
第一个是32Mbit 4M容量
第二个是256Mbit 32M容量
之前我做过一个需要大容量采集的项目 我使用了sd卡 还是很方便的
希望我的回答对你有所帮助 若有疑问可以继续追问
MX25L25635EMI-12G 256M MXIC 旺宏SOP16 FLASH存储芯片
SOP16 封装 TP价格7-12元
❻ 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力
长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！
两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。
长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。
另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！
综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！
冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。
存储芯片的前景如何展望？
合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。
长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。
最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？
Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。
近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。
全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。
2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。
总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。
未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。
当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。
合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。
看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的
目前看合肥长鑫优势明显
合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。
这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。
不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。
这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。
从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。
国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。
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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。
市场来说长鑫的dram内存价值更大。
但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。
合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。
长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。
谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距
当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。
❼ SSD 固态硬盘的FLASH 存储芯片
NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存。
SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。
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Smartcom 睿通的产品采用平均抹写或称损耗均衡算法（wear leaving）可延长FLASH 的使用寿命。 固态硬盘存储芯片品牌，型号一览表 三星 S3C49RBX01-YH80、S3C29RBB01-YK40 东芝 TC58NCF602GAT、TC58NCF618GBT、T6UG1XBG Intel JS29F08G08CANB2、JS29F16G08CANC1 Mircon MT29F8G08ABABAWP:B、MT29F16G08ABACAWP