❶ 有关计算机组成原理的题目，我想问一下“512K×8位”指的是什么K和位、字节、MB不是可以转化的吗
512Kx8位表示芯片的容量。512K表示芯片的寻址范围可以达到512K，8位表示系统数据总线有8位。
1KB=1024Bytes=2的10次方Bytes
1MB=1024KB=2的20次方Bytes
1GB=1024MB=2的30次方Bytes
1TB=1024GB=2的40次方Bytes
(1)8位存储器有哪些扩展阅读：
根据计算机的不同，字长有固定的和可变的两种。固定字长，即字长度不论什么情况都是固定不变的；可变字长，则在一定范围内，其长度是可变的。
计算的字长是指它一次可处理的二进制数字的数目。计算机处理数据的速率，自然和它一次能加工的位数以及进行运算的快慢有关。如果一台计算机的字长是另一台计算机的两倍，即使两台计算机的速度相同，在相同的时间内，前者能做的工作是后者的两倍。
一般地，大型计算机的字长为32-64位，小型计算机为12-32位，而微型计算机为4-16位。字长是衡量计算机性能的一个重要因素。
❷ 在AT89C51系列单片机内有几类存储器存储容量分别是多少
MCS-51单片机在物理结构上有四个存储空间： 1、片内程序存储器 2、片外程序存储器 3、片内数据存储器 4、片外数据存储器 但在逻辑上，即从用户的角度上，8051单片机有三个存储空间： 1、片内外统一编址的64K的程序存储器地址空间（MOVC） 2、256B的片内数据存储器的地址空间（MOV） 3、以及64K片外数据存储器的地址空间（MOVX） 在访问三个不同的逻辑空间时，应采用不同形式的指令以产生不同的存储器空间的选通信号。程序ROM 寻址范围：0000H ~ FFFFH 容量64KB EA = 1，寻址内部ROM；EA = 0，寻址外部ROM 地址长度：16位 作用： 存放程序及程序运行时所需的常数 数据存储器片内数据存储器为8位地址，所以最大可寻址的范围为256个单元地址，对片外数据存储器采用间接寻址方式，R0、R1和DPTR都可以做为间接寻址寄存器，R0、R1是8位的寄存器，即R0、R1的寻址范围最大为256个单元，而DPTR是16位地址指针，寻址范围就可达到64KB。也就是说在寻址片外数据存储器时，寻址范围超过了256B，就不能用R0、R1做为间接寻址寄存器，而必须用DPTR寄存器做为间接寻址寄存器。其中片内数据存储器分为两部分，地址从00H—7FH单元（共128个字节）为用户数据RAM，从80H—FFH地址单元（也是128个字节）为特殊寄存器（SFR）单元。
❸ 设有一个具有24位地址和8位字长的存储器,问:该存储器能够存储多少字节的信息
该存储器能够存储16MB的信息。
因为存储器具有24位地址线，而且采用8位字长的存储器，存储空间的大小等于存储单元的个数乘以存储单元的长度。根据题目可以得出存储单元的长度为8位转化成字节为1字节=（1B），地址线为24位所以存储单元的个数为2^24个。
存储器的长度=2^24*1B=2^24B=16MB。
(3)8位存储器有哪些扩展阅读：
存储器的分类：
根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。
1、按存储介质分类
半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。
磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
2、按存储方式分类
随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。
顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。
3、按存储器的读写功能分类
只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。
4、按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。
永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。
主要采用三级层次结构来构成存储系统，由高速缓冲存储器Cache、主存储器和辅助存储器组成。图中自上向下容量逐渐增大，速度逐级降低，成本则逐次减少。
参考资料来源：网络-存储器
❹ 某静态存储器的存储容量是2048×8位它的地址线有多少条
这种标示方法，通常表示该存储器可以存储8位数据2048个，那么地址线的数量必须保证可寻址2048个，2048=2^11，也就是以2进制递进寻址，需要11条地址线。
❺ 某ROM芯片有8个地址输入端和8个数据输入端，该芯片的存储容量是多少尽量说下计算方法，多谢各位了！
这个不难请听我道来。首先有8位数据线，可知此存储器为八位存储器。然后有八条地址线可寻址2^8=256个的单元。所以可见存储器有256个存储单元，而每个单元又是8位，所以存储容量是256*8bit即256B。
动态RAM ,静态RAM可随时存储。SRAM（静态RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（动态RAM)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。PROM，一次性编程写入，不可再改。EPROM，可擦除的可编程只读存储器。擦除条件比较特殊。例如12V高压，或者光照一类。参看http://..com/question/505537932.html?oldq=1